专利名称：薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管之显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管，特别是涉及一种用于在绝缘基板(例如玻璃基板或硅基板)上构成像素切换装置或驱动电路之薄膜晶体管(此后将称为TFT)，并涉及一种包含此薄膜晶体管之液晶显示器及自发光显示器。
背景技术：
在主动式矩阵液晶显示器中，使用TFT作为像素切换装置或驱动电路之晶体管。另外，近来，TFT正被用作有机电致发光装置(有机发光二极管(OLED)显示器)中的像素开关装置或驱动电路之晶体管，该发光装置作为一种自发光显示器而引人注目。
在常规的TFT中，通常使用非晶硅(此后将称为a-Si)作为晶体管材料，但是在此情形中，因为载流子迁移率小，所以切换速度慢，因此必须在该基板的周围处个别地安装一像素驱动LSI。
同时，如日本专利特许公开申请案第H5-145074号中所述，人们正在积极地发展采用具有高载流子迁移率之多晶硅(此后将称为p-Si)作为晶体管材料的TFT器件。此处，因为切换速度相当快，所以可将晶体管器件微型化，并且因为该驱动电路可集成在与该TFT器件相同的基板上，所以经由缩减制造步骤及缩减组件的数量可降低制造成本，从而可以相当低的成本制造高分辨率TFT基板。
另外，利用p-Si TFT制造方法，一种低温准分子激光晶化技术(被称为p-Si TFT)已经渐成为主流，其中使用准分子激光进行晶化，其可使得处理温度为450℃或更低，以便在热阻值低于石英的玻璃基板上形成p-Si TFT。
再者，人们正在研究使用激光提升晶体中的载流子迁移率。举例来说，在“2001年主动式矩阵液晶显示器国际研讨会”(2001年7月11-13日由日本应用物理协会主办，第71-74页)所公开的技术中，利用低温poly-Si TFT，除了可在相同的基板上整体形成像素驱动晶体管及驱动电路之外，在基板中内置DAC(数字模拟转换器)电路，并且可在像素区中内置存储电路以储存像素信息，以便开发更精密及高效率的显示器。
发明内容
常规的低温poly-Si薄膜晶体管具有下面的问题。换言之，为改善主动式矩阵显示器的性能，除了通过改善p-Si晶体以提升切换速度之外，还必须改善TFT电路本身(包含内置的驱动电路等)的工作速度。
其中一种改善TFT电路工作速度的方法是，优化TFT器件结构及改善其结晶度，或降低构成该TFT电路之布线阻值及降低布线之间的寄生电容值。在任一种情形中，都有必要改善性能，同时改善材料(如构成TFT电路之布线及绝缘膜)的形成方法。
本发明的目的是解决上述的各种问题，并且提供一种薄膜晶体管，它在绝缘基板(如玻璃基板或硅基板)上构成高效率的像素驱动装置及驱动电路，并且提供一种高效率的液晶显示器及自发光显示器。
为实现前述的目的，本发明希望能够通过降低构成薄膜晶体管之绝缘膜材料的介电常数、并因此降低布线之间的电容值以提升薄膜晶体管的驱动速度。
在本发明中，形成薄膜晶体管的绝缘膜计有，形成于该poly-Si膜下层上方的底层绝缘膜、栅极绝缘膜、布线层间绝缘膜、及表面保护膜(钝化膜)。作为一个实例，图1示出一种p-MOS TFT，与上述对应的是，绝缘膜层(如底层绝缘膜2)、栅极绝缘膜6、层间绝缘膜8及表面保护膜11。
通常会使用CVD(化学气相沉积)方法形成的氧化硅膜或氮化硅膜，并被用作前面的绝缘膜，这些材料中最低介电常数是氧化硅膜的值4。通过改变该CVD方法的沉积条件，可降低所形成的绝缘膜的介电常数。然而，使用等离子体是在利用CVD方法形成薄膜的主流，在沉积期间，等离子体可能会破坏半导体层或电极表面层，并且因而影响该晶体管的性能。
同时，作为用以降低该绝缘膜介电常数的构件，可以使用绝缘有机聚合物，如聚酰胺。虽然有机聚合物因为其介电常数低于4而较适合使用，但是其缺点是机械强度实际上低于无机膜，并且其吸湿性及湿气渗透性较高。再者，当作为层间绝缘膜时，该器件的可靠性便会发生问题，如该器件结构的机械强度降低及因为吸收湿气造成线路腐蚀。
因此，在防止半导体层及布线层遭到破坏的同时，尤其要检验一种方法，以通过利用绝缘膜降低绝缘膜的介电常数。因此，在本发明中，通过形成一绝缘膜达到前述的目的，其中，用以形成薄膜晶体管的绝缘膜的介电常数为3.4或更低，该薄膜晶体管包含在基板上形成的半导体薄膜，该绝缘膜中具有小细孔，它具有的主要组成物为SiO(氧化硅)。此处所指的绝缘膜是底层绝缘膜、栅极绝缘膜、层间绝缘膜、表面保护膜及在该玻璃基板上所形成的类似的绝缘膜。另外，该绝缘膜中的细孔直径原则上不小于0.05纳米且不大于4纳米，较佳的是不小于0.05纳米且不大于1纳米。
再者，该绝缘膜主要是由SiO组成并且通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷(silsesquioxane)化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
以氢倍半硅氧烷化合物作为其主要组成物的涂液的制备，是通过将标准化学式为(HSiO/3/2)n的化合物溶解在溶剂中，如甲基异丁酮。将此溶液涂在该基板上，在100至250℃温度中进行中度加热之后，在惰性气体气氛(如氮气氛)中，将其在350至450℃温度中进行加热。从而会在梯状结构中形成Si-O-Si结合键，并且最后会形成以SiO作为主要组成物的绝缘膜。
以甲基倍半硅氧烷化合物作为主要组成物的涂液的制备，是通过将标准化学式为(CH3SiO3/2)的化合物溶解在溶剂(如甲基异丁酮)。将此溶液涂在该基板上，在100至250℃温度中进行中度加热之后，在惰性气体气氛(如氮气氛)，将其在350至450℃温度中进行加热。从而会在梯状结构中形成Si-O-Si结合键，并且最终形成以SiO作为主要组成物的绝缘膜。
在主要由SiO组成并且通过加热涂膜而形成的绝缘膜中，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物，作为用以控制该绝缘膜中细孔直径的方法，举例来说，一种方法是，除了在该氢倍半硅氧烷化合物溶液中包含甲基异丁酮之类的溶剂之外，还包含一种组成物，其热解温度高于此溶剂，其中于该膜中分解的微量该组成物形成细孔。
利用这种方法，通过以不同方式选取具有高热解温度的组成物，可以利用分解温度改变分解行为。因此，通过控制细孔的形成，可使得该细孔直径范围落在选择的范围内。
当形成一薄膜晶体管时，必须在该绝缘膜上形成一开孔。但是，因为前面的绝缘膜是以SiO为其主要组成物的膜，所以与常规的氧化膜及类似的膜相同，可使用蚀刻气体形成该开孔。所以，优点是仍然可使用常规的氧化硅膜蚀刻器件。
用以涂溶剂形成绝缘膜的方法有旋涂法、狭缝涂布(split-coating)法或印制法。并且，因为该绝缘膜是通过加热此涂膜而形成的，所以其优点是与CVD方法的绝缘膜比较起来，即使对于密集形成细微的布线，不同的涂层特性是有利的，从而可消除表面差异。
另外，在TFT生产线中，使用大型玻璃基板已经成为最近的主流，例如，730×930毫米，1000×1200毫米。当在这些大基板上利用CVD方法形成绝缘膜时，便需要大型的沉积装置，而设备成本对器件成本的影响非常大。相反地，利用本发明，因为是利用涂布/加热方法形成该绝缘膜，可大幅地降低设备成本，所以可有效地降低生产线投资成本并且最后可控制器件成本。
再者，利用本发明，较佳的是，在该绝缘材料加热/形成步骤中，最高的加热温度在350至400℃范围之间，并且可与一种普通工艺方法相结合，该方法用于在玻璃基板上、于450℃或更低的温度下形成主要由多晶硅所构成的薄膜晶体管。
这里，通过采用降低于该绝缘膜中形成小细孔时的密度及接近真空介电常数的方法，该绝缘膜的介电常数可低于氧化硅膜的介电常数。特别是，通过控制这些小细孔的大小及密度，便可形成具有任意介电常数的绝缘膜。
然而，当小细孔的直径变大时，可能发生的问题是，该绝缘膜本身结构的机械强度会变差，或该绝缘膜中的漏电流变大从而降低绝缘膜的耐受电压特性。因此，必须特别注意于包含于该绝缘膜中的细孔大小。
因此，利用本发明，通过控制细孔直径的范围来抑制绝缘膜的机械强度及耐受电压的恶化。该细孔之主直径较佳的是在5.0纳米或更小范围内。此处，当该细孔主直径在1.0纳米或更小范围内时，该绝缘膜的介电常数便会大幅地降低至4以下，当该细孔主直径在2.0纳米或更小范围内时、或者当细孔的密度增加时，该绝缘膜的介电常数会进一步地降低，而且其数值会大幅地降低至3以下。
再者，利用本发明，为降低布线阻值，形成该薄膜晶体管的电路布线采用铝、或是电阻率低于铝的金属材料作为其主要组成物。以铝为主要材料的布线材料的实例有Al，Al-1％Si，Al-4％Cu等。当该绝缘膜的形成温度在350至400℃范围之间时，由于可抑制产生对于形成前面的布线会造成问题的小突起(hillocks)，所以可产生具高效率特性的薄膜晶体管。
另外，建议可使用铜作为材料，其能够降低的布线阻值大于铝布线。因此，结合铜布线及前述的绝缘膜便可形成具更高效率特性的薄膜晶体管。
下面的说明结合附图，可以更清楚地理解本发明的所有特征、目的及优点，其中图1所示是用于解释实施例1的p-MOS薄膜晶体管剖面图；图2所示是用于解释实施例2的n-MOS薄膜晶体管剖面图；图3所示是用于解释存在于该绝缘膜中细孔的细孔生成分布图；图4所示是用于解释具有图3所示细孔之绝缘膜的光穿透率的说明图；图5所示是用于解释存在于该绝缘膜中细孔的细孔生成分布图；图6所示是用于解释实施例4的液晶显示器剖面图；图7所示是一种与p-MOS与n-MOS晶体管所组成之垂直驱动电路与水平驱动电路整体形成于相同玻璃基板上的液晶显示器的平面图；及图8所示是用于解释实施例5的有机电致自发光显示器剖面图。
具体实施例方式
现在将参考
本发明的实施例。(实施例1)图1所示是用于解释本发明的实施例的p-MOS薄膜晶体管剖面图。首先要说明的是p-MOS薄膜晶体管的制造方法。
当在非碱金属玻璃基板1上沉积一底层绝缘膜2及一a-Si膜之后，利用众所周知的准分子激光晶化技术，将a-Si膜的必要区域制成多晶硅膜之后形成一图样，按照公知的离子掺杂，采用杂质注入技术形成具有源极区3、沟道区4及漏极区5的p型半导体薄膜层。之后，依序层叠栅极绝缘膜6、栅极电极7、及覆盖上面各层的层间绝缘膜8，之后，便会形成经由开孔连接到源极区的源极电极9、经由开孔连接到漏极区的漏极电极10、及用于覆盖前述器件之表面的钝化膜11，完成该p-MOS薄膜晶体管。
此处，该底层绝缘膜2、栅极绝缘膜6、层间绝缘膜8及钝化膜之中至少任一层的形成方式如下。作为一个示例，将说明层间绝缘膜的情况。换言之，利用公知的涂布方法，在该半导体薄膜上涂布以氢倍半硅氧烷化合物作为主要组成物的甲基异丁酮溶液，之后会在氮气氛中以200℃的温度加热30分钟。再者，通过在氮气氛中以400℃的温度额外加热30分钟，将在梯状结构中形成Si-O-Si结合键，从而最后可形成以SiO作为主要组成物的绝缘膜。
(实施例2)图2所示是用于解释实施例2的n-MOS薄膜晶体管的剖面图。在图2中，该n-MOS薄膜晶体管是以下面的步骤形成的。也就是，当在非碱金属玻璃基板1上沉积一底层绝缘膜2及一a-Si膜之后，利用公知的准分子激光晶化技术，将该a-Si膜区域之至少一部份制成多晶硅膜。在该多晶硅膜上形成一图样，接着，利用依据离子掺杂的杂质注入技术形成一n型半导体薄膜层，其包含源极区3、沟道区4、漏极区5、轻掺杂漏极区(LDD区)12、13。接着，在该n型半导体薄膜层的上方形成栅极绝缘膜6、栅极电极7、及覆盖上面各层的层间绝缘膜8，之后，形成经由开孔连接到源极区的源极电极9、经由开孔连接到漏极区的漏极电极10、及用以覆盖前述之器件表面的钝化膜11，完成该n-MOS薄膜晶体管。
此处，在该底层绝缘膜2、栅极绝缘膜6、层间绝缘膜8及钝化膜11之中至少任一层上涂布以氢倍半硅氧烷化合物作为主要组成物的甲基异丁酮溶液，之后在氮气氛中以200℃的温度加热30分钟，再在氮气氛中以400℃的温度进一步加热30分钟，以便形成以SiO作为主要组成物的绝缘膜，其中，在梯状结构中形成Si-O-Si结合键。在图2中，此绝缘膜被用作层间绝缘膜8。
上述实施例1及2中所使用的绝缘膜之介电常数为3.4或更小，优选的是3.0，并且在该绝缘膜中有细孔。这些细孔的主直径在5.0纳米或更小的范围内，尤其是在1.0纳米或更小的范围内。图3所示是细孔生成分布图。该细孔生成分布是利用Rigaku公司所制造的X射线薄膜结构分析装置ATX-G进行测量。测量结果如下所述。
首先，在基板上涂布以氢倍半硅氧烷化合物作为主要组成物的甲基异丁酮溶液，之后在氮气氛中以200℃的温度加热30分钟，并且在氮气氛中以400℃的温度进一步加热30分钟，以便形成以SiO作为主要组成物的绝缘膜，其中在梯状结构中形成Si-O-Si结合键。至于前述的绝缘膜，其膜厚度及膜密度的测量是利用X射线反射率测量方法，之后测量漫散射X射线分量。
根据该漫散射测量数据、散射体(scatterer)；也就是，细孔生成之分布的计算是依照预期该球型散射体的散射函数来比较理论散射强度。
另外，相对于该绝缘膜，形成厚度为0.7毫米的有角的玻璃基板，不具有基准玻璃基板，使用日立公司所制造的U-4000分光光度计测量400纳米至800纳米波长范围内(为可见光范围)的光穿透率。其结果如图4所示。
图中所示，在400纳米至800纳米之波长范围内的光穿透率为90％。在短波长处穿透率并不会衰减并且显示出稳定的高数值，并且具有足够的穿透率可作为显示器中所用的薄膜材料。
当使用内部含有图3所示细孔之绝缘材料作为图1或图2中的层间绝缘膜8时，与以常规CVD方法利用氧化硅膜的情况相比较，该薄膜晶体管的布线延迟时间可缩短约20％。顺便一提，源极电极9及漏极电极10都是由铝线所制成的。(实施例3)实施例3是在图1或图2的底层绝缘膜2、层间绝缘膜8及钝化膜11上涂布绝缘膜的情况，该绝缘膜是通过加热以氢倍半硅氧烷化合物作为其主要组成物的涂膜而产生的。形成该绝缘膜的方法与上面的实施例1及2相同，但是绝缘膜之介电常数约为2.5，其中包含的细孔的主直径在5.0纳米或更小范围内，尤其是在2.0纳米或更小的范围内。
与实施例1及2相同，图5所示是细孔生成分布的测量结果，该测量是利用Rigaku公司所制造的X射线薄膜结构分析装置ATX-G进行的。因此，与实施例2相同，通过采用前述的绝缘膜至该底层绝缘膜2、层间绝缘膜8及钝化膜11之中至少一层，布线延迟时间便可缩短约25％。(实施例4)图6所示是使用实施例1至3中所述之薄膜晶体管的一种液晶显示器剖面图。在本实施例中，实施例1及2中所形成的p-MOS及n-MOS薄膜晶体管构成的驱动电路被设置在该基板附近，如图7所示，垂直驱动电路21与水平驱动电路22整体形成于靠在显示区域20的相同玻璃基板23上。
在图6所示的情况中，通过将ITO电极14经由至钝化膜11的开孔连接至漏极电极10，构成像素的ITO电极14被形成在图2所示之n-MOS薄膜晶体管的钝化膜11上，作为像素驱动晶体管。该液晶显示器的结构包括玻璃基板19上的彩色滤光层18，基板19面对其上形成有薄膜晶体管的玻璃基板1(与图2的玻璃基板1对应)；相对的共同ITO电极层17，形成在该彩色滤光层18上；间隔16，用以控制TFT玻璃基板1的间隙；及液晶层15，其厚度由该间隔所指定。
在图6中，并未示出用以导入液晶的基板外围。另外，虽然采用顶栅低温多晶硅薄膜晶体管的情况是示例性的，不过本发明并不限于这些实施例。
(实施例5)图8所示是使用实施例1至3所述之薄膜晶体管的有机电致自发光显示器的剖面图。在本实施例中，实施例1及2中所形成的p-MOS及n-MOS薄膜晶体管所构成的驱动电路被设置在基板附近，垂直驱动电路21与水平驱动电路22被整体形成于靠着该显示区域的相同玻璃基板上。
在图8中，使用图2所示之n-MOS薄膜晶体管作为像素驱动薄膜晶体管，一个像素阳极电极(ITO电极)24被形成并经由至其钝化膜11的开孔，之后，形成一个分离绝缘膜25，用以分离个别像素之间的有机电发光层26。此处，使用聚酰胺材料作为该分离绝缘膜25。接着，在其上形成有机电发光层26作为发光层，在其上形成一阴极电极27，从而完成一有机电致自发光显示器。
在以上实施例4及5所述的显示器中，使用实施例1至3中所述的薄膜晶体管来驱动红、绿及蓝色像素，而该绝缘膜构成此薄膜晶体管；也就是说，在底层绝缘膜、栅极绝缘膜、层间绝缘膜、钝化膜及表面绝缘膜中，通过在其中至少一层中采用一绝缘膜，该绝缘膜内部包含具有指定直径的细孔，便可降低薄膜晶体管的杂散电容值，因此，可改善该薄膜晶体管的驱动速度。
如上所述，通过使用具有低介电常数及小细孔的绝缘膜，其中细孔生成分布是受控制的，便可改善薄膜晶体管的性能。另外，通过在像素切换装置或驱动电路中使用前述的薄膜晶体管，便可改善液晶显示器及自发光显示器的性能。
虽然已经显示及说明根据本发明的几种实施例，但是应该了解的是，在不脱离本发明的范围的情况下，可对所公开的实施例进行变化及修改。所以，并不希望限制于此处所显示及所说明的细节，而是希望涵盖在权利要求书之范围中的所有变化及修改。图中图11玻璃基板2底层绝缘膜3p型薄膜半导体源极区4p型薄膜半导体沟道区5p型薄膜半导体漏极区6栅极绝缘膜7栅极电极8层间绝缘膜9源极电极10漏极电极11钝化膜图21玻璃基板2底层绝缘膜3’n型薄膜半导体源极区4’n型薄膜半导体沟道区5’n型薄膜半导体漏极区
6栅极绝缘膜7栅极电极8层间绝缘膜9源极电极10漏极电极11钝化膜12轻掺杂漏极区13轻掺杂漏极区图4SOG_T12沉积条件薄膜厚度300nm温度90℃/10分，150℃/10分，200℃/10分，400℃/30分，炉内，氮气氛图614像素ITO电极15液晶层16间隔控制垫片17相对的共同ITO电极层18彩色滤光层19相对的玻璃基板图720显示区域21垂直驱动电路22水平驱动电路23玻璃基板图824像素阳极电极25绝缘膜26有机电发光层(光发射层)27阴极电极
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括在基板上方的一绝缘膜及一半导体膜，其特征在于，该绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该绝缘膜中具有小细孔，以及该绝缘膜的介电常数为3.4或更低。
2.一种薄膜晶体管，包括在基板上方的一绝缘膜及一半导体膜，其特征在于，该绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该绝缘膜中具有细孔，其直径主要为不小于0.05纳米且不大于4纳米，以及该绝缘膜的介电常数为3.4或更低。
3.一种薄膜晶体管，包括在基板上方的一绝缘膜及一半导体膜，其特征在于，该绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该绝缘膜中具有细孔，其直径主要为不小于0.05纳米且不大于1纳米，以及该绝缘膜的介电常数为3.4或更低。
4.一种薄膜晶体管，包括在基板上方的一底层绝缘膜、一栅极绝缘膜、一半导体膜、一层间绝缘膜及一钝化膜，其特征在于，所述绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在所述栅极绝缘膜中具有直径主要为不小于0.05纳米且不大于1纳米的细孔，所述栅极绝缘膜的介电常数为3.4或更低，其中，该底层绝缘膜、该层间绝缘膜及该钝化膜之中至少一层是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该底层绝缘膜、该层间绝缘膜及该钝化膜之中至少一层中具有直径主要为不小于0.05纳米且不大于4纳米的细孔，以及该底层绝缘膜、该层间绝缘膜及该钝化膜之中至少一层的介电常数为3.4或更低。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
7.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
8.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体薄膜是一种多晶硅膜，它是对非晶硅膜进行热处理及生长晶粒而形成的。
10.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体薄膜是一种多晶硅膜，它是通过对非晶硅膜进行热处理以生长晶粒而形成的。
11.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体薄膜是一种多晶硅膜，它是通过对非晶硅膜进行热处理以生长晶粒而形成的。
12.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管是一种多晶硅膜，它是通过对非晶硅膜进行热处理以生长晶粒而形成的。
13. 一种液晶显示器，包括薄膜晶体管，其特征在于，构成该薄膜晶体管的绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该绝缘膜中具有小细孔，以及该绝缘膜的介电常数为3.4或更低。
14.如权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，该绝缘膜是形成于基板上方的一底层绝缘膜、一栅极绝缘膜、一半导体绝缘膜、一层间绝缘膜及一钝化膜之中的至少一层。
15.如权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，该绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
16.如权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，该半导体薄膜是一种多晶硅膜，它是通过对非晶硅膜进行热处理以生长晶粒而形成的。
17.如权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，该薄膜晶体管包括的电路布线是由铝或电阻率低于所述铝的金属材料制成的。
18.一种自发光显示器，包括薄膜晶体管，其特征在于，构成该薄膜晶体管的绝缘膜是一种含有SiO的绝缘膜，该薄膜晶体管在该绝缘膜中具有小细孔，以及该绝缘膜的介电常数为3.4或更低。
19.如权利要求18所述的自发光显示器，其特征在于，该绝缘膜是形成于基板上方的一底层绝缘膜、一栅极绝缘膜、一半导体绝缘膜、一层间绝缘膜及一钝化膜之中的至少一层。
20.如权利要求18所述的自发光显示器，其特征在于，该绝缘膜是一种通过加热一涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。
21.如权利要求18所述的自发光显示器，其特征在于，该半导体薄膜是一种多晶硅膜，它是通过对非晶硅膜进行热处理以生长晶粒而形成的。
22.如权利要求18所述的自发光显示器，其特征在于，该薄膜晶体管包括的电路布线是由铝或电阻率低于所述铝的金属材料制作而成。
全文摘要
构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
文档编号H01L29/786GK1441501SQ02130120
公开日2003年9月10日 申请日期2002年8月22日 优先权日2002年2月26日
发明者田中顺, 大谷美晴, 尾形洁, 田村太久夫, 堀越和彦 申请人:株式会社日立制作所