专利名称：防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法
技术领域：
本发明是有关于一种主动式有机发光二极管器件(Active MatrixOLED)的制造方法，且特别是有关于一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法。
现今一种主动式有机发光二极管器件以在积极的发展中。关于主动式有机发光二极管的结构其及制造方法如下所述。
图1所示，其绘示为公知一种主动式有机发光二极管器件的结构剖面示意图。
请参照图1，公知主动式有机发光二极管器件的制造方法，首先在一基板100上形成一栅极102。接着于基板100与栅极102上形成一栅极绝缘层104。并且在栅极102上方的栅极绝缘层104上形成一信道层106。之后，于信道层106上形成一漏极108a/源极108b，以构成一薄膜晶体管。
紧接着，于基板100上方形成一保护层110，覆盖住薄膜晶体管。之后，于保护层110中形成一开口112，并暴露出源极108b。之后，再于保护层110上与部分开口112内部形成一阳极层114，而使阳极层114与源极108b电性连接。之后，于基板100上方依序形成一发光层116以及一阴极层118。如此，即完成一主动式有机发光二极管的制作。
在公知主动式有机发光二极管器件的制作过程中，其有机层116与阴极层118以蒸镀的方式直接镀在薄膜晶体管结构与阳极层114的上方。然而，由于有机层116与阴极层118的阶梯覆盖能力较差，因此在薄膜晶体管结构中的较大转角处120，例如是在漏极/源极108a/108b图案两端的转角处120，将特别容易使后续形成于其上方有机层116与阴极层118产生不连续或断裂的情形。而当阴极层118有不连续或断裂的情形发生时，非但会对器件的电流传导受到影响，且对器件的发光也会造成严重的影响。
本发明提出一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有数个呈数组排列的薄膜晶体管，且每一薄膜晶体管包括一栅极、一信道层、一源极以及一漏极。接着，在基板上方形成一保护层，并且平坦化此保护层。其中此保护层的材质例如是介电树脂(Dielectric Resin)。之后，在保护层中形成一开口，暴露出漏极。然后，在保护层上与部分开口内形成一阳极层，以使漏极与阳极层电性连接。之后，再于在基板上方依序形成一发光层以及一阴极层，而形成一主动式有机发光二极管器件。
本发明提出另一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，此方法首先提供一基板，而基板上已形成有数个呈数组埋列的薄膜晶体管以及与每一薄膜晶体管对应的一阳极层，其中每一薄膜晶体管包括一栅极、一信道层、一源极以及一漏极，且阳极层与源极电性连接。接着，在基板上形成一图案化的保护层，覆盖住薄膜晶体管而暴露出大部分的阳极层。之后，在基板上方形成一图案化的感光材质层，覆盖住保护层，借此以填平凹凸不平的保护层。其中图案化感光材质层所使用光罩与图案化保护层时所使用的光罩为相同一光罩。然后，在感光材质层与阳极层上形成一发光层以及一阴极层，而形成一主动式有机发光二极管器件。
本发明再提出一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层，其中此导电层的材质例如是钼/铝/钼堆栈层。之后，在此导电层上形成一图案化的光阻层，并且以此光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，而形成薄膜晶体管的源极/漏极图案。其中所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状。而此干式蚀刻制作工艺的一反应气体例如是SF6与O2的混合气体，或者是Cl2与BCl3的混合气体，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之间，Cl2/BCl3的比例介于0.4～0.8之间。最后再将光阻层移除。由于所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状，因此可防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。
本发明再提出一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善主动式有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层。接着在导电层上形成图案化的一第一光阻层，并且以第一光阻层为罩幕进行一第一蚀刻制作工艺，以移除导电层的部分厚度。之后，进行一光阻层灰化步骤(Ashing)，以移除第一光阻层的部分厚度，而形成一第二光阻层。然后，再以第二光阻层为罩幕进行一第二蚀刻制作工艺，而形成薄膜晶体管的源极/漏极图案。其中，源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状。最后再将第二光阻层移除。由于所形成的源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状，因此可防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。
本发明再提出一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该主动式有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，此方法包括在一基板形成一导电层。之后，在导电层上形成一光阻层，并以此光阻层为罩幕进行一蚀刻制作工艺，以形成薄膜晶体管的源极/漏极图案，其中此蚀刻制作工艺的一蚀刻液为HNO3/H3PO4/CH3COOH，且蚀刻液中HNO3的重量比介于0.1～0.2之间。由于本发明的方法所使用蚀刻液的HNO3的浓度较高，因此其对于接口的蚀刻速率相对较高，而借此以削缓薄膜晶体管的源极/漏极两端陡峭的转角，以防止后续于其上方所形成的阴极层产生断裂。
本发明提出一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有复数个呈数组排列的薄膜晶体管，且每一薄膜晶体管包括一栅极、一信道层、一源极以及一漏极。接着，在基板上形成与每一薄膜晶体管对应的一阳极层，其中阳极层与薄膜晶体管的源极电性连接。之后，在基板上方形成一发光层以及一阴极层，覆盖住薄膜晶体管与阳极层。当所形成的阴极层产生断裂的情形时，可于阴极层的表面上形成一修补导电层，借此以修补阴极层发生断裂之处。其中，形成修补导电层的方法例如是溅镀法。另外，形成此修补导电层的方法还可以先进行一热蒸镀步骤或电子束蒸镀步骤，再进行一溅镀步骤。而修补导电层的材质可以是任何能用于修补阴极层的导电材质，较佳的是阴极层相同的材质。
本发明所提出的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，包括利用将保护层平坦化，或是于保护层上形成一感光材质层以填平凹凸不平的保护层，或者是利用特殊的蚀刻方式，以削减源极/漏极两端的转角处的方式，都可以有效的达到防止后续所形成的阴极层产生断裂。特别是，本发明还可以利用一修补步骤，以修补阴极层的断裂处，而使器件仍能正常运作。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明。
118、218、318、618阴极层120、615转角处 302感光材质层108、408、508导电层 402、502、504光阻层620修补导电层请参照图2，本发明第一实施例的主动式有机发光二极管器件的制造方法首先在一基板100上形成一图案化的第一导电层102，其作为一栅极之用。其中，栅极102的材质例如是铬金属。之后，在基板100与栅极102上形成一栅极绝缘层104。
接着，于栅极102上方的栅极绝缘层104上形成一信道层106。其中，信道层106的材质例如是非晶硅。紧接着，于信道层106上形成一图案化的第二导电层108a/108b，其作为一漏极/源极。如此即形成一薄膜晶体管结构。
之后，在基板100上方形成一保护层210，覆盖住薄膜晶体管。其中保护层210的材质例如是一介电树脂(Dielectric Resin)。紧接着，进行一平坦化步骤，以使保护层210具有一平坦的表面。
然后，在保护层210中形成一开口212，暴露出源极108b。之后，于保护层210上与部分开口212内形成一阳极层214，以使阳极层214与源极108b电性连接。其中，阳极层214的材质例如是铟锡氧化物。接着，于基板100上方形成一发光层216，覆盖住阳极层214，其中发光层216的材质为具有发光特性的有机化合物。之后，于发光层216上形成一阴极层218，以形成一主动式有机发光二极管器件。
由于本实施例在薄膜晶体管结构上形成具有平坦表面的保护层210，因此后续于保护层210上形成发光层216与阴极层218时，可减少因发光层216与阴极层218的阶梯覆盖能力较差而造成阴极层218产生断裂的问题。第二实施例图3所示，其绘示是依照本发明第二实施例的主动式有机发光二极管器件的结构剖面示意图。
请参照图3，本发明第二实施例的主动式有机发光二极管器件的制造方法首先在一基板100上形成一图案化的第一导电层102，其作为一栅极之用。其中，栅极102的材质例如是铬金属。之后，在基板100与栅极102上形成一栅极绝缘层104。
接着，于栅极102上方的栅极绝缘层104上形成一信道层106。其中信道层106的材质例如是非晶硅。紧接着，于栅极绝缘层104上形成一阳极层314。其中阳极层314的材质例如是铟锡氧化物。
之后，于信道层106与部分阳极层314上形成一图案化的第二导电层108a/108b，其作为一漏极/源极之用。其中源极108b与阳极层314电性连接。如此，即形成一薄膜晶体管结构。
紧接着，在基板100上方形成一图案化的保护层310，覆盖住薄膜晶体管结构以及一小部分的阳极层314。其中，保护层310的材质例如是氮化硅。之后，在基板100上形成一感光材质层，以填平凹凸不平的保护层310。之后进行一微影制作工艺，以使感光材质层302仅覆盖住保护层310，而暴露出阳极层314。
接着，在基板100上方形成一发光层316，覆盖住感光材质层302以及阳极层314。其中发光层316的材质为具有发光特性的有机化合物。之后，于发光层316上形成一阴极层318，以形成一主动式有机发光二极管器件。
由于本发明第二实施例通过感光材质层302而将薄膜晶体管上方凹凸不平的保护层310填平。因此，后续于感光材质层302上形成发光层316与阴极层318时，可减少因发光层316与阴极层318的阶梯覆盖能力较差而造成阴极层318产生断裂的问题。第三实施例造成主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂，主要是因为薄膜晶体管的源极/漏极在特定区域会有较大的转角处，因此后续于转角处上方所形成的阴极层较容易产生断裂。而要避免器件的阴极层产生断裂，可直接由漏极/源极的大转角处进行改善步骤。
图4A至图4C所示，其绘示为依照本发明第三实施例的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的流程剖面示意图。
请参照图4A，本实施例的方法利用于形成薄膜晶体管的源极/漏极时进行改良步骤，此方法包括在一基板400上形成一导电层408，其中导电层408的材质例如是钛/铝/钛堆栈层或钼堆栈层。之后，于导电层408上形成一图案化的光阻层402，覆盖住预定形成源极/漏极之处。
之后，请参照图4B，以光阻层402为一蚀刻罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，以形成漏极/源极408a/408b图案。其中，所形成的漏极/源极408a/408b图案两端的轮廓为斜坡状。而此干式蚀刻制作工艺所使用的一反应气体为SF6与O2的混合气体，或是Cl2与BCl3的混合气体。本实施例就是利用调整SF6/O2或Cl2/BCl3的比例，而使光阻层402侧向被蚀刻的速率和导电层408被蚀刻的速率的关系达最佳化，进而使最后所形成的漏极/源极408a/408b图案两端的轮廓为斜坡状。在本实施例中，SF6/O2的比例例如是介于0.5～1.0之间，Cl2/BCl3的比例例如是介于0.4～0.8之间。
接着，请参照图4C，将光阻层402移除。之后，再依序于基板400上方形成主动式有机发光二极管器件的各层膜，例如保护层、阳极层、发光层、阴极层等等。由于后续各层膜的制作已于公知技术中说明，在此不再赘述。
本实施例于源极/漏极图案两端原先会形成有转角处的部分，利用特殊的蚀刻方法将转角处削缓。因此，可避免后续于其上方所形成的主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂。
另一种利用特殊的蚀刻方式以改善主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂的方法如下所述。
请参照图5A，此方法亦是利用于形成薄膜晶体管的源极/漏极时进行改良步骤，此方法包括在一基板500上形成一导电层508。之后，于导电层508上形成一图案化的光阻层502，覆盖住预定形成源极/漏极之处。
之后，请参照图5B，以光阻层502为一蚀刻罩幕进行一蚀刻制作工艺，以移除部分厚度的导电层508。
接着，请参照图5C与图5D，进行一光阻层灰化(Ashing)步骤，以移除光阻层502的部分厚度，而形成光阻层504。之后，以光阻层504为一蚀刻罩幕进行一蚀刻步骤，以形成漏极/源极508a/508b图案。其中，所形成的漏极/源极508a/508b图案两端的轮廓呈阶梯状。之后，再将光阻层504移除。
然后，再依序于基板500上形成主动式有机发光二极管器件的各层膜，例如保护层、阳极层、发光层、阴极层等等。由于后续各层膜的制作已于公知技术中说明，在此不再赘述。
本实施例于源极/漏极图案两端原先会形成有转角处的部分，利用特殊的蚀刻方法将原先的转角处形成阶梯状。因此，可避免后续于其上方所形成的主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂。
再者，另一种利用特殊的蚀刻方式，以改善主动式有机发光二极管器件的阴极层生断裂的方法，利用于形成源极/漏极的蚀刻制作工艺中，将蚀刻液中的HNO3的浓度提高，以使接口的蚀刻速率加快。如此，也可以达到削减源极/漏极的转角处的目的，进而使后续所形成的阴极层不会产生断裂。其详细的说明如下。
此种方式于蚀刻一基板上的一导电层以形成源极/漏极图案时，将此蚀刻制作工艺所使用的蚀刻液中的HNO3浓度提高。在本实施例中，所使用的蚀刻液例如是＿HNO3/H3PO4/CH3COOH，且蚀刻液中的HNO3的重量比例如是介于0.1～0.2之间，由于接口的蚀刻速率提高可产生较平缓的角度，如此可避免所形成的源极/漏极图案两端形成陡峭的轮廓。因此，此种方法也可防止后续于其上方所形成的主动式有机发光二极管器件的阴极层产生断裂。第四实施例本实施例的方法于当主动式有机发光二极管器件于制作完成之后，发现器件的阴极层产生断裂时，可利用一修补方式进行阴极层的修补，以使器件仍能正常运作。其详细的说明如下。
图6A至图6B所示，其绘示为依照本发明第四实施例的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的流程剖面示意图。
请参照图6A，首先提供一基板600，其中基板600上已形成一主动式有机发光二极管器件，其包括一薄膜晶体管、一保护层610、一阳极层614、一发光层616以及一阴极层618。其中，薄膜晶体管包括一栅极(未绘示)、一源极/漏极608以及一信道层(未绘示)，且源极/漏极608图案两端具有一转角处615。由于在转角处615上方的发光层616与阴极层618，特别是阴极层618因其阶梯覆盖能力较差，因此将非常容易于此处产生断裂。
请参照图6B，当主动式有机发光二极管器件的阴极层618产生断裂的情形时，便可进行一修补步骤，借此以修补阴极层618的不连续或断裂情形。而此修补步骤利用溅镀的方式于阴极层618的表面上形成一修补导电层620。其中，修补导电层620的材质可以是任何能用于修补阴极层618的材质，较佳的是与阴极层618相同的金属材质。由于溅镀制作工艺的阶梯覆盖能力较佳，因此于阴极层618的表面上形成此修补导电层620，可修补阴极层618于转角处615产生断裂的情形。而由于此修补导电层620仅是用来修补阴极层618，以使整个阴极层618的导通电流与器件的发光机制不会受到阴极层618断裂的影响，因此，此修补导电层620的厚度不需太厚。
另外，本实施例于阴极层618上形成修补导电层620的方法还包括在阴极层617上先进行一热蒸镀步骤或一电子束蒸镀步骤，紧接着再以进行一溅镀步骤，而形成修补导电层620。如此，也同样可达到修补阴极层618断裂的情形。
本发明的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，包括将保护层平坦化，或是于保护层上形成一感光材质层以填平凹凸不平的保护层，或者是利用特殊的蚀刻方式以削减源极/漏极两端的转角处的方式，都可以有效的达到防止后续所形成的阴极层产生断裂。特别是，本发明还可以利用一修补步骤，以修补阴极层的断裂处，而使器件仍能正常运作。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
权利要求
1.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于包括提供一基板，其中该基板上已形成有复数个呈数组排列的薄膜晶体管，且每一该些薄膜晶体管包括形成有一栅极、一信道层、一源极以及一漏极；在该基板上方形成一保护层，覆盖住该些薄膜晶体管；平坦化该保护层；在该保护层中形成一开口，暴露出该漏极；在该保护层上与部分该开口内形成一阳极层；在该基板上方形成一发光层，覆盖该阳极层；在该发光层上形成一阴极层。
2.如权利要求1所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该保护层的材质包括介电树脂。
3.如权利要求1所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该阳极层的材质包括铟锡氧化物。
4.如权利要求1所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该发光层的材质包括具有发光特性的一有机化合物。
5.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于包括提供一基板，该基板上已形成有复数个呈数组排列的薄膜晶体管以及与每一该些薄膜晶体管对应的一阳极层，其中每一该些薄膜晶体管包括一栅极、一信道层、一源极以及一漏极，且该阳极层与该源极电性连接；在该基板上方形成一图案化的保护层，覆盖住该些薄膜晶体管，暴露出部分该阳极层；在该基板上方形成一图案化的感光材质层，覆盖住该保护层，以填平凹凸不平的该保护层；在该感光材质层与该阳极层上形成一发光层；在该发光层上形成一阴极层。
6.如权利要求5所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该保护层的材质包括氮化硅。
7.如权利要求5所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中图案化该感光材质层所使用的光罩与图案化该保护层时所使用的光罩为相同的一光罩。
8.如权利要求5所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该阳极层的材质包括铟锡氧化物。
9.如权利要求5所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该发光层的材质包括具有发光特性的一有机化合物。
10.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该主动式有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于该方法包括在一基板形成一导电层；在该导电层上形成一图案化的光阻层；以该光阻层为罩幕进行一干式蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案，其中该源极/漏极图案两端的轮廓呈斜坡状；移除该光阻层。
11.如权利要求10所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该干式蚀刻制作工艺的一反应气体包括SF6与O2的混合气体，且SF6/O2的比例介于0.5～1.0之间。
12.如权利要求10所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该干式蚀刻制作工艺的一反应气体包括Cl2与BCl3的混合气体，且Cl2/BCl3的比例介于0.4～0.8之间。
13.如权利要求10所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该导电层的材质包括钛/铝/钛堆栈层。
14.如权利要求10所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该导电层的材质包括钼。
15.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该主动式有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于该方法包括在一基板形成一导电层；进行一蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案，其中该源极/漏极图案两端的轮廓呈阶梯状。
16.如权利要求15所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案的方法包括在该导电层上形成一图案化的第一光阻层；以该第一光阻层为罩幕进行一第一蚀刻制作工艺，以移除该导电层的部分厚度；移除该第一光阻层的部分厚度，而形成一第二光阻层；以该第二光阻层为罩幕进行一第二蚀刻制作工艺，以形成该源极/漏极图案。
17.如权利要求16所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中移除该第一光阻层的部分厚度的方法包括进行一灰化步骤。
18.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其通过削缓一薄膜晶体管的一源极/漏极两端的一转角处，借此以改善该主动式有机发光二极管器件的一阴极层产生断裂的情形，其特征在于该方法包括在一基板形成一导电层；进行一蚀刻制作工艺，以形成该薄膜晶体管的该源极/漏极图案，其中该蚀刻制作工艺的一蚀刻液为HNO3/H3PO4/CH3COOH，且该蚀刻液中的HNO3的重量比介于0.1～0.2之间。
19.一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于包括提供一基板，其中该基板上已形成有复数个呈数组排列的薄膜晶体管，且每一该些薄膜晶体管包括形成有一栅极、一信道层、一源极以及一漏极；在该基板上方形成与每一该些薄膜晶体管对应的一阳极层，其中该阳极层与该源极电性连接；在该基板上方形成一发光层以及一阴极层，覆盖该些薄膜晶体管与该阳极层；在该阴极层上形成一修补导电层，借此以修补该阴极层发生断裂之处。
20.如权利要求19所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中形成该修补导电层的方法包括溅镀法。
21.如权利要求19所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中形成该修补导电层的方法包括先进行一蒸镀步骤，再进行一溅镀步骤。
22.如权利要求19所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中形成该修补导电层的方法包括先进行一电子束蒸镀步骤，再进行一溅镀步骤。
23.如权利要求19所述的防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，其特征在于其中该修补导电层的材质与该阴极层的材质相同。
全文摘要
一种防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法，此方法首先提供一基板，其中基板上已形成有数个呈数组排列的薄膜晶体管，且每一薄膜晶体管包括一栅极、一源极、一漏极以及一信道层。接着，在基板上方形成一保护层，并平坦化此保护层。之后，在保护层中形成一开口，暴露出漏极。然后，在保护层上与部分开口内形成一阳极层，以使漏极与阳极层电性连接。之后，再于基板上方依序形成一发光层以及一阴极层。
文档编号H01L27/32GK1466229SQ0214037
公开日2004年1月7日 申请日期2002年7月1日 优先权日2002年7月1日
发明者李信宏, 苏志鸿, 郑逸圣 申请人:友达光电股份有限公司