专利名称：电镀预处理溶液和电镀预处理方法
技术领域：
本发明涉及一种电镀预处理溶液及使用该溶液的方法。更具体地，本发明涉及一种去除残留在布线图配线之间的绝缘膜表面上的金属的溶液及其使用方法，所述溶液在通过微细线距蚀刻绝缘膜表面上具有金属层的带基而形成布线图之后和在布线图电镀之前被使用。
背景技术：
常规上用膜载带来安装电子零件。用于安装电子零件的膜载带通过以下过程被生产将导电金属箔例如铜箔通过粘合层粘结到绝缘膜例如聚酰亚胺膜的表面上，用光致抗蚀剂涂覆导电金属箔的表面，曝光并显影光致抗蚀剂从而形成所需的图案，用所得图案作为掩蔽材料蚀刻导电金属箔从而形成由导电金属箔组成的布线图，用阻焊剂覆盖除导线部分外的布线图，然后电镀暴露于阻焊剂层外的导线部分。
为了更密集地安装电子零件，近来布线图的宽度变得极小，并且为了形成小宽度的布线图，有必要形成与小宽度的布线图相应的薄的导电金属层。
在现有技术中，通过粘合剂将传导电金属箔例如电积铜箔粘合到绝缘膜表面上而形成导电金属层，然而，能够被单独处理的导电金属箔的厚度是受限制的。
于是，近来金属直接镀于绝缘膜表面上的薄层带基被使用。薄层带基通过以下过程被生产在绝缘膜的表面上提供镍、铬等溅射层，然后当需要的时候，在Ni-Cr溅射层上溅射喷镀铜，然后，通过电镀方法在溅射层上进一步镀理想厚度(如约8μm)的铜。
这样形成的铜层的表面再被涂覆光致抗蚀剂，并且该光致抗蚀剂被曝光和显影形成理想的图案。然后，使用该图案作为掩蔽材料，用含有氯化铜、过氧化氢等的蚀刻溶液进行蚀刻，由此能够形成理想的布线图。
然而，为了在其上镀铜，镍、铬等通过溅射喷镀在薄层带基的绝缘膜的表面上，但是，如镍和铬的金属难溶解于用于铜的蚀刻溶液中。此外，镍、铬和铜通过溅射喷镀会形成合金并且镀于绝缘膜的表面上，因此它们难以通过使用蚀刻溶液从实体上被洗脱掉。由于残留在绝缘膜上的痕量金属，布线图的配线间的绝缘特性有时会随时间推移而下降。
此外，当含有镍、铬等的层的厚度增加时，或者当镍-铬组合物中镍的含量超过20％时，又或者当残留金属的量增加时，会出现另一个问题，即在恒定温度、恒定湿度的环境中施加一电压，布线图的配线之间的绝缘电阻显著下降，从而导致发生迁移的时间缩短。
如果为了去除残留在绝缘膜上的痕量金属而改变蚀刻条件，过度蚀刻就会发生并且所得的布线图会变薄。也就是说，含有氯化铜和H2O2的蚀刻液被用于蚀刻铜，并且当使用这种蚀刻液长时间进行蚀刻时，配线间出现的残留金属的量能够下降，但是，对于精细图案蚀刻(如，线宽度为30μm)的情况，因为配线的宽度小，所以图案的顶部宽度变得不超过5μm。
有一种通过在电镀前用过硫酸钾(K2S2O8)+硫酸(H2SO4)溶液进行软蚀刻从而去除残留金属的方法。然而，如果在恒定温度和恒定湿度(如85℃×85％RH×DC60V)的条件下向布线图已用此方法处理过并且经过化学镀锡的带基持续施加直流电压，则在大约100～200小时后，布线图的配线之间有时会发生燃烧，此外，有时会出现铜的分枝从而明显的降低绝缘电阻。也就是说，通过仅使用含有K2S2O8+H2SO4或H2O2的常规电镀预处理溶液，尽管铜可以被蚀刻，但是镍和铬难以被去除，因此，镍和铬经常残留在配线之间。
此外，用市售的用于溶解镍的溶液处理时，清洗不充分会导致被处理的物质残留在布线图上，并且对绝缘特性更具有有害影响。
发明目的本发明的目的是提供一种电镀预处理溶液和及其使用方法，该溶液能够去除配线间绝缘膜表面上的含有镍和铬等的铜合金，所述去除通过使用常规的电镀预处理溶液是不可能的，该溶液还能够生产一种即使在锡电镀后，在恒定温度和恒定湿度的条件下施加电压时电学特性也很少下降的膜载体。
本发明的另一个目的是提供能够抑制金属例如铜发生迁移的电镀预处理溶液及使用该电镀预处理溶液的方法。
发明内容
本发明的电镀预处理溶液包括有机磺酸、硫脲、氟硼酸和次磷酸。
本发明的电镀预处理方法包括将布线图形成于绝缘膜表面上的膜载带同含有有机磺酸、硫脲、氟硼酸和次磷酸的电镀预处理溶液接触，以去除残留在绝缘膜上的金属。
本发明的电镀预处理溶液不仅能够溶解和去除残留在绝缘膜上的镍和铬，还能去除残留在绝缘膜上的铜。而且，该电镀预处理溶液并不会导致通过蚀刻形成的布线图发生过度蚀刻。
由此，通过使用本发明的电镀预处理溶液，不会引起被形成的布线图的电学特性发生改变，例如由于发生迁移而引起的电阻降低。
图1为具有阳极和阴极交替配置图案(下文称为梳形图案电极)的测试片图，该图用来说明由于使用本发明的电镀预处理溶液处理所带来的效果。
图2为曲线图，该图用来说明经本发明的电镀预处理溶液处理的测试片的电阻值随时间而变化的例子。
图3为曲线图，该图用来说明没有经电镀预处理溶液处理的测试片的电阻值随时间而变化的例子。
10阳极和阴极交替配置图案(梳形图案电极)具体实施方式
本发明的电镀预处理溶液及其使用方法详细描述如下。
本发明的电镀预处理溶液是一种在电镀前被用于处理薄膜载体的溶液，该薄膜载体通过以下过程制备通过溅射在绝缘膜例如聚酰亚胺膜上镀镍、铬等，然后如果需要通过溅射镀铜，进一步，通过，例如，化学镀和铜电镀在所得的金属溅射层上镀铜以获得薄片，然后在薄片上形成布线图。在这种膜载体中，导电金属无须插入粘合层而直接层迭在绝缘膜上。
当通过蚀刻在带基上形成布线图时，导电金属未被隐蔽的部分被洗脱从而暴露绝缘膜的表面，在被暴露的绝缘膜表面上，有时残留痕量金属。这些残留金属含有，作为主要成分，最初被溅射喷镀的镍和铬，并且在许多情况下，镍和铬与后来被溅射喷镀的铜一起作为合金出现。形成布线图时，含有氯化铜和过氧化氢的蚀刻剂被使用，并且这种蚀刻溶液对铜有良好的蚀刻性能，但对镍和铬却没有如此高的蚀刻性能。尤其当镍和铬与铜形成合金时，或尤其当所形成的合金嵌入绝缘膜内时，这些合金很容易残留。另一方面，尽管市售的除镍试剂能够去除镍，但是当镍形成合金时，尤其当形成铜合金时，该合金难以被去除而在绝缘膜表面上痕量残留。
本发明的电镀预处理溶液包括有机磺酸、硫脲、氟硼酸和次磷酸，而且不仅能够去除镍和铬液还可以去除铜。
本发明电镀预处理溶液中含有的有机磺酸是硫脲的再生物。也就是说，本发明电镀预处理溶液中含有的硫脲与铜一起形成络合物从而被消耗。在本发明中使用的有机磺酸再生出这种硫脲。有机磺酸的例子包括苯酚磺酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-丙磺酸、丁磺酸、2-丁磺酸、戊磺酸和氯丙磺酸。这些有机磺酸可以被单一或结合使用。在本发明中，特别地优选使用苯酚磺酸和/或甲磺酸。
1升电镀预处理溶液中，通常加入80～240g有机磺酸，优选100～200g。通过以该量加入有机磺酸，残留在绝缘膜表面上的铜可以持续地、有效地被洗脱。
本发明的电镀预处理溶液中含有的硫脲((NH2)2C＝S)是铜去除剂，它与残留在绝缘膜上的铜一起形成络合物从而去除铜。
在1升电镀预处理溶液中，通常加入80～240g硫脲，优选100～200g。通过以该量加入硫脲，残留在绝缘膜表面上的铜可以有效地被洗脱。如上所述，硫脲与残留在绝缘膜上的铜一起形成络合物从而去除残留在绝缘膜上的铜，并且由于有机磺酸，硫脲能够从硫脲和铜的络合物中被再生。
本发明的电镀预处理溶液中含有的氟硼酸不但用于洗脱残留在绝缘膜上的镍和铬而且还能溶解铜。
在1升电镀预处理溶液中，通常加入30～100g氟硼酸，优选50～80g，氟硼酸可以作为酸被加入，或者也可以作为盐被加入，例如钾盐或钠盐。通过以上面的量加入氟硼酸，残留在绝缘膜表面上的金属，例如镍和铬，能够有效地被洗脱，此外，通过硫脲被洗脱的铜的溶解性变好。
本发明的电镀预处理溶液中含有的次磷酸是该电镀预处理溶液的稳定剂。
在1升电镀预处理溶液中，通常加入30～100g次磷酸，优选50～80g。次磷酸(H3PO4)可以作为酸被加入，或者也可以作为盐被加入，例如钾盐或钠盐。通过以上面的量加入次磷酸，本发明的电镀预处理溶液可以长时间稳定使用。
对于本发明的电镀预处理溶液，优选加入表面活性剂。通过向本发明的电镀预处理溶液中加入表面活性剂，膜载带(将被处理的)对该电镀预处理溶液的可湿性能够被提高，因而膜载带的表面可以被均匀地处理。作为用于本发明的表面活性剂，任何的阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子型表面活性剂都是可用的。在本发明中，优选使用阳离子表面活性剂或阴离子表面活性剂，特别地优选使用阳离子表面活性剂。阳离子表面活性剂的例子包括十二烷基三甲基铵氯化物和十二烷基二甲基苯铵氯化物。这些表面活性剂可以被单一或结合使用。十二烷基三甲基铵氯化物和十二烷基二甲基苯铵氯化物在本发明的电镀预处理溶液中是稳定的，并且，通过使用这些表面活性剂，本发明的电镀预处理溶液的处理效率能够被提高，此外，膜载带可以被电镀预处理溶液均匀地处理。
在本发明中，在1升电镀预处理溶液中，表面活性剂通常以不少于10g的量被加入，优选20～100g。通过以该量加入表面活性剂，膜载带可以被电镀预处理溶液极均匀地处理。
除上述成分外，在不损坏本发明电镀预处理溶液特性的前提下可以向其中加入其它成分。可以被加入的其它成分的例子包括pH调节剂和抑制剂。
在本发明的电镀预处理溶液中，以上提到的成分溶解于水性介质中，特别是水。
本发明电镀预处理溶液的pH值在25℃时通常不大于1。
通过将本发明的电镀预处理溶液同其内形成有布线图的膜载带接触，残留在没有形成布线图的绝缘膜上的金属，例如镍、铬和铜，能够被去除。
用于本发明处理的膜载带通过以下过程被制备在基膜的导电金属层的表面涂覆光致抗蚀剂，其中基膜由绝缘膜和于绝缘膜的至少一个面上无须插入粘合层而形成的导电金属层组成，然后曝光和显影光致抗蚀剂以形成由光致抗蚀剂组成的理想的图案，再使用所得图案作为隐蔽材料而选择性地蚀刻导电金属层从而形成布线图。该膜载带没有粘合层，并且通过使用带基形成，该带基通过以下过程被制备通过溅射在绝缘膜的表面上喷镀金属，例如镍和铬，然后溅射喷镀铜，再然后，通过电镀在这些金属上进一步镀上导电金属层例如铜。导电金属层可以形成于绝缘膜的一个面上，或绝缘膜的两个面上。绝缘膜的厚度范围通常为12.5～75μm，优选为25～50μm，导电金属层的厚度范围通常为3～18μm，优选为5～12μm，因此具有宽度不超过50μm，优选不超过45μm的精细线距布线图可以被形成。这样的带基的例子包括由Sumitomo Metal Mining Co.，Ltd提供的S’PER FLEX带基和由DuPont Co.提供的MICROLUX带基。
使用以上提到的带基形成布线图后，所得的膜载带同本发明的电镀预处理溶液接触，由此残留在绝缘膜上(即布线图间隔的绝缘膜上)的金属被去除。
在接触过程中，电镀预处理溶液的温度通常在30～80℃的范围内，优选为40～80℃。在上述温度时膜载带同电镀预处理溶液接触的时间范围通常为2～60秒，优选为5～60秒。
电镀前通过在上述条件下处理膜载带，图案蚀刻后残留在配线间的绝缘膜上的金属(镍、铬、铜及其合金)几乎能够完全被去除。在本发明中，优选电镀前经以上处理的膜载带再用含有50～150g/l的K2S2O8，5～20ml/l的H2SO4和0～3g/l的铜的酸处理溶液在20～40℃的温度下处理5～20秒，然后再电镀。
如上所述经本发明的电镀预处理溶液处理过的膜载带再用水漂洗。其后，除外导线部分和内导线部分外，阻焊层(solder resistlayer)被形成，然后暴露的导线部分被电镀。就电镀而言，锡电镀、镍-金电镀、锡-铅电镀、锡-铋电镀等都是可使用的。
经本发明的电镀预处理溶液处理，绝缘膜上的残留金属被去除。因此，即使处理后使进行Sn化学镀，配线间沉积的金属的量被极度降低，并且配线间没有电阻的波动。例如，当通过蚀刻形成的具有不超过50μm的窄线距的图案用本发明的电镀预处理溶液处理时，与用常规溶液处理图案的情况相比，前者配线间残留金属的量较少。由此，当膜载体经锡化学镀再测量配线间聚酰亚胺上的锡的量时，与膜载体用常规镍去除溶液处理的情况相比，前者测得的锡量极小。也就是说，由于本发明的电镀预处理溶液，蚀刻后残留金属的量下降，并且在锡化学镀时锡可替代的金属的量降低。因此，通过奥格分析检测的锡的计数下降。
此外，即使先经本发明的电镀预处理溶液处理，再经含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液(混合溶液)酸洗，然后再经锡化学镀的膜载体的绝缘膜的表面用扫描电子显微镜观测，也没有检测到绝缘膜上有锡沉积。
对于经处理的膜载体的测试片，即膜载体经本发明的电镀预处理溶液处理，然后在通常条件下(即电镀溶液用于化学镀的锡镀溶液，温度70℃，时间2分45秒)镀锡，再经退火(125℃下1小时)，其耐迁移性是用常规镍溶解溶液处理的测试片的两倍或更多。更具体地，对于经常规镍溶解溶液处理过的测试片，在约350～550小时后，电阻降低，但是对于经本发明的电镀预处理溶液处理过的测试片，即使经过1000小时后，也没有看到电阻的下降。
如上所述，本发明的电镀预处理溶液仅在通过蚀刻形成布线图后且在电镀前被使用，并且使用该电镀预处理溶液的处理可以在常规处理后进行，或者可以在用磺酸酸洗后进行。例如，以下过程是可能的蚀刻后用含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液进行酸洗，然后用本发明的电镀预处理溶液处理，其后再用含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液酸洗，再然后进行锡化学镀。以下的过程也是可能的蚀刻后用2～4N磺酸酸洗10～60秒，然后用本发明的电镀预处理溶液处理，其后用含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液酸洗，然后进行锡化学镀。
本发明的电镀预处理溶液特别地优选用于以下过程蚀刻后用2～4N磺酸酸洗10～60秒，然后在150～200℃加热膜载体10分钟～3小时以对在聚酰亚胺绝缘膜中被产生的开环聚酰亚胺进行闭环，然后用本发明的电镀预处理溶液处理膜载体，用含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液进行酸洗，再然后镀锡。
如上所述，对通过蚀刻、碱洗、酸洗等在聚酰亚胺膜(即绝缘膜)的表面上产生的开环聚酰亚胺进行闭环处理后，用本发明的电镀预处理溶液进行处理，所得的膜载带的耐迁移性被明显地被提高。
本发明的电镀预处理溶液可以与市售镍去除试剂结合使用。
如上所述，本发明的电镀预处理溶液可以用于由带基生产膜载体，其中带基通过在绝缘膜上溅射喷涂镍-铬合金，然后沉积一层导电金属例如铜而制备。然而，本发明的电镀预处理溶液不仅能够用于以带基膜而制成的膜载带，其中带基膜具有无须插入粘合层而形成的导电金属层，而且能够用于其中导电金属箔(铜箔)通过粘合层层迭的三层结构的带基，或其中聚酰亚胺被浇注在导电金属箔(铜箔)上的两层结构的带基，由此残留在配线间的金属能够被去除。因此，通过使用本发明的电镀预处理溶液，配线间的残留金属可以被去除，从而，精细线距图案的耐迁移特性能够被提高。
发明效果通过使用本发明的电镀预处理溶液，通过蚀刻形成配线图后残留在绝缘膜表面上的金属可以有效地被去除。特别地，本发明的电镀预处理溶液能够适合用于去除残留在使用带基而形成的布线图的配线间的镍-铬合金和与镍-铬形成合金的铜，其中带基是通过无须插入粘合层而在聚酰亚胺膜上溅射喷镀镍-铬合金，然后通过电镀沉积铜而被制成的。
在上述方法中，通过用本发明的电镀预处理溶液处理，残留在配线间的绝缘膜上的金属能够被去除，因此，即使在恒定温度和恒定湿度的条件下对所得的膜载体持续施加电压不少于1000小时的时间，配线间由于迁移而导致的电阻下降几乎不发生。尤其对于布线图的间隔不超过50μm的精细线距膜载体，膜载体的耐迁移特性由于绝缘膜上仅痕量残留的金属被显著降低。通过在按照常规方法蚀刻形成布线图后使用本发明的电镀预处理溶液，残留在配线间绝缘膜上的镍、铬和这些金属与铜的合金能够确保被去除。
由此，通过使用本发明的电镀预处理溶液，即使对于具有不超过50μm精细线距的膜载体，其电学特性也能够被稳定地维持很长时间。进一步，通过使用本发明的电镀预处理溶液，具有更窄距离的膜载体的制备变得可行。
实施例参照下面的实施例进一步描述本发明，但是应当理解本发明决不限于这些实施例。
实施例1含有浓度为160g/L水的苯酚磺酸、160g/L水的硫脲、60g/L水的氟硼酸、60g/L水的次磷酸和20g/L水的阳离子表面活性剂(十二烷基三甲基铵氯化物)的电镀预处理溶液被制备。电镀预处理溶液的pH值在25℃时不超过1。
S’PER FLEX(商品名，由Sumitomo Metal Mining Co.，Ltd.提供)通过溅射喷镀含有7％重量比的Cr和9 3％重量比的镍的厚度为70的Ni-Cr合金层，然后通过非电镀用铜镀该合金层，进一步通过电镀以8μm厚度的铜镀而制备。以光致抗蚀剂覆盖S’PER FLEX，然后光致抗蚀剂被曝光并且碱性显影，然后，使用氯化铜溶液，通过蚀刻形成如图1所示的50μm线距的梳形图案电极，从而制备三个测试片。梳形图案电极10的相对齿的长度是10mm。正电极有8个齿，负电极有8个齿。
蚀刻后，具有梳形图案电极的测试片浸没于加热到70℃的以上制备的电镀预处理溶液中30秒。测试片用水冲洗，然后用含有K2S2O8和H2SO4的酸处理溶液在30℃下处理10秒。然后测试片通过使用市售的非电镀溶液(商品名LT-34，由SHIPLEY FAR EAST LTD.提供)在70℃下镀2分45秒，之后用水冲洗，用热水冲洗并且在125℃下退火1小时。
50μm线距梳形图案电极置于85℃和85％RH的恒温恒湿槽中，并且在电极之间施加DC 60V的电压以测量绝缘电阻。
结果是，即使经过1000小时后，在三个测试片中都没有被观察到绝缘电阻的下降。
经本发明电镀预处理溶液处理过的测试片的电阻值随时间的变化在图2中被显示。
比较实施例1除了不使用电镀预处理溶液外，测试片以与实施例1相同的方法被制备。
所得三个测试片的电阻以与实施例1同样的方法被测量。结果是测试片的绝缘电阻在经过550小时、366小时或410小时后降低。
没有经电镀预处理的测试片的电阻值随时间的变化在图3中被显示。
实施例2除了梳形图案电极的线距改为30μm外，测试片以与实施例1相同的方法被制备。
所得三个测试片的电阻以与实施例1同样的方法被测量。结果是即使经过1000小时后，在三个测试片中也没有被观察到绝缘电阻的下降。
比较实施例2除了不使用电镀预处理溶液外，测试片以与实施例2相同的方法被制备。
所得三个测试片的电阻以与实施例1同样的方法被测量。结果是测试片的绝缘电阻在经过266小时、324小时或376小时后降低。
从实施例与比较实施例的对比可以清楚的看到，由于本发明电镀预处理溶液的处理，即使经过1000小时后，由于迁移发生而导致的电阻下降没有被观察到，同时对于没有经过该处理的测试片，在少于1000小时的时间内，尤其上面试验中为300～600小时，由于迁移而导致的电阻下降被观察到。通过使用本发明的电镀预处理溶液，电阻下降的现象既没有在50μm线距布线图中被观察到也没有在30μm线距布线图中被观察到。从这个趋势可以看出，即使当更窄线距的布线图被形成时，具有更稳定的电学特性的膜载体能够通过使用本发明的电镀预处理溶液被制造。
权利要求
1.一种电镀预处理溶液，包括有机磺酸、硫脲、氟硼酸和次磷酸。
2.如权利要求1所述的电镀预处理溶液，其中有机磺酸为至少一种选自包含苯酚磺酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-丙磺酸、丁磺酸、2-丁磺酸、戊磺酸和氯丙磺酸的组的化合物。
3.如权利要求1所述的电镀预处理溶液，包括80～240g/l的有机磺酸，80～240g/l的硫脲，30～100g/l的氟硼酸，和30～100g/l的次磷酸。
4.如权利要求1所述的电镀预处理溶液，进一步包括不少于10g/l的表面活性剂。
5.如权利要求1所述的电镀预处理溶液，是一种用于去除残留在膜载带的绝缘膜上的金属的溶液，在该膜载带中布线图形成于绝缘膜的表面上。
6.一种电镀预处理的方法，包括将布线图形成于绝缘膜表面上的膜载带同含有有机磺酸、硫脲、氟硼酸和次磷酸的电镀预处理溶液接触，以去除残留在绝缘膜上的金属。
7.如权利要求6所述的电镀预处理方法，其中有机磺酸为至少一种选自包含苯酚磺酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、2-丙磺酸、丁磺酸、2-丁磺酸、戊磺酸和氯丙磺酸的组的化合物。
8.如权利要求6所述的电镀预处理方法，其中电镀预处理溶液包括80～240g/l的有机磺酸，80～240g/l的硫脲，30～100g/l的氟硼酸，和30～100g/l的次磷酸。
9.如权利要求6所述的电镀预处理方法，其中电镀预处理溶液进一步包括不少于10g/l的表面活性剂。
10.如权利要求6所述的电镀预处理方法，其中膜载带在30～80℃温度范围内同电镀预处理溶液接触2～60秒。
11.如权利要求6所述的电镀预处理方法，其中用电镀预处理溶液处理的膜载带是一种由带基制成的膜载带，该带基是通过溅射喷镀镍和/或铬在绝缘膜表面上而无须插入粘合层，然后溅射喷镀铜，及进一步镀铜而获得的。
12.如权利要求6所述的电镀预处理方法，进一步包括，在用电镀预处理溶液处理后，用含有50～150g/l的K2S2O8、5～20ml/l的H2SO4和0～3g/l的Cu的酸处理溶液在20～40℃温度范围内处理膜载带5～20秒的步骤。
全文摘要
本发明公开了一种含有有机磺酸，硫脲，氟硼酸和次磷酸的电镀预处理溶液，同时还公开了一种电镀预处理方法，该方法包括将布线图形成于绝缘膜表面上的膜载带与含有有机磺酸，硫脲，氟硼酸和次磷酸的电镀预处理溶液接触以去除残留在绝缘膜上的金属。根据该电镀预处理溶液及电镀预处理方法，残留在通过蚀刻被暴露的绝缘膜表面上的金属能够被去除，而且可以防止迁移的发生。
文档编号H01L21/48GK1537971SQ200410031678
公开日2004年10月20日 申请日期2004年4月2日 优先权日2003年4月9日
发明者片冈龙男, 明石芳一, 一 申请人:三井金属矿业株式会社