专利名称：显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及到具有光发射元件的像素部分的布局、具有该像素部分的有源矩阵显示器件及其制造方法。
背景技术：
通过使用金属掩模分别形成红(R)、绿(G)和蓝(B)光发射元件，而形成像素部分具有光发射元件的显示器件。在光发射元件由低分子材料形成的情况下，例如，通过使用金属掩模进行气相沉积分别形成红(R)、绿(G)和蓝(B)光发射元件，从而形成能够实现全色显示的像素部分。
对于气相淀积法制造光发射元件，为了获得大尺寸和高分辨率，有一种有机光发射器件的制造方法，其中，当将每种颜色的光发射元件分开的时候，在气相淀积掩模(金属掩模)中，对应于上面淀积光发射元件的光发射部分的部分和相邻光发射元件之间的边界部分的宽度的比率设定为1∶0.5或更大(见专利文件1)。专利文件1描述了通过稍微改变金属掩模的图形和气相淀积操作，不必对准掩模就可以获得精细图形化的像素，并且形成全色显示器，因此可以更容易地形成具有高分辨率的大显示器。
此外，如专利文件1中的图2所示，在金属掩模中形成条形孔隙。如图9A中所示，像素部分10包括多个像素12，它包括分别形成每个RBG元件的区11R、11G和11B。如图9B所示，用于形成每个RGB的区域11R、11G和11B由堤13划分成长方形，堤13在气相淀积前由绝缘体形成，由此在列方向相同颜色的区可以同时淀积。这样，行方向被堤13分割，由此在金属掩模中形成沿列方向上长度长的条形(狭缝形状)孔隙。
日本专利特开2000-68053号。
发明内容
为了增加具有光发射元件的这种显示器件的分辨率，要求元件形成区域之间的间隔要窄，间隔影响显示器的分辨率。考虑到强度和构图精度，用于形成这些元件形成区域中的光发射元件的金属掩模中的孔隙之间的间隔是受限制的。因此，掩模中的空隙之间的间隔不能轻易变窄。
此外，由于为了增加分辨率要求像素间的间隔变窄，因此要求半导体元件或布线之间的间隔变窄。甚至在布线等之间的间隔可以变窄的情况下，金属掩模的孔隙之间的间隔仍不能轻易变窄。因此，当像素间的间隔变窄时，孔隙和像素面积的比率，即孔径比减少，因为如上所述金属掩模孔隙之间的间隔不能轻易变窄。
这样，甚至当用于形成半导体元件和较细布线的图形精度提高时，也不能期望获得具有光发射元件的显示器的高分辨率，因为金属掩模的孔隙之间的间隔不能变窄。
针对上面所提到的，本发明通过新颖的方法提供获得高分辨率的具有光发射元件的像素的布局和具有该布局的显示器件。
针对上面提到的问题，根据本发明，相同颜色的元件形成区对角线布置，并且像素部分具有多个像素共享一个元件形成区的一种结构。此外，提供具有上述像素结构的显示器件。
本发明的一种具体的像素结构是第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区分别对角线布置，并且三个或更多的元件形成区被每个像素共享。本发明提供具有上述像素结构的显示器件。
本发明的另一种像素结构是第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区分别对角线布置，并且三个或更多的元件形成区被每个像素共享。每个像素具有选自不同元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。本发明提供具有上述像素结构的显示器件。
本发明的另一种像素结构是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第三颜色元件形成区。第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区对角线布置。每个像素具有选自第一颜色元件形成区、第二颜色元件形成区和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。本发明提供具有上述像素结构的显示器件。
本发明的另一种像素结构是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第三颜色元件形成区。第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区以在行方向上偏移一个节距的方式布置。节距是元件形成区的宽度。每个像素具有选自第一颜色元件形成区、第二颜色元件形成区和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。本发明提供具有上述像素结构的显示器件。
每个像素具有一个替换区，其中发射额外的光或不发射光。
特别地，每个像素具有布置成L-形第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。或者，每个像素具有L-形的相同颜色区，其中，第二颜色的相同颜色区布置在第一颜色的相同颜色区的行方向上，而第三颜色的相同颜色区布置在它的列方向上。
利用前面提到的像素结构，可以获得高分辨率显示器件，例如，具有光发射元件的显示器件(下文中称为光发射器件)。此外，不减少像素的孔径比。
本发明的另一种像素结构是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第三颜色元件形成区。第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区以在列方向上偏移1.5个节距的方式布置。每个像素具有选自第一颜色元件形成区、第二颜色元件形成区和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。本发明提供具有上述像素结构的显示器件。
特别地，每个像素具有布置成T-形(德尔塔形)的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。此外，每个像素在第一颜色的相同颜色区的行方向上具有第二和第三颜色的相同颜色区，并且第二和第三颜色区布置成T形，从而他们在第一颜色的相同颜色区的列方向上偏移1.5个节距。或者，每个像素布置成三角形形状，第一颜色、第二颜色和第三颜色中任何一种颜色的相同颜色区域为三角形的顶点。
利用前面提到的像素结构，可以获得光发射器件的高分辨率。此外，不减少像素的孔径比。另外，由于前面提到的像素结构没有替换区域，元件形成区可以有效利用。
本发明的另一个像素结构是第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区分别对角线布置，并且元件形成区由三个或更多像素共享。每个像素具有选自不同元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。相邻的相同颜色区之间提供的第一绝缘膜的宽度比元件形成区之间提供的第二绝缘膜的宽度窄。本发明提供具有前述像素结构的显示器件。
具体地，列方向上的相邻相同颜色区之间的第一绝缘膜的宽度比相邻的元件形成区之间的第二绝缘膜的宽度窄。或者，行方向上的相邻相同颜色区之间的第一绝缘膜的宽度比相邻的元件形成区之间的第二绝缘膜的宽度窄。
注意，本发明的像素结构不限于前面提到的结构。只要每个像素由选自对角线布置的元件形成区的相同颜色区形成，可以使用任何像素结构。因此，不减少孔径比就可以获得光发射器件的高分辨率。
注意，不要求像素部分的所有像素满足每种颜色的对准，但是要求某些任意像素这样。在某些情况下该任意像素在下文中称为一个像素。
本发明的显示器件的制造方法是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第三颜色元件形成区。第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区对角线布置，从而被每个像素共享。每个像素具有选自第一颜色、第二颜色和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
本发明的显示器件的另一个制造方法是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的列中毗邻布置的第三颜色元件形成区。第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区对角线布置，从而使它们在行方向上偏移一个节距并被每个像素共享。每个像素具有选自第一颜色、第二颜色和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
本发明的显示器件的另一个制造方法是提供第一颜色元件形成区、在和第一颜色元件形成区相同的行中毗邻布置的第二颜色元件形成区、在和第二颜色元件形成区相同的行中毗邻布置的第三颜色元件形成区。形成第一颜色、第二颜色和第三颜色的元件形成区，从而使它们在列方向上偏移1.5个节距。每个像素具有选自第一颜色、第二颜色和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
本发明的显示器件的另一种制造方法，该显示器件具有相同颜色区对角线布置并被三个或更多像素共享的元件形成区，以及具有选自不同的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区，并且元件形成区被三个或多个像素共享，该方法在于在相邻的相同颜色区之间提供的第一绝缘膜的宽度比在元件形成区之间提供的第二绝缘膜的窄。
注意第一颜色、第二颜色和第三颜色可以分别是，例如，红(R)、绿(G)和蓝(B)。
根据本发明，为了形成对角线布置的相同颜色的元件形成区，对角线地提供金属掩模的孔隙。具有对角线孔隙的掩模在形成每种颜色的元件时可以共用。因为金属掩模的孔隙不要求精制，因此对于提供具有多个相同颜色区的元件形成区而言，它是可取的。
根据其中元件形成区和相同颜色区布置成L-形或T-形的像素结构，不必使相邻元件形成区之间的间隔(下文中称为元件间距)变窄就可以形成具有高分辨率的显示器件。换言之，可以不使金属掩模的孔隙变窄而形成高分辨率的显示器件。因此，不减小孔径比就能实现高分辨率显示器件。
由于在本发明的金属掩模中可以提供宽的元件形成区，优选不要求精制金属掩模。
图1A和1B是分别表示本发明的像素的布局的示意图。
图2A和2B是分别表示本发明的像素的布局的示意图。
图3是表示本发明的像素的布局的示意图。
图4是表示本发明的像素的布局的示意图。
图5是表示本发明的像素的布局的示意图。
图6A-6F是分别表示本发明的像素电路的示意图。
图7A和7B是分别表示具有本发明的像素的光发射器件的示意图。
图8A和8B是分别表示具有本发明的象素的液晶显示器的示意图。
图9A和9B是分别表示传统像素布局的示意图。
图10是本发明的光发射元件显示的图象。
图11表示传统光发射器件显示的图象。
图12是表示根据本发明的像素布局的分辨率和孔径比之间的关系的图。
具体实施例方式
虽然将参考附图通过实例详细描述本发明，但是应该明白本发明对于本领域技术人员而言各种改变和修改是很明显的。因此，除非这种改变和修改偏离了下文中定义的本发明的范围，否则应该被认作包含在本发明范围之内。注意实施例模式中的相同部分用相同的参考数字表示并且省略对其的详细描述。
虽然晶体管包括三端，它们是栅、源和漏，但是由于晶体管的结构，源端(源电极)和漏端(漏电极)不能清楚地区分开。因此，当描述元件之间的连接时，源电极和漏电极其中之一被称为第一电极，而另一个称为第二电极。
图1A表示元件形成区100R、100G、100B和堤101，分别用虚线包围。每个元件形成区配备四个其中形成相同颜色的元件的区，它们被由绝缘体等构成的堤所分割(下文中将其中形成相同颜色的元件的区称为相同颜色区)。在这样一种像素结构中，相邻元件形成区之间提供的堤的宽度对应于金属掩模的孔隙宽度。
至于在列方向上(X方向)的堤的宽度，在相同颜色区中的堤的宽度W1可以比相邻元件形成区之间的堤之间的宽度W2窄。类似地，在行方向(Y方向)上，在相同颜色区中的堤的宽度W3可以比相邻元件形成区之间的堤宽度W4窄。即在相同颜色区中的堤的宽度可以较窄。相邻元件形成区之间的堤的宽度受淀积精度的影响。另一方面，在相同颜色区中的堤的宽度受曝光精度的影响。一般说来，曝光精度比淀积精度高，因此，在相同颜色区中的堤的宽度比相邻元件形成区之间的堤的宽度窄。因此，甚至在像素间的间隔(下文中称为像素间距)窄的情况下，孔径比也不减少。
图1B表示由元件形成区形成的像素排列。在图1B中，虚线包围的区域对应于像素102。该像素包括相邻的RGB的相同颜色区及替换区103。替换区是其中形成RGB相同颜色区中任何一种并且当进行显示时可以处于非发光状态的一个区域。
此外，在图1A和1B所示的像素结构中，可以说RGB的元件形成区排列成L-形，并且RGB的相同颜色区在像素中也排列成L-形。L-形的排列意味着第二颜色的元件形成区排列在第一颜色的元件形成区的行方向上，且第三颜色的元件形成区排列在其列方向上。在像素中，第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，并且第三颜色的相同颜色区排列在它的列方向上。在像素102中，例如，颜色G的相同颜色区105G排列在颜色R的相同颜色区105R的行方向上，并且颜色B的相同颜色区105B排列在它的列方向上。
利用前面提到的像素结构，可以获得高分辨率的发光器件。此外，由于相同颜色区中的堤可以窄，孔径比可以增加。
图2A和2B中表示出了不同于图1A和1B中的像素结构。图2A表示元件形成区100R、100G、100B和堤101，分别用虚线包围。每个元件形成区不同于图1A和1B在于提供六个由堤分割的相同颜色区。
在图2A和2B所示的像素结构中，类似于图1A和1B，在相同颜色区中的堤的宽度W1可以比相邻元件形成区之间的堤的宽度W2窄。类似地，在行方向上，在相同颜色区中的堤的宽度W3可以比相邻元件形成区之间的堤宽度W4窄。即在相同颜色区中的堤的宽度可以较窄。相邻元件形成区之间的堤的宽度受淀积精度的影响。另一方面，在相同颜色区中的堤的宽度受曝光精度的影响。一般说来，曝光精度比淀积精度高，因此，在相同颜色区中的堤的宽度可以比相邻元件形成区之间的堤的宽度窄。因此，甚至在相邻像素间的间隔(下文中称为像素间距)窄的情况下，孔径比也不减少。
图2B表示由元件形成区形成的像素排列。在图2B中，虚线包围的区域对应于像素102。在图2B中，可以不提供替换区而形成像素。由此，可取的是元件形成区可以被有效利用。在像素102中，选自每个元件形成区的RGB相同颜色区与图1A和1B中的不同之处在于它们排列成T-形。T-形排列意味着第二和第三颜色元件形成区排列在第一颜色元件形成区的列方向上，而第n行的元件形成区和第n+1行的元件形成区的排列使得它们偏移1.5个间距排列。在像素中，第二和第三颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，同时第二和第三颜色的相同颜色区在列方向上相对于第一颜色的相同颜色区偏移1.5个间距排列。在像素102中，例如，在像素中，颜色R的相同颜色区105R和颜色B的相同颜色区105B排列在颜色G的相同颜色区105G的行方向上，同时颜色R的相同颜色区105R和颜色B的相同颜色区105B在列方向上相对于颜色G的相同颜色区105G偏移1.5个间距排列。即，在该像素中，RGB的相同颜色区排列成三角形，以某一种颜色作为顶点。具体地，在像素102中，颜色R的相同颜色区105R和颜色B的相同颜色区105B以颜色G的相同颜色区105G为顶点排列。在邻近像素102布置的像素102a中，RGB相同颜色区类似布置。像素102a以颜色B的相同颜色区105B为顶点排列成三角形，并且此外该顶点与像素102中的顶点在不同方向上，即该三角形在行方向上倒置。
利用上述像素结构，可以获得光发射器件的高分辨率。而且，不减少像素的孔径比。另外，由于前述结构没有替换区，因此可以有效利用元件形成区。
根据本发明的像素结构，可以在不使元件间距变窄的情况下形成获得高分辨率的显示器件。换言之，可以不使金属掩模的孔径变窄而形成高分辨率显示器件。结果，可以不减少孔径比而形成高分辨率显示器件。即，甚至在精细地形成设于像素部分中的半导体元件和布线而使像素间距变窄的情况下也不减少孔径比。，因此可以实现高分辨率显示器件。
通过使用液滴喷射法可以在具有这样的布局的像素排列中形成元件，液滴喷射法是一种能够有选择地形成图案的方法。根据液滴喷射法，混合导电膜和绝缘膜等材料的液滴(也称为点)被选择性喷射(排出)。根据其系统的不同液滴喷射法也称为喷墨法。
这种像素结构和排列可以应用到包含在光发射器件或液晶显示器件内的滤色器中。在此情况下，可以形成包含含有铬等的树脂的黑色基质而不是堤。通过使用滤色器，可以不形成RGB元件而实现全色显示器。通过形成呈现白光发射的光发射元件并提供根据本发明的布局排列的滤色器，可以制造能够实现全色显示的光发射器件。
通过在其中形成各种颜色的元件的光发射器件中使用滤色器，可以提供更高分辨率的显示器。利用滤色器，来自每种颜色的元件的发射光谱的宽峰可以修正成尖峰。
在该实施例模式中，描述了有源矩阵面板的布局。注意虽然在本实施例的每个像素中提供开关晶体管、擦除晶体管和驱动晶体管，但是，本发明不限于此。
图3是具有排列成L-形的相同颜色区相同颜色区的放大像素的顶视图。左上方的区是颜色R的相同颜色区111R，在列方向上毗邻相同颜色区111R的区是颜色G的相同颜色区111G，并且在行方向上邻近相同颜色区111R的区是颜色B的相同颜色区。右下方的区是替换区112，虽然形成了一个RGB元件，但是它不用作光发射区。
相同颜色区分别配有驱动晶体管116R、116G和116B，并且像素电极123连接到每个驱动晶体管的一个电极。注意为了清楚地表示驱动晶体管，图3中没有绘出像素电极部分。
优选驱动晶体管在饱和区工作并且控制提供给光发射元件的电流。因此，驱动晶体管的沟道长度(L)优选设计为长于沟道宽度。在该实施例模式中，驱动晶体管的半导体薄膜形成S形，从而使沟道长度变长。驱动晶体管也可以在线性区工作。
驱动晶体管的极性可以是N-沟道型或P-沟道型。在该实施例模式中，驱动晶体管的极性是P-沟道型。
此外，提供各个开关晶体管114R、114G和114B，它们连接到各个驱动晶体管的栅电极。提供信号线113R、113和113B，它们连接到每个个开关晶体管的一个电极。通过从信号线输入的视频信号将电流提供给光发射元件，由此进行显示。因此，为每个开关晶体管提供信号线。
具体地，当开关晶体管导通时，电容器中积累电荷。当电荷等于驱动晶体管的Vgs值时，驱动晶体管导通并将电流提供给光发射元件。然而，图3中未提供电容器，在晶体管的栅极电容充足的情况下不一定提供电容器。
开关晶体管具有双栅极结构，双栅极结构是半导体薄膜具有两个栅电极。用作栅电极的导电膜可以被每个开关晶体管公用。注意每个栅电极可以由和第一扫描线121相同的导电膜形成。
此外，提供擦除晶体管115R、115G和115B，它们连接到驱动晶体管的栅电极和各个开关晶体管的一个电极。提供电源线120，它共同连接到每个擦除晶体管115R、115G和115B的一个电极。擦除晶体管的连接只需要释放电容器中积聚的电荷，因此本发明不限于图3的结构。
此外，开关晶体管具有双栅极结构，双栅极结构是半导体薄膜具有两个栅电极。用作栅电极的导电膜可以被每个开关晶体管公用。注意每个栅电极可以由和第二扫描线122相同的导电膜形成。而且，第一扫描线和第二扫描线可以由相同的导电膜形成。
开关晶体管和擦除晶体管的极性可以是N-沟道型或P-沟道型。在该实施例模式中，这两种晶体管都是N-沟道型薄膜晶体管(TFT)，因为优选具有相同的极性以简化制造步骤。
在替换区112提供开关晶体管和擦除晶体管。因此，可以防止相同颜色区孔径比的减少。此外，也可以在每个相同颜色区中形成开关晶体管和擦除晶体管。
具有每种功能的晶体管可以是增强型或耗尽型薄膜晶体管。而且它可以是具有半导体的薄膜晶体管。
该半导体不仅可以由硅形成也可以由锗硅形成。在使用锗硅的情况下，它的浓度优选为0.01-4.5atomic％。而且，该半导体可以是选自非晶半导体、其中非晶态和晶态混合的半非晶半导体(也称为SAS)、在非晶半导体中观察到0.5-20nm晶粒的微晶半导体以及晶体半导体的任何一种。特别地，其中观察到0.5-20nm晶粒的微晶态称为微晶(μc)。虽然在该实施例模式中描述了具有顶栅极结构的薄膜晶体管，也可以使用具有底栅极结构的薄膜晶体管。在使用非晶半导体、半-非晶半导体或微晶半导体的情况下，优选使用底栅极结构。
用于薄膜晶体管的栅电极的导电膜、扫描线等可以通过溅射或液滴喷射法形成。此外，源电极、漏电极、信号线、电源线等的导电膜也可以通过溅射或液滴喷射法形成。在采用溅射的情况下，选自钽、钨、钛、钼、铝和铜的元素，或以前述元素为主要成分的合金材料或化合物材料可以用作导电膜材料。在采用液滴喷射法的情况下，选自金、银和铜的元素，或以前述元素为主要成分的合金材料或化合物材料可以用作导电膜材料。
此外，像素电极可以通过使用透光材料如氧化铟锡(ITO)、在氧化铟中混合2-20％氧化锌(ZnO)而获得的IZO(氧化铟锌)、在氧化铟中混合2-20％氧化硅(SiO2)而获得的ITO-SiOx(为方便称为ITSO或NITO)、有机铟、有机锡。或者，可以使用非透光材料，如选自钽、钨、钛、钼、铝和铜以及银的元素，或以前述元素为主要成分的合金材料或化合物材料。
称为底发射型结构的是从透光的像素电极一侧发射的光从其上提供有薄膜晶体管的衬底一侧出射；称为顶发射型结构的是光从反衬底一侧出射的结构，而光从两衬底侧出射的结构称为双发射型。本发明可以采用前述任何一种结构。
虽然图3中未表示出，但是提供了堤。在行方向上，在相同颜色区中的堤的宽度可以比元件形成区之间的堤的宽度窄。
利用前述像素结构，可以进行高分辨率全色显示。
利用本实施例模式中描述的像素结构，可以不变窄元件间距而形成高分辨率显示器件。换言之，由于元件形成区之间的间隔不需要变窄，因此可以在不变窄金属掩模的孔隙宽度的情况下形成高分辨率显示器件。因此，不减少孔径比就可以获得高分辨率显示器件。即，因为在像素部分提供的半导体元件和布线精细地形成并且像素间距可以变窄，所以甚至在淀积精度不容易增加的情况下，不减少孔径比就可以实现高分辨率显示器件。
正如已经描述地，元件也可以通过能够有选择地形成图案的液滴喷射法在具有前述布局的像素排列中形成。
正如已经描述地，这样的像素结构和排列可以应用到包含在光发射器件或液晶显示器件中的滤色器中。
在该实施例模式中，描述了不同于前述实施例模式的有源矩阵面板的布局。注意在该实施例模式中在每个像素中提供开关晶体管、擦除晶体管和驱动晶体管，但是，本发明不限于此。
图4表示具有排列成T-形的相同颜色区的放大像素的顶视图。图4与图3的不同之处在于左上区是颜色R的相同颜色区111R，在列方向上与相同颜色区111R相邻的是颜色G的相同颜色区111G，列方向上在相同颜色区111R的下方偏移1.5个间距的是颜色B的相同颜色区111B。即，在每个像素中，相同颜色区111R、111G和111B排列成三角形。
在图4所示的像素中，不提供替换区，这与前述结构不同。这是可取的，因为因此可以有效利用元件形成区。
与前述实施例模式类似，每个相同颜色区分别配备驱动晶体管116R、116G和116B，和连接到每个驱动晶体管的一个电极的像素电极123。注意为了清楚地表示驱动晶体管，图4中没有绘出像素电极部分。
与前述实施例模式类似，提供连接到每个驱动晶体管的栅电极的各个开关晶体管114R、114G和114B，以及提供连接到每个开关晶体管的一个电极的各个信号线113R、113G、113B。电流通过从信号线输入的视频信号提供给光发射元件，由此进行显示。因此，为每个开关晶体管提供信号线。由于在该实施例模式中列方向上相同颜色区偏移1.5个间距形成，因此信号线以矩形蜿蜒。
与前述实施例模式类似，提供分别连接到每个驱动晶体管的栅电极和每个开关晶体管的一个电极的擦除晶体管115R、115G和115B，以及提供共同连接到每个擦除晶体管115R、115G和115B的一个电极的电源线120a和120b。电源线120a和120b在奇数列上分别连接到每个擦除晶体管的一个电极，在偶数列上分别连接到每个晶体管的另一个电极。形成的电源线的宽度比信号线的宽度宽。由于电源线被每个驱动晶体管共享，需要减少电源线的电阻。与信号线类似，电源线以矩形蜿蜒形成。擦除晶体管的连接只需要释放电容器中积聚的电荷，因此本发明不限于图4的结构。
与前述实施例模式类似，提供第一扫描线121和第二扫描线122。
图5表示共享电源线情况下的布局，这与图4不同。在图5的某个像素中，相同颜色区111R、111G和111B排列成三角形，以相同颜色区111R为顶点。在图5中，具体地，上方的区是颜色R的相同颜色区111R，在行方向上邻近相同颜色区111R的区是颜色G的相同颜色区111G和颜色B的相同颜色区111B。颜色G的相同颜色区111G和颜色B的相同颜色区111B在颜色R的相同颜色区111R的列方向上偏移1.5个间距排列。
与前述实施例模式和图4类似，分别提供驱动晶体管116R、116G和116B，分别连接到每个驱动晶体管的一个电极的像素电极123，开关晶体管114R、114G和114B，分别连接到开关晶体管的一个电极的信号线113R、113G和113B，擦除晶体管115R、115G和115B，共同连接到擦除晶体管115R、115G和115B的一个电极的电源线120，第一扫描线121和第二扫描线122。提供信号线和电源线以矩形蜿蜒。
图5中的电源线120不同于图4在于它共同连接到每列中的擦除晶体管的一个电极。通过共享电源线，可以减少电源线之间的空区。因此可以增加电源线的宽度。电源线形成宽度大于信号线的宽度。由于电源线被每个驱动晶体管共享，需要减少电源线的电阻。
这样，具有排列成T-形的相同颜色区的像素可以具有不同布局。
而且在该实施例模式中，也可以采用底发射型、顶发射型和双发射型中的任何一种。
虽然图4和图5中未表示出，但是提供了堤。在行方向上相同颜色区中的堤的宽度可以比相邻元件形成区之间的堤的宽度窄。
利用本实施例模式所描述的像素结构，可以不变窄元件间距而形成高分辨率显示器件。换言之，由于元件形成区之间的间隔不需要变窄，因此可以在不变窄金属掩模的孔隙宽度的情况下形成高分辨率显示器件。因此，不减少孔径比就可以获得高分辨率显示器件。即，甚至在淀积精度不容易增加的情况下，不减少孔径比就可以使在像素部分提供的半导体元件和布线精细地形成，像素间距变窄并且实现高分辨率显示器件。此外，因为前述象素结构没有替换区，因此可以有效利用元件形成区。
正如已经描述的，可通过能够选择性形成图形的液滴喷射法在具有前述布局的像素排列中形成元件。
正如已经描述的，这样的像素结构和排列可以应用到包含在光发射器件或液晶显示器件中的滤色器中。
在该实施例模式中，描述光发射器件的像素电路及其操作。
图6A中所示的像素电路具有信号线410、在列方向上的电源线411和412以及在行方向上的扫描线414。此外，除开关晶体管401、驱动晶体管403、电容器402和光发射元件405之外还包括电流控制晶体管404。
图6C所示的像素电路不同于图6A所示的像素电路，在于虽然其它排列是相同的，但是驱动晶体管403的栅电极连接到布置在行方向上的电源线412。即，图6A和6C所示的像素是等效电路。但是，在电源线412布置在列方向(图6A)的情况和电源线412布置在行方向(图6C)的这两种情况之间，每个电源线由不同层的导电膜形成。此处，主要关心连接驱动晶体管403的栅电极的布线，因此分别示出了图6A和6C以表明用于形成这些布线的层是不同的。
图6A和6C中所示的像素电路除驱动晶体管403外，分别具有串联连接的电流控制晶体管404。优选满足L(403)/W(403)∶L(404)/W(404)＝5～6000∶1形成驱动晶体管403的沟道长度L(403)和沟道宽度W(403)以及电流控制晶体管404的沟道长度L(404)和沟道宽度W(404)。
注意驱动晶体管403控制提供到光发射元件405的电流值，并如上所述优选在饱和区工作。此外，电流控制晶体管404控制提供给光发射元件405的电流，并优选在线性区工作。优选这两个晶体管都具有相同的极性以简化制造步骤，因此在本实施例模式中两个晶体管的极性都设计成N-沟道型。耗尽型晶体管和增强型晶体管可用于驱动晶体管403和电流控制晶体管404。根据具有前述结构的本发明，电流控制晶体管404在线性区工作，因此电流控制晶体管404的Vgs的轻微改变不影响供给光发射元件405的电流值。即，供给光发射元件405的电流值可以由在饱和区工作的驱动晶体管403决定。根据前述结构，由光发射元件的每个晶体管特性变化所引起的亮度变化得到改善，因此可以提供图象质量得到改善的显示器件。
在图6A-6D所示的像素电路中，开关晶体管401控制视频信号向像素的输入。当开关晶体管401导通时，视频信号输入到像素。然后，视频信号的电荷保持在开关晶体管402中。注意图6A和6C分别具有电容器402，但是，在视频信号的电荷能够被晶体管的栅极电容等保持的情况下，不必提供电容器402。
图6B中所示的像素电路不同于图6A所示的像素电路，在于虽然其它排列相同，但是额外提供擦除晶体管406和连接到该擦除晶体管406的栅电极的扫描线415。类似地，图6D中所示的像素电路不同于图6C所示的像素电路，在于虽然其它排列相同，但是额外提供擦除晶体管406和连接到该擦除晶体管406的栅电极的扫描线415。
通过扫描线415控制擦除晶体管406的导通或截止。当擦除晶体管406导通时，保持在电容器402中的电荷被释放，并且电流控制晶体管404截止。即，根据擦除晶体管406的排列可以强制获得一种状态，即电流不强制提供给光发射元件405。因此，在如图6B和6D所示的分别具有擦除晶体管的像素电路中，光发射周期可以和写周期同时或紧随其后开始，不必等待信号写入所有像素。因此可以提高占空率。
图6E所示的像素电路包括信号线410、在列方向的电源线411和在行方向的扫描线414。此外，提供开关晶体管401、驱动晶体管403、电容器402和光发射元件405。图6F所示的像素电路对应于具有前述实施例模式所描述的布局的像素电路，并且它与图6E所示的像素电路的不同之处在于尽管其它排列相同，但是额外提供擦除晶体管406和扫描线415。注意根据擦除晶体管406在图6F所示像素电路中的排列，也可以提高其占空比。
在使用具有非晶半导体等的薄膜晶体管中，尤其优选形成长的驱动晶体管沟道长度。因此，考虑到孔径比，优选使用具有较少晶体管的图6E或6F中的像素电路。
这样的在每个像素中配置晶体管的有源矩阵光发射器件是有优势的，因为甚至在像素密度增加的情况下也可以进行低电压驱动。另一方面，也可以形成每列提供晶体管的无源矩阵光发射器件。每个像素中不配置晶体管的无源矩阵光发射器件适合于顶发射型或双发射型光发射器件，这是因为可以获得高孔径比。在这种无源矩阵光发射器件中可以采用前述实施例模式的布局。
如上所述，可以采用各种像素电路。
在该实施例模式中，描述光发射器件的一种结构，其中整体形成了信号驱动器电路、扫描驱动器电路和像素部分。
图7A是光发射器件的顶视图，其中在第一衬底210上提供信号驱动器电路200、扫描驱动器电路201和像素部分202，第二衬底204通过密封材料205和第一衬底210连接在一起。此外，提供信号驱动器电路200和像素部分202之间的连接区256，并且来自外部电路的信号通过柔性印刷电路(FPC)209输入到信号驱动器电路200和扫描驱动器电路201。
图7B是图7A的光发射器件沿A-A’的横截面视图。在第一衬底210上提供配置CMOS电路的信号驱动器电路200，CMOS电路具有N-沟道型TFT 223和P-沟道型TFT 224。N-沟道型TFT 223和P-沟道型TFT 224可由多晶半导体膜形成，多晶半导体膜由激光结晶化法或使用金属催化剂的热方法形成。在信号驱动器电路200和扫描驱动器电路201中的TFT可由CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。
在使用非晶半导体膜的情况下，驱动器电路如信号驱动器电路或扫描驱动器电路可以装配成IC芯片。在像素部分的周围通过TAB法或COG法安装这样的驱动器电路。在通过TAB法安装的情况下，特别是相对于衬底可以提供较大的像素部分，由此可以获得较窄的框架。在使用SAS的情况下，扫描驱动器电路只能整体形成在衬底上，并且信号驱动器电路可以作为驱动器单独安装。
IC芯片由硅晶片形成，但是，可以提供形成于玻璃衬底上的IC(下文称为驱动器IC)代替IC芯片。IC芯片取自圆形硅晶片，因此母衬底的形状被限制。另一方面，驱动器IC在提高生产力方面是有优势的，这是由于母衬底为玻璃，其形状不受限制。因此可以自由设计驱动器IC的形状和尺寸。在形成长边为15-80mm的驱动器IC的情况下，与安装IC芯片的情况相比，可以减少对其要求的数量。因此，可以减少连接终端的数量，这提高了产量。
通过使用形成于衬底上的晶体半导体，可以形成驱动器IC，晶体半导体可以通过照射连续振荡激光形成。通过照射连续振荡激光而形成的半导体膜晶体缺陷较少并且晶粒直径大。因此，具有这种半导体膜的晶体管具有良好的迁移率和响应，它能够实现高速驱动并优选用于驱动器IC。
像素部分202包括开关TFT 221和驱动TFT 212。开关TFT 221和驱动TFT 212可用多晶半导体膜形成，多晶半导体膜通过激光结晶化法或使用金属催化剂的热方法形成。也可以使用非晶半导体膜。注意像素部分中的TFT与驱动器电路中的TFT相比不要求具有高的结晶性，因此用于像素部分和驱动器部分的TFT可以用不同方法形成。
像素部分包括光发射元件218，它连接到驱动TFT 212的一个电极。光发射元件218包括光发射元件218的第一电极(下文中称为第一电极)、电致发光层215和在该电致发光层上提供的该光发射元件的第二电极216，其中电致发光层215覆盖开关TFT 221和驱动TFT 212并被堤214所分割，堤214在对应于第一电极213的位置处有孔隙。
电致发光层可以由有机材料(包括低分子材料和高分子材料)或有机材料和无机材料的合成材料形成。电致发光层可通过气相淀积或液滴喷射法形成。高分子材料优选通过诸如液滴喷射法的应用方法施加而低分子材料优选通过气相淀积法特别是真空气相淀积法施加。在该实施例模式中，使用上述金属掩模通过真空气相淀积形成低分子材料为电致发光层。
注意电致发光层可以产生单态激子态或三态激子态的分子激子。基态一般是单态激子态，并且来自单态激子态的光发射称为荧光。来自三态激子态的光发射称为磷光。来自电致发光层的包括由这两种激子态贡献的情况。此外，荧光和磷光可以结合。可以根据每个RGB的光发射特性(发射亮度、寿命等)选择荧光和磷光其中之一。
电致发光层包括从第一电极213一侧开始顺次叠加的HIL(空穴注入层)、HTL(空穴输运层)、EML(光发射层)、ETL(电子输运层)和EIL(电子注入层)。注意电致发光层可以具有单层结构或组合结构以及叠层结构。
特殊地，CuPu和PEDOT用于HIL，á-NPD用于HTL，BCP和Alq3用于ETL，而BCP∶Li和CaF2用于EIL。对于EML，例如，可以使用掺杂对应于每种光发射颜色R、G和B(DCM等用于R色，DMQD等用于G色)的掺杂剂的Alq3。
注意电致发光层不限于前述材料。例如，可以共淀积如氧化钼(MoOx∶x＝2-3)的氧化物和á-NPD以及红荧烯以代替CuPu和PEDOT，由此可以改善空穴注入特性。苯并恶唑(benzoxazole)衍生物(表示为BzOS)也可以用于电子注入层。
在该实施例模式中，可以根据前述实施例模式中描述的布局，用红(R)、绿(G)和蓝(B)光发射材料形成电致发光层215。而且可以根据前述实施例模式中描述的布局通过液滴喷射法形成红(R)、绿(G)和蓝(B)光发射材料。
此外，在形成每个RGB的电致发光层的情况下，可以通过使用滤色器进行高分辨率显示。利用滤色器，来自每种颜色的元件的发射光谱的宽峰可以修正成尖峰。每个RGB的滤色器的排列可类似于前述实施例模式中描述的布局形成。而且，每个RGB的滤色器可以通过液滴喷射法形成。
绝缘体214可以由无机材料(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)、光敏或非光敏有机材料(聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺-酰胺(polyimide amide)、抗蚀剂或benzocychrobtenm)、硅氧烷、聚硅氨烷以及这些材料的叠层结构形成。正型光敏有机树脂或负型光敏有机树脂可用作有机材料。硅氧烷具有硅(Si)和氧(O)的骨架结构，并且由聚合物材料形成，作为至少具有氢作为取代基或至少氟化物、烷基或芳香碳氢化物(aromatic carbon hydride)之一为取代基的原材料。聚硅氨烷由硅(Si)和氧(O)的聚合物材料形成，即包含聚硅氨烷的液体材料作为原材料。在使用正型光敏丙烯酸作为有机材料的情况下，可以通过用曝光处理刻蚀光敏有机树脂形成上部具有曲度的孔隙。因此，可以避免在随后步骤中形成的电致发光层等破裂。注意在使用有机树脂膜等的情况下，为了防止湿气或氧的进入，优选形成包含氮化硅或硅氮氧化物的绝缘膜或包含氢的DLC(类金刚石碳)膜。
可以根据第一电极213和第二电极216所用的材料选择顶发射型、底发射型和双发射型中的任何一种。例如，用透光导电膜作为第一电极和第二电极，可以形成双发射型光发射器件。对于在光不出射的一侧上提供的光发射元件的电极，优选使用高反射型导电膜以有效利用光。
注意根据像素结构，第一电极213和第二电极216中的任何一个可以作为阳极或阴极。特别描述在第一电极是阳极而第二电极是阴极的情况下用于电极的材料。
作为阳极材料，优选使用分别具有高功函数(功函数为4.0eV或更大)的金属、合金、导电化合物或这些材料的化合物等。具体地，可以使用ITO(氧化铟锡)、在氧化铟中混合2-20％的氧化锌得到的IZO(氧化铟锌)以及金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)或金属材料的氮化物(TiN)等。
另一方面，作为阴极材料，优选使用分别具有低功函数(功函数为3.8eV或更小)的金属、合金、导电化合物等。特别地，可以使用元素周期表的1或2族的元素，即碱金属如Li和Cs，碱土金属如Mg、Ca和Sr，包含这些元素的合金(Mg∶Ag，Al∶Li)和化合物(LiF、CsF和CaF2)以及包含稀土金属的过渡金属。但是，阴极需要透射光，因此，这些金属或包含这些金属的合金形成得很薄并且和如ITO(包括它的合金)的金属叠加。阳极和阴极可以通过气相淀积、溅射等形成。
到此为止描述的是形成每个RGB的电致发光层的情况，但是，也可以形成呈现单色光发射的电致发光层。甚至在形成呈现单色光发射的电致发光层的情况下，也可以通过结合滤色器和颜色转换层实现全色显示。滤色器和颜色转换层的布局如前述实施例模式所描述的一样排列。滤色器和颜色转换层，例如在第二衬底上形成，并且可以粘接到第一衬底。滤色器也可以在第一衬底上形成，即可以采用所谓的COA结构。在进行双发射显示的情况下，其中光从电致发光层出射到第一衬底210侧和第二衬底204侧，可以在两个衬底上都提供滤色器。
此外，可以形成呈现单色光发射的电致发光层以进行单色显示。例如，可以使用单色光发射进行区域彩色型显示。无源矩阵结构适合于主要显示文本和符号的区域彩色显示。
为了防止湿气、氧等导致的光发射元件的退化，提供保护膜217以覆盖光发射元件的第二电极。在该实施例模式中，用作保护膜217的是通过溅射(DC法或RF法)得到的含氮化硅或硅氮氧化物为主要成分的绝缘膜或含氢的DLC(类金刚石碳)膜。
如图7所示，光发射元件的第二电极216通过来自连接区256中的堤214中的孔隙的引线布线连接到连接布线208。连接布线208通过各向异性导电树脂(ACF)连接到FPC 209。然后，连接布线208通过FPC 209接收作为外部输入信号的视频信号和时钟信号。此处只表示出FPC，但是，可以连接印刷线路板(PWB)到FPC。
在第一衬底210的周围提供密封材料205，由此第一衬底210和第二衬底204连接并密封。密封材料205优选环氧树脂。密封材料205包括衬垫，通过衬垫保持第一衬底和第二衬底(也称为反衬底或密封衬底)之间保持一定空间，即间隙。使用球形或柱形衬垫，并且在本实施例中使用其直径对应于间隙的圆柱形衬垫。可以为第二衬底提供干燥剂，这样可以防止湿气和氧进入。
通过用第二衬底204密封，在第二衬底204和保护膜217之间形成空间。该空间用如氮气的惰性气体或高吸湿性材料填充，从而使湿气和氧不能进入。在该实施例模式中，形成透射光并具有高吸湿性的树脂230。树脂230透射光，因此，甚至在来自电致发光层的光出射到第二衬底一侧的情况下，也不减少透射率。
为了增强对比度，在像素部分优选至少提供偏振器或圆形偏振器。在从第二衬底侧看显示器的情况下，可以从第二衬底一侧依次提供1/4λ片、1/2λ片和偏振器。此外，可以在偏振器上提供抗反射膜。
在电子器件的机壳中提供这样的光发射器件，由此完成产品。为了将光发射器件产生的热量传出，优选在机壳中提供热沉等。
在该实施例模式中，描述了具有滤色器和本发明的布局的液晶显示器件的结构。
图8A是液晶显示器件的顶视图，它包括信号驱动器电路200、扫描线驱动器电路201和提供于第一衬底210之上的像素部分202，第一衬底210通过密封材料205连接到第二衬底204。来自外部电路的信号通过FPC 209输入到信号驱动器电路和扫描驱动器电路。
图8B是图5A的显示器件沿A-A’的横截面视图，它包括配备具有N-沟道型TFT 223和P-沟道型TFT 224的CMOS电路的信号驱动器电路。每个TFT可以通过使用多晶半导体膜形成，多晶半导体膜通过激光结晶化法或使用金属催化剂的热方法形成。
在使用类似于光发射器件的非晶半导体膜的情况下，如信号驱动器电路或扫描驱动器电路的驱动器电路可以装配成IC芯片或驱动器IC。
像素部分202包括开关TFT 221和电容器245。开关TFT 221可以由激光结晶化法或使用金属催化剂的热方法形成的多晶半导体、SAS或非晶半导体形成。电容器245可以由夹在掺杂的半导体膜和栅电极之间的栅极绝缘膜形成。提供像素电极250以连接到开关TFT 211的一个电极。信号驱动器电路200包括N-沟道型TFT 223和P-沟道型TFT 224。按需要提供绝缘体214以覆盖信号驱动器电路200、像素电极250和开关TFT 211，它可以增强平面性。
第二衬底204在对应于信号驱动器电路200的位置设有黑色基质253，并且至少在对应于像素部分的位置提供滤色器252。滤色器252可以通过使用前述实施例模式的布局形成。此时，形成黑色基质替代堤。然后，对其上形成反电极的第二衬底204进行摩擦处理，然后和第一电极连接，二者中间夹衬垫255。
在第一衬底210和第二衬底204之间注入液晶层。液晶层优选在真空气氛下注入。或者，液晶层可以喷射到第一衬底210上，而第二衬底可以连接到其上。可以用液滴喷射法喷射液晶。特别是在大衬底上喷射比注射液晶层好。使用液滴喷射法，当使用较大衬底时，腔变大，因此衬底重量增加，导致操作困难。
在喷射液晶的情况下，在其中一个衬底的周围形成密封材料。密封材料既可以在第一衬底210也可在第二衬底204中形成。此时，密封材料的形成使密封组件的起点和终相接并闭合。之后，喷射一个或多个液晶滴。在大衬底的情况下，在多个位置喷射多个液晶滴。然后，在真空下该衬底与另一个衬底连接。通过在真空下连接，可以去除不必要的空气，并且可以防止空气引起的密封材料的破裂和膨胀。
其次，其中形成密封材料的区中的两个或多个点被固化并被粘接用于暂时连接。在使用紫外线固化树脂作密封材料的情况下，用紫外线照射其中形成密封材料的区中的两个或多个点。之后，将衬底从腔中取出，密封材料完全固化并作为实际附件粘接。此时，优选提供光屏蔽，从而使紫外线不照射到薄膜晶体管和液晶上。
此外，为了保持衬底之间的间隙，除密封组件外优选使用柱形或球形衬垫。
之后，给第一衬底210和第二衬底204提供偏振器或圆偏振器以增加对比度。此外，也可以提供抗反射膜。
之后，使用各向异性导电膜粘接FPC 209以和外部电路以及信号驱动器电路或扫描驱动器电路相连。
[实施例1]在该实施例中，描述使用实施例模式1中所述像素布局的显示模拟结果。
图10示出了在使用实施例模式1中所述像素布局情况下的图象，而图11示出了在使用排列成条形的传统像素布局情况下的图象。在图10和图11中，元件间距，即堤之间的间隔相同。可以看到具有本发明的像素布局的图10中的图象比图11的图象更精细。
图12表示分辨率和实施例模式1、2描述的像素布局以及传统像素布局的孔径比之间的关系。在分辨率为302ppi(像素的一边为84μm)的情况下，排列成条形的传统像素布局中的孔径比为4.9％，而实施例模式1中描述的像素布局中的孔径比为27.6％，在实施例模式2中描述的像素布局中的孔径比为46.3％。
这样，根据本发明的像素的布局，甚至在具有类似于传统布局的元件间距的情况下也可以获得高分辨率显示器。
本发明以2003年12月17日在日本专利局提交的日本专利申请序列号第2003-420204为基础，此处引述其内容作为参考。
权利要求
1.显示器件，包含对角线地布置的第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区；以及选自元件形成区的三个或多个被一个像素共享。
2.根据权利要求1的显示器件，其中该一个像素包含替换区。
3.根据权利要求1的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
4.根据权利要求1的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的相同颜色区，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在其列方向上。
5.根据权利要求1的显示器件，其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
6.显示器件，它包含具有多个第一着色的第一元件形成区，具有多个第二着色的第二元件形成区，具有多个第三着色的第三元件形成区；以及具有该多个第一着色区、第二着色区和第三着色区中至少一个的像素。
7.根据权利要求6的显示器件，其中该一个像素包含替换区。
8.根据权利要求6的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
9.根据权利要求6的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的相同颜色区，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色相同颜色区的行方向上，而第三颜色的相同颜色区排列在其列方向上。
10.根据权利要求6的显示器件其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
11.显示器件，它包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；以及在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区；其中第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区对角线地排列；以及其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
12.根据权利要求11的显示器件，其中该一个像素包含替换区。
13.根据权利要求11的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
14.根据权利要求11的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的相同颜色区，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在其列方向上。
15.根据权利要求11的显示器件，其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
16.显示器件，包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；以及在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区，第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区在行方向上偏移一个元件形成区的宽度排列，其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
17.根据权利要求16的显示器件，其中该一个像素包含替换区。
18.根据权利要求16的显示器件，其中该一个像素包含排列成L-形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色形成区。
19.根据权利要求16的显示器件，其中一个像素包含排列成L-形的相同颜色区，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在其列方向上。
20.根据权利要求16的显示器件，其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
21.显示器件，它包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区，以及第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的排列使得它们在行方向上偏移1.5个元件形成区的宽度，其中一个像素具有选自第一颜色元件形成区、第二颜色元件形成区和第三颜色元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
22.根据权利要求21的显示器件，其中该一个像素包含排列成T-形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
23.根据权利要求21的显示器件，其中该一个像素包含在第一颜色的相同颜色区的行方向上的第二和第三颜色的相同颜色区；以及其中第二和第三颜色的相同颜色区排列成T-形，从而它们相对于第一颜色的相同颜色区偏移1.5个元件形成区的宽度。
24.根据权利要求21的显示器件，其中该一个像素包含排列成三角形的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
25.根据权利要求21的显示器件，其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
26.显示器件，包括具有多个第一着色的第一元件形成区，具有多个第二着色的第二元件形成区，具有多个第三着色的第三元件形成区；以及具有该多个第一着色区、第二着色区和第三着色区中至少一个区的像素；其中具有第一元件形成区的第一绝缘膜、具有第二元件形成区的第二绝缘膜和具有第三元件形成区的第三绝缘膜的宽度比具有第一元件形成区、第二元件形成区和第三元件形成区的的第四绝缘膜的宽度窄。
27.根据权利要求26的显示器件，其中第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜在列方向上的宽度比在相邻的第一元件形成区、第二元件区和第三元件区之间提供的第四绝缘膜的宽度窄。
28.根据权利要求26的显示器件，其中第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜在行方向上的宽度比在相邻的第一元件形成区、第二元件区和第三元件区之间提供的第四绝缘膜的宽度窄。
29.根据权利要求26的显示器件，其中第一颜色是R，第二颜色是G，第三颜色是B。
30.显示器件的制造方法，包含对角线地形成元件形成区，从而三个或更多的元件形成区被一个像素共享。
31.根据权利要求30的显示器件，其中一个像素以L-形形成，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在列方向上。
32.显示器件的制造方法，包含第一颜色元件形成区；在相同列中邻近第一颜色元件形成区提供的第二颜色元件形成区；在相同列中邻近第二颜色元件形成区提供的第三颜色元件形成区，以及第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的排列使得它们在行方向上偏移1个元件形成区的宽度，其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
33.根据权利要求32的显示器件，其中一个像素以L-形形成，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在列方向上。
34.显示器件的制造方法，包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区，以及第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的排列使得它们在行方向上偏移1.5个元件形成区的宽度，其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
35.根据权利要求34的制造方法，进一步包含以T-形形成一个像素，从而第二颜色和第三颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，在列方向上偏移1.5个元件形成区的宽度。
36.根据权利要求34的制造方法，进一步包含以三角形形成一个像素，以第一颜色、第二颜色和第三颜色中任何一个的相同颜色区为顶点。
37.显示器件的制造方法，包含对角线地形成元件形成区，从而使三个或更多的元件形成区被一个像素共享；以及在元件形成区形成相同颜色区。
38.根据权利要求37的显示器件，其中以L-形形成一个像素，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，而第三颜色的相同颜色区排列在列方向上。
39.显示期器件的制造方法，包含形成第一元件形成区，该第一元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第一着色区，邻近该第一元件形成区形成第二元件形成区，该第二元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第二着色区，邻近该第二元件形成区形成第三元件形成区，该第三元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第三着色区，对角线地排列第一着色区、第二着色区和第三着色区以使它们被一个像素共享。
40.根据权利要求39的显示器件，其中以L-形形成一个像素，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，且第三颜色的相同颜色区排列在列方向上。
41.显示器件的制造方法，包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区，以及第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的排列使得它们在行方向上偏移1.5个元件形成区的宽度，其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
42.根据权利要求41的制造方法，进一步包含以T-形形成一个像素，从而第二颜色和第三颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，在列方向上偏移1.5个元件形成区宽度。
43.根据权利要求41的制造方法，进一步包含以三角形形成一个像素，以第一颜色、第二颜色和第三颜色中任何一个的相同颜色区为顶点。
44.显示器件的制造方法，包含形成第一元件形成区，该第一元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第一着色区，邻近该第一元件形成区形成第二元件形成区，该第二元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第二着色区，邻近该第二元件形成区形成第三元件形成区，该第三元件形成区具有被绝缘膜相互分开的多个第三着色区，对角线地排列第一着色区、第二着色区和第三着色区以使它们被一个像素共享。
45.根据权利要求44的显示器件，其中以L-形形成一个像素，从而第二颜色的相同颜色区排列在第一颜色的相同颜色区的行方向上，而第三颜色的相同颜色区排列在列方向上。
46.显示器件的制造方法，包含第一颜色的元件形成区；在相同列中邻近第一颜色的元件形成区提供的第二颜色的元件形成区；在相同列中邻近第二颜色的元件形成区提供的第三颜色的元件形成区，以及第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的排列使得它们在行方向上偏移1.5个元件形成区的宽度，其中一个像素具有选自第一颜色的元件形成区、第二颜色的元件形成区和第三颜色的元件形成区的第一颜色、第二颜色和第三颜色的相同颜色区。
47.根据权利要求46的制造方法，进一步包含以T-形形成一个像素，从而第二颜色和第三颜色的相同颜色区排列在第一颜色相同颜色区的行方向上，在列方向上偏移1.5个元件形成区宽度。
48.根据权利要求46的制造方法，进一步包含以三角形形成一个像素，以第一颜色、第二颜色和第三颜色中任何一个的相同颜色区为顶点。
49.显示器件的制造方法，包含形成第一元件形成区，该第一元件形成区具有被第一绝缘膜相互分开的多个第一着色区，邻近该第一元件形成区形成第二元件形成区，该第二元件形成区具有被第二绝缘膜相互分开的多个第二着色区，邻近该第二元件形成区形成第三元件形成区，该第三元件形成区具有被第三绝缘膜相互分开的多个第三着色区，对角线地排列第一着色区、第二着色区和第三着色区以使它们被一个像素共享；以及在相邻的相同颜色区之间提供的第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜的宽度比在相邻的元件形成区之间提供的第四绝缘膜的宽度窄。
50.根据权利要求49的制造方法，进一步包含在列方向上的相邻的相同颜色区之间提供的第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜的宽度比在相邻的元件形成区之间提供的第二绝缘膜的宽度窄。
51.根据权利要求49的制造方法，进一步包含形成在行方向上相邻的相同颜色区之间提供的第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜的宽度比在相邻的元件形成区之间提供的第二绝缘膜的宽度窄。
全文摘要
以此方式，甚至当形成半导体元件的图形精度以及布线精细度提高时，由于金属掩模的孔隙之间的间隔不能变窄，仍然不能期望具有发光元件的显示器件的高分辨率。考虑到前述问题，根据本发明，相同颜色的元件形成区对角线放置，且象素部分的结构是形成元件的区域被多个象素共享。本发明的具体的象素结构是第一颜色、第二颜色、第三颜色的元件形成区分别对角向放置，且三个或更多个元件形成区被每个象素共享。
文档编号H01L27/32GK1638558SQ20041008214
公开日2005年7月13日 申请日期2004年12月17日 优先权日2003年12月17日
发明者宫川惠介 申请人:株式会社半导体能源研究所