厚膜电阻浆料用玻璃组成物、厚膜电阻浆料、厚膜电阻及电子部件的制作方法

文档序号:7122009阅读:321来源:国知局
专利名称:厚膜电阻浆料用玻璃组成物、厚膜电阻浆料、厚膜电阻及电子部件的制作方法
技术领域
本发明涉及在形成具有高电阻的厚膜电阻中使用的最佳厚膜电阻浆料用玻璃组合物、使用此玻璃组合物的厚膜电阻浆料、厚膜电阻及电子部件。
背景技术
例如,作为主要成分,通常由玻璃组合物、导电材料、有机载体来构成电阻浆料。包含玻璃组合物是为了调节电阻值和增加浆料的粘接性。在基板上印刷电阻浆料之后,通过烧结,形成厚度约5~20μm的厚膜电阻。并且,在此种电阻浆料(厚膜电阻)中,通常可使用氧化钌(RuO2)和铅钌氧化物作为导电材料,可使用氧化铅(PbO)类玻璃等作为玻璃。
近年来,正积极地探讨环境问题,正推进从电子部件中排除铅等有害物质。上述电阻浆料和厚膜电阻也不例外,正在进行着无铅化的研究。
作为电阻浆料的无铅化中的课题之一,特别是对于高电阻(1kΩ/□)的电阻浆料中,例如有温度特性(TCR)和耐压特性(STOL)的兼顾。例如,在将通过添加在现有的铅类电阻浆料中使用的金属氧化物来调节TCR,原样应用在无铅成分的情况下,由于与铝类成分比较,因电压施加而导致的电阻值变动较大,所以结果就难于实现TCR和STOL的兼顾。
基于这种情况,在以不含铅的玻璃组合物、不含铅的导电材料及有机载体为主要成分的电阻浆料中,作为添加物,进行了添加CaTiO3或NiO、使温度特性(TCR)和耐压特性(STOL)兼顾的试验。
例如,专利文献1(特开2003-197405号公报)中主要记载了例如优选在电阻浆料中含有CaTiO3为大于0vol%、小于等于13vol%或NiO为大于0vol%、小于等于12vol%,并且优选同时添加CuO、ZnO、MgO等添加物这样的内容。在专利文献1中记载了通过同时添加这些添加物、就能够提供适合于获得既具有高的电阻值、电阻值的温度特性(TCR)及耐压特性(STOL)又小的电阻的无铅电阻浆料的内容。
但是,如专利文献1记载的发明,对于使用通过大量含有添加物调整TCR特性的电阻浆料而形成的电阻,存在比使用现有铝类成分的电阻浆料时STOL特性下降的倾向。因此,认为在未添加添加物的状态,即在使用由玻璃组合物及导电材料组成的电阻浆料而形成的电阻中,如果能够进一步提高STOL特性,就能够避免上述STOL特性的下降。
此外,在上述专利文献1记载的技术中,确实能体现TCR和STOL的改善,实际上,已公开了TCR为±100ppm以内、STOL接近零的样品。但是,就TCR和STOL的两方面而言,仅是在非常限定的成分中可获得充分的特性,对于大部分成分,即使STOL小也为1%以上的值。如此,就TCR和STOL的两方面而言,当限定可充分获得良好特性的成分时,例如,由于制约了涉及其它特性的自由度,在电阻浆料的设计上就会担心出现障碍,所以希望进一步地进行改善。

发明内容
因此,鉴于这些现有情况而提出了本发明,本发明的目的在于,提供一种具有例如1kΩ/□以上的高的电阻值、能够实现温度特性(TCR)和耐压特性(STOL)的兼顾、并且在宽范围的组成中能使TCR和STOL确实变成小的数值的厚膜电阻浆料用玻璃组合物。此外,本发明的目的在于,通过使用上述厚膜电阻浆料用玻璃组合物,提供高电阻且温度特性(TCR)和耐压特性(STOL)优良、且热稳定性也优良的厚膜电阻浆料,以及使用此厚膜电阻浆料而制作出的厚膜电阻,还有具有此厚膜电阻的电子部件。
本发明人为了实现上述目的,进行了长期反复专心的研究。其结果,修正了在厚膜电阻浆料中所使用的玻璃组合物的成分,直至发现能够大幅度地改善TCR和STOL。
本发明是根据这样的认识来完成的。即,本发明的厚膜电阻浆料用玻璃组合物,其特征在于,具有下述成分选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上13摩尔%~45摩尔%、B2O30~40摩尔%(但,不含0)、SiO217摩尔%~72摩尔%(但,不含72摩尔%)、ZrO20~10摩尔%(但,不含0)、选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上0摩尔%~10摩尔%(但,不含0)。
此外,本发明的厚膜电阻浆料,至少包含玻璃组合物及导电材料,由这些材料和有机载体混合而成;上述玻璃组合物的特征在于,具有下述成分选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上13摩尔%~45摩尔%、B2O30~40摩尔%(但,不含0)、SiO217摩尔%~72摩尔%(但,不含72摩尔%)、ZrO20~10摩尔%(但,不含0)、选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上0摩尔%~10摩尔%(但,不含0)。
并且,本发明的厚膜电阻的特征在于,使用上述厚膜电阻浆料来形成,本发明的电子部件的特征在于,具有上述厚膜电阻。
本发明的厚膜电阻用玻璃组合物与现有成分的玻璃组合物相比较,TCR和STOL特性良好。因此,通过使用此玻璃组合物作为厚膜电阻浆料的玻璃组合物,就能够实现在宽的组成范围内例如既表现出10kΩ以上的高电阻值、又优选TCR±150ppm以内(更优选TCR±100ppm以内)、优选STOL±1.0%以内(更优选STOL±0.5%以内)这样的优良特性。
再有,推测出在玻璃组合物中,并不是按原有形态含有各氧化物,例如可以为复合氧化物的形态。但是,在本说明书中,玻璃组合物中的成分标记按照通常惯例,以换算为各氧化物时的含量为标记。例如,厚膜电阻浆料和厚膜电阻中含有的玻璃组合物,严格地讲并不是以CaO的形态含有Ca。此外,Ca原料通常以CaCO3的形态被添加到原料成分中。因此,所谓“CaO 20~40摩尔%”意味着构成玻璃组合物的复合化合物通过CaO换算含Ca 20~40摩尔%。
根据本发明,能够实现例如具有1kΩ/□以上的高电阻值、TCR特性及STOL特性可相互兼顾的具有高可靠性的厚膜电阻,能够提供品质优良的电子部件。此外,根据本发明,在得到的厚膜电阻中,也能够不依赖于成分而确实地使TCR及STOL成为小的数值。
具体实施例方式
下面,对本发明的厚膜电阻浆料用玻璃组合物及使用该玻璃组合物的厚膜电阻浆料、厚膜电阻、电子部件加以说明。
首先,本发明的厚膜电阻浆料用玻璃组合物在环境保护上是基本上不含铅的无铅玻璃组合物。再有,在本发明中,所谓“基本上不含铅”意味着不含有超过杂质量级的铅,意思是也可含有杂质量级的量(例如,玻璃组合物中的含量为0.05质量%以下左右)。铅,作为不可避免的杂质,含有极其微量的程度。
并且,本发明的厚膜电阻浆料用玻璃组合物是含有以选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上作为主要的修饰氧化物成分,以B2O3、SiO2为丝网形成氧化物成分,同时,以ZrO2为第二修饰氧化物粉,并且以选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上作为第三修饰氧化物成分的物质,组合这些成分有很大意义。
在此,说明玻璃组合物中的各成分的含量,首先,优选在玻璃组合物中含有13摩尔%~45摩尔%主要修饰氧化物成分。当主要修饰氧化物成分的含量低于上述范围的情况下,与导电材料的反应性就会下降,就会担心TCR、STOL特性劣化。相反,当主要修饰氧化物成分的含量超过上述范围的情况下,在形成厚膜时,就会引起过剩的金属氧化物的析出,就可能特性劣化和可靠性降低。
优选丝网形成氧化物成分即B2O3,在玻璃组合物中含有0~40摩尔%以下(但,不含0。)。此外,优选丝网形成氧化物成分即SiO2,在玻璃组合物中含有17~72摩尔%以下(但,不含72摩尔%。)。在丝网形成氧化物成分的含量低的情况下,由于玻璃组合物的软化点变高,所以,当以规定的烧结温度形成厚膜电阻时,厚膜电阻的烧结就会变得不充分,就会担心可靠性的显著下降。相反,当丝网形成氧化物成分的含量过多的情况下,由于玻璃组合物的耐水性下降,所以就可能显著降低作为厚膜电阻时的可靠性。
优选在玻璃组合物中以0摩尔%~10摩尔%(但,不含0。)的范围含有第二修饰氧化物成分。当第二修饰氧化物成分的含量超过10摩尔%的情况下,在形成厚膜电阻时,会引起过剩金属氧化物的析出,存在特性劣化和可靠性下降的可能。
本发明的玻璃组合物的最大特征在于,除上述各成分之外,还含有第三修饰氧化物成分(选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上)。优选此第三修饰氧化物成分处于玻璃组合物的含量为0摩尔%~10摩尔%(但,不含0摩尔%。)的范围内。当完全不含有第三修饰氧化物成分且第三修饰氧化物成分的含量超出上述范围时,TCR、STOL无论哪一个都会变大,这些特性就会劣化。
因此,本发明的厚膜电阻浆料用玻璃组合物的成分能够按下述表示选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上13摩尔%~45摩尔%;B2O30~40摩尔%(但,不含0);SiO217摩尔%~72摩尔%(但,不含72摩尔%);ZrO20~10摩尔%(但,不含0);选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上0摩尔%~10摩尔%(但,不含0)。
当超出上述组成范围时,不能充分获得上述那样的效果,有可能没有充分改善TCR和STOL。
此外,本发明的玻璃组合物,除了上述成分之外,也可含有其它金属氧化物。作为其它金属氧化物,可列举出Al2O3、ZnO、MgO等。在玻璃组合物中,优选其它金属氧化物的含量为20摩尔%以下。当其它金属氧化物的含量超过上述范围时,STOL特性可能劣化。
其次,说明本发明的厚膜电阻浆料。本发明的厚膜电阻浆料含有玻璃组合物、导电材料、以及根据要求的添加物,将这些材料与有机载体混合而成。并且,作为玻璃组合物,可使用上述那样的玻璃组合物。当玻璃组合物构成厚膜电阻时,在厚膜电阻中,就具有将导电材料和添加物与基板粘接的功能。
电阻浆料中的玻璃组合物的含量,在玻璃组合物、导电材料、及添加物的总质量为100质量%的情况下,优选为30质量%~70质量%,更优选为35质量%~65质量%。电阻浆料中的玻璃组合物的含量低于上述范围的情况下,粘接导电材料、添加物的效果就会不充分,可靠性有可能显著下降。相反,当玻璃组合物的含量超过上述范围过多时,电阻值就会变得过大,恐怕不适合作为电阻浆料使用。
导电材料被分散在作为绝缘体的玻璃中,具有对作为结构物的厚膜电阻赋予导电的功能。虽然对导电材料没有特别限定,但在环境保护上,同样也优选使用基本上不含铅的导电性材料。作为基本上不含铅的具体导电材料,除了钌氧化物之外,还可列举出Ag-Pd合金、Ag-Pt合金、TaN、WC、LaB6、MoSiO2、TaSiO2及金属(Ag、Au、Pt、Cu、Ni、W、Mo等)。这些物质也可分别单独使用,也可两种以上组合使用。其中,优选钌氧化物。作为钌氧化物,除氧化钌(RuO2、RuO4等)外,还包含钌类烧绿石(Bi2Ru2O7、Tl2Ru2O7等)和钌类复合氧化物(SrRuO3、BaRuO3、CaRuO3、LaRuO3等)等。其中,优选RuO2、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、Bi2Ru2O7。
在导电材料、玻璃组合物、添加物的合计质量为100质量%时,电阻浆料中的导电材料的含量优选为5质量%~60质量%,更优选为10质量%~55质量%。在导电材料的含量少的情况下,电阻值就会变得过大,恐怕不适合作为电阻浆料使用。相反,当导电材料的含量超过上述范围时,由于玻璃组合物而使得导电材料的粘接就会不充分,可靠性可能会显著下降。
厚膜电阻浆料中,除了上述玻璃组合物、导电材料之外,也可不含以调整电阻值及温度特性等为目的的添加物。作为添加物,可列举出任意的金属氧化物、金属复合氧化物、金属材料等,可适当选择加以使用。
作为金属复合氧化物,可列举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3、CoTiO3、NiTiO3等。
特别地,作为导电材料,在使用选自RuO2、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3、Bi2Ru2O7中的一种或两种以上的情况下,通过将作为金属复合氧化物的碱土类金属钛氧化合物和金属材料两者作为添加物加以组合,与上述玻璃组合物的效果相组合,就能够大幅度地改善TCR和/或STOL。
在此情况下,作为金属材料,可使用Ag和Pd的单质金属、Ag-Pd等、Ag和Pd的合金等、任意的导电金属微粒等,特别地,考虑与后述的钛氧化合物组合时,Ag是最适合的。
作为上述碱土类金属钛氧化合物,可以列举出BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3等,优选根据电阻值选择这些钛氧化合物,此外,在此情况下,优选使各成分最佳化。
在用于制作电阻值为1kΩ/□~15MΩ/□的厚膜电阻的厚膜电阻浆料中,作为具体的电阻成分,优选组合作为金属材料的Ag、碱土类金属钛氧化合物中的BaTiO3。此情况下的电阻组合物的成分优选为导电材料20~45质量%;玻璃组合物30~60质量%;BaTiO30~25质量%(但,不含0);金属材料0~15质量%(但,不含0)。
另一方面,在用于制作电阻值为0.1kΩ/□~5MΩ/□的厚膜电阻的厚膜电阻浆料中,作为具体的电阻成分,优选组合作为金属材料的Ag、碱土类金属钛氧化合物中的CaTiO3、或SrTiO3。此情况下的电阻组合物的成分优选为导电材料15~30质量%;玻璃组合物50~65质量%;CaTiO3、SrTiO3的一种或两种以上0~15质量%(但,不含0);金属材料0~20质量%(但,不含0)。
除考虑电阻值之外,还考虑TCR和STOL来决定上述电阻组合物的成分,使其为上述范围,由此,在各电阻值中,能够确实地使TCR和STOL为小数值。
再者,虽然通过同时添加上述金属材料和碱土类金属钛氧化合物,即使不使用其它添加物,也能够充分改善TCR和STOL,但也可根据要求,含有其它添加物。作为添加物,可以列举出任意的金属氧化物,例如MgO、TiO2、SnO2、ZnO、CoO、CuO、NiO、MnO、MnO4、Fe2O3、Cr2O3、Y2O3、V2O5等。特别地,通过共用CuO,就能够进一步改善STOL。对于CuO而言,按所希望的电阻值最佳范围也是不同的,对于用于制作电阻值为1kΩ/□~15MΩ/□的厚膜电阻的厚膜电阻浆料用电阻组合物,优选为0~8质量%。用于制作电阻值为0.1kΩ/□~5MΩ/□的厚膜电阻的厚膜电阻浆料用电阻组合物,优选为0~10质量%。
上述电阻组合物分散于有机载体中,由此成为厚膜电阻浆料,作为厚膜电阻浆料用的有机载体,可以任意使用在此种厚膜电阻浆料中使用的有机载体。例如可以将乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、丙烯酸树脂、异丙烯酸丁酯等粘合剂树脂,与萜品醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸盐、醋酸盐、甲苯、各种醇、二甲苯等溶剂混合使用。此时,可按照用途等,适当共用各种分散剂和活性剂、增塑剂等。
作为上述有机载体的配合比例,优选电阻组合物的质量(W1)和有机载体的质量(W2)的比率(W2/W1)为0.25~4(W2∶W1=1∶0.25~1∶4)。更优选上述比率(W2/W1)为0.5~2。当超过上述比率时,有可能不能够获得适合于例如在基板上形成厚膜电阻的粘度的厚膜电阻浆料。
为了形成厚膜电阻,也可例如在基板上利用丝网印刷等方法印刷(涂敷)含有上述成分的厚膜电阻浆料,在850℃左右的温度下进行烧结。作为基板,可以使用Al2O3基板和BaTiO3基板的电介质基板和低温烧结的陶瓷基板、AlN基板等。作为基板形态,可为单层基板、复合基板、多层基板中的任意一种。在多层基板的情况下,既可在表面形成厚膜电阻,也可在内部形成厚膜电阻。在形成的厚膜电阻中,上述厚膜电阻浆料中包含的电阻组合物的成分即使在烧结后也能基本上保持不变。
在形成厚膜电阻时,通常在基板上形成作为电极的导电图形,此导电图形,例如能够通过印刷含有Ag和Pt、Pd等的Ag类优良导电材料的导电浆料来形成。此外,在形成的厚膜电阻的表面,也可形成玻璃膜等保护膜(面釉)。
作为可适用于本发明的厚膜电阻的电子部件,没有特别地进行限定,可列举出例如单层或多层的电路基板、薄片电阻器等电阻器、隔离元件、C-R复合元件、模块元件。此外,也可以适用于叠层片式电容器等电容器和电感器等的电极部分。
实施例下面,根据实验结果来说明本发明的具体实施例。
作为玻璃原料,使用CaCO3、SrCO3、BaCO3、B2O3、SiO2、ZrO2、Ta2O5、Nb2O5。从这些玻璃原料中选择出规定的成分,称出规定量,放入铂坩埚内,在1350℃下进行1小时的熔融。接着,通过将熔融物投入水中进行急冷,进行玻璃化。用球磨机湿式粉碎所得到的玻璃化物,得到玻璃组合物粉末。用表1表示制作出的玻璃组合物的成分。再有,在表1中所示的成分中,数值表示各成分的比例(摩尔%),*标记是超出本发明所规定范围的值。
作为粘合剂使用乙基纤维素,作为有机溶剂使用萜品醇,一边加热搅拌有机溶剂、一边溶解粘合剂,从而制作出有机载体。
按各成分称量导电材料(CaRuO3粉末)、玻璃组合物粉末、添加物及有机载体,用三辊磨混炼,得到厚膜电阻浆料。再有,按质量比1∶0.25~1∶4的范围调整导电材料、玻璃组合物粉末及添加物的总质量和有机载体的质量比,以使得到的电阻浆料成为适合于丝网印刷的粘度,从而制作出电阻浆料。

在纯度96%的氧化铝基板上,丝网印刷Ag-Pt导体浆料为规定形状并使其干燥。Ag-Pt导体浆料中的Ag比例为95质量%,Pt比例为5质量%。将此氧化铝基板送入带式炉内,从投入到排出进行一个小时的构图烧结。此时烧结的温度为850℃,此温度下的保持时间为10分钟。
如此,在导体形成的氧化铝基板上,利用丝网印刷法,按规定形状(1mm×1mm的方形)的图形涂敷前面制作出的厚膜电阻浆料,使其干燥。按与导体烧结相同的条件,烧结厚膜电阻浆料,得到厚膜电阻。
(1)电阻值利用Agilent Technologies公司制造的产品编号34401A来进行测量。求出24个试验样品的平均值。
(2)TCR以室温25℃为基难,求出温度向-55℃及125℃变化时的电阻值变化率。取10个试验样品的平均值。设-55℃、25℃、125℃的电阻值为R-55、R25、R125(Ω/□)时,为TCR(ppm/□)=[(R-55-R25)/R25/80]×1000000、或TCR(ppm/□)=[(R125-R25)/R25/100]×1000000。将两者中数值大的一个数值作为TCR值。
(3)STOL(短时间过负载)在厚膜电阻上施加试验电压5秒种,求出在此前后的电阻值的变化率。取10个试验样品的平均值。试验电压=2.5×额定电压、额定电压=(R/4)、R是电阻值(Ω/□)。对于具有计算出的试验电压超过400V的电阻值的电阻而言,试验电压为400V。
(有关玻璃组合物的成分的研讨)使用表1所示的玻璃组合物制作厚膜电阻(试验样品1~试验样品46),评价各厚膜电阻的特性(电阻值、TCR、STOL)。制作电阻时,厚膜电阻浆料的成分为导电材料(CaRuO3粉末)25质量%,玻璃组合物75质量%。用表2表示评价结果。再有,在表2中,带*标记的试验样品,玻璃组合物的成分超过本发明所规定的范围,相当于比较例的试验样品。
如表2所表明的,在玻璃组合物的成分比例合适的试验样品17~试验样品46中,TCR变小到±150ppm以内,STOL也在±1.0%以内。相对于此可看到,对于使用超出本发明规定的组成范围的玻璃组合物的试验样品,可见TCR大幅度地超出±150ppm、STOL变大等的特性劣化。
当制作上述厚膜电阻浆料时,作为玻璃组合物选用表1中CaO类玻璃组合物。并且,作为添加物,选自BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、Ag、Pd、CuO,按照上述电阻制作的项目所记述的,制作出电阻(试验样品47~试验样品62)。
这些试验样品中的电阻组合物的成分及特性评价结果用表3表示。再有,表中的数值表示各成分的组分(质量%)。可知通过将钛氧化合物和Ag、Pd等金属材料、进一步地与CuO加以组合进行添加,TCR大致在±100ppm以内、STOL为±0.5%以内,进一步得到了改善。
使用表1所示的SrO类玻璃组合物制作厚膜电阻(试验样品63~试验样品81),评价各厚膜电阻的特性(电阻值、TCR、STOL)。制作电阻时,厚膜电阻浆料的成分按表4所示内容。同时用表4表示出评价结果。
使用表1所示的BaO类玻璃组合物制作厚膜电阻(试验样品82~试验样品87),评价各厚膜电阻的特性(电阻值、TCR、STOL)。制作电阻时,厚膜电阻浆料的成分按表5所示内容。同时用表5表示出评价结果。
如表4及表5所表明的,可知在使用表1所示的SrO及BaO类玻璃组合物的情况下,通过将钛氧化合物和Ag、Pd等金属材料、进一步与CuO加以组合,进行添加,TCR大概在±100ppm以内、STOL为±0.5%以内,进一步得到了改善。
表1
表2

****************
表3

表4

表5

权利要求
1.一种厚膜电阻浆料用玻璃组合物,其特征在于,具有下述成分选自CaO、SrO、BaO中的至少一种以上13摩尔%~45摩尔%;B2O30~40摩尔%,但,不含0;SiO217摩尔%~72摩尔%,但,不含72摩尔%;ZrO20~10摩尔%,但,不含0;选自Ta2O5、Nb2O5中的至少一种以上0%~10摩尔%,但,不含0。
2.一种厚膜电阻浆料,其至少包含玻璃组合物及导电材料,并由这些材料和有机载体混合而成;其特征在于,上述玻璃组合物具有下述成分选自CaO、SrO、BaO中的至少一种以上13摩尔%~45摩尔%;B2O30~40摩尔%,但,不含0;SiO217摩尔%~72摩尔%,但,不含72摩尔%;ZrO20~10摩尔%,但,不含0;选自Ta2O5、Nb2O5中的至少一种以上0%~10摩尔%,但,不含0。
3.根据权利要求2所述的厚膜电阳浆料,其特征在于,作为上述导电材料,含有选自RuO2、Bi2Ru2O7、CaRuO3、SrRuO3、BaRuO3中的至少一种以上。
4.根据权利要求2或3所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,作为添加物,含有选自金属氧化物、金属复合氧化物、金属材料中的至少一种以上。
5.根据权利要求4所述的厚膜电阳浆料,其特征在于,上述金属氧化物是CuO,且上述金属复合氧化物是钛氧化合物。
6.根据权利要求5所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,上述钛氧化合物是选自BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、MgTiO3、CoTiO3、NiTiO3中的至少一种以上。
7.根据权利要求4所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,上述金属材料选自Ag、Pd、Ag-Pd中的至少一种以上。
8.一种厚膜电阻,其特征在于,使用权利要求2所述的厚膜电阻浆料来形成。
9.根据权利要求8所述的厚膜电阻,其特征在于,电阻值为1kΩ/□以上。
10.一种电子部件,其特征在于,具有权利要求8或9所述的厚膜电阻。
全文摘要
一种厚膜电阻用玻璃组合物,其特征在于,具有下述成分选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上13摩尔%~45摩尔%;B
文档编号H01C17/06GK1744238SQ20051010673
公开日2006年3月8日 申请日期2005年9月1日 优先权日2004年9月1日
发明者田中博文, 五十岚克彦 申请人:Tdk株式会社
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