一种低温厚膜电路浆料及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子材料技术领域，尤其涉及一种低温厚膜电路浆料及其制备方法。
【背景技术】
[0002]电路浆料是制造厚膜元件的基础材料，是一种由固体粉末和有机溶剂经过三辊乳制混合均匀的膏状物(可联想成牙膏、油漆等样子)；其中，根据用途的不同，电路浆料可以分为介质浆料、电阻浆料和导体浆料:根据基片种类的不同，电路浆料又可以分为陶瓷基片、聚合物基片、玻璃基片、金属绝缘基片电路浆料等;根据烧结温度的不同，电路浆料又可以分为高温、中温和低温烘干电路浆料;根据用途的不同，电路浆料又可以分为通用电路浆料(制作一般性的厚膜电路)和专用电路浆料(不锈钢基板电路浆料、热敏电阻浆料)；根据导电相的价格不同，电路浆料又可以分为贵金属电路浆料(银钯、钌系和金浆等)和贱金属电路浆料(钼锰浆料)。
[0003]现有技术中存在各式各样的电路浆料产品；然而，对于现有的电路浆料产品而言，其很难同时具备烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好的综合性能。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种低温厚膜电路浆料，该低温厚膜电路浆料烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好。
[0005]本发明的另一目的在于提供一种低温厚膜电路浆料制备方法，该低温厚膜电路浆料制备方法能够有效地制备低温厚膜电路浆料，且制备而成的低温厚膜电路浆料烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好。
[0006]为达到上述目的，本发明通过以下技术方案来实现。
[0007]—种低温厚膜电路浆料，包括有以下质量份的物料，具体为:
无机粘接相 1%_5%
有机溶剂载体 10%_30%
高纯银粉65%-85%;
其中，无机粘接相包括有以下质量份的物料，具体为:
Bi20340%-60%
B20320%-40%
ΖηΟ15%-20%
CuO0.5%-2.5%；
有机溶剂载体包括有以下质量份的物料，具体为:
主溶剂85%-90%
增稠剂5%-10%
流平剂1%_5%
触变剂0.5%-1.5% 消泡剂0.5%-1%;
其中，有机溶剂载体中的主溶剂为丁基卡必醇、己二酸二甲酯或者三甘醇二乙酸酯。
[0008]其中，所述无机粘接相包括有以下质量份的物料，具体为:
Bi20340%-50%
Β20330%-40%
ΖηΟ15%-20%
CuO1%-2 %o
[0009]其中，所述无机粘接相包括有以下质量份的物料，具体为:
Bi20350%
Β2Ο330%
ΖηΟ18%
CuO2 %0
[0010]其中，所述有机溶剂载体包括有以下质量份的物料，具体为:
主溶剂90%
增稠剂7%
流平剂1%
触变剂1%
消泡剂1%。
[0011]其中，一种低温厚膜电路浆料，包括有以下质量份的物料，具体为:
无机粘接相 3%_5%
有机溶剂载体 15%_25%
高纯银粉70%-80%。
[0012]其中，一种低温厚膜电路浆料，包括有以下质量份的物料，具体为:
无机粘接相 4%
有机溶剂载体 20%
高纯银粉76%。
[0013]其中，所述增稠剂为聚丙烯酰胺或者聚乙烯醇，所述流平剂为氟改性丙烯酸酸流平剂或者磷改性丙烯酸流平剂，所述触变剂为聚酰胺蜡或者疏水性二氧化硅，所述消泡剂为聚醚改性有机硅或者道康宁1510-US有机硅。
[0014]—种低温厚膜电路浆料制备方法，包括有以下工艺步骤，具体为:
a、制备无机粘接相:将Bi203、B203、Zn0、Cu0置于星型球磨机中研磨5-8小时得到玻璃微粉，Bi203、B203、Zn0、Cu0 四种物料的质量份依次为:40%-60%、20%-40%、15%-20%、0.5%-2.5%；
b、制备有机溶剂载体:将主溶剂、增稠剂、流平剂、触变剂、消泡剂于30°C_60°C的水浴，以得到粘度为32 dPa.s -50dPa.s的有机溶剂载体，主溶剂、增稠剂、流平剂、触变剂、消泡剂五种物料的质量份依次为85%-90%、5%-10%、1%-5%、0.5%-1.5%、0.5%-1%；
c、低温厚膜电路浆料制备:将无机粘接相、有机溶剂载体、高纯银粉混合置于三辊研磨机研磨5-10遍，以得到粘度为200 dPa-s- 400 dPa‘s的低温厚膜电路楽料，无机粘接相、有机溶剂载体、高纯银粉三种物料的质量份依次为1 %-5%、10%-30%、65%-85%。
[0015]其中，所述无机粘接相、所述有机溶剂载体、所述高纯银粉的粒度分别小于2μπι。
[0016]本发明的有益效果为:本发明所述的一种低温厚膜电路浆料，其包括有以下质量份的物料，具体为:无机粘接相1%_5%、有机溶剂载体10%-30%、高纯银粉65%-85%;无机粘接相包括有以下质量份的物料:Bi20340%-60%、B20320%-40%、Zn015%-20%、Cu00.5%-2.5%;有机溶剂载体包括有以下质量份的物料:主溶剂85%-90%、增稠剂5%-10%、流平剂1%-5%、触变剂
0.5%-1.5%、消泡剂0.5%-1%;其中，有机溶剂载体中的主溶剂为丁基卡必醇、己二酸二甲酯或者三甘醇二乙酸酯。通过上述物料配比，本发明的低温厚膜电路浆料具有烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好的优点。
[0017]本发明的另一有益效果为:本发明所述的一种低温厚膜电路浆料制备方法，其包括有以下工艺步骤，具体为:a、制备无机粘接相:将Bi203、B203、Zn0、Cu0置于星型球磨机中研磨5-8小时得到玻璃微粉，Bi203、B203、ZnO、CuO四种物料的质量份依次为:40%-60%、20%-40%、15%-20%、0.5%-2.5%; b、制备有机溶剂载体:将主溶剂、增稠剂、流平剂、触变剂、消泡剂于30°C_60°C的水浴，以得到粘度为32 dPa.s -50dPa.s的有机溶剂载体，主溶剂、增稠剂、流平剂、触变剂、消泡剂五种物料的质量份依次为85%-90%、5%-10%, 1%-5%、0.5%_1.5%、
0.5%-1%; c、低温厚膜电路浆料制备:将无机粘接相、有机溶剂载体、高纯银粉混合置于三辊研磨机研磨5-10遍，以得到粘度为200 dPa-s- 400 dPa.s的低温厚膜电路楽料，无机粘接相、有机溶剂载体、高纯银粉三种物料的质量份依次为1%-5%、10%-30%、65%-85%。通过上述工艺步骤，本发明的低温厚膜电路浆料制备方法能够有效地制备温厚膜电路浆料，且制备而成的温厚膜电路浆料烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好。
【具体实施方式】
[0018]下面结合具体的实施方式来对本发明进行说明。
[0019]实施例一，一种低温厚膜电路浆料，包括有以下质量份的物料，具体为:
无机粘接相 4%
有机溶剂载体 20%
高纯银粉76%;
其中，无机粘接相包括有以下质量份的物料，具体为:
Bi20350%
Β2Ο330%
ΖηΟ18%
CuO2%；
有机溶剂载体包括有以下质量份的物料，具体为:
主溶剂90%
增稠剂7%
流平剂1%
触变剂1%
消泡剂1%;
其中，有机溶剂载体中的主溶剂为丁基卡必醇、己二酸二甲酯或者三甘醇二乙酸酯，增稠剂为聚丙烯酰胺或者聚乙烯醇，流平剂为氟改性丙烯酸酸流平剂或者磷改性丙烯酸流平剂，触变剂为聚酰胺蜡或者疏水性二氧化硅，消泡剂为聚醚改性有机硅或者道康宁1510-US有机娃。
[0020]通过上述物料配比，本实施例一的低温厚膜电路浆料具有烧结温度低、烧结时间短、电阻值低、附着力好、可焊性好的优点；其中，烧结温度在380°C_500°C，烧结时间在10min -30min，体积电阻率在0.1-2 X 10—5 Ω.cm，附着力好，硬度可以达到6H以上，银表面成型均匀光滑完整而且容易附着锡层，可焊接性好且不