专利名称：薄膜晶体管及其制造方法，平板显示器及其制造方法
技术领域：
本实施方式涉及一种具有薄膜晶体管(TFT)的衬底的制造方法，一种根据该方法制造的TFT，一种平板显示器的制造方法，和一种根据该方法制造的平板显示器，尤其是，一种能应用到具有塑料衬底的柔性装置上具有TFT的衬底的制造方法，一种根据该方法制造的含有TFT的衬底，一种平板显示器的制造方法，和一种根据该方法制造的平板显示器。
现有技术描述可用于平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)，或无机发光显示器中的薄膜晶体管(TFT)被用作控制每一个像素动作的开关装置，以及驱动每一个像素的驱动装置。
TFT包括半导体层、栅极、源极、漏极。半导体层包括高浓度掺杂的源区和漏区，以及形成于源极区和漏极区之间的沟道区。栅极与半导体层绝缘并位于与沟道区相应的区域中。源极和漏极分别与源区和漏区相连接。
最近，需要平板显示器具有纤细和柔性的特点。
为了获得平板显示器的柔性，已经试图用塑料衬底代替常规玻璃衬底。
然而，就塑料衬底而言，必须形成额外的阻挡层，因为塑料衬底与玻璃衬底相比，具有更差的防水能力和抗氧气渗透的能力。阻挡层覆于塑料衬底的表面之上，以阻挡氧气和湿气透过衬底。阻挡层成本高且要求附加的工艺。
为了获得柔性的平板显示器，使用有机半导体薄膜晶体管来代替常规的硅薄膜晶体管。当使用有机半导体时，能够制造低成本的薄膜晶体管，这是因为有机半导体能够在低温下形成，且能够容易地应用于不能在高温下使用的塑料衬底。
然而，当用有机半导体制造TFT，随后用常规工艺形成发光器时，有机半导体容易变形。尤其是有在OLED器件的情况下，形成与TFT相连的像素电极并在像素限定膜上形成发光器的孔，都会引起问题。
因此，制造柔性平板显示器，需要一种新的方法。
发明内容
本实施方式可应用到一种柔性器件并且提供了一种具有包含在塑料衬底之上的薄膜晶体管(TFT)的衬底的制造方法，一种用该方法制造的衬底，一种平板显示器的制造方法和一种用该方法制造的平板显示器。
根据本实施方式的一个方面，提供一种具有薄膜晶体管(TFT)的衬底的制造方法，该方法包括在基材(base)上制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；以使之电连接到薄膜上导电图案的方式来形成TFT；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
根据本实施方式的另一个方面，提供一种具有根据上述方法制造的TFT的衬底。
根据本实施方式的另一个方面，提供一种平板显示器的制造方法，该方法包括在基材上制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；以使之电连接到薄膜上导电图案的方式来形成TFT；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层；为暴露导电图案的一个区域在绝缘膜上形成开口；通过该开口在暴露的导电图案上形成显示器。
根据本发明的一个实施方式，提供了一种平板显示器，包括粘结到在基材上包括多个导电图案的衬底的薄膜；电连接到薄膜上的导电图案的TFT；在薄膜上覆盖TFT的绝缘层；使导电图案的一个区域暴露的绝缘膜上的开口。
一方面，TFT包括连接到导电图案上的源极和漏极中的至少一个，其中源极和漏极形成于薄膜上，连接每一个源极和漏极的半导体层，半导体层上的栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上的栅极。
另一方面，至少相应于半导体的区域图案化栅极绝缘膜。另一方面，该半导体层由有机材料形成。
另一方面，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐(pyromeliticdianhydride)及其衍生物以及均苯四酰二亚胺(pyromelitic diimide)及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
另一方面，TFT包括连接到导电图案上的至少一个源极和至少一个漏极，其中源极和漏极形成于半导体层上，栅极绝缘膜在半导体层和源极上以及漏极和栅极在栅极绝缘膜上。
另一方面，至少相应于半导体区域图案化栅极绝缘膜。
另一方面，半导体层由有机材料形成。
另一方面，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中至少的一种。
另一方面，至少薄膜表面中的一面没有暴露出不使导电图案，其中，薄膜上导电图案未被暴露的薄膜的表面朝外。
另一方面，衬底包含塑料。
通过详细地描述示范性实施方式，本实施方式的上述和其他特点及优点将变得更加明显，参照的附图包括图1至7是截面图，表示根据一个实施方式在塑料衬底上制造薄膜晶体管的一种方法；图8是截面图，表示用根据图1至7所描述的方法制造的衬底来制造有机发光显示器的一种方法；和图9是截面图，表示根据另一个实施方式制造的有机发光显示器。
具体实施例方式
通过参照表示示范性实施方式的附图，能够更全面地描述本实施方式。
图1至7是截面图，表示根据一个实施方式制造具有薄膜晶体管的一种方法的工序，图8是截面图，表示用根据图1至7所描述的方法制造的衬底来制造有机发光显示器的一种方法。
参照图1，在衬底10上，使用分层压辊机(lamination roller)R来层压粘结薄膜30。制作膜30从而使得导电图案32包括在由树脂形成的基材31中部。参照图2，导电图案32形成于规则图案中。
导电图案32将变为像素电极，且能以单层或多层的导电材料形成，这将在后面描述。
当像素电极用作透明电极时，导电图案32可以由，例如，ITO、IZO或者ZnO形成；当像素电极用作反射电极时，导电图案32可以由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者这些金属的混合物(compound)形成。当像素电极用作透明电极时，像素电极是阳极，当像素电极用作反射电极时，像素电极是阴极。然而，本实施方式并不限制于此，即使像素电极用作反射电极时，在形成由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者这些金属的合金形成的反射薄膜之后，能在反射膜上形成ITO膜、IZO膜、ZnO膜或者In2O3膜等，且像素电极能是阳极。
在薄膜30的至少一个表面上，导电图案32没有暴露到外面。如图1所示，当在衬底10上层压薄膜30时，进行层压以使未被暴露的导电图案32的表面朝外。在图1至8中，薄膜30的导电图案32朝向暴露的衬底10的一面，但本实施方式并不限制于此，在薄膜30的每一面上，导电图案32可能都不被暴露出。
薄膜30可以用不同的方式粘结。如图1所示，薄膜30可以被层压，或者可以用粘合剂粘到衬底10上。
在一个实施方式中，衬底10可以是塑料衬底。该实施方式中，阻挡层20可以覆在粘结薄膜30的相反面上。阻挡层20阻挡湿气和/或氧气透过衬底10。阻挡层可以覆在薄膜30所粘结的表面上。
阻挡层20可以是，例如，无机材料层和聚合物层的复合层。
无机材料层可以由例如金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物或者这些金属的混合物形成。金属氧化物可以是例如氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铟、氧化锡、氧化锡铟或者这些氧化物的混合物。金属氮化物可以是例如氮化铝、氮化硅、或者这些氮化物的混合物。金属碳化物可以是例如碳化硅，金属氧氮化物可以是例如氧氮化硅。无机材料层可以由能阻挡湿气或氧气透过的任何无机材料如硅形成。
无机材料层可以通过沉积或者其他方法形成。当无机材料层通过蒸发形成时，在无机材料层上会产生孔隙。在一些实施方式中，为了阻止孔隙在同一点处连续生长，除了无机材料层以外，还可以包括聚合物层。聚合物层可以由，例如，有机高分子、无机高分子、有机金属高分子或者杂化有机/无机高分子形成。
阻挡层20不是必须要包含的，也可以省略。
衬底10不限于塑料，也可以由玻璃或金属形成。
参照图3，在薄膜30粘结于衬底10之后，通过图案化薄膜30，形成第一开口31a和第二开口31b。
第一开口31a，随后将被描述，允许漏极与导电图案32接触，第二开口31b，随后也将被描述，将形成发光器。
参照图4，当图案化薄膜30之后，于基材31之上形成源极41和漏极42。
此时，如上所述，漏极42通过第一个开口31a与导电图案32相连。
如图5所示，在形成源极41和漏极42之后，形成半导体层43，并覆于源极41和漏极42之上。
半导体层43可以是，例如，有机半导体。
有机半导体可以由半导有机材料，如聚合物或者低分子量的有机化合物形成。半导有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
同时，参照图5，在形成覆盖源极41和漏极42的有机半导体层43之后，用激光刻蚀的方法，如激光烧蚀的方法，将半导体层43图案化为如图5所示的区域。除了这个方法，还可以应用有机半导体图案化的方法，且图案化区域不一定如图5所示的图案化。
半导体层43可以由无机半导体层，例如CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC或者Si形成。
参照图6，在形成半导体层43之后，在半导体层43上形成栅极绝缘膜44，在栅极绝缘膜44上形成栅极45。
栅极绝缘膜44可以由有机或者无机材料形成。合适的无机材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合适的有机材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、p-亚二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及这些材料的掺混物(blend)。而且，也可以用有机-无机的叠层膜。
可以将栅极绝缘膜44图案化为如图6所示的岛屿形，这样当衬底10弯曲时，它受的应力较小。可以将栅极绝缘膜44图案化为至少覆盖相应半导体层43的区域。
然而，本实施方式并不限制于此，形成栅极绝缘膜44可以覆盖整个区域中的任何一个部分，除了其上形成发光器的区域。
形成栅极45与半导体层43的沟道相对应。
参照图7，形成栅极45之后，进一步形成绝缘膜46以覆盖TFT。绝缘膜46保护TFT，如后面所述，具有能使它作为象素限定层的开口。
绝缘膜46可以是单层或多层的无机材料或有机材料。合适的无机材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合适的有机材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、p-亚二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及这些材料的掺混物。然而，本实施方式并不限制于此，也可以用不同的绝缘材料。
在形成具有用上述方法形成的TFT的衬底10之后，参照图8，通过刻蚀绝缘膜46形成了第三开口46a以暴露导电图案32的一部分。
本实施方式中，上述的第二开口31b可以与第三个开口46a同时形成。
通过形成有机层33形成有机发光二极管(OLED)，有基层33包括发射层(未示出)，和一覆盖第三个开口46a内的有机层33的面电极34。
有机层33可以是，例如，低分子量有机层或者聚合物有机层。
如果有机层33是低分子量有机层，有机层33可以通过在单个或者复合结构中叠层空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)来形成。可以用来形成有机层33的有机材料的例子包括铜钛菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉合铝(Alq3)。低分子量有机层可以通过蒸发的方法形成。
如果有机层33是聚合物有机层，有机层33可以具有含HTL和EML的结构。同时，聚合物HTL由聚2，4-亚乙基二氧噻吩(PEDOT)形成，EML由聚亚苯基亚乙烯基(PPV)或者聚芴基有机聚合物材料用喷墨印刷或者旋涂的方法形成。
面电极34可以用作透明电极或者反射电极。当面电极34用作透明电极时，面电极34可以由，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成，当面电极34用作反射电极时，面电极34可以由例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或者这些金属的混合物形成。用例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者这些金属的混合物形成发射电极之后，在反射膜上形成ITO，IZO，ZnO或者In2O3。然而，本实施方式并不限制于此，即使面电极34用作透明电极，在沉积由具有低功函数的金属，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或者这些金属的混合物形成的材料层，朝向有机层33之后，能够在材料层之上包括，辅助电极层或者由形成透明电极材料，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的电极汇流线。
根据本实施方式，通过粘结在其上面形成导电图案32的薄膜30，能够制造平板显示器，允许导电图案32作为像素电极，尤其是当衬底由塑料形成的情况。
而且，因为导电图案32用作湿气和氧气的阻挡，所以可以进一步地提高器件的空气密封性。
图9是根据另外一个实施方式表示平板显示器的截面图。参照图9，在薄膜30上形成半导体层43之后，形成源极41和漏极42以接触半导体层43。同时，在半导体层43外面形成第一个开口31a，以使漏极42与导电图案32接触，但本实施方式并不限制于此。即，在形成通过基材31和薄膜30形成于其上的半导体层43的第一开口之后，能够形成漏极42。
图9中，平板显示器的剩余部分与参照图8所描述的内容相同。不再重复叙述。
根据本实施方式的TFT和发光器的结构并不受限制，能够根据需要而变化。
上述实施方式中，描述了一种有源矩阵型发光器。然而，如上所述，本实施方式还可应用到具有TFT的任何显示器上，例如，TFT LCD器件。
而且，根据本实施方式，在塑料衬底上形成的TFT能够被应用到，除了上述的显示器，任何具有柔性TFT的器件上，例如，电子片(electronic sheet)或智能卡。
显然参照示范性实施方式，已特别示出和描述了本实施方式，但本领域普通技术人员将理解在不脱离通过下述要求所确定的本实施方式的精神和范围内，可以进行形式和细节上的各种改变。
权利要求
1.一种具有薄膜晶体管(TFT)的衬底的制造方法，该方法包括在基材上制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；以使之电连接到薄膜上导电图案的方式来形成TFT；以及在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
2.按照权利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括连接源极和漏极中的至少一个到导电图案上，其中源极和漏极形成于薄膜上；形成与源极和漏极的每一个连接的半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘膜；和在栅极绝缘膜上形成栅极。
3.按照权利要求2所述的方法，其中，至少相应于半导体层的区域图案化栅极绝缘膜。
4.按照权利要求2所述的方法，半导体层由有机材料形成。
5.按照权利要求4所述的方法，其中有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
6.按照权利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括在薄膜上形成半导体层；连接源极和漏极中的至少一个到导电图案上，其中源极和漏极形成于薄膜上；在半导体层源极和漏极上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极。
7.按照权利要求6所述的方法，其中，至少对应半导体层的区域图案化栅极绝缘膜。
8.按照权利要求6所述的方法，其中，半导体层由有机材料形成。
9.按照权利要求8所述的方法，其中，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
10.按照权利要求1所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面没有暴露出导电图案，且按这样的方式粘合薄膜，以使位于其上面的未被暴露的导电图案的薄膜表面朝外。
11.按照权利要求1所述的方法，其中，衬底由塑料形成。
12.一种具有根据权利要求1的方法制造的TFT的衬底。
13.一种平板显示器的制造方法，该方法包括在基材上制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；以使之电连接到薄膜上导电图案的方式来形成TFT；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层；为暴露导电图案的一个区域在绝缘膜上形成一开口；以及在通过该开口暴露的导电图案区上形成显示器。
14.按照权利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括连接源极和漏极中至少一个到导电图案上，其中源极和漏极形成于薄膜上；形成与源极和漏极的每一个相连接的半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上形成栅极。
15.按照权利要求14所述的方法，其中，至少相应于半导体的区域图案化栅极绝缘膜。
16.按照权利要求14所述的方法，其中，半导体层由有机材料形成。
17.按照权利要求16所述的方法，其中，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
18.按照权利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括连接源极和漏极中的至少一个到导电图案上，其中源极和漏极形成于半导体层上；在半导体层、源极和漏极上形成栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上形成栅极。
19.按照权利要求18所述的方法，其中，至少相应于半导体的区域图案化栅极绝缘膜。
20.按照权利要求18所述的方法，其中，半导体层由有机材料形成。
21.按照权利要求20所述的方法，其中，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中至少的一种。
22.按照权利要求13所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面没有暴露出导电图案，且按这样的方式粘合薄膜，以使位于其上面的未被暴露的导电图案的薄膜表面朝外。
23.按照权利要求22所述的方法，进一步包括图案化薄膜以便在形成TFT之前使导电图案的一部分暴露。
24.按照权利要求13所述的方法，其中，衬底由塑料形成。
25.一种根据权利要求13所述的方法制造的平板显示器。
26.一种包含根据权利要求12的衬底的平板显示器。
27.一种包含具有一个或者多个根据权利要求1所述方法制造的TFT的衬底的平板显示器。
28.一种平板显示器，包括粘结到衬底上的薄膜，其中包括在基材上的多个导电图案；电连接到薄膜上导电图案的TFT；薄膜上覆盖TFT的绝缘膜；和在绝缘膜上暴露导电图案的一个区域的开口。
29.按照权利要求28所述的平板显示器，其中，TFT包括连接到导电图案上的源极和漏极的至少一个，其中源极和漏极形成于薄膜上；与源极和漏极的每一个相接触的半导体层；半导体层上的栅极绝缘膜；和栅极绝缘膜上的栅极。
30.按照权利要求29所述的平板显示器，其中，至少相应于半导体的区域图案化栅极绝缘膜。
31.按照权利要求29所述的平板显示器，其中，半导体层由有机材料形成。
32.按照权利要求31所述的平板显示器，其中，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中至少的一种。
33.按照权利要求28所述的平板显示器，其中，TFT包括至少连接到导电图案上的至少一个源极和至少一个漏极，其中源极和漏极形成于薄膜上；在半导体层、源极和漏极上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅极。
34.按照权利要求33所述的平板显示器，其中，至少对相应于半导体的区域图案化栅极绝缘膜。
35.按照权利要求33所述的平板显示器，其中，半导体层由有机材料形成。
36.按照权利要求35所述的平板显示器，其中，有机材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、红荧稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金属和不含金属的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亚胺及其衍生物构成的一组材料中的至少一种。
37.按照权利要求28所述的平板显示器，其中，至少薄膜表面中的一面没有暴露出导电图案，且其中，位于其上面的导电图案未被暴露的膜表面朝外。
38.按照权利要求28所述的平板显示器，其中，所述衬底包含塑料。
全文摘要
提供了一种具有TFT的塑料衬底的制造方法，一种根据该方法制造的衬底，一种平板显示器的制造方法以及一种根据该方法制造的平板显示器，可以被用到柔性平板显示器上。该方法包括制备包括多个导电图案的薄膜；粘结该薄膜到衬底上；将TFT电连接到薄膜上的导电图案；在薄膜上形成覆盖TFT的绝缘层。
文档编号H01L51/40GK1848391SQ20051011917
公开日2006年10月18日 申请日期2005年11月3日 优先权日2004年11月3日
发明者金民圭, 具在本, 牟然坤, 申铉秀 申请人:三星Sdi株式会社