专利名称：一种提高进气均匀性的进气装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种提高进气均匀性的进气装置。
背景技术：
本发明设计到半导体制造工艺领域，在半导体制造过程中，气源均匀地进入工艺腔室内是至关重要的，因为气体在腔室内的均匀性直接影响到了腔室内等离子体的均匀性，进而影响到工艺结果的优劣。在半导体工艺中，例如等离子体刻蚀、CVD等工艺中，气源进气的方式直接决定了气体在腔室内的分布均匀性，腔室内气体(流)的均匀性对产生均匀的等离子体具有关键的作用，从而直接影响了工艺的均匀性，现有技术如图1所示，在管状喷嘴的前端形成圆锥形扩张角θ，以便气体扩散的喷入腔室，其中θ为张开的角度，目前常用的角度为90、110、120度，由于进气压力和距离等原因，利用现有技术不能更有效的使气体在整个腔室内的均匀分布。
发明内容
(一)要解决的技术问题本发明的目的是提供一种提高进气均匀性的进气装置，从而使气体能够更均匀的进入到腔室内部，达到改善工艺的均匀性。
(二)技术方案为了达到上述目的，本发明采取以下方案本发明的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，包括圆筒状喷嘴主体，所述圆筒状喷嘴主体底端部设有底板，底板上有通孔，所述圆筒状喷嘴主体的下部内壁设有栅，其中，圆筒状喷嘴主体和底板连为一体。
其中，所述栅顶部与腔室内顶部齐平。
其中，所述栅在圆筒状喷嘴主体的下部内壁上均匀分布。
其中，所述通孔在底板上均匀分布。
(三)有益效果本发明与已有技术相比，由于采用以上方案，增大了进气压力，使得进入腔室内的气体更均匀，从而使得等离子体更均匀。改善了工艺的均匀性。
图1是现有技术喷嘴结构示意图；图2是本发明的喷嘴底板结构示意图；图3是本发明喷嘴主视图的剖视图；图4是本发明喷嘴与腔室盖连接的示意图；图5是图3的俯视图。
图中1通孔 2底板 3栅 4圆筒状喷嘴主体6腔室盖7栅间隙8喷嘴主体内壁具体实施方式
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
一种提高进气均匀性的进气装置，如图3所示，包括圆筒状喷嘴主体4，在圆筒状喷嘴主体4底端部设有底板2，底板2上有通孔1，所述圆筒状喷嘴主体4的下部内壁8设有栅3，其中，圆筒状喷嘴主体4和底板2连为一体。在本实施例中，底板2上均匀分布有5个通孔1。这5个通孔1的作用是让部分的气体流入腔室内部，因为是在底板2上开的孔，所以只是部分气体经过这5个通孔1进入腔室内。栅3是为了部分阻挡气流，以便于让气体从栅间隙7更有力的喷向远离喷嘴的远处，即腔室内周围，从而弥补周围气体少的缺陷。本发明安装时，栅3顶部和腔室内顶部相齐。
权利要求
1.一种提高腔室进气均匀性的进气装置，包括圆筒状喷嘴主体其特征在于所述圆筒状喷嘴主体底端部设有底板，底板上有通孔，所述圆筒状喷嘴主体的下部内壁设有栅，其中，圆筒状喷嘴主体和底板连为一体。
2.如权利要求1所述的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，其特征在于所述栅在圆筒状喷嘴主体的下部内壁上均匀分布。
3.如权利要求1所述的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，其特征在于所述通孔在底板上均匀分布。
4.如权利要求1所述的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，其特征在于所述栅顶部与腔室内顶部齐平。
全文摘要
本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种提高进气均匀性的进气装置。本发明公开的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，包括圆筒状喷嘴主体，所述圆筒状喷嘴主体底端部设有底板，底板上有通孔，所述圆筒状喷嘴主体的下部内壁设有栅，其中，圆筒状喷嘴主体和底板连为一体。本发明与已有技术相比，增大了进气压力，使得进入腔室内的气体更均匀，从而使得等离子体更均匀；改善了工艺的均匀性。
文档编号H01L21/02GK1850350SQ20051012635
公开日2006年10月25日 申请日期2005年12月7日 优先权日2005年12月7日
发明者荣延栋 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司