专利名称：半导体激光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体激光装置，其具有作为发光源的半导体激光列阵(Semiconductor Laser Array)，同时还具有用于有效地冷却该半导体激光列阵的结构。
背景技术：
近年来，正在开发可得到数W～100W高输出的半导体激光装置。这种半导体激光装置也作为激光手术刀、激光烙铁、激光指示器等的光源来使用。
半导体激光列阵的电-光转换效率为50％左右，因此，投入的电力有一半变成了热量。由于热量，激光输出、效率、元件寿命受到很大的影响。为了高效地冷却上述热量，使用以热传递效率较高、热容量较大的水作为制冷剂的散热器。作为上述散热器公知的有，例如，将多个铜制的平板状部件组合而形成微细的流路，使冷却水在该流路内循环的结构的散热器。冷却水与装载在流路上部的半导体激光列阵进行热交换，由此来冷却该半导体激光列阵(参照例如专利文献1和2)。
如上所述的半导体激光装置具有层叠多个半导体激光列阵的堆(stack)结构。为了实现高输出，多个散热器分别插入在层叠的各个半导体激光列阵之间。这些散热器不仅冷却半导体激光列阵，还在半导体激光列阵之间发挥导电通路的作用，因此，在各个半导体激光列阵的动作中，向散热器也施加电场(参照例如专利文献1的图1)。
专利文献1国际公开第00/11717号小册子专利文献2日本特开平10-209531号公报本发明者们对以往的半导体激光装置进行研究的结果，发现了如下的问题。即，具有以水为制冷剂的散热器的以往的半导体激光装置，不能充分防止如下所示流路的腐蚀，不能长期高效且稳定地冷却需要冷却的半导体激光列阵。
即，在如上所述的半导体激光堆装置中，由于散热器构成电路的一部分，在散热器本身中也流过电流，因此，在该散热器内部流过的水中也流过电流。虽然水使用抑制导电率的离子交换水，但是即使是离子交换水也具有1MΩ左右的电阻值，因此，在1V左右的施加电压下流过1μA左右的电流，在流路内以散热器为电极发生水的电解。如此一来，在流路的内壁上发生电化学腐蚀。当上述腐蚀继续进行时，发生由于流路堵塞、漏水、漏电而发生短路等的可能型将变大。
发明内容
本发明正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种半导体激光装置，本发明的半导体激光装置具有可防止散热器内的制冷剂流路的腐蚀、可长期稳定地冷却半导体激光列阵的结构。
本发明有关的半导体激光装置，具备半导体激光器阵列；搭载了半导体激光器阵列的散热器；在散热器内流通的包含碳氟化合物的制冷剂；将制冷剂供给散热器的制冷剂供给器；连接在散热器和制冷剂供给器之间的，在内部流通制冷剂的绝缘性配管；以及，配置在绝缘性配管内部处于接地状态的导电体。
如上所述，通过作为制冷剂应用反应性和导电性远低于水的碳氟化合物(fluoro carbon)，能够防止制冷剂流路的腐蚀。进一步，通过在绝缘性配管内配置接地的导电体，能够使在碳氟化合物在绝缘性配管内流通时产生的静电放电。
在本发明有关的半导体激光装置中，导电体优选具有覆盖绝缘性配管内的流路断面的网状构造。当导电体具有网状构造时，因为与在绝缘性配管内流通的制冷剂的接触面积变大，所以使产生的静电放电的效果增大。
此外，导电体优选与制冷剂的流线平行的断面包含流线形的部分。这时，由于导电体对制冷剂的阻力变小，所以能够避免在绝缘性配管内流通的制冷剂的流速变化。另外，也可以避免在导电体的后流中产生涡流和产生微小的气泡核。其结果，能够更有效地防止发生气穴。
在本发明有关的半导体激光装置中，优选绝缘性配管包含局部地扩大内径的扩径部分，并且在该扩径部分中配置有导电体。如果根据该构成，则能够将在配置导电体的部位提高的制冷剂的流速，通过扩大的配管的内径而降低，所以能够更有效地防止发生气穴。
在本发明有关的半导体激光装置中，半导体激光器阵列和散热器都具有平板形状，半导体激光器单元由这些半导体激光器阵列和散热器构成。
所以，本发明有关的半导体激光装置也可以具备多个半导体激光器单元，该半导体激光器单元分别具有与权利要求5所述的半导体激光装置中的上述半导体激光器单元相同的构造。此时，通过以交互地配置半导体激光器阵列和散热器的方式层叠多个半导体激光器单元，并且由此构成半导体激光器堆。
本发明有关的半导体激光装置由于能够稳定地冷却半导体激光器阵列，所以当应用这种半导体激光器堆时，能够发挥更大的效果。
此外，通过以下的详细说明和附图可以更充分地理解本发明有关的各实施例。这些实施例只是用于例示，不应该认为是对本发明的限定。
另外，从以下的详细说明可以清楚地看到本发明的进一步的应用范围。但是，详细说明和特定事例只表示本发明的优先实施例，只是用于例示，本领域人员从这些详细说明显然可以想到在本发明的思想和范围内的种种变形和改良。
根据本发明有关的半导体激光装置，则能够防止散热器的制冷剂流路的腐蚀，能够长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却。另外，能够得到稳定的激光输出。进一步，通过具备使当碳氟化合物在绝缘性配管内通过时产生的静电放电的构造，能够有效地避免由静电引起的静电火花等。
图1是表示本发明有关的半导体激光装置的第1实施例的构成的图。
图2是表示与第1实施例有关的半导体激光装置(图1)中的导电体的构造的图。
图3是表示与第1实施例有关的半导体激光装置(图1)中的半导体激光器堆的构造的斜视图。
图4是表示在细微流路中流通的水和碳氟化合物的流速与热阻抗的关系的曲线图。
图5是表示水和碳氟化合物的流速与气穴数的关系的曲线图。
图6是表示按照水和碳氟化合物各自地整理图4和图5所示的关系的曲线图。
图7是表示在与第1实施例有关的半导体激光装置(图1)中，在绝缘性配管内流通的制冷剂的位置和流速的关系的图。
图8是表示本发明有关的半导体激光装置的第2实施例的构成的图。
图9是表示与第2实施例有关的半导体激光装置(图8)中，在绝缘性配管内流通的制冷剂的位置和流速的关系的图。
图10是表示应用于本发明有关的半导体激光装置的第3实施例的导电体的构造的图。
标号说明1、1′…半导体激光装置，2a、2b、2c…半导体激光器阵列，10a、10b、10c…散热器，20…冷却器(制冷剂供给器)，40…制冷剂，50…绝缘性配管，52、52′…导电体，54…接地线，56…扩径部分，100a、100b、100c…半导体激光器单元，200…半导体激光器堆具体实施方式
下面，我们用图1～图10详细说明本发明有关的半导体激光装置的各实施例。此外，在附图的说明中，对同一部位、同一地方附加相同的标号，并省略重复说明。
图1是表示本发明有关的半导体激光装置的第1实施例的构成的图。如图1所示，与第1实施例有关的半导体激光装置1具备半导体激光器堆200、冷却器(制冷剂供给器)20、将它们连接起来的绝缘性配管50、和在它们中流通的制冷剂40。
冷却器20具备空气冷却单元21和循环泵22。空气冷却单元21冷却制冷剂，循环泵22经过绝缘性配管50将制冷剂40供给给半导体激光器堆200。
制冷剂40含有碳氟化合物。碳氟化合物是碳氢化合物的氢原子的一部分或全部被氟原子取代的化合物。由于氟原子的原子半径大于氢原子，因此，通过氟原子的取代，碳原子的骨架成为被氟原子覆盖的状态。另外，氟原子电负性大，电子云局限在氟原子侧。因此，碳原子骨架部分的电子浓度降低，反应性大幅下降。其结果，碳氟化合物具有几乎与大部分的物质都不发生反应的很高的化学稳定性。另外，与水的电阻率107Ω·m相比，碳氟化合物具有远高于它的1013Ω·m的电阻率，因此，与水不同，不易发生由于通电产生的电解。制冷剂更优选为碳氢化合物的氢原子全部被氟原子取代的化合物，即全氟化碳(perfluoro carbon)。由于全氟碳的化学稳定性特别高，且电阻率也很高，因此，特别优选作为制冷剂。
绝缘性配管50是具有柔软性的绝缘性管子。材质由尼龙系树脂、聚稀烃系树脂等构成。在绝缘性配管50上设置有用于调整制冷剂40的流量的流量调整阀30。在绝缘性配管50的配管内部配置有导电体52。导电体52具有覆盖绝缘性配管50的流路断面的网状构造。该网状的导电体52与接地线54连接而成为被接地的状态。
图2是表示与第1实施例有关的半导体激光装置1中的导电体52的构造的图。此外，该图2中的区域(a)是表示应用于第1实施例中的具有网状构造的导电体的斜视图；区域(b)是表示相当于沿区域(a)中所示的I-II线的断面，且网状构造的线材断面成圆形形状的例子的图；区域(c)是表示相当于沿区域(a)中所示的I-II线的断面，且网状构造的线材断面成矩形形状的例子的图。
如图2中的区域(a)所示，导电体52是具有能够覆盖绝缘性配管40的流路断面的直径的圆形部件，具有将导电性的线材编织成格子状的构造。作为导电体的材料，由于制冷剂40是没有反应性的碳氟化合物，所以可以使用铜、不锈钢、铝等的各种材料。另外，如图2中的区域(b)所示，导电体52的与制冷剂40的流线平行的断面(相当于沿区域(a)内的I-II线的断面)也可以是圆形形状。或者，如图2中的区域(c)所示，导电体52的与制冷剂40的流线平行的断面(相当于沿区域(a)内的I-II线的断面)也可以是矩形形状。导电体52由于具有这种网状构造，所以与制冷剂接触的表面积变大，由此，提高了在该导电体上带电的静电的放电效果。另一方面，在绝缘性配管50内部流通的制冷剂40，通过导电体52的网状构造的网眼而透过。此外，只要与制冷剂40的接触面积大，且是能够使制冷剂40自由地透过的构造，则导电体52的形状不限定于上述那样的网状构造。
图3是表示与第1实施例有关的半导体激光装置中的半导体激光器堆的构造的斜视图。半导体激光器堆200具备3个半导体激光器单元100a～100c、正电极11、负电极12、固定螺栓14、供给口16、排出口18。半导体激光器单元100a～100c分别具有半导体激光器阵列2a～2c、n型电极6a～6c、密封用硅橡胶8a～8c、散热器10a～10c。半导体激光器阵列2a配置在散热器10a的上面和散热器10b的下面之间，半导体激光器阵列2b配置在散热器10b的上面和散热器10c的下面之间，半导体激光器阵列2c配置在散热器10c的上面。这样交互地叠层配置的半导体激光器阵列2a～2c和散热器10a～10c，利用固定螺栓14将它们以层叠的状态固定住。
各个散热器10a～10c均具有导电性，并且正电极11、散热器10a、半导体激光器阵列2a、n型电极6a、散热器10b、半导体激光器阵列2b、n型电极6b、散热器10c、半导体激光器阵列2c、n型电极6c和负电极12是依次电连接的。通过在正电极11和负电极12之间施加电压，从各个半导体激光器阵列2a～2c输出激光。
半导体激光器阵列2a～2c分别包含一维配列的多个半导体激光器元件，所以，具有并排成一列的多个激光发光点。在该第1实施例中，合适地使用多个半导体激光器元件被集成为整体(monolithic)的半导体激光器阵列。在这种半导体激光器阵列中，通常，由多个条形波导路来分割活性层和电极。此外，在本发明有关的半导体激光装置中，作为具有上述那种构造的半导体激光器阵列的替代，也可以使用独立的多个半导体激光器芯片配置成一列的构造的半导体激光器阵列。
在贯通半导体激光器单元100a～100c的状态下分别设置供给口16、排出口18。供给口16与半导体激光器单元100a～100c的各个供给口连通，排出口18与半导体激光器单元100a～100c的各个排出口连通。密封用硅橡胶8a、8b、8c在确保与设置在其上的散热器之间的绝缘的同时，还起到防止制冷剂的泄漏的作用。供给口16和排出口18与上述的绝缘性配管50(请参照图1)连接，其中流通着制冷剂40。
散热器10a～10c是喷流冷却型散热器。即，散热器10a～10c是，具有从设置在半导体激光器阵列2a～2c的正下方的小孔喷出制冷剂的构造，通过该制冷剂的喷射湍流来高效率地进行热交换的散热器。另外，散热器也可以是微通道型的散热器，这时，通过使制冷剂流过细微的制冷剂流路，直接对半导体激光器阵列的正下方进行冷却。
下面，对第1实施例有关的半导体激光装置1的功能进行说明。
在该半导体激光装置中，作为制冷剂用碳氟化合物来代替至今使用的水。图4是表示流过微细流路的水和碳氟化合物的流速和热阻抗的关系的曲线图。横轴表示流速，纵轴表示热阻抗。另外，曲线G410表示有关水的计算值，记号“○”表示实测值。曲线G420表示有关碳氟化合物的计算值，记号“◆”表示实测值。
迄今为止，已知碳氟化合物的热传导特性明显不如水的热传导特性，并且碳氟化合物不用于半导体激光器阵列的制冷剂。如图4所示，在各流速区域中，碳氟化合物的热阻抗(曲线G420)明显大于水的热阻抗(曲线G410)，表示碳氟化合物不适于用作制冷剂，确认了迄今为止的认识。
但是，当本发明者们假定实际上分别将碳氟化合物和水用作半导体激光装置的散热器的制冷剂的情况，并且进行实验的结果，确认了以下事实碳氟化合物的热传导性要比预想的优秀。图4中的实测值(用符号“◆”和符号“○”表示)描绘了，假定半导体激光装置的散热器的制冷剂流路，在宽度1mm的微细流路中分别流通水和碳氟化合物的情况下，相对于其流速的热阻抗的测量值。由图4中的实测值可知，实际的碳氟化合物的热阻抗远小于计算值，在计算值(曲线G420)中，在各流速区域上，碳氟化合物的热阻抗比水的热阻抗均大于1℃/W以上，与此相对，在实测值(符号“◆”)中，其差为0.5℃/W左右。而且，由图4可知，水的计算值(曲线G410)和实测值(符号“○”)非常一致。
如上所述地在碳氟化合物的热传导特性上，假定半导体激光装置的情况下实测值优于计算值的原因，推测如下。即，碳氟化合物的表面张力比水小。因此，使碳氟化合物在类似半导体激光装置的微细的制冷剂流路中流通时，可通过制冷剂流路进入至微细的地方，因此，热传导的效果比推测的要大。其结果，热阻抗值比计算值变小。
根据如上所述确认了如下事实使用碳氟化合物作为半导体激光装置的散热器用制冷剂的情况下，可得到与水接近的冷却效率。而且，碳氟化合物的化学稳定性远高于水，并且导电性低，因此，能够期待制冷剂流路的防腐蚀效果。
另一方面，当将碳氟化合物用作制冷剂时，容易产生静电。在半导体激光装置中，冷却器和半导体激光器堆的连接，一般使用具有柔软性的绝缘性配管。通过使用具有柔软性的配管，能够达到便于设置配管的目的，和便于将半导体激光器堆搭载在机器人等的移动体上的目的。而且，相比于高价的金属制的软管，绝缘性配管具有价格非常低的特征。另外，绝缘性配管相比于金属制配管，还具有耐腐蚀性优越的特征。
但是，当具有1013Ω·m那样的远比水的107Ω·m高的电阻率的碳氟化合物在这种绝缘性配管内流通时，相比于将水用作制冷剂的情形，容易产生静电。即，伴随着绝缘流体碳氟化合物的流动摩擦，增加了在绝缘性配管内带电的静电。随着时间的经过，当带电的静电电压达到高电压时，在与邻接物体之间发生静电火花。这种火花噪声就会成为装置误动作等的原因。另外，在最坏的情形下，会引起绝缘破坏，导致配管的破裂以及制冷剂的泄漏。因此，在上述的第1实施例中，在绝缘性配管内部，配置有处于接地状态的网状导电体。通过这种构成，可以使带电的静电放电。
如以上那样，在图1所示的与第1实施例有关的半导体激光装置1进行工作的情况下，由冷却器20冷却的含有碳氟化合物的制冷剂40，经过绝缘性配管50被供给至半导体激光器堆200。制冷剂40被供给给散热器10a～10c。被供给给散热器10a～10c的制冷剂40对搭载在散热器10a～10c上的半导体激光器阵列2a～2c进行冷却。从散热器10a～10c排出的制冷剂40，经过绝缘性配管50返回到冷却器20中，经过再次冷却之后，对半导体激光器堆200的散热器10a～10c进行冷却。
在散热器10a～10c中流通的含有碳氟化合物的制冷剂40，由于不腐蚀制冷剂流路，所以，能够长期稳定地冷却半导体激光器阵列2a～2c，能够实现元件寿命的提高以及稳定的激光输出。另外，由于在绝缘性配管50内流通着含有导电性低的碳氟化合物的制冷剂40而产生的静电，从导电体52经过接地线54进行放电，能够有效地防止静电火花的发生等。
进一步，已经确认了如下事实当将碳氟化合物用作制冷剂时，相比于使用水的情况，容易产生气穴。气穴是指，在流体的流动过程中，在局部产生低压的部分中，发生流体蒸发、溶解气体的分离，并且在流体中生成空洞的现象。如果发生气穴，由于与发热体的接触面积减小，会导致热交换效率的降低。
图5是表示水和碳氟化合物的流速和气穴数的关系的曲线图。此外，在图5中，曲线G510表示有关水的流速和气穴数的关系，曲线G520表示有关碳氟化合物的流速和气穴数的关系。由该图5可知，与水(曲线G510)相比，碳氟化合物(曲线G520)在各流速区域上气穴数较少，且容易发生气穴。特别是当气穴数达到5以下时，发生气穴的危险变大。
图6是整理上述关系的曲线图。在图6中，区域(a)表示有关水的流速与热阻的关系、以及流速与气穴数的关系；区域(b)表示有关碳氟化合物的流速与热阻的关系、以及流速与气穴数的关系。在区域(a)中所示的曲线G610TF相当于图4中的曲线G410，曲线G610CF相当于图5中的曲线G510。另外，在区域(b)中所示的曲线G620TF相当于图4中的曲线G420，曲线G620CF相当于图5中的曲线G520。从这些曲线可知，相对于流速，热阻抗和发生气穴的危险是权衡(trade-off)(此消比长)的关系。如果发生气穴，会降低热交换效率，并且会产生腐蚀(机械性腐蚀)等重大恶性影响。因此，有必要抑制流速的同时，提高热效率。
发生气穴的危险性还会受到制冷剂流速的变化的影响。当制冷剂流速的变化大时，即便平均制冷剂流速相同，也容易产生气穴。制冷剂流速与制冷剂流路的流路断面面积为反比关系。可是，在上述第1实施例中，由于在绝缘性配管内配置有接地的导电体，所以，该绝缘性配管内的流速容易发生变动。图7是表示在第1实施例有关的半导体激光装置中，在绝缘性配管内流通的制冷剂的位置与流速的关系的图。此外，在图7中，区域(a)表示配置有导电体的绝缘性配管的一部分，区域(b)表示对应位置和制冷剂的流速的关系。
这样，明确了以下事实在绝缘性配管50内，在设置了导电体52和接地线54的地方，流速急剧地发生变化。当制冷剂流速变化大时，容易产生气穴。即便将导电体配置在离开散热器的地方，如果在该部分生成气泡核，由于碳氟化合物的粘性高，所以气泡核难以被消灭。而且，当这种气泡核流动至散热器附近时，将更容易发生气穴。因此，需要在整个配管系统中抑制由制冷剂流速变动所引起的气泡核的生成。
这时，例如当通过调整冷却器的制冷剂供给压力来抑制整体制冷剂的流速时，存在着热阻变大、冷却效率降低的可能性。因此，关于导电体的配置部分，需要抑制局部性的制冷剂流速的高速化。
图8是表示本发明有关的半导体激光装置的第2实施例的构成的图。第2实施例有关的半导体激光装置1′与上述第1实施例的不同点在于，前者的绝缘性配管50包含局部地扩大内径的扩径部分56，并且在扩径部分56中配置有导电体52。
图9是表示在第2实施例有关的半导体激光装置中的绝缘性配管内流通的制冷剂的位置和流速的关系的图。在图9中，区域(a)表示绝缘性配管50中的扩径部分56的附近，区域(b)表示对应位置和制冷剂流速的关系。
如图9所示，在绝缘性配管50内流通的制冷剂的流速，一旦进入扩径部分56中就缓慢地减少。而且当进入到设置了导电体52和接地线54的地方时，流速会增加。但是，因为在扩径部分56中减少了流速，所以，在设置了导电体52的地方的流速增加很少。而且，当制冷剂通过导电体52后，流速还要减少。而且，当从扩径部分56排出制冷剂后，流速缓慢地增加，不久之后，又回复到进入扩径部分56之前的流速。这样通过设置扩径部分56，能够抑制制冷剂流速的变化，能够防止气穴的发生。另外，通过这样地只使配管的一部分扩径，在不需要加粗整个配管的情况下，能够减少价格比水高的碳氟化合物的量，能够达到降低成本的目的。此外，在该扩径部分56中，通过使在绝缘性配管内配置了导电体的部位的流路断面面积(制冷剂通过断面面积)与未配置导电体的部位的流路断面面积相等，能够更进一步地减少流速的变动。
可是，当制冷剂通过图2中的区域(b)和(c)所示的断面形状的网状导电体时，在它的后流中容易生成涡流，即微小气泡核。这样一来，有可能增大在吸热部中生成气穴的危险性。
因此，优选使配置在绝缘性配管内的导电体的构造成为如图10所示的构造。此外，图10是表示应用于本发明有关的半导体激光装置的第3实施例中的导电体的构造的图。与该第3实施例有关的半导体激光装置，除了导电体的构造外，也可以具备上述第1和第2实施例中的任何一个的构成。
图10中的区域(a)是表示应用于该第3实施例的网状导电体的构造的斜视图；区域(b)是表示相当于沿区域(a)中的I-II线的断面，且网状构造的线材断面为流线形状的例子的图。如图10中的区域(a)所示，该导电体52′也具有网状构造。但是，如区域(b)所示，与导电体52′的绝缘性配管50的流线平行的断面(相当于沿区域(a)中所示的I-II线的断面)为流线形状。因此，能够避免在导电体52′的后流中发生涡流。另外，因为导电体52′的阻抗小，所以，通过导电体52′的制冷剂的流速变化变小，有效地防止了气穴的发生。
从本发明的以上说明可知可以对本发明进行种种变形。这种变形不能被认为是脱离了本发明的思想和范围，对于本领域技术人员来说显然的改进，都包含本发明的权利要求书的范围中。
产业上利用的可能性本发明有关的半导体激光装置能够得到数W～100W的高输出功率，所以可以用作激光手术刀、激光烙铁、激光指示器等的光源。
权利要求
1.一种半导体激光装置，其特征在于，具备半导体激光器阵列；搭载了所述半导体激光器阵列的散热器；在所述散热器内流动的包含碳氟化合物的制冷剂；将所述制冷剂供给给所述散热器的制冷剂供给器；连接所述散热器和所述制冷剂供给器的之间，在内部流通所述制冷剂的绝缘性配管；和配置在所述绝缘性配管内的处于接地状态的导电体。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于所述导电体具有覆盖所述绝缘性配管内的流路断面的网状构造。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于与所述制冷剂的流线平行的所述导电体的断面包含流线形的部分。
4.根据权利要求1～3中的任何一项所述的半导体激光装置，其特征在于所述绝缘性配管包含局部地扩大内径的扩径部分，在该扩径部分中配置有所述导电体。
5.根据权利要求1～4中的任何一项所述的半导体激光装置，其特征在于所述半导体激光器阵列具有平板形状，并且所述散热器也具有平板形状，这些半导体激光器阵列和散热器构成半导体激光器单元。
6.一种半导体激光装置，其特征在于具备多个半导体激光器单元，该半导体激光器单元分别具有与权利要求5所述的半导体激光装置中的所述半导体激光器单元相同的构造；所述多个半导体激光器单元以交互地配置所述半导体激光器单元和所述散热器的方式层叠。
全文摘要
本发明涉及一种半导体激光装置，其具备用于防止散热器的制冷剂流路的腐蚀，并且长期稳定地对半导体激光器阵列进行冷却的构造。该半导体激光装置具备半导体激光器堆、制冷剂供给器、绝缘性配管和制冷剂。制冷剂供给器向半导体激光器堆供给制冷剂。制冷剂包含碳氟化合物。绝缘性配管是具有柔软性的绝缘性管子。在绝缘性配管内配置有接地的导电体。该导电体起着除去当制冷剂在绝缘性配管内流通时生成的静电的作用。
文档编号H01S5/40GK1906821SQ20058000198
公开日2007年1月31日 申请日期2005年3月8日 优先权日2004年3月17日
发明者宫岛博文, 菅博文 申请人:浜松光子学株式会社