专利名称：电子部件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及包含设置在基底构件(例如衬底)上的电子元件和与电子元件连接的取出电极的电子部件及其制造方法。
背景技术：
在日本专利申请公开公报特开平07-181516(JP 07-181516A)中公开了包含电子元件和取出电极的电子部件。
JP 07-181516A涉及薄膜晶体管面板并说明了晶体管、与晶体管连接的栅极线及其端子。栅极线与沿基底构件的侧面设置的导电部分连接，然后通过刻划(scribing)从导电部分分离。在大尺寸基底构件上设置薄膜晶体管面板，并通过刻划获得各个液晶显示元件。
JP 07-181516A说明了从大尺寸基底构件上分离各个液晶显示元件。但是，当要从大尺寸基底构件获得小尺寸基底构件时，必须执行刻划至少十次。这里，必须通过麻烦的小尺寸基底构件处理完成十次刻划中的八次刻划。本发明的发明人已注意到这种复杂性。
也就是说，当从诸如JP 07-181516A的图2所示的大尺寸基底构件获得四个区域“A”时，首先执行两次刻划，用于将大尺寸基底构件分为各个区域。由于沿大尺寸基底构件的侧面设置的导电部分与栅极线连接，因此可以说导电部分是短路环(short ring)。因此，当在初次的两次刻划之前切割短路环时，不能在随后的步骤确保不出现短路。换句话说，不应执行这种切割。
通过初次的两次刻划相互分离的四个部件中的每一个仍具有导电部分。
由于在四个部件的小尺寸基底构件中的每一个的两侧设置导电部分，因此必须为各个部件执行两次用于去除导电部分的刻划。
在将大尺寸基底构件分为小尺寸基底构件后执行用于去除导电部分的刻划。
对四个部件中的每一个执行这种刻划，使得刻划处理的总次数为八次(2×4＝8)。
因此，必须执行总共十次刻划(2+2×4＝10)。而且，对于已经分割而变成小片的各基底构件，需要执行十次刻划中的八次刻划。但是，小尺寸基底构件的处理较为复杂。因此，本发明的发明人认为有提高生产率的余地。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供刻划处理的次数少、生产率高且确保防止制造过程中的短路的电子部件的制造方法和电子部件。
为此，根据本发明的一个方面，提供一种电子部件，该电子部件包括设置在基底构件上的电子元件；与电子元件连接的取出电极；和设置在基底构件的边上的、不与电子元件连接的短路环残余部分。
另外，根据本发明的另一方面，提供一种电子部件的制造方法，包括切割具有至少两个电子部件的大尺寸基底构件而由此获得所述电子部件中的至少两个的切割步骤，上述电子部件分别包含电子元件和与所述电子元件连接的取出电极，其特征在于，执行所述切割所述大尺寸基底构件的切割步骤，使得所述电子部件中的一个电子部件的电子元件的短路环的一部分留在具有另一个电子元件的另一个电子部件中。
根据具有上述结构的本发明，可以实现以下效果中的至少一种。
1)可以使位于设置在大尺寸基底构件上的多个电子部件部分之间的隔离区域变窄。结果，能够在大尺寸基底构件上设置多个大尺寸电子部件部分或大量的电子部件部分。
2)切割大尺寸基底构件的步骤还兼作短路环切割步骤。结果，可以减少灰尘的产生。
3)可以减少刻划处理的次数且同时确保防止出现短路。例如，当要从大尺寸基底构件获得四个电子部件时，所需的刻划处理的次数不是10次而是最少3次。
图1是表示根据本发明的实施方式的电子部件的示意图；图2是表示获得根据本发明的实施方式的电子部件时的、大尺寸基底构件和切割线的示意图；图3是表示当隔离距离减小时使得大尺寸基底构件的尺寸减小“S”的效果的示意图；图4表示汽相淀积过程中的膜厚分布与到作为中心的汽相淀积源的隔离距离之间的关系的图解表示；图5是表示根据本发明的另一实施方式的电子部件的示意图；图6是表示要获得根据本发明的另一实施方式的电子部件时的、大尺寸基底构件和切割线的示意图；图7是表示要获得根据本发明的又一实施方式的电子部件时设置大尺寸基底构件和25个电子部件部分的状态的示意图；图8是表示根据本发明的再一实施方式的电子部件的示意图。
具体实施例方式
(第一实施方式)根据本发明的第一实施方式的电子部件包括设置在基底构件上的电子元件；与电子元件连接的取出电极；和设置在基底构件的边上的不与电子元件连接的短路环残余部分。
更具体而言，电子部件具有不与电子元件连接且被设置在基底构件的与它的设置有取出电极的边不同的边上的短路环残余部分。
图1是表示根据本发明的实施方式的电子部件的示意图。电子部件的例子包括具有有机EL元件阵列的电子部件。附图标记1表示电子部件，2表示像素，2a表示显示的图像，3表示显示区域，4表示取出电极，5表示基底构件。附图标记6表示密封构件(或封装构件)，7表示基底构件5的与它的设置有取出电极的边不同的边，8表示短路环残余部分。在密封构件6的区域中设置多个像素2。设置密封构件6是为了防止多个像素2暴露于外部环境(更具体地，氧气或湿气)，或保护多个像素2免受外部冲击。
在本实施方式中，每一个像素2对应于包含一对电极和设置在其间的有机材料的有机EL元件。在图1中，作为显示了图像的状态，示出数字“1”(标记符号2a)。这里使用的术语“有机EL元件阵列”指的是在同一基底构件上设置了多个有机EL元件的结构。
像素2分别与作为电子元件(未示出)的控制元件连接，并可进行发光/非发光。电子元件可以是例如诸如TFT的开关元件。多个电子元件与取出电极4中的相应的一个连接。如图1所示，多个取出电极4在基底构件5的一边上。
在基底构件5的与它的设置有取出电极4的边不同的边上设置短路环残余部分8。短路环残余部分8不与设置在基底构件5上的电子元件连接。
从大尺寸基底构件通过切割获得基底构件5。短路环残余部分8是通过切割而从设置在大尺寸基底构件的另一部分上的取出电极上分离的短路环的残余，该另一部分从大尺寸基底构件上切出以成为另一基底构件5。
在本实施方式中，短路环残余部分8包含至少多个分支部分和与分支部分连接的共用部分(沿另一边分布的导电部分)。每一个分支部分都是沿与共用部分的长度方向交叉的方向设置的导电部分。但是，短路环残余部分8不限于分支部分和共用部分的这种组合，可以仅包含共用部分。在这种情况下，在切割大尺寸基底构件的步骤中，可以切出短路环以不包含多个分支部分。作为替代方案，还可以特意添加至少将分支部分从短路环上切除的另一切割步骤。
下面，更详细地说明本实施方式。
这里使用的术语“大尺寸基底构件”指其上设置有多个电子部件部分的基底构件。多个电子部件部分被设置在大尺寸基底构件的平面内，并通过隔离区域相互分开。而且，当切割隔离区域时，通过切割获得的各基底构件将在其上具有电子部件部分。这里使用的术语“电子部件部分”指由在要被切割的大尺寸基底构件上设置的多个电子元件构成的电子元件阵列。
在切割大尺寸基底构件之前，通过短路环使各电子部件部分的电子元件相互电连接，由此防止短路。短路环设置在隔离区域中。
换句话说，更详细地说明在通过切割获得的电子部件上设置短路环残余部分8的状态，则当切割大尺寸基底构件时，与电子部件部分连接的短路环部分地留在其上设置另一电子部件部分的基底构件上。
根据本实施方式的电子部件，能够在较窄的隔离区域中以及在切割线上设置短路环。
这样获得的电子部件将具有这样一种结构，即，不与电子元件连接的短路环残余部分被设置在基底构件的与它的设置有取出电极的边不同的边上。
当然，同时还获得这样的电子部件，即，在基底构件的与它的设置有取出电极的边不同的边上未设置短路环残余部分。
而且，获得具有上述结构的电子部件时，至少有以下优点中的任一个。
1)可使得位于设置在大尺寸基底构件上的多个电子部件部分之间的隔离区域变窄。结果，能够在大尺寸基底构件上设置多个大尺寸电子部件部分或大量的电子部件部分。
2)切割大尺寸基底构件的步骤还兼作短路环切割步骤。结果，可以减少灰尘的产生。
3)可以减少刻划处理的次数，且同时确保防止短路。例如，当要从大尺寸基底构件获得四个电子部件时，所需的刻划处理的次数不是10次，而是最少3次。
下面，将参照图2说明大尺寸基底构件的切割。
图2是表示通过切割从大尺寸基底构件获得根据本实施方式的电子部件之前的状态的示意图。附图标记15表示大尺寸基底构件和设置在大尺寸基底构件上的多个(更具体地说，四个)电子部件部分。附图标记20表示切割线。在图2中，标记符号1A～6A表示基于切割次序采用的切割线。在图2中，每一个白色圆圈都表示对准标记。
可以通过沿切割线中的至少三个进行切割来分割大尺寸基底构件，获得根据本实施方式的电子部件。具体而言，三个线包含用于切割隔离区域的切割线1A，该隔离区域上没有设置短路环且多个电子元件部分相互分开，和用于切割短路环的切割线2A和3A。
图2还示出其它切割线。为了使通过切割获得的基底构件的尺寸相等、减小通过切割获得的每一个基底构件的尺寸、或从最终的产品去除对准标记等，可以另外使用其它切割线。图2还示出与切割次序对应的切割线4A～6A，它们用于例如去除不必留下的部分。
在本实施方式中，可以根据需要适当地改变切割线1A～6A的切割次序。更优选地，在沿用于其中没有设置短路环且用来使多个电子元件部分相互分开的隔离区域的切割线1A的切割之后，执行沿切割线2A或3A的短路环的切割。
图3是表示根据本实施方式的电子部件的制造方法的另一效果的示意图。
附图标记15表示本实施方式中的大尺寸基底构件，60表示本实施方式中的另一大尺寸基底构件，25a表示大尺寸基底构件的中心。附图标记25表示以中心25a和大尺寸基底构件15的最远点之间的距离为半径的圆环区域。附图标记26表示以中心25a和大尺寸基底构件60的最远点之间的距离为半径的圆环区域。
与图1和图2相比，为了说明的方便，即，为了参照其中大尺寸基底构件15、60相互交叠的图3的下侧进行进一步说明，在图3中忽略了与像素部分对应的点。
在图3中，位于右上侧和左上侧的基底构件15、60均落入本实施方式中。两个部分之间的差别在于，大尺寸基底构件的尺寸相互不同。更具体而言，左侧部分的大尺寸基底构件15的沿图中的垂直方向的尺寸比右侧部分的大尺寸基底构件60的尺寸短长度“S”。
这是因为其中设置短路环的隔离区域的宽度减小了长度“S”。
在图3的下侧示出尺寸减小的结果。即，当大尺寸基底构件15、60各自的中心相互对准、并将以中心和其最远点之间的距离为半径的圆环区域相互比较时，基于大尺寸基底构件15的圆环区域变成尺寸减小的较小的圆环区域，减小的量与其中设置短路环的隔离区域的宽度的减小量相对应。
在下述方面，这是优选的。
即，当大尺寸基底构件的各个电子部件部分要同时受到相同的处理时，具有较窄的圆环区域的大尺寸基底构件的各电子部件部分可得到均匀的处理。
例如，当从穿过基底构件的中心点的轴上的点开始执行处理时，具有较窄的圆环区域的大尺寸基底构件的各电子部件部分可得到均匀的处理。
更具体而言，在诸如溅射、CVD或汽相淀积的成膜过程、或诸如UV照射或臭氧照射的表面改性处理等中，优选使用具有较窄的圆环区域的大尺寸基底构件。
图4表示汽相淀积时的膜厚分布与到位于中心的汽相淀积源的隔离距离之间的关系的图解表示。在图4中，附图标记27是表示膜厚分布与到汽相淀积源的距离的依赖关系的曲线。如图4所示，随着到汽相淀积源的距离增加，通过汽相淀积获得的膜的膜厚明显改变(减小)。不仅对于汽相淀积，而且对于利用从处理源进行各向同性扩散的其它处理，这种现象都基本上相同。
因此，在根据本实施方式的大尺寸基底构件中，设置有短路环且用来使多个电子部件部分相互分开的隔离区域变窄的大尺寸基底构件，对于均匀处理是优选的。换句话说，在这种情况下，由于面积更小，因此可以把大尺寸基底构件设置在图4中的膜厚分布没有很大变化的范围±b内、更优选地设置在范围±a内进行处理，这对于均匀处理是优选的。
由此，优选地，在这种大尺寸基底构件上汽相淀积用于构成有机EL元件的有机材料，或形成用于保护有机EL元件的保护层。
以具有有机EL元件阵列的电子部件为例子说明了根据本实施方式的电子部件。根据本实施方式的有机EL元件阵列可优选用作用来显示图像的显示器。
如上所述，根据本实施方式的电子部件具有用于作为电子元件的有机EL元件的发光或驱动的开关元件。
在这种情况下，进一步添加在电子部件中设置有机EL元件的步骤。在这种情况下，可以在切割大尺寸基底构件之前执行在电子部件部分中形成有机EL元件的步骤。作为替代方案，可以在在大尺寸基底构件上形成电子部件部分并接着切割它之后，执行在电子部件中形成有机EL元件的步骤。
更优选地，在切割大尺寸基底构件之前执行在电子部件部分中形成有机EL元件的步骤。由此，可以防止在切割时产生的灰尘导致的元件的劣化。
优选地，在切割大尺寸基底构件的步骤之前且形成有机EL元件的步骤之后执行在有机EL元件上形成密封构件的步骤。也可以在形成有机EL元件的步骤和切割大尺寸基底构件的步骤之后执行形成密封构件的步骤。
密封构件可具有诸如图1所示的结构。即，密封构件可以是面积比通过切割大尺寸基底构件获得的基底构件的面积小的构件，或是设置成在位于大尺寸基底构件的电子部件部分之间的隔离区域上延伸的构件。
密封构件可以是诸如玻璃板或氮化硅(可包含氧和氢中的至少一种)膜的透明基底构件。图1中的作为例子示出的密封构件是设置在作为钝化膜的氮化硅膜上的覆盖玻璃板，该氮化硅膜被设置在有机EL元件上。当要获得图1中所示的电子部件时，需要有在大尺寸基底构件上设置有机EL元件阵列的步骤。另外，需要依次对电子部件部分中的每一个执行在有机EL元件阵列上形成钝化膜的步骤和设置覆盖玻璃板的步骤，然后执行切割大尺寸基底构件的步骤。
另外，根据本实施方式的电子部件可被用于除具有有机EL元件阵列的电子部件以外的用途。例如，可以在诸如具有有机FET的显示器或存储器的电子器件中使用根据本实施方式的电子部件。还可以在包含开关元件、存储元件或电容元件的各种电子器件中使用根据本实施方式的电子部件，不管电子部件的半导体部分的材料是无机材料还是有机材料。各种电子器件的例子包括液晶显示器、等离子显示器和面传感器。
而且，可以在除具有有机EL元件阵列的电子部件以外的这些电子部件中设置密封构件。
另外，已经以包含不与电子元件连接并被设置在基底构件的与其设置有取出电极的边不同的边上的短路环残余部分的电子部件为例，说明了根据本发明的第一实施方式的电子部件。
但是，根据本发明的电子部件的结构也可以是，短路环残余部分被设置在基底构件的与其设置有取出电极的边相同的边上。图8表示使用根据本实施方式的电子部件的另一结构。
图8示出四个电子部件。
在图8中，为了方便说明，使四个电子部件分别显示“1”、“2”、“3”和“4”的图像。
在四个电子部件中，显示图像“1”和“2”的电子部件都具有在基底构件的与其设置有取出电极的边相同的边上设置的短路环残余部分。
在显示屏具有例如5英寸以上甚至15英寸以上的尺寸的情况下，这种结构是特别优选的。
当显示区域不是正方形而是矩形时且取出电极被设置在矩形区域的长边部分中时，短路环残余部分可被设置在长边部分中的没有设置取出电极的部分中。
结果，可以有效使用长边部分中的没有设置取出电极的部分。
而且，由于基底构件的与其设置有取出电极和短路环残余部分的边不同的边可位于显示区域附近，所以基底构件的轮廓可位于显示区域的轮廓附近，由此可减小电子部件的尺寸。
另外，图8还示出下面在第二实施方式中将说明的、短路环残余部分被设置在与设置有取出电极的边相交的边上的结构。因此，短路环残余部分也可被设置在与设置有取出电极的边相交的边上。
(第二实施方式)根据本实施方式的电子部件是短路环残余部分被设置在与设置有取出电极的边相交的边上的电子部件。其它结构与根据第一实施方式的电子部件相同。
图5是表示根据本实施方式的电子部件的示意图。图5示出四个电子部件，每一个电子部件都具有有机EL元件阵列。在各电子部件的显示屏上分别显示“1”、“2”、“3”和“4”的图像。显示图像“1”和“2”的电子部件中都包含短路环残余部分8，在基底构件的各边中，短路环残余部分8被设置在基底构件的与其设置有取出电极4的边不同的边上。更具体而言，短路环残余部分8被设置在沿与设置有取出电极4的边相交的方向的边上。
显示图像“3”和“4”的电子部件都不具有短路环残余部分8。与显示图像“2”的电子部件不同，显示图像“1”的电子部件还具有另一短路环残余部分8。更具体而言，在基底构件的各边中，另一短路环残余部分8被设置在与设置有取出电极4的边相对且沿与该边相同的方向的边上。
通过分割诸如图6中所示的大尺寸基底构件获得各个电子部件。在本实施方式中，可以通过把切割大尺寸基底构件的步骤执行最少三次获得四个电子部件。如图6所示，当在各电子部件部分之间的隔离区域的切割线上设置短路环时，可以通过沿切割线1A、2A和3A执行切割大尺寸基底构件的步骤三次，切割各电子部件部分的所有短路环。
(第三实施方式)
根据本实施方式的电子部件是通过切割大尺寸基底构件获得的多于四个的电子部件中的一个。其它结构与根据第一实施方式和第二实施方式中的至少一个实施方式的电子部件相同。
图7是表示在通过切割获得根据本实施方式的电子部件之前的、设置在大尺寸基底构件上的多于四个的电子部件部分的示意图。
如上所述，根据本实施方式的电子部件是通过切割大尺寸基底构件获得的多于四个的电子部件中的一个。
根据本实施方式，可以在具有预定的长宽尺寸的大尺寸基底构件上设置大量的分别具有较小面积的电子部件。
以长宽尺寸为370×470mm的大尺寸基底构件为例进行说明。而且，当每一个电子部件的面积为2.4平方英寸且每一个短路环的短边长度为3mm时，假定各电子部件部分之间的隔离距离(其上设置短路环的区域的宽度)为6mm。
当存在图7所示的结构关系时，即，当沿相同的方向在大尺寸基底构件上设置与各电子部件连接的短路环时，可以在图7的平面内沿垂直方向设置六个电子部件。
即使当各电子部件部分之间的隔离距离大于6mm时，也可以获得根据本实施方式的电子部件，即，短路环残余部分被设置在基底构件的与其设置有取出电极的边不同的边上的电子部件。
更优选地，各电子部件部分之间的隔离距离基本上等于各短路环的短边长度，以使切割线位于各短路环上，从而可以从单个大尺寸基底构件获得大量的电子部件。
作为参考，当用常规的基底构件切割技术切割基底构件然后切割短路环时，在用于切割基底构件的切割线和用于进一步切割短路环的切割线之间需要至少3mm的最小距离。而且，当各电子部件的面积和各短路环的短边长度等于上述数值时，必须进一步使电子部件部分之间的距离增加3mm。结果，根据基底构件的框架部分的尺寸，沿图7的平面中的垂直方向只能从具有相同的面积的大尺寸基底构件获得五个而不是六个电子部件。
(实例)以下，将说明本发明的实例。但是，本发明不限于这些实例。
(实例1)图1表示根据本发明的有机EL面板1。
图1中所示的面板是从图2中所示的基底构件15获得的。具体地，通过以下步骤获得该面板通过使用真空汽相淀积装置通过掩模汽相淀积执行有机发光层的汽相淀积，然后在其上形成透明电极(未示出)，然后执行密封步骤以制备基底构件15，将基底构件15切割成各个面板。
另外，作为显示图像的状态的实例，显示了数字“1”。
图2表示在通过切割获得面板1之前的基底构件15。
在图2中，作为玻璃衬底的基底构件15具有在其上形成的四个有机EL面板。基底构件具有在其上形成的TFT和电路。在基底构件上设置用于电路的各个取出电极。在每一个取出电极4中设置短路环8，以保护TFT。
在对角上设置用于汽相淀积装置中的掩蔽(masking)和对准的对准标记15a。
从图2可以看出，各对准标记具有圆形形状，该形状是与设置在汽相淀积掩模(未示出)中的各对准标记相同的形状。
图1示出在密封步骤之后通过切割从图2中所示的玻璃基底构件15获得的面板1。
在面板1中，在玻璃基底构件5上的每一个TFT上，对每一个像素2形成包含有机层和电极层的用于有机发光的薄膜。并且如显示例2a所示，可以使用各个像素显示图像。
通过密封步骤使用UV硬化树脂将玻璃密封构件6键合到玻璃基底构件5上。
密封玻璃具有通过蚀刻形成凹形的内表面，并且，在内表面的凹形部分中设置吸湿材料的膜(未示出)，由此防止有机材料由于吸湿而劣化。
从图1可以看出，在面板1中，以这样一种位置关系设置取出电极4，即，其尖端与玻璃基底构件5的轮廓切割一起被同时切去。因此，短路环被切除，从而面板成为可用状态。
并且，如图1所示，设置在另一面板的取出电极4中的短路环8保持在面板1的与取出电极4相对的边7上。
这意味着，一旦残留的短路环8被设置成这种位置关系，那么短路环8就可与面板1的边7的轮廓切割一起被同时切除。
下面，将参照图2说明衬底15的切割方法。
在图2中，双点划线20表示用于通过切割获得各个有机EL面板的切割线。提供给切割线的标记符号1A、2A、3A、4A、5A和6A表示切割线的序号。
因此，从图2可以看出，通过沿切割线1A、2A和3A执行切割三次，可以获得四个有机EL面板。而且，可以沿其它切割线4A、5A和6A切除基底构件的框架部分，从而可以通过六次切割完成切出(cutout)。
切割次数6意味着，可以用比其中短路环的一部分不保留在另一面板上的结构的情况少一次(1)的切割次数完成面板的切出。
从图2可以看出，在上述切割过程中，通过沿用于切割基底构件的中心部分的第二切割线3A进行切割，同时完成短路环的切割和轮廓切割。结果，可以看出，短路环留在基底构件上，该基底构件和与取出电极连接的另一基底构件相邻。
由此，可以容易地分割基底构件。即，当通过使用激光或刻划器形成裂纹或刻划线然后为了切割执行手划时，可以容易地分割基底构件。更详细而言，仅仅通过把通过切割线相邻的多个面板夹住并沿相反的方向绕着切割线弯曲它们，就可以容易地将基底构件分开。
由此，不必特别提供用于折断(或割开)的夹持边缘，从而可以使基底构件15的尺寸减小与该边缘对应的量。
一般地，当考虑实际的作业性时，边缘需要为至少3mm，并优选约10mm。在本实施方式中，不必提供这种边缘，结果整个基底构件的尺寸可被减小。
下面，图3表示根据本实例的基底构件15的尺寸与同样根据本实例的另一基底构件60的尺寸不同。
当把根据本实例的基底构件15、60的尺寸相互比较时，可以看出，两个基底构件的宽度相等，但是基底构件15的长度比基底构件60的长度小长度“S”。
众所周知，在使用单个汽相淀积源的汽相淀积装置中，存在对基底构件的尺寸的限制，通过该限制可使得在其上汽相淀积的膜的膜厚分布均匀。
当汽相淀积装置的单个汽相淀积源位于基底构件15、60的基底构件中心25a的位置时，通过从汽相淀积源同心地发射用于淀积的蒸汽而执行汽相淀积。
在图3中，由于作为尺寸差值的长度“S”，所以在基底构件15的情况下，可执行均匀的汽相淀积的要求的最小面积(以下，称为“最小汽相淀积面积”)对应于圆环区域25，而在基底构件60的情况下，要求的最小面积对应于圆环区域26，从而圆环区域25是更小的圆环。
下面，将参照图4进行说明。图4是表示在使用这种单个汽相淀积源时的汽相淀积的膜厚分布和基底构件宽度之间的关系的概念图。
在图4的曲线中，横轴表示基底构件宽度，其中中心位置对应于0，纵轴表示膜厚分布(即，膜厚偏差)。从图4可以看出，沿宽度方向的基底构件的中心部分上的膜厚的偏差基本上为0，从而不存在问题。但是，随着基底构件宽度(即，到中心位置的距离)的增加，膜厚的均匀性劣化。即，当基底构件宽度在-a～+a的范围内时，膜厚的偏差基本上为0。而当基底构件宽度在-b～+b的范围内时，偏差为约4％。而且，当基底构件宽度在-c～+c的范围内时，偏差为约9％。
在本实例中使用的面板的情况下，膜厚偏差需要为5％或更小。因此，就图4的概念图而言，如实曲线27和在5％与纵轴交叉的虚直线之间的交点所示的那样，容许范围是基底构件宽度比-b～+b的范围稍宽的范围。
如上所述，由于汽相淀积所需的面积随着基底构件的尺寸的增加变为更大的圆环，因此，存在在一些情况下不能实现希望的膜厚分布的危险。
在本实例中，采用这样一种结构，即，在面板的轮廓切割时，切除短路环并将切除的短路环留在邻近的面板中。由此，可以实现具有最小的轮廓尺寸的基底构件。因此，可以在最小汽相淀积区域中执行汽相淀积，结果能够使用汽相淀积时的膜厚偏差小的区域。
而且，可以减小基底构件轮廓尺寸。由此，基底构件和汽相淀积源之间的距离可被设为更短，从而可以获得能够提高材料的使用效率、节省材料并降低面板生产成本的效果。
(实例2)图5是解释示出通过切割获得的面板的形状的本发明的实例2的示图。
从图中可以看出，示出了基底构件被切割而被分割成面板1的状态。各面板显示作为图像显示例的“1”、“2”、“3”和“4”的图像。显示图像“1”和“2”的各面板1具有位置如图所示的短路环残余部分8。短路环残余部分8被设置在与设置有取出电极4的边相交的两个边中的一个边上。
而且，从图中可以看出，显示图像“3”和“4”的各面板1不具有短路环残余部分8。与显示图像“2”的面板1不同，显示图像“1”的面板1还具有另一短路环残余部分8。即，在基底构件的各边中，另一短路环残余部分8被设置在与设置有取出电极4的边相对并沿与该边相同的方向的边上。从图中可以看出，显示图像“1”和“2”的各面板的方向与显示图像“3”和“4”的各面板的方向不同，且相应的像素部分的尺寸也不相同。
通过切割并分割图6中所示的基底构件获得各个面板1。在本实例中，通过执行切割步骤最少三次，即，通过沿切割线1A、2A和3A执行切割，可以获得四个面板1。通过沿切割线4A、5A和6A进行切割执行具有适当的尺寸的面板的切出。
根据上述结构，即使在单个基底构件上设置具有不同的尺寸并且其中取出电极的方向相互不同的面板时，也可以通过三次切割同时调整轮廓切割位置和面板尺寸之间的平衡而实现分割。
而且，即使在两个或更多个短路环留在通过切割获得的面板中时，也没有在面板的显示特性上发现特别的问题。
如上所述，由于在单个基底构件上设置具有不同的尺寸的各种类型的面板并使用留在邻近的面板中的短路环，因此能够从具有最小的尺寸的基底构件制造多个面板。
(实例3)图7是表示使用比实例1和2中使用的基底构件都相对更大的基底构件15的本发明的实例3的示意图。
图中，示出总共安装25个面板的结构。
即使配置大量的面板时，也可以以与实例1类似的方式执行切割。在这种情况下，以这样一种位置关系设置短路环，即，使得用于切割短路环的线还兼作轮廓切割线，且短路环留在位于上侧的面板中。
因此，即使当如本实例中那样在表面上配置大量的面板时，也能够提供与面板的数量对应的具有最小的尺寸的基底构件。
本申请要求在2005年6月21日提交的日本专利申请No.2005-180554和在2006年5月15日提交的2006-135071作为优先权，在此引用其全部内容作为参考。
权利要求
1.一种电子部件，包括设置在基底构件上的电子元件；与所述电子元件连接的取出电极；和设置在所述基底构件的边上的、不与所述电子元件连接的短路环残余部分。
2.根据权利要求1的电子部件，其特征在于，所述短路环残余部分包含导电构件，该导电构件包含多个分支部分和用于将所述多个分支部分相互连接的共用部分。
3.根据权利要求1的电子部件，其特征在于，所述电子元件是晶体管。
4.根据权利要求1的电子部件，还包括有机EL元件阵列，该有机EL元件阵列包含分别包含一对电极和设置在所述一对电极之间的发光层的多个有机EL元件。
5.根据权利要求1的电子部件，其特征在于，所述有机EL元件阵列是显示器的显示部分。
6.一种电子部件的制造方法，包括切割具有至少两个电子部件的大尺寸基底构件而由此获得所述电子部件中的至少两个电子部件的切割步骤，上述电子部件分别包含电子元件和与所述电子元件连接的取出电极，其特征在于，执行所述切割所述大尺寸基底构件的切割步骤，使得所述电子部件中的一个电子部件的电子元件的短路环的一部分留在具有另一个电子元件的另一个电子部件中。
7.根据权利要求6的方法，在所述切割步骤之前还包括形成与所述电子元件连接的有机EL元件阵列的有机EL元件阵列制作步骤，且在所述切割步骤之前且在所述有机EL元件阵列制作步骤之后还包括在所述有机EL元件阵列中的每一个中设置密封构件的密封步骤。
8.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述有机EL元件阵列包含多个有机EL元件，每一该有机EL元件包含一对电极和设置在所述一对电极之间的发光层。
9.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述有机EL元件阵列是显示器的显示部分。
10.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述电子元件是晶体管。
11.根据权利要求6的方法，其特征在于，通过所述切割步骤获得的所述至少两个电子部件的所述基底构件具有相互不同的尺寸。
全文摘要
提供一种电子部件制造方法和电子部件，可减少刻划处理的次数、提高生产率，且同时确保防止制造过程中的短路。还提供包含短路环残余部分的电子部件和电子部件的制造方法。
文档编号H01L21/70GK1885540SQ20061009460
公开日2006年12月27日 申请日期2006年6月21日 优先权日2005年6月21日
发明者中根直广, 高桥公夫 申请人:佳能株式会社