专利名称：显示面板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板及其制造方法，特别是涉及一种可缩短去光致抗蚀剂工艺时间，并避免光致抗蚀剂残留的显示面板的制造方法。
背景技术：
请参照图1，展示一种显示面板的示意图。显示面板具有显示区域(display area)11、外围区域(periphery area)12和空白区域(blank area)。其中，外围区域12与显示区域11电连接，以控制显示区域11的显示画面，而多个薄膜晶体管、储存电容和驱动元件则分别形成在显示区域11和外围区域12。图1中的外围区域12与显示区域11之间的虚线部分则表示形成在基板内的金属线，以电连接外围区域12和显示区域11。再者，图1中的虚线圆圈部分是局部的代表该显示区域11中一个像素(未标注)由信号线(如扫描线、数据线，未标注)交错所构成，而至少一个薄膜晶体管(未标注)、储存电容(如Cst，Clc等)形成在像素中。而空白区域则指显示区域11和外围区域12除外的所有部分，包括13a、13b和13c；其中又以空白区域13c所占的面积最大。
在显示面板(例如薄膜晶体管液晶显示面板，TFT LCD)的制作技术发展中，已有相关业者提出可减少使用光掩模数目的制造工艺，达到节省制造时间和成本的目的，然而，却在制造工艺中容易产生空白区域的光致抗蚀剂和导电层残留的问题。特别是空白区域中面积最大的13c。
请参照图2A～2H，其展示一种利用传统减少光掩模的工艺制作显示面板的示意图。请同时参照图1。首先，提供基板20，并在基板20上对应于显示区域11处，沉积第一金属层和蚀刻(利用第一道光掩模)后，而形成栅极211和储存电容处(Cst)的下电极241，如图2A所示。
接着，在栅极211上方形成栅极绝缘层212材料例如是氮化硅层(SiNx)，且栅极绝缘层212覆盖储存电容处(Cst)的下电极241及位于空白区域13b/13c的基板20上。之后，在栅极绝缘层212上方依次形成沟道层213、欧姆接触层214和第二金属层215，蚀刻第二金属层(利用第二道光掩模)215后形成源极S、漏极D和位于源极S漏极D之间的沟道区域216，如图2B所示。
然后，沉积保护层217以覆盖TFT元件处的源极S、漏极D和沟道区域216，且保护层217也位于储存电容处的下电极241的栅极绝缘层212的上方，还位于空白区域13b/13c处的栅极绝缘层212上方，如图2C所示。保护层217的材料例如是氮化硅层(SiNx)。另外，栅极绝缘层212和保护层217又称为绝缘复合层。
接着，利用具有半透区域的光掩模(第三道光掩模，未显示于图中)在保护层217上形成光致抗蚀剂层218a、218b、218c；其中光致抗蚀剂层218a对应于TFT元件处，光致抗蚀剂层218b对应于显示区域11中除了TFT元件处之外的部分，光致抗蚀剂层218c则对应于空白区域13b/13c处，如图2D所示。并形成开口219在显示区域11的各TFT元件处中以暴露出TFT元件处的部分漏极/源极，如图2E所示。其中，光致抗蚀剂层218a的高度和光致抗蚀剂层218c的高度相等，而光致抗蚀剂层218b的高度则小于两者。
之后，对光致抗蚀剂进行灰化(ashing)工序，去除显示区域11中TFT元件处以外的光致抗蚀剂层218b，而TFT元件处上方的光致抗蚀剂层218a’和空白区域13b/13c的光致抗蚀剂层218c’也同时变薄，如图2F所示。
接着，形成导电层220，覆盖显示区域11中TFT元件处上的光致抗蚀剂层218a’和空白区域中13b/13c的光致抗蚀剂层218c’，且导电层220并覆盖显示区域11中TFT元件处以外的保护层217上方，并形成储存电容处(Cst)的上电极，如图2G所示。导电层220的材料例如是氧化铟锡(indium tinoxide，ITO)。
最后，进行剥离(liftoff)步骤，将光致抗蚀剂层去除。如图2H所示，显示区域11的光致抗蚀剂层218a’及其上方的导电层220和空白区域13b/13c中的光致抗蚀剂层218c’及其上方的导电层220在此步骤中一并去除。
在上述减光掩模的工艺中，理想状态是将光致抗蚀剂层完全去除。然而，在有限的工艺时间中，要完整地将大面积的光致抗蚀剂层去除实属不易，例如空白区域13c，容易有光致抗蚀剂层及导电层的残余物(residue)留下。一般来说，光致抗蚀剂层的长度L(见第2G图的光致抗蚀剂层218c’上方)超过1500μm，就会产生残余物，影响显示面板的品质。
发明内容
鉴此，本发明的目的就是提供一种显示面板及其制造方法，以在有限的工艺时间中完全去除光致抗蚀剂，避免光致抗蚀剂残留。
根据本发明的目的，提出一种显示面板(display panel)，包括定义在基板上的显示区域(display area)和定义在该基板上的空白区域(blank area)，并邻近于该显示区域，且空白区域包括非金属线区。非金属线区包括形成在基板上的多个绝缘岛(insulating island)和第一导电图案层，且该绝缘岛被第一导电图案层间隔开来。
根据本发明的目的，再提出一种显示面板，包括定义在基板上的显示区域(display area)和定义在该基板上的空白区域(blank area)，并邻近于该显示区域，且空白区域包括金属线区。金属线区包括形成在基板上的绝缘复合层，和形成在绝缘复合层上的导电图案层，且导电图案层将绝缘复合层的表面围出多个隔离区。
根据本发明的目的，提出一种显示面板的制造方法，其中显示面板具有在基板上的显示区域、外围区域和空白区域，且空白区域包括非金属线区。此方法包括在显示区域和外围区域内分别形成多个薄膜晶体管、多个电容和多个驱动元件，且空白区域内具有绝缘复合层；在显示区域、外围区域和空白区域上形成光致抗蚀剂图案层，以在空白区域的非金属线区中形成多个光致抗蚀剂区段，且该光致抗蚀剂区段位于绝缘复合层上；在显示区域的各薄膜晶体管中形成至少一个开口，以暴露出薄膜晶体管的漏极/源极，且根据该光致抗蚀剂区段对绝缘复合层进行蚀刻，以在空白区域的非金属线区处形成多个绝缘岛和位于该绝缘岛上的该光致抗蚀剂区段；灰化显示区域的光致抗蚀剂层和空白区域中非金属线区处的该光致抗蚀剂区段，并去除显示区域中该薄膜晶体管以外的光致抗蚀剂层，且在该薄膜晶体管上方形成第一光致抗蚀剂部分，及在空白区域的该绝缘岛上形成第二光致抗蚀剂部分；在显示区域、外围区域和空白区域处形成导电层，以覆盖显示区域中该薄膜晶体管上的第一光致抗蚀剂部分和空白区域中的部分基板和第二光致抗蚀剂部分，并填入各薄膜晶体管中的开口；并且同时一起去除显示区域中的第一光致抗蚀剂部分和覆盖其上的导电层，并同时一起去除空白区域中非金属线区处的第二光致抗蚀剂部分和覆盖其上的导电层。
根据本发明的目的，提出另一种显示面板的制造方法，其中显示面板具有在基板上的显示区域、外围区域和空白区域，且空白区域包括金属线区。此方法包括在显示区域和外围区域内分别形成多个薄膜晶体管和多个驱动元件，且空白区域内具有绝缘复合层；在显示区域、外围区域和空白区域上形成光致抗蚀剂图案层，以在空白区域的金属线区中形成多个光致抗蚀剂区段，且该光致抗蚀剂区段位于绝缘复合层上；在显示区域的各薄膜晶体管中形成至少一个开口，以暴露出薄膜晶体管的漏极/源极；灰化显示区域的光致抗蚀剂层和空白区域中金属线区处的光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂凸块，以去除显示区域中该薄膜晶体管以外的光致抗蚀剂层，并在该薄膜晶体管上方形成第一光致抗蚀剂部分，在空白区域的金属线区处的绝缘复合层上形成第三光致抗蚀剂部分；在显示区域、外围区域和空白区域处形成导电层，以覆盖显示区域中该薄膜晶体管上的第一光致抗蚀剂部分，和覆盖空白区域中金属线区的部分绝缘复合层和第三光致抗蚀剂部分，导电层并填满各薄膜晶体管中的开口；和去除显示区域中的第一光致抗蚀剂部分和覆盖其上的导电层，并同时去除空白区域中金属线区处的第三光致抗蚀剂部分及位于其上的导电层。
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并结合附图，作详细说明如下
图1是展示一种显示面板的示意图。
图2A～2H展示一种利用传统减少光掩模的工艺制作显示面板的示意图。
图3A～3H为依照本发明第一实施例的显示面板的制造方法示意图。
图4A～4H为依照本发明第二实施例的显示面板的制造方法示意图。
简单符号说明11显示区域12外围区域13a、13b、13c空白区域20基板211栅极212栅极绝缘层213沟道层214欧姆接触层215第二金属层216沟道区域217保护层218a、218b、218c、218c’、218e光致抗蚀剂层218a’第一光致抗蚀剂部分218d1、218d2…218dn光致抗蚀剂区段218d1’、218d2’…218dn’第二光致抗蚀剂部分218e1、218e2…218en光致抗蚀剂凸块218e1’、218e2’…218en’第三光致抗蚀剂部分219、219a开口220导电层241下电极372d1、372d2…372dn绝缘岛472d1、472d2…472dn隔离区具体实施方式
本发明提出一种显示面板的制造方法，以缩短去光致抗蚀剂工艺的时间，并避免光致抗蚀剂层和导电层残留，特别是可完整去除空白区域的光致抗蚀剂层。请同时参照图1，空白区域(blank area)指显示区域(display area)11和外围区域(periphery area)12除外的所有部分，包括空白区域13a、13b和13c。换句话说，空白区域13a位于外围区域12和显示区域11之间。空白区域13b位于邻近于外围区域12且非位于外围区域12和显示区域11之间、邻近于外围区域12、显示区域11与空白区域13a的一侧及邻近于显示区域11。空白区域13c位于显示面板某一角落处，本发明是以左上角为实施范例，然而，本发明所述的空白区域13c的所在位置并不限制于此。另外，依本领域的技术人员知悉显示面板具有多个像素，在图1的显示区域11处则展示出单一像素的等电位图(包括信号线(栅极线和数据线)、TFT和储存电容)。
本发明的实施例中与图2A～2H相同的元件沿用相同标号。另外，关于薄膜晶体管的细部工艺，为具有本领域的技术人员所熟知，在此不多加赘述；而图标中也省略不必要的元件，以清楚显示本发明的技术特点。
第一实施例图3A～3H为依照本发明第一实施例的显示面板的制造方法示意图。本实施例以空白区域13b、13c为范例，但空白区域13b/13c中的绝缘复合层下方一般不具金属线或图案的区域，所以，也可称之为非金属线区域或非金属图案区域，然而，本实施例的制造方法也可适用于其它空白区域，如13a。再者，本实施例以像素为范例，且每个像素都具有至少一个TFT和至少一个储存电容，然而，依本领域的技术人员知悉显示面板是具有多个像素区或也可具有多个TFT或多个储存电容。请同时参照图1。首先，提供基板20，并在基板20上对应于显示区域11处，沉积第一金属层和蚀刻(利用第一道光掩模)后，而形成在TFT处的栅极211、栅极线(未展示)、储存电容(Cst)处的下电极241和连接于栅极线尾端的接触垫(未展示)，如图3A所示。
接着，在栅极211上形成栅极绝缘层212，且栅极绝缘层212覆盖储存电容(Cst)的下电极241且位于空白区域13b/13c的基板20上。之后，在栅极绝缘层212上依次形成沟道层213、欧姆接触层214和第二金属层215，在蚀刻第二金属层(利用第二道光掩模)215后并形成数据线(未展示)、源极S、漏极D、位于源极S漏极D之间的沟道区域216和连接于数据线尾端的接触垫(未展示)，如图3B所示。再者，上述的沟道层213、欧姆接触层214、源极S、漏极D、栅极211、栅极绝缘层212构成在TFT处的TFT元件，且TFT元件位于数据线(未展示)与栅极线(未展示)相交叉处。
栅极绝缘层212的材料例如是包括无机绝缘材料(如氮化硅(SiNx)、氧化硅、氮氧化硅或类似的材料)、有机绝缘材料(如碳化硅、聚酯类、光致抗蚀剂或类似的材料)或上述材料的组合。
沟道层213和欧姆接触层214的材料包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、微晶硅或上述的组合，且欧姆接触层214的掺杂成份可为N型或P型。
然后，沉积保护层217以覆盖TFT处的源极S、漏极D和沟道区域216，且保护层217也位于储存电容处241的栅极绝缘层212之上；且保护层217还位于空白区域13b/13c的栅极绝缘层212上方，如图3C所示。保护层217的材料例如是包括无机绝缘材料(如氮化硅(SiNx)、氧化硅、氮氧化硅或类似的材料)、有机绝缘材料(如碳化硅、聚酯类、光致抗蚀剂或类似的材料)或上述材料的组合。另外，栅极绝缘层212和保护层217又合称为绝缘复合层。
接着，利用光掩模工艺(例如是具有半透区域的光掩模，如半透光掩模、光绕射光掩模、灰度光掩模、栅状图案光掩模或类似的光掩模)在显示区域11、外围区域12和空白区域形成光致抗蚀剂图案层。如图3D所示，在保护层217上形成光致抗蚀剂层218a、218b和光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn。其中，光致抗蚀剂层218a对应于TFT处，光致抗蚀剂层218b对应于显示区域11的每一像素中除了TFT处之外的部分，而光致抗蚀剂层218a和218b之间具有开口219，用以暴露出位于该TFT处的部分保护层217。至于光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn则对应于空白区域13b/13c处。其中，光致抗蚀剂层218a的高度和光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn的高度相等，而光致抗蚀剂层218b的高度则小于两者。
相比传统的制造方式(请参照图2D和3D)，在此步骤中，空白区域13b/13c，位于绝缘复合层(由栅极绝缘层212和保护层217所组合)上的光致抗蚀剂层已经被切割形成多个底部未相连的光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn或称之为多个底部分离的光致抗蚀剂区段。换句话说，该光致抗蚀剂区段暴露出位于空白区域13b/13c的部分保护层217。在第一实施例中，每个光致抗蚀剂区段的长度L1和宽度均优选地实质上小于或等于1500μm，而二相邻的光致抗蚀剂区段其间距L2优选地实质上大于2μm。
如图3E所示，移除暴露出来的部分保护层和部分绝缘复合层。蚀刻被开口219所暴露出的部分保护层217用以形成开口219a在显示区域11的TFT处，并暴露出TFT处的部分漏极/源极，并根据光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn对绝缘复合层进行蚀刻，以在空白区域13b/13c处形成多个绝缘岛372d1、372d2…372dn。其中，绝缘岛372d1、372d2…372dn由栅极绝缘层212和保护层217组合而成，且各绝缘岛372d1、372d2…372dn的底部分离地位于基板20上。
之后，灰化(ashing)显示区域11的光致抗蚀剂层218a、218b和空白区域13b/13c的光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn，以去除该显示区域中该TFT处以外的光致抗蚀剂层218b。如图3F所示，灰化后，在TFT元件上方形成第一光致抗蚀剂部分218a’，在空白区域的该绝缘岛372d1、372d2…372dn上则形成第二光致抗蚀剂部分218d1’、218d2’…218dn’；而光致抗蚀剂层218b则完全去除。其中，该灰化可使用等离子清理(plasma trimming)或离子气体处理。
接着，在显示区域11、外围区域12和空白区域处形成导电层220，除了覆盖显示区域11中TFT元件上的第一光致抗蚀剂部分218a’、填入各该TFT元件中的开口219a和位于TFT元件以外的保护层217上方，导电层220还覆盖了空白区域13b/13c的第二光致抗蚀剂部分218d1’、218d2’…218dn’和空白区域13b/13c的部分基板20上，如图3G所示。
导电层220的材料例如是包括透明导电材料、反射导电材料、上述材料的合金、或上述材料的组合。透明导电测量例如铟锡氧化物(indium tinoxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、镉锡氧化物(cadmium tinoxide，CTO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)；反射导电材料例如钼(Mo)、铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钕(Nd)、钨(W)、镉(Cd)、钛(Ti)、钽(Ta)或上述的氮化物。
最后，进行剥离(liftoff)步骤，将光致抗蚀剂去除。如图3H所示，同时去除显示区域11的第一光致抗蚀剂部分218a’及其上方的导电层220和去除空白区域13b/13c的第二光致抗蚀剂部分218d1’、218d2’…218dn’及其上方的导电层220。
根据第一实施例所述的制作方法，在光致抗蚀剂去除后(图3H)，空白区域13b/13c中包括多个绝缘岛(insulating island)372d1、372d2…372dn和形成在基板20上的第一导电图案层(即导电层220)，且该绝缘岛372d1、372d2…372dn被第一导电图案层间隔开来。再者，由于绝缘岛是根据光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn蚀刻绝缘复合层(包括栅极绝缘层212和保护层217)而来，因此绝缘岛372d1、372d2…372dn的长度/宽度均实质上小于或等于1500μm，各二相邻的绝缘岛的间距实质上大于2μm。另外，虽然第一导电图案层是直接形成在基板20上，但此应用处属于非金属线区，因此没有短路之余。
第二实施例图4A～4H为依照本发明第二实施例的显示面板的制造方法示意图。本实施例以空白区域13a为范例，但空白区域13a中的绝缘复合层下方一般具有金属线或金属图案的区域，所以，也可称之为金属线或金属图案区域。一般而言，金属线区域所包含的金属线，如信号线、多余的线(dummy line)、测试线、修补线、屏蔽线或环(shielding line or ring)、静电防护线(static electricdischarge，ESD)、…等。然而，本实施例的制造方法也可适用于其它空白区域，如13b、13c。再者，本实施例以像素为范例，且每个像素都具有至少一个TFT和至少一个储存电容，然而，依本领域的技术人员知悉显示面板具有多个像素区。请同时参照图1。图4A～4C与图3A～3C的步骤相同，请参考第一实施例的相关内容，在此不再赘述。
在完成沉积保护层217的步骤后，如图4C所示，空白区域13a的基板20上具有由栅极绝缘层212和保护层217所组成的绝缘复合层。
接着，在利用光掩模工艺(例如是具有半透区域的光掩模，如半透光掩模、光绕射光掩模、灰度光掩模、栅状图案光掩模或类似的光掩模)在显示区域11、外围区域12和空白区域处形成光致抗蚀剂图案层的步骤中，除了在显示区域11的保护层217上形成光致抗蚀剂层218a、218b外，在空白区域13a的绝缘复合层上形成具有多个光致抗蚀剂凸块218e1、218e2…218en的光致抗蚀剂层218e，且光致抗蚀剂层218a和218b之间具有开口219，用以暴露出位于该TFT处的部分保护层217，如图4D所示。之后，移除暴露出来的部分保护层和部分绝缘复合层。蚀刻被开口219所暴露出的部分保护层217用以形成开口219a在显示区域11的TFT处，并暴露出TFT处的部分漏极/源极，如图4E所示。
再者，根据第二实施例，光致抗蚀剂层218e的最大高度(底部至光致抗蚀剂凸块的顶部)和光致抗蚀剂层218a的高度相等，而光致抗蚀剂层218e的最小高度(不具有光致抗蚀剂凸块的光致抗蚀剂层高度)和光致抗蚀剂层218b的高度相等。
相比传统的制造方式(请参照图2D和4D)，根据第二实施例的此步骤，空白区域13a中，光致抗蚀剂层218e上的多个光致抗蚀剂凸块218e1、218e2…218en可视为底部分离，而每个光致抗蚀剂凸块的长度L3和宽度均优选地实质上小于或等于1500μm，而二相邻的光致抗蚀剂凸块其间距L4优选地实质上大于2μm。
之后，灰化(ashing)显示区域11的光致抗蚀剂层218a、218b和空白区域13a处的光致抗蚀剂层218e和光致抗蚀剂凸块218e1、218e2…218en，如图4F所示，灰化后，在TFT元件上方形成第一光致抗蚀剂部分218a’，光致抗蚀剂层218b则完全去除，而在空白区域13a处的绝缘复合层上则形成第三光致抗蚀剂部分218e1’、218e2’…218en’。其中，该灰化可使用等离子清理(plasma trimming)或离子气体处理。
接着，在显示区域11、外围区域12和空白区域处形成导电层220，导电层220除了覆盖显示区域11中TFT元件上的第一光致抗蚀剂部分218a’、填入该TFT元件中的开口219a和位于TFT元件以外的保护层217上方，导电层220还同时覆盖了空白区域13a的第三光致抗蚀剂部分218e1’、218e2’…218en’和部分绝缘复合层(即位于保护层217上)，如图4G所示。
最后，在同时一起去除显示区域11中的第一光致抗蚀剂部分218a’和空白区域13a的第三光致抗蚀剂部分218e1’、218e2’…218en’及覆盖其上的导电层220，如图4H所示。
根据第二实施例所述的制作方法，在光致抗蚀剂去除后(图4H)，空白区域13a中具有形成在绝缘复合层上的第二导电图案层(即由留在保护层217上的导电层220所构成)，且第二导电图案层将绝缘复合层的表面围出多个隔离区472d1、472d2…472dn。再者，由于隔离区是剥除第三光致抗蚀剂部分218e1’、218e2’…218en’后所产生的，而第三光致抗蚀剂部分的尺寸又由光致抗蚀剂凸块218e1、218e2…218en的尺寸所决定，因此各隔离区的长度/宽度均实质上小于或等于1500μm，各二相邻的隔离区的间距实质上大于2μm。另外，虽然此应用处属于空白区域13a，但由于第二导电图案层形成在绝缘复合层上，即整个基板20在空白区域13a处仍受绝缘复合层的保护，因此没有短路之忧。
根据上述第一、第二实施例，在空白区域13b/13c处形成光致抗蚀剂区段218d1、218d2…218dn(图3D)，而在空白区域13a处形成具有光致抗蚀剂凸块218e1、218e2…218en的光致抗蚀剂层218e(图4D)，使之后进行剥离光致抗蚀剂的步骤时，空白区域内的所有光致抗蚀剂能顺利且迅速地被去除，而不会产生光致抗蚀剂残余物的问题。
再者，必需说明的是，本发明的第二实施例，以空白区域13a中的绝缘复合层下方具有金属线或图案来做为范例，但在其它空白区域13b或13c也可因显示面板的设计上和可靠性的需求，则空白区域13b或13c中的绝缘复合层下方也可具有金属线或图案，如信号线(signal line)、多余的线(dummyline)、测试线(test line)、修补线(repair line)、屏蔽线或环(shielding line or ring)、静电防护线(static electric discharge，ESD)、…等。并且本发明上述实施例的设计也可同时使用在显示面板上，例如空白区域13c、13b中的绝缘复合层下方具有金属线或图案、空白区域13a、13b、13c中的绝缘复合层下方具有金属线或图案、空白区域13a、13b、13c中的其中之一的绝缘复合层下方同时具有金属线或图案区及非金属线或图案区、空白区域13a、13c的绝缘复合层下方具有金属线或图案，而空白区域13b的绝缘复合层下方不具有金属线或图案、空白区域13a、13b的绝缘复合层下方具有金属线或图案，而空白区域13c之绝缘复合层下方不具有金属线或图案或其它设置方式。然而，显示面板的空白区域13a、13b、13c的其中之一的绝缘复合层下方分别具有金属线或图案区或非金属线或图案区或其中之一的绝缘复合层下方同时具有金属线或图案区及非金属线或图案区，则可同时移去上述空白区域上的光致抗蚀剂区段。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可对其进行各种更动与修改。因此，本发明的保护范围以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种显示面板，包括显示区域，定义在基板上；和空白区域，定义在该基板上，并邻近于该显示区域，该空白区域包括非金属线区，包括形成在该基板上的多个绝缘岛和第一导电图案层，该绝缘岛被该第一导电图案层间隔开来。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中各该绝缘岛的长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中各该二相邻的绝缘岛的间距实质上大于2μm。
4.如权利要求1所述的显示面板，其中各该绝缘岛由绝缘复合层所组成。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中该绝缘复合层包括栅极绝缘层，形成在该基板上；和保护层，形成在该栅极绝缘层上。
6.如权利要求1所述的显示面板，其中该空白区域还包括金属线区，包括绝缘复合层，形成在该基板上；和第二导电图案层，形成在该绝缘复合层上，且该第二导电图案层在该绝缘复合层的表面形成多个隔离区。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中各该隔离区的长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
8.如权利要求7所述的显示面板，其中各该二相邻的隔离区的间距实质上大于2μm。
9.如权利要求6所述的显示面板，其中该绝缘复合层包括栅极绝缘层，形成在该基板上；和保护层，形成在该栅极绝缘层上。
10.如权利要求1所述的显示面板，还包括外围区域，定义在该基板上，并邻近于该显示区域和该空白区域，其中该显示区域包括多个薄膜晶体管和多个电容，该外围区域包括多个驱动元件。
11.一种显示面板，包括显示区域，定义在基板上；和空白区域，定义在该基板上，并邻近于该显示区域，该空白区域包括金属线区，包括绝缘复合层形成在该基板上，和形成在该绝缘复合层上的导电图案层，且该导电图案层将该绝缘复合层的表面围出多个隔离区。
12.如权利要求11所述的显示面板，其中各该隔离区的长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
13.如权利要求12所述的显示面板，其中各该二相邻的隔离区的间距实质上大于2μm。
14.如权利要求11所述的显示面板，其中该绝缘复合层包括栅极绝缘层，形成在该基板上；和保护层，形成在该栅极绝缘层上。
15.如权利要求11所述的显示面板，还包括外围区域，定义在该基板上，并邻近于该显示区域和该空白区域，其中该显示区域包括多个薄膜晶体管和多个电容，该外围区域包括多个驱动元件。
16.一种显示面板的制造方法，其中该显示面板具有在基板上的显示区域、外围区域和空白区域，该方法包括在该显示区域和该外围区域内，分别形成多个薄膜晶体管、多个电容和多个驱动元件，且该空白区域内具有绝缘复合层；在显示区域、该外围区域和该空白区域上形成光致抗蚀剂图案层，以在该空白区域的非金属线区中形成多个光致抗蚀剂区段，且该光致抗蚀剂区段位于该绝缘复合层上；在该显示区域的各该薄膜晶体管元件中形成至少一个开口以暴露出该薄膜晶体管元件的漏极/源极，且根据该光致抗蚀剂区段对该绝缘复合层进行蚀刻，以在该空白区域的该非金属线区处形成多个绝缘岛和位于该绝缘岛上的该光致抗蚀剂区段；灰化该显示区域的该光致抗蚀剂层和该空白区域中该非金属线区处的该光致抗蚀剂区段，并去除该显示区域中该薄膜晶体管元件以外的该光致抗蚀剂层，且在该薄膜晶体管元件上方形成第一光致抗蚀剂部分和在该空白区域的该绝缘岛上形成第二光致抗蚀剂部分；在该显示区域、该外围区域和该空白区域处形成导电层，以覆盖该显示区域中该薄膜晶体管元件上的该第一光致抗蚀剂部分和该空白区域中的部分该基板和该第二光致抗蚀剂部分，并填入各该薄膜晶体管元件中该开口；并且同时一起去除该显示区域中的该第一光致抗蚀剂部分和覆盖其上的该导电层，并同时一起去除该空白区域中该非金属线区处的该第二光致抗蚀剂部分和覆盖其上的该导电层。
17.如权利要求16所述的制造方法，其中该空白区域中该非金属线区处所形成的该光致抗蚀剂区段底部分离，且其长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
18.如权利要求17所述的制造方法，其中各该二相邻的光致抗蚀剂区段的间距实质上大于2μm。
19.如权利要求16所述的制造方法，其中该空白区域还包括金属线区，在形成该光致抗蚀剂图案层的步骤后，该金属线区处位于该绝缘复合层上的该光致抗蚀剂层形成有多个光致抗蚀剂凸块。
20.如权利要求19所述的制造方法，其中灰化该显示区域的该光致抗蚀剂层时，也同时灰化该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂凸块，以在该空白区域的该金属线区处的该绝缘复合层上形成第三光致抗蚀剂部分。
21.如权利要求20所述的制造方法，其中在形成该导电层在该显示区域、该外围区域和该空白区域处的步骤中，该导电层也同时覆盖该空白区域中该金属线区的部分该绝缘复合层和该第三光致抗蚀剂部分。
22.如权利要求21所述的制造方法，其中在同时一起去除该显示区域中的该第一光致抗蚀剂部分和该空白区域中该非金属线区处的该第二光致抗蚀剂部分的步骤中，也同时一起去除该空白区域中该金属线区处的该第三光致抗蚀剂部分和覆盖其上的该导电层。
23.如权利要求22所述的制造方法，其中去除该第三光致抗蚀剂部分后，在该金属线区处形成导电图案层在该绝缘复合层上，且该导电图案层将该绝缘复合层的表面围出多个隔离区，各该隔离区的长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
24.如权利要求23所述的显示面板，其中各该二相邻的隔离区的间距实质上大于2μm。
25.如权利要求16所述的制造方法，其中在该空白区域内所形成的该绝缘复合层包括栅极绝缘层，形成在该基板上；和保护层，形成在该栅极绝缘层上。
26.一种显示面板的制造方法，其中该显示面板具有在基板上的显示区域、外围区域和空白区域，该方法包括在该显示区域和该外围区域内分别形成多个薄膜晶体管元件和多个驱动元件，且该空白区域内具有绝缘复合层；在该显示区域、该外围区域和该空白区域上形成光致抗蚀剂图案层，以在该空白区域的金属线区中形成多个光致抗蚀剂区段，且该光致抗蚀剂区段位于该绝缘复合层上；在该显示区域的各该薄膜晶体管元件中形成至少一个开口，以暴露出该薄膜晶体管元件的漏极/源极；灰化该显示区域的该光致抗蚀剂层和该空白区域中该金属线区处的该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂凸块，以去除该显示区域中该薄膜晶体管元件以外的该光致抗蚀剂层，并在该薄膜晶体管元件上方形成第一光致抗蚀剂部分，在该空白区域的该金属线区处的该绝缘复合层上形成第三光致抗蚀剂部分；在该显示区域、该外围区域和该空白区域处形成导电层，以覆盖该显示区域中该薄膜晶体管元件上的该第一光致抗蚀剂部分，和覆盖该空白区域中该金属线区的部分该绝缘复合层和该第三光致抗蚀剂部分，该导电层并填满各该薄膜晶体管元件中的该开口；和去除该显示区域中的该第一光致抗蚀剂部分和覆盖其上的该导电层，并同时去除该空白区域中该金属线区处的该第三光致抗蚀剂部分和位于其上的该导电层。
27.如权利要求26所述的制造方法，其中去除该第三光致抗蚀剂部分后，在该空白区域的该金属线区处形成导电图案层在该绝缘复合层上，且该导电图案层将该绝缘复合层的表面围出多个隔离区，各该隔离区的长度和宽度实质上小于或等于1500μm。
28.如权利要求27所述的制造方法，其中各该二相邻的隔离区的间距实质上大于2μm。
29.如权利要求26所述的制造方法，其中在该空白区域内所形成的该绝缘复合层包括栅极绝缘层，形成在该基板上；和保护层，形成在该栅极绝缘层上。
全文摘要
本发明公开了一种显示面板(display panel)，其包括在基板上的显示区域(display area)和空白区域(blank area)，且空白区域包括非金属线区和金属线区的至少之一。非金属线区包括形成在基板上的多个绝缘岛(insulating island)和第一导电图案层，且该绝缘岛被第一导电图案层间隔开来。而金属线区包括形成在基板上的绝缘复合层和形成在绝缘复合层上的导电图案层，且导电图案层将绝缘复合层的表面形成多个隔离区。
文档编号H01L21/82GK1917208SQ20061015160
公开日2007年2月21日 申请日期2006年9月7日 优先权日2006年9月7日
发明者石志鸿, 杨智钧, 黄明远 申请人:友达光电股份有限公司