专利名称：有机发光显示装置的封装方法和结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装方法和结构，尤其涉及一种有机发光显示装置(Organic Light Emitting Device; OLED)的封装方法和结构。
技术背景目前有机发光显示装置常见的技术是应用膜上芯片封装(Chip on Film; COF)组件与显示的玻璃衬底相互连接，此技术是将驱动IC直接接合在薄膜 上，COF是一种将驱动IC的倒装芯片接合(Flip Chip Bonding)在柔性印刷电 路(Flexible Printed Circuit; FPC)板基材上的技术，也就是可将驱动IC和其 电子零件直接固定在薄膜上，可省去传统的印刷电路板，而达到更轻薄短小 的目的。而有机发光显示装置的另一种常见的技术是将玻璃上芯片(Chip on Glass; COG)技术应用在具有显示电路的玻璃衬底上，将驱动IC直接设置在 玻璃衬底上，此技术的优点是提高整体封装密度并减轻重量，从而使得显示 面板更为轻薄，且可减少使用材料降低生产成本。然而有机发光显示装置却常因导线区的导线产生侵蚀，而导致电路烧毁 或短路，因此导致有机发光显示装置的发光区显示不正常，发生例如不正常 亮线或不正常暗线的情形。图l(a)是常规有机发光显示装置封装结构的俯视示意图，所述有机发光 显示装置IO包含形成于衬底100上的发光区110和导线区120。所述发光区 110内包含多个阳极线和多个阴极线(未图示)，叠置在所述衬底100上，并 由上盖体150和衬底100将发光区110内的线路密封在一空间内。所述导线 区120包含多个连接所述阳极线的阳极导线120a以及多个连接所述阴极线 的阴极导线120b，分别叠置在所述发光区110外的衬底100上。图l(b)是图l(a)中的有机发光显示装置封装结构沿A—A剖面线的剖面 图。无论是COF或COG方式的有机发光显示装置，常规有机发光显示装置IO的封装方法是首先将第一封胶层140覆盖在所述发光区IIO外围所述导线区120的衬底100上；接着再将上盖体150覆盖在所述第一封胶层140和所 述发光区110上。最后将第二封胶层160覆盖在所述导线区120的衬底100上。但实际应用上在所述第二封胶层160与所述上盖体150的接缝处仍会有 部分的水气与氧气会渗透进所述封装结构内，使得所述阳极导线120a或所 述阴极导线120b导线受到侵蚀，而导致有机发光显示装置电路发生烧毁或 短路的情形。发明内容本发明的主要目的是提供一种有机发光显示装置的封装方法和结构，其 能降低或避免导线因为环境中水气和氧气导致劣化，减少导线烧毁或短路， 提高显示质量，延长使用寿命，并降低不合格产品的损失成本。所述有机发光显示装置包含形成在衬底上的发光区和导线区，所述导线 区包含多个阳极导线和多个阴极导线。本发明的封装方法包含以下步骤首先，将绝缘材料层覆盖在所述导线 区的部分区域，以包覆所述阳极导线或所述阴极导线；再将第一封胶层覆盖 在所述绝缘材料层上；接着将上盖体覆盖在所述第一封胶层和所述发光区 上；最后将第二封胶层覆盖在所述绝缘材料层上和所述导线区未被覆盖的区 域上，以保护在所述第一封胶层外导线区的所述阳极导线或所述阴极导线不 受外界水气或氧气的侵蚀。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的覆盖方式是蒸镀、溅镀、浸镀、 喷雾、喷印、网印、滚筒、旋转涂布或手动涂抹。在所述封装方法中，所述绝缘材料层是抗氧化绝缘材料，所述抗氧化绝 缘材料是二氧化硅、二氧化钛、氮化硅、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、陶瓷 材料、塑钢材料、特氟龙、聚亚酰胺、或邻甲酚树脂。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的材料是以物理粘附或化学共价键 键合或光化学反应硬化方式成膜覆盖在所述阳极导线或阴极导线上。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的材料的吸水率优选小于0.15%。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的材料的常温绝缘阻抗大于1013Q 。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的材料的热变形温度大于200°C 。在所述封装方法中，所述绝缘材料层的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。 在所述封装方法中，所述第一封胶层的材料优选是紫外光固化树脂。 在所述封装方法中，所述第二封胶层的材料选自硅酮胶或紫外光固化树脂。在所述封装方法中，所述绝缘材料层包覆所述阳极导线。 在所述封装方法中，所述绝缘材料层包覆阳极导线和阴极导线。 在所述封装方法中，包覆所述阳极导线和阴极导线的所述绝缘材料层是由单一区块组成的。在所述封装方法中，包覆所述阳极导线和所述阴极导线的所述绝缘材料层是由多个区块组成的。在所述封装方法中，所述阳极导线和阴极导线共同汇集在所述衬底的同一边。在所述封装方法中，所述阳极导线和阴极导线分别汇集在所述衬底的相 邻边。在所述封装方法中，所述有机发光显示装置的相对应驱动IC采用膜上 芯片封装或玻璃上芯片封装的方式与所述衬底接合。在所述封装方法中，所述阳极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡。 在所述封装方法中，所述阴极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡上涂布有金属层。本发明还提供一种有机发光显示装置的封装结构，包含衬底；发 光区；导线区，包含多个阳极导线和多个阴极导线，叠置在所述发光区外的 衬底上；绝缘材料层，覆盖在所述导线区的部分区域，以至少包覆所述阳极 导线或所述阴极导线；第一封胶层，覆盖在所述绝缘材料层上；上盖体，覆 盖在所述第一封胶层和所述发光区上；和第二封胶层，覆盖在所述绝缘材料 层上和所述导线区未被覆盖的区域上。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述第一封胶层进- 步覆盖在 所述发光区和所述绝缘材料层之间的导线区上。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述第二封胶层粘着接合所述 上盖体的边缘区域。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的覆盖方式是 蒸镀、溅镀、浸镀、喷雾、喷印、网印、滚筒、旋转涂布或手动涂抹。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层是抗氧化绝缘 材料，所述抗氧化绝缘材料是二氧化硅、二氧化钛、氮化硅、环氧树脂、不 饱和聚酯树脂、陶瓷材料、塑钢材料、特氟龙、聚亚酰胺、或邻甲酚树脂。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的材料以物理 黏附或化学共价键键合或光化学反应硬化方式成膜覆盖在所述阳极导线或 阴极导线上。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的材料的吸水率小于0.15%。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的材料的常温 绝缘阻抗大于1013 Q 。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的材料的热变 形温度大于200°C。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层的材料的厚度 介于0.1 ,至1 mm。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述第一封胶层的材料是紫外 光固化树脂。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述第二封胶层的材料可选自 硅酮胶或紫外光固化树脂。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层包覆所述阳极 导线。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述绝缘材料层包覆所述阳极 导线和阴极导线。在所述有机发光显示装置的封装结构中，包覆所述阳极导线和所述阴极 导线的所述绝缘材料层由单一区块组成。在所述有机发光显示装置的封装结构中，包覆所述阳极导线和所述阴极 导线的所述绝缘材料层由多个区块组成。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述阳极导线和所述阴极导线 共同汇集在所述衬底的同一边。 在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述阳极导线和所述阴极导线 分别汇集在所述衬底的相邻边。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述有机发光显示装置的相对 应驱动IC釆用膜上芯片封装或玻璃上芯片封装的方式与所述衬底接合。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述阳极导线的材料是导电玻 璃氧化铟锡。在所述有机发光显示装置的封装结构中，所述阴极导线的材料是导电玻 璃氧化铟锡上涂布有金属层。通过本发明的有机发光显示装置封装方法产生的封装结构，能够完全阻 绝外在的水气与氧气对显示装置邻接发光区的部分导线产生侵蚀。如果所述 第二封胶层与所述上盖体的接缝处有部分的水气与氧气渗透进入所述封装 结构内，那么由于有所述绝缘材料层包覆所述阳极导线或所述阴极导线，使 得导线可免于受到侵蚀，进而使有机发光显示装置电路不会发生烧毁或短路 的情形。
图l(a)是常规有机发光显示装置封装结构的俯视示意图；图l(b)是图l(a)中的有机发光显示装置封装结构的剖面图；图2(a)是本发明第一实施例的有机发光显示装置封装结构的俯视示意图；图2(b)是图2(a)中的有机发光显示装置封装结构的剖面图； 图3(a) 3(d)是本发明的不同实施例中的绝缘材料层覆盖在所述导线区 的俯视图；图4(a)是本发明第二实施例的有机发光显示装置的衬底俯视示意图； 图4(b)所示是绝缘材料层覆盖在图4(a)中所述导线区的俯视图；禾口 图5所示是图3(b)-3(d)中所述绝缘材料层包覆所述阳极导线和阴极导线 的剖面图。
具体实施方式
图2(a)是本发明第一实施例的有机发光显示装置封装结构的俯视示意
图，所述有机发光显示装置封装结构20包含形成在衬底200上的发光区210和导线区220。所述发光区210内包含多个叠置在所述衬底200上的阳极线 和多个阴极线(未图示)，并由上盖体250和衬底200将发光区210内线路 密封在一空间内。所述导线区220包含多个连接所述阳极线的阳极导线22()a 和多个连接所述阴极线的阴极导线220b，分别叠置在所述发光区210外的衬 底200上。所述阳极导线220a和阴极导线220b共同汇集在所述衬底200的 同一边。图2(b)是图2(a)有机发光显示装置封装结构沿B—B剖面线的剖面图。 所述封装结构是以封装方法来实现的，所述方法的步骤如下首先，将绝缘材料层230覆盖在所述导线区220的部分区域，以包覆所 述阳极导线220a或所述阴极导线220b。覆盖方式是对所述阳极导线220a或 阴极导线220b实施蒸镀、溅镀、浸镀、喷雾、喷印、网印、滚筒、旋转涂 布或手动涂抹等方式包覆绝缘材料以隔绝阳极导线或阴极导线与大气的接 触。使用的绝缘材料以满足下列数值为优选实施条件(1)吸水率<0.15%; (2) 常温绝缘阻抗>1013 Q; (3)热变形温度》0(TC; (4)厚度介于0.1 pm lmm。 所述绝缘材料层230的材料可选自二氧化硅(SiO2)、 二氧化钛(Ti02)、氮化硅 (Si3N4)、环氧树脂(Epoxy)、不饱和聚酯树脂、陶瓷材料、塑钢材料、特氟龙 (Teflon)、聚亚酰胺(Poly-Imide)、和邻甲酚树脂(Novolac)等抗氧化绝缘材料。 所述绝缘材料以物理粘附或化学共价键键合或光化学反应硬化方式成膜覆 盖在所述阳极导线220a或阴极导线220b上。接着再将第一封胶层240覆盖在所述绝缘材料层230上，和所述发光区 210与所述绝缘材料层230之间的导线区220上。所述第一封胶层240的材 料在本实施例为紫外光固化树脂(UV胶)。再将上盖体250覆盖在所述第一封胶层240和发光区210之上。因为所 述第一封胶层240能紧密粘着接合所述上盖体250与衬底200，从而使得所 述发光区210位于密封的空间内。最后将第二封胶层260覆盖在所述绝缘材 料层230上和导线区220的未被覆盖区域上。所述第二封胶层260能粘着接 合所述上盖体250的边缘区域，以保护在第一封胶层240外导线区220的所 述阳极导线220a或所述阴极导线220b不受外界水气或氧气的侵蚀。所述第 二封胶层260的材料可选自硅酮胶(Silicone)或紫外光固化树脂(UV胶)。
通过本发明的有机发光显示装置封装方法产生的封装结构，能够完全阻 绝外在的水气与氧气对显示装置的外部导线产生的侵蚀。如果所述第二封胶层260与所述上盖体250的接缝处有部分的水气与氧气渗透进入所述封装结 构内，那么由于有所述绝缘材料层230包覆所述阳极导线220a或所述阴极 导线220b，使得导线可免于受到侵蚀，进而使有机发光显示装置电路不会发 生烧毁或短路的情形。图3(a) 3(d)是本发明的不同实施例中的绝缘材料层覆盖在所述导线区 的俯视图。如图3(a)所示，所述衬底200上覆盖绝缘材料层231在导线区220的部 分区域，所述单一区块的绝缘材料层231包覆所述阳极导线220a。如图3(b)所示，所述衬底200上覆盖绝缘材料层232在导线区220的部 分区域，并向左右延伸包覆所述阳极导线220a和阴极导线220b，即以单--区块的绝缘材料层232包覆所述阳极导线220a和阴极导线220b。如图3(c)所示，所述衬底200上覆盖绝缘材料层233在导线区220的部 分区域。所述绝缘材料层233包含三个不相连接的区块233a、 233b和233c， 绝缘材料层区块233b包覆所述阳极导线220a，绝缘材料层区块233a和233c 分别包覆两侧的所述阴极导线220b。如图3(d)所示，所述衬底200上覆盖单一区块的绝缘材料层234在导线 区220的部分区域，除向左右延伸包覆所述阳极导线220a和阴极导线220b 外，进一步向所述衬底200的两侧向上延伸包覆阴极导线220b。图4(a)是本发明第二实施例的有机发光显示装置的衬底400的俯视示意 图，所述有机发光显示装置包含形成在衬底400上的发光区410和导线区 420。发光区410内包含多个叠置在所述衬底400上的阳极线和多个阴极线 (未图示)。所述导线区420包含多个连接所述阳极线的阳极导线420a和多 个连接所述阴极线的阴极导线420b，叠置在所述发光区410外的衬底400上。 与图3(a)不同的是所述阳极导线420a和阴极导线420b分别汇集在所述衬底 400的相邻边。图4(b)所示是将绝缘材料层430覆盖在图4(a)中所述导线区420的部分 区域的俯视图，图4(b)所示的绝缘材料层430分别包覆阳极导线420a和阴极 导线420b。 图5所示是图3(b)-3(d)中所述绝缘材料层230包覆阳极导线220a和阴极 导线220b的剖面图。所述阳极导线220a的材料是导电玻璃氧化铟锡(indium tin oxide; ITO)，所述阴极导线220b的材料是导电玻璃氧化铟锡220bl上涂 布有金属层220b2以增加导电电流。不论有机发光显示装置的相对应驱动IC采用膜上芯片(COF)还是玻璃上 芯片(COG)的方式与所述有机发光显示装置的衬底接合，都适用本发明实施 例的有机发光显示装置的封装方法和结构。本发明的技术内容和技术特点已揭示如上，然而所属领域的技术人员仍 可能基于本发明的教示和揭示而作出各种不脱离本发明精神的替换和修改。 因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不脱 离本发明的替换和修改，并为所附的权利要求书所涵盖。
权利要求
1.一种有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所述方法包含步骤提供具有发光区和导线区的衬底，其中所述导线区包含多个阳极导线和多个阴极导线；将绝缘材料层覆盖在所述导线区的部分区域上，且至少包覆所述阳极导线或所述阴极导线；将第一封胶层覆盖在所述绝缘材料层上；将上盖体覆盖在所述第一封胶层和所述发光区上；和将第二封胶层覆盖在所述导线区的绝缘材料层上和所述导线区未被覆盖的区域上。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的覆盖方式是蒸镀、溅镀、浸镀、喷雾、喷印、网印、滚筒、 旋转涂布或手动涂抹。
3. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层是抗氧化绝缘材料，所述抗氧化绝缘材料是二氧化硅、二氧化 钛、氮化硅、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、陶瓷材料、塑钢材料、特氟龙、 聚亚酰胺、或邻甲酚树脂。
4. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的材料以物理粘附或化学共价键键合或光化学反应硬化方式 成膜覆盖在所述阳极导线或阴极导线上。
5. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的材料的吸水率小于0.15%。
6. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的材料的常温绝缘阻抗大于1013 Q。
7. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的材料的热变形温度大于200°C 。
8. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。
9. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述第一封胶层的材料是紫外光固化树脂。
10. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述第二封胶层的材料选自硅酮胶或紫外光固化树脂。
11. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述绝缘材料层包覆所述阳极导线。
12. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所述绝缘材料层包覆所述阳极导线和所述阴极导线。
13. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于 包覆所述阳极导线和所述阴极导线的所述绝缘材料层由单一区块组成。
14. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于 包覆所述阳极导线和所述阴极导线的所述绝缘材料层由多个区块组成。
15. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述阳极导线和所述阴极导线共同汇集在所述衬底的同一边。
16. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述阳极导线和所述阴极导线分别汇集在所述衬底的相邻边。
17. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述有机发光显示装置的相对应驱动IC采用膜上芯片封装或玻璃上芯片封装 的方式与所述衬底接合。
18. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述阳极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡。
19. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置的封装方法，其特征在于所 述阴极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡上涂布有金属层。
20. —种有机发光显示装置的封装结构，其特征在于包含 衬底；发光区；导线区，包含多个阳极导线和多个阴极导线，叠置在所述发光区外的衬 底上；绝缘材料层，覆盖在所述导线区的部分区域，以至少包覆所述阳极导线 或所述阴极导线；第一封胶层，覆盖在所述绝缘材料层上；上盖体，覆盖在所述第一封胶层和所述发光区上；和第二封胶层，覆盖在所述绝缘材料层上和所述导线区未被覆盖的区域
21. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述第一封胶层进一步覆盖在所述发光区和所述绝缘材料层之间的导线区 上。
22. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述第二封胶层粘着接合所述上盖体的边缘区域。
23. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的覆盖方式是蒸镀、溅镀、浸镀、喷雾、喷印、网印、滚筒、 旋转涂布或手动涂抹。
24. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层是抗氧化绝缘材料，所述抗氧化绝缘材料是二氧化硅、二氧 化钛、氮化硅、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、陶瓷材料、塑钢材料、特氟龙、 聚亚酰胺、或邻甲酚树脂。
25. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的材料以物理黏附或化学共价键键合或光化学反应硬化方 式成膜覆盖在所述阳极导线或阴极导线上。
26. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的材料的吸水率小于0.15%。
27. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的材料的常温绝缘阻抗大于10'3 Q。
28. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的材料的热变形温度大于20(TC。
29. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层的材料的厚度介于0.1 pm至1 mm。
30. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述第一封胶层的材料是紫外光固化树脂。
31. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述第二封胶层的材料可选自硅酮胶或紫外光固化树脂。
32. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层包覆所述阳极导线。
33. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述绝缘材料层包覆所述阳极导线和所述阴极导线。
34. 根据权利要求33所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 包覆所述阳极导线和所述阴极导线的所述绝缘材料层由单一区块组成。
35. 根据权利要求33所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 包覆所述阳极导线和所述阴极导线的所述绝缘材料层由多个区块组成。
36. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在F 所述阳极导线和所述阴极导线共同汇集在所述衬底的同一边。
37. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在f 所述阳极导线和所述阴极导线分别汇集在所述衬底的相邻边。
38. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在f 所述有机发光显示装置的相对应驱动IC采用膜上芯片封装或玻璃上芯片封 装的方式与所述衬底接合。
39. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述阳极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡。
40. 根据权利要求20所述的有机发光显示装置的封装结构，其特征在于 所述阴极导线的材料是导电玻璃氧化铟锡上涂布有金属层。
全文摘要
本发明揭示一种有机发光显示装置的封装方法，所述封装方法包含以下步骤首先，将绝缘材料层覆盖在衬底上导线区的部分区域，以包覆所述导线区的阳极导线或阴极导线，其中所述衬底包含所述导线区和发光区；再将第一封胶层覆盖在所述绝缘材料层上；接着将上盖体覆盖在所述第一封胶层和所述发光区上；最后将第二封胶层覆盖在所述导线区的绝缘材料层上和所述衬底上。本发明的有机发光显示装置的封装结构，由于有所述绝缘材料层包覆所述阳极导线或所述阴极导线，能够完全阻绝外在的水气和氧气渗入，以保护在所述第一封胶层外导线区的所述阳极导线或所述阴极导线不受氧化侵蚀。
文档编号H01L21/02GK101154600SQ20061015272
公开日2008年4月2日 申请日期2006年9月25日 优先权日2006年9月25日
发明者廖孟杰, 邹忠哲 申请人:铼宝科技股份有限公司