专利名称：电致发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电致发光装置。
背景技术：
以往，从轻量化、薄型化、低消耗功率化等观点出发，积极开发了将有机电致发光元件设置于每个像素的显示器和曝光头等电致发光装置。这种有机电致发光元件(以下，称作“有机EL元件”)，一般形成为在两个电极之间夹着由有机材料构成的发光层的结构，当搭载于显示器等中时，具备了具有上述结构的有机EL元件的像素在基板上配置为矩阵状。另外，在有源矩阵方式的发光装置中，在基板上形成有用于控制向有机EL元件供给的驱动电流的薄膜晶体管(TFT)。另外，基板在其各薄膜晶体管(TFT)上具备平坦化层，并且在该平坦化层上形成有机EL元件。
但是，上述有机EL元件容易受到水分的影响而恶化。具体而言，如果水分浸入有机EL元件，则构成发光层的材料就会变形，或发光层与电极(阴极)之间的界面剥离而向发光层无法供给来自电极(阴极)的载流子(电子)。其结果，像素的一部分或全部一直不发光而发生所谓的黑斑(暗点dark spot)。于是存在下述问题，即当平坦化层中含有水分时，由来自薄膜晶体管或发光层的热而水分被加热，从平坦化层介由电极到达发光层，其结果就会发生黑斑(暗点)。
因此提出了在位于有机EL元件侧的平坦化层的整个面上，形成由氮氧化硅构成的具有防湿性的无机阻挡层(barrier layer)，由此抑制来自平坦化层的水分浸入有机EL元件的装置(例如，参照专利文献1)。
专利文献1特开2003-297551号公报但是，在上述文献中所记载的装置中存在下述问题，即虽然如上所述那样在平坦化层的整个面上形成有无机阻挡层，但是当在无机阻挡层上出现针孔(pinhole)等缺陷时，水分介由该缺陷浸入有机EL元件内。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够可靠地抑制因水分而导致发光特性恶化的电致发光装置。
本发明的电致发光装置，具备多个电致发光元件，该电致发光元件在基板上具备第一电极、第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少包括发光层的功能层，其特征在于，所述电致发光装置具备阻挡层，对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组，该阻挡层针对各组的一个以上的电致发光元件，抑制来自所述基板的水分的移动，所述阻挡层，与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成。
根据上述发明，由于在基板上与形成有电致发光元件的区域对应而以岛状设置阻挡层，因此在阻挡层与邻接配置的其他阻挡层之间存在未形成有阻挡层的区域。于是，如果在形成阻挡层之后且形成功能层之前的阶段，对基板进行加热，则经过未形成有所述阻挡层的区域在基板中含有的水分蒸发而被放出到外部。而且，之后在基板上形成功能层和电极来形成电致发光元件，由此能够尽量使内在于基板中的水分为少量。另外，利用位于各电致发光元件的正下方的阻挡层，抑制残留在基板中的水分即制造时未被放出外部而残留的水分浸入功能层。结果，能够可靠地抑制黑斑的发生。
另外，在本说明书中，基板是指具备了例如在无碱玻璃基板上形成有薄膜晶体管(TFT)或其他电子元件的层(电路形成层)的部件。
在该电致发光装置中，所述第二电极具有光透过性，在所述第一电极与所述阻挡层之间也可形成有光反射层，该光反射层将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射。
根据上述发明，对于将由发光层发出的光在光反射层反射而从第二电极出射到外部的、所谓的顶部发射型电致发光装置，也能够可靠地抑制因该水分而导致的发光特性的恶化。
在该电致发光装置中，所述基板具备划分所述各电致发光元件的绝缘层，构成所述绝缘层的材料为与构成所述基板的材料相同的材料即可。
根据上述发明，内在于基板的水分从绝缘层表面透过而容易放出外部。从而，由于可更加减小内在于基板的水分量，因此能够更加可靠地抑制因水分而导致发光特性恶化。
在该电致发光装置中，所述阻挡层也可由氮化硅构成。
根据上述发明，能够可靠地阻止内在于基板的水分到达功能层。
在该电致发光装置中，所述阻挡层也可由氮氧化硅构成。
根据上述发明，氮化硅(SiN)具有密集的结晶结构，存在由于基板材料而弯曲(warp)之虞，但是氮氧化硅(SiON)与氮化硅(SiN)相比，应力小，因此没有弯曲之虞。从而，尤其将阻挡层能够可靠地形成于基板上。
在该电致发光装置中，所述第二电极具有光反透过性，在所述发光层与所述第一电极之间也可具备光透过层，该光透过层用于调整所述第二电极与所述反射层之间的光学距离，并且具有光透过性。
根据上述发明，如果使光透过层的膜厚变化，则可调整第一电极与第二电极之间的光学距离。从而，对于具有通过在所述第一电极与所述第二电极之间反射从发光层出射的光，来增强规定波长的光而向外部放射的、所谓的微腔谐振器结构的电致发光装置，能够可靠地抑制因该水分而导致发光特性的恶化。
另外，由于将所述光透过层由耐腐蚀性良好的材料构成，以使能够抑制因第一电极而导致发光层变质，因此能够扩大发光层材料选择范围。
本发明的电致发光装置，具备电致发光元件，该电致发光元件在基板上具有第一电极、具有光透过性的第二电极、配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少包括发光层的功能层，其特征在于，在所述电致发光装置中形成有光反射层，对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组，该光反射层针对各组的一个以上的电致发光元件，形成一个将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射，所述光反射层，与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成，将所述光反射层的膜厚制成为抑制来自所述基板的水分的移动的膜厚。
根据上述发明，在基板上，与形成有电致发光元件的区域对应而以岛状设置具有可抑制水分的移动的厚度的光反射层，因此在光反射层与邻接配置的其他光反射层之间，存在未形成有光反射层的区域。从而，如果在形成光反射层之后且形成功能层之前的阶段，对基板进行加热，则经过未形成有所述光反射层的区域在基板中含有的水分蒸发而被放出外部。而且，之后在基板上形成功能层和电极来形成电致发光元件，由此能够尽量使内在于基板中的水分为少量。另外，利用位于各电致发光元件的正下方的阻挡层，抑制残留在基板中的水分即制造时未被放出外部而残留的水分浸入功能层。结果，能够可靠地抑制黑斑的发生。
在该电致发光装置中，所述光反射层由铝构成，其膜厚为100～5000即可。
根据上述发明，能够可靠地阻止内在于基板的水分到达功能层。
图1是本发明的有机电致发光装置的俯视图。
图2(a)是用于说明第一实施方式的有机电致发光装置的构成的图、图2(b)是其剖视图。
图3(a)、(b)、(c)是用于分别说明本实施方式的有机电致发光装置的制造方法的图。
图4(a)、(b)、(c)是用于分别说明本实施方式的有机电致发光装置的制造方法的图。
图5是用于说明比较例的有机电致发光装置的剖视图。
图6是用于说明比较例的有机电致发光装置的剖视图。
图7是用于说明第二实施方式的有机电致发光装置的构成的图。
图中S-作为基板的元件基板；10-作为电致发光装置的有机电致发光装置；12-作为电致发光元件的有机电致发光元件；14-绝缘层；15-阻挡层；16-光反射层；17-光透过层；18-作为第一电极的像素电极；19-功能层；20-作为第二电极的对置电极。
具体实施例方式
(第一实施方式)以下，按照附图，对作为本发明的电致发光装置的有机电致发光装置进行说明。另外，在以下说明的本实施方式的有机电致发光装置是，将光出射面作为与基板对置的面(对置电极侧)的、所谓的顶部发射(topemission)型的有机电致发光装置。
如图1所示，作为电致发光装置的有机电致发光装置(以下，称作“有机EL装置”)10在形成于作为基板的元件基板S上的中央的大致长方形的区域ZG内，具备了以矩阵状配置的多个像素11。如图2(a)所示，元件基板S具备沿着一个方向(图2(a)中是横方向)延设的多个扫描线LY；以及，按照与各扫描线LY交叉的方式延设的多个数据线LX。
而且，在与各扫描线LY与各数据线LX之间的交叉所对应的位置上配置有一个像素11。各像素11由公知的像素电路构成，该像素电路具备了作为电致发光元件的有机电致发光元件(以下，称作“有机EL元件”)12、以及用于控制向该有机EL元件12供给的驱动电流的薄膜晶体管(TFT)13a、13b和电容元件C等。更详细而言，薄膜晶体管(TFT)13b是根据从扫描线LY供给的扫描信号，被导通/截止控制的作为开关元件发挥功能的晶体管，薄膜晶体管(TFT)13a是根据介由数据线LX供给的数据信号，生成电流(驱动电流)的驱动晶体管。另外，电容元件C用于蓄积与数据信号相应的电荷量。
如图2(b)所示，元件基板S具备玻璃基板S1和配置于玻璃基板S1上的电路形成层S2。玻璃基板S1是由一般使用的无碱玻璃制造的，但是取代玻璃基板S1而也可为由丙烯酸树脂制造的基板。电路形成层S2具备上述的扫描线LY、数据线LX、薄膜晶体管(TFT)13a、13b和电容元件C等之类的构成上述像素11的各种电路元件、以及按照覆盖这些各种电子元件的方式形成的平坦化膜。本实施方式的平坦化膜由丙烯酸树脂构成。而且，该电路形成层S2的平坦化膜被充分地干燥处理过。因此，在该电路形成层S2的平坦化膜的内部中只内在有少量的水分。
在电路形成层S2上形成有绝缘层14，该绝缘层14在形成有各像素11的区域具有开口部分Qo。绝缘层14由与电路形成层S2相同的材料构成，在本实施方式中由丙烯酸树脂构成。另外，在电路形成层S2上即绝缘层14的开口部分Qo所对应的区域，设置有膜厚为d1的阻挡层15。即，如图2(a)所示，各阻挡层15与形成有有机EL元件12的区域对应而以岛(island)状配置形成。阻挡层15由可抑制水分的透过的材料构成。本实施方式的阻挡层15由氮化硅(SiN)构成，其膜厚d1为5000。
另外，在阻挡层15上形成有光反射层16。光反射层16以能够反射由后述的功能层19的发光层发出的光的程度的厚度来构成。本实施方式的光反射层16由铝(Al)构成，其厚度d2为500。在光反射层16上按照覆盖其整个面的方式具有光透过性，并且，形成有具备电绝缘性的光透过层17。另外，光透过层17相对光反射层16和其他材料以耐腐蚀性良好的材料构成。另外，光透过层17按照从像素11出射的光成为希望的波长的方式，预先调整了其膜厚。
在光透过层17上形成有作为第一电极的像素电极18。像素电极18由具有光透过性的导电材料构成，在本实施方式中由铟锡氧化物(ITO)构成。另外，像素电极18不限定于铟锡氧化物(ITO)，也可由氧化锌(ZnO)之类的材料构成。而且，如上所述，由于光透过层17相对其他材料由耐腐蚀性良好的材料构成，因此即使当如本实施方式那样光反射层16由铝(Al)构成时，通过与像素电极18反应，由此也不会使像素电极18变质。即，光透过层17还作为电腐蚀防止层发挥功能。
在像素电极18上形成有功能层19，该功能层19上还同时形成于绝缘层14上。功能层19是具备了由有机材料构成的发光层、和用于向发光层有效地注入载流子的电荷注入层等的层叠体。另外，发光层，例如由含有羟基喹啉铝配位化合物(Alq3)的材料构成。
在功能层19上设置有作为第二电极的对置电极20。对置电极20作为像素电极18的对置电极发挥作用。对置电极20由具有光透过性的导电材料构成，在本实施方式中使用了使镁和银的化合物(Mg-Ag)按照光透过的程度充分变薄的材料。而且，由上述的像素电极18、对置电极20、配置于上述像素电极18与对置电极20之间的功能层19构成有机EL元件12。如上所述，上述阻挡层15与形成有有机E1元件12的区域对应而以岛状配置形成。例如，阻挡层15的平面形状也可具有包括了形成有上述像素电极18的区域的岛状的形状。具有下述结构，即通过由功能层19的发光层发出的光在光反射层16与对置电极20之间重复反射(共振)，以使增强对应于该光反射层16与对置电极20之间的距离的波长的光的、所谓的微腔谐振器(micro cavity)结构。
在对置电极20上形成有电极保护层21。电极保护层21由具有光透过性，并且可保护对置电极20的材料构成。而且，在电极保护层21上形成有公知的由具有光透过性的材料构成的钝化层22。
这样构成的有机EL装置10，由于在电路形成层S2上即形成有各有机EL元件12的区域形成有阻挡层15，因此由该阻挡层15来抑制在电路形成层S2的由上述丙烯酸树脂构成的平坦化膜的内部中内在的少量的水分浸入功能层19内部。即，抑制了上述水分浸入上述功能层19中的至少与形成有上述像素电极18的区域重叠的区域中存在的功能层的内部。
接下来，按照图3和图4，对上述的有机EL装置10的制造方法进行说明。
首先，在玻璃基板S1上利用光刻法(lithography)等形成了扫描线LY、数据线LX、薄膜晶体管(TFT)13a、13b等各种电路元件后，蒸镀丙烯酸树脂并实施CMP处理，来形成平坦化层，由此形成电路形成层S2。然后，在电路形成层S2上载置未图示的掩模(mask)，在该状态下蒸镀氮化硅(SiN)，由此在至少包括形成有上述有机EL元件12的区域的区域，以岛状形成厚度d1(＝5000)的阻挡层15(参照图3(a))。
接着，通过公知的方法在阻挡层15上依次形成光反射层16、光透过层17、像素电极18和绝缘层14。这是通过蒸镀法在阻挡层15上形成膜厚d2(＝500)的铝(Al)，来形成光反射层16，然后通过按照覆盖光反射层16的方式蒸镀光透过性材料，来形成光透过层17。接着，通过在光透过层17上蒸镀形成铟锡氧化物(ITO)，来形成像素电极18，然后，在整个面上蒸镀形成丙烯酸树脂。接着，载置在与形成有像素电极18的区域对置的位置具有开口部分的掩模(未图示)，并且进行蚀刻处理，由此在形成有像素电极18的区域形成开口部分Qo，来形成绝缘层14(参照图3(b))。
接着，进行如上所述的操作后，进行在电路形成层S2上形成有阻挡层15、光反射层16、光透过层17、像素电极18和绝缘层14的元件基板S的干燥处理。在本实施方式中，通过在大气气氛中150℃下进行1小时的烘焙(bake)来进行上述干燥处理。而且，在本实施方式中，在烘焙中使用了加热板(hot plate)。通过上述方式，如图3(c)所示，内在于元件基板S、阻挡层15、光反射层16、光透过层17、像素电极18和绝缘层14中的水分被加热。而且，被加热的水分经过元件基板S的电路形成层S2上的阻挡层15与相邻的其他阻挡层15之间的区域R而向绝缘层14移动。而且，移动到绝缘层14中的水分，经过绝缘层14内部蒸发到外部。此时，由于电路形成层S2的平坦化层和绝缘层14均由丙烯酸树脂构成，所以电路形成层S2的平坦化层中的水分，经过绝缘层14容易被放出外部。
即，在形成有上述有机EL元件12的区域中，由在上述有机EL元件12形成区域下以岛状设置的上述阻挡层15，防止了上述水分浸入上述有机EL元件12，在未形成有上述有机EL元件12的区域中，上述水分经过未形成有上述阻挡层的上述区域R被放出外部。
结果完成了在图4(a)所示的电路形成层S2的平坦化膜的内部只内在少量的水分，并且在元件基板S上具备了绝缘层14、阻挡层15、光反射层16、光透过层17的基板。接着，如图4(b)所示，在像素电极18上形成功能层。通过将在规定的溶剂中溶解含有羟基喹啉铝配位化合物(Alq3)的材料而得到的液状体通过旋转涂敷法(spin coat)法在像素电极18和绝缘层14上涂布后进行干燥，由此在像素电极18上形成功能层。
接着，如图4(c)所示，溅射镁和银的化合物(Mg-Ag)，来形成对置电极20。然后，通过公知方法，依次形成电极保护层21和钝化层22。通过上述方式，完成有机E1装置10。
接下来，按照图5和图6，对上述的有机EL装置10的作用进行说明。图5和图6分别是作为关于本实施方式的有机EL装置10的比较例的有机EL装置的剖视图。
图5所示的有机EL装置30是具有除了未形成阻挡层15之外，其他构成与本实施方式的有机EL装置10相同的构成的有机EL装置。当将该有机EL装置30在95℃下放置500小时之后，使各有机EL元件发光时，在每1cm2确认了200个黑斑(暗点)。
图6所示的有机EL装置40是具有除了在电路形成层S2的整个面上形成有阻挡层S3以外，其他构成与本实施方式的有机EL装置10相同的构成的有机EL装置。当将该有机EL装置40与上述同样地在95℃下放置500小时之后，使各有机EL元件发光时，在每1cm2确认了300个黑斑(暗点)。
与此相对，在本实施方式相关的图2(b)所示的有机EL装置10中，与上述相同，在95℃下放置500小时后，使各有机EL元件发光的情况下，在每1cm2确认没有黑斑(暗点)。
如上所述，根据本实施方式，起到以下效果。
(1)根据本实施方式，在元件基板S的电路形成层S2上即形成有各有机EL元件12的区域形成了阻挡层15。而且，在元件基板S的电路形成层S2上形成阻挡层15后(也就是，形成功能层19之前)，加热元件基板S，将内在于电路形成层S2中的水分从电路形成层S2除去。于是，在加热了元件基板S时，水分经过未形成有阻挡层15的区域蒸发，因而能够有效地除去元件基板S的电路形成层S2中的水分。结果，能够使电路形成层S2的平坦化膜充分地干燥。
(2)根据本实施方式，使电路形成层S2的平坦化膜充分地干燥之后，形成功能层19、对置电极20，来形成有机EL元件12。从而，在电路形成层S2中未被蒸发而残留的水分，由该阻挡层15被拦截而不会浸入功能层19内部，因此能够可靠地抑制黑斑的发生。
(3)根据本实施方式，将有机EL装置10作为，由具有光透过性的材料构成对置电极20，并且在像素电极18与阻挡层15之间具备光反射层16，而且将由功能层19的发光层发出的光向对置电极侧出射的、所谓的顶部发射型。从而，由于这样可充分地除去顶部发射型的有机EL装置中的元件基板S中的水分，因此能够扩大该元件基板的材料选择范围。
(4)根据本实施方式，将电路形成层S2的平坦化层和绝缘层14用相同材料形成。从而，内在于电路形成层S2的水分从绝缘层14透过而容易放出外部。结果，由于能够更减少在元件基板S的水分量，因此能够可靠地抑制黑斑的发生。
(5)根据本实施方式，将阻挡层15由氮化硅(SiN)构成。由于氮化硅(SiN)具有密集的结晶结构，因此能够可靠地阻止内在于元件基板S的水分到达功能层。
(6)根据本实施方式，在各有机EL元件12，在将由发光层发出的光反射的光反射层16与对置电极20之间设置了光透过层17。而且，通过调整光透过层17的膜厚，以使对应光反射层16与对置电极20之间的光学距离的规定波长的光共振。对具备这种结构的有机EL元件12，可靠地抑制来自该元件基板S的水分的浸入，从而能够抑制黑斑的发生。
(7)根据本实施方式，将光透过层17以耐腐蚀性良好的材料来构成，因此能够抑制像素电极18由光反射层16而变质。结果，能够扩大像素电极18和光反射层16的材料选择范围。
(第二实施方式)接下来，按照图7，对本发明的第二实施方式的有机EL装置10A进行说明。
如图7所示，本实施方式的有机EL装置10A未形成有上述第一实施方式的有机EL装置10的阻挡层15。另外，在本实施方式中，光反射层16的膜厚为可抑制水分的透过的膜厚。本实施方式的光反射层16，其膜厚d2未5000。
如上所述，根据本实施方式，起到以下效果。
(1)根据本实施方式，在元件基板S的电路形成层S2上即形成有各有机EL元件12的区域，形成了可抑制水分的透过的膜厚的光反射层16。从而，光反射层16与对置电极20成对，以使有机EL元件12具有微腔谐振器结构，并且拦截未蒸发而残留在电路形成层S2中的水分，能够使该水分不会浸入功能层19内部。结果，能够可靠地抑制黑斑的发生。
此外，本发明的实施方式不限于上述实施方式，也可实施为如下。
在上述第一实施方式中，对每个有机EL元件12设置了阻挡层15，但是本发明不限于此。例如，将2～100个有机EL元件12作为一组，对属于该组的有机EL元件12公共设置阻挡层15。
在上述第二实施方式中，对每个有机EL元件12设置了光反射层16，但是本发明不限于此。例如，将2～100个有机EL元件12作为一组，对属于该组的有机EL元件12公共设置光反射层16。
在上述第一实施方式中，将阻挡层15的膜厚设为5000，但是本发明不限于此。总之，只要为抑制内在于电路形成层S2中的水分移动来防止水分浸入功能层19内部的程度的膜厚即可。例如，阻挡层15的膜厚优选在100～30000的范围内。
上述第二实施方式中，将光反射层16的膜厚设为5000，但是本发明不限于此。总之，只要为抑制内在于电路形成层S2中的水分移动来防止水分浸入功能层19内部的程度的膜厚即可。例如，阻挡层15的优选膜厚在100～30000的范围内。
在上述各实施方式中，在功能层19的整个面上形成有对置电极20，但是在该功能层19与对置电极20之间也可形成有辅助布线层。通过采用这种方式，可使对置电极20的电阻值降低，因此能够使对置电极20上的电位均等。结果，由于能够使各有机EL元件12的亮度均等，因此能够提高所显示的画质。
在上述各实施方式中，具体化到从对置电极20侧出射由有机EL元件12发出的光的、所谓的顶部发射型的有机EL装置10、10A，但是本发明不限于此。也可具体化到从玻璃基板S1侧出射由有机EL元件12发出的光的、所谓的反向发射(back emission)型的有机EL装置。通过采用上述方式，能够得到与上述各实施方式同样的效果。
在上述第一实施方式中，将阻挡层15由氮化硅(SiN)构成，但是本发明不限于此，也可由其他材料构成。例如，也可由氮氧化硅构成阻挡层。当由氮氧化硅构成阻挡层时，与由氧化硅(SiN)构成的情况相比，能够减小应力，因此能够在元件基板S的电路形成层S2上可靠地形成。
在上述各实施方式中，将电路形成层S2的平坦化层和绝缘层14均由丙烯酸树脂构成，但是本发明不限于此，也可由其他材料构成。例如，也可由酚醛清漆(novolak)树脂构成。总之，只要将电路形成层S2的平坦化层和绝缘层14由相同的材料构成即可。
在上述各实施方式中，具体化到作为电致发光元件的由有机材料构成功能层的有机电致发光元件，但是本发明不限于此，也可具体化到由无机材料构成功能层的无机电致发光元件。在该情况下，电致发光装置为无机电致发光装置，而不是在各实施方式中所记载那样的有机电致发光装置。
权利要求
1.一种电致发光装置，具备多个电致发光元件，该电致发光元件在基板上具备第一电极、第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少包括发光层的功能层，所述电致发光装置具备阻挡层，对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组，该阻挡层针对各组的一个以上的电致发光元件，抑制来自所述基板的水分的移动，所述阻挡层，与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其特征在于，所述第二电极具有光透过性，在所述第一电极与所述阻挡层之间形成有光反射层，该光反射层将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射。
3.根据权利要求1或2所述的电致发光装置，其特征在于，所述基板具备用于划分所述各电致发光元件的绝缘层，构成所述绝缘层的材料为与构成所述基板的材料相同的材料。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电致发光装置，其特征在于，所述阻挡层由氮化硅构成。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的电致发光装置，其特征在于，所述阻挡层由氮氧化硅构成。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的电致发光装置，其特征在于，所述第二电极具有光反透过性，在所述发光层与所述第一电极之间具备光透过层，该光透过层用于调整所述第二电极与所述反射层之间的光学距离并且具有光透过性。
7.一种电致发光装置，具备电致发光元件，该电致发光元件在基板上具有第一电极、具有光透过性的第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少具有发光层的功能层，在所述电致发光装置中形成有一个光反射层，对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组，该光反射层针对各组的一个以上的电致发光元件，将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射，所述光反射层，与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成，将所述光反射层的膜厚制作为抑制来自所述基板的水分的移动的厚度。
8.根据权利要求7所述的电致发光装置，其特征在于，所述光反射层由铝构成，其膜厚为100～5000。
全文摘要
本发明的电致发光装置，在元件基板(S)的电路形成层(S2)上的形成有各有机EL元件(12)的区域形成了阻挡层15。而且，在元件基板(S)的电路形成层(S2)上形成阻挡层15后，对元件基板(S)进行加热，从电路形成层(S2)除去内在于电路形成层(S2)中的水分。然后，形成功能层(19)、对置电极(20)，来形成有机EL元件(12)。从而，未蒸发而残留在电路形成层(S2)中的水分，由该阻挡层(15)被拦截而不浸入功能层(19)内部，因此有机EL元件(12)的功能层不会被水分浸湿。本发明提供一种能够可靠地抑制因水分而导致发光特性恶化的电致发光装置。
文档编号H01L51/52GK101064338SQ20071008567
公开日2007年10月31日 申请日期2007年3月6日 优先权日2006年3月6日
发明者安川浩司 申请人:精工爱普生株式会社