专利名称：单束激光辅助led芯片与热沉直接钎焊的方法
技术领域：
本发明涉及一种LED芯片与热沉的钎焊方法。
技术背景随着国民经济和科学技术的高速发展，LED芯片正向大功率集成化的方 向发展，LED芯片的散热问题愈加突出。如何改进封装结构，采用全新的设 计理念和低热阻封装结构和技术正成为LED业界内努力的方向。传统封装方式，从芯片到热沉之间通常夹有多种如陶瓷基板或胶粘层的高 热阻材料，正是这些夹在芯片和热沉之间的高热阻材料形成了芯片封装中散热 问题的瓶颈。因此简化芯片到热沉之间的封装层次和工艺，必将成为功率型 LED封装的一种发展趋势。申请号为200710144581.6、发明专利名称为"LED 芯片与热沉直接封装的散热组件及其制造设备和方法"的中国发明专利提出了 一种新的功率LED封装结构，在芯片到热沉之间只有高热传导率的钎料层， 热阻可忽略不计，如图l，它虽然解决了芯片封装的散热问题，但是芯片与热 沉之间的钎焊，采用的是传统的生产工艺，即芯片贴装热沉上后置于回流焊炉 中进行钎焊。运用此种方法，存在着以下问题1、铜、铝热沉由于其高导热 率，在回流焊中需较长的加热保温时间以达到钎焊温度，而较长时间的高温极 易对LED芯片造成热损害，尤其是对于多达由几十片、几百片的LED组成的 阵列来说，其成品率和质量较难保证；2、整体加热引线键合焊盘受到氧化或 污染，导致键合质量下降；3、定位困难，难以定位准确，影响封装的光学质发明内容本发明是为了解决现有传统的封装方法中较长时间的高温对LED芯片造 成热损害，以及键合质量低、定位困难、定位不准影响封装的光学质量的缺点， 而提出的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法。本发明由下列步骤完成步骤一在矩形管状热沉1-5上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉
金属膜1-4，在热沉金属膜1-4的上表面再镀或印刷上钎料层1-3，形成预设的 焊盘；步骤二将激光器发射头2-l固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机 头为真空吸嘴2-3;步骤三首先采用多头贴片机的真空吸嘴2-3吸取镀有芯片金属膜1-2的LED芯片处于等待状态；步骤四令激光器发射头2-l对准待焊焊盘；步骤五启动激光器，激光束2-2加热钎料并使之熔化；步骤六激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头2-1置于下一个焊接位置，将真空吸嘴2-3行进至该焊盘上；步骤七真空吸嘴2-3快速下降使LED芯片1-1的芯片金属膜1-2与热焊盘接触，直至钎料层l-3凝固；步骤八真空吸嘴2-3卸压复位；步骤九真空吸嘴2-3吸取下一个LED芯片1-1，重复上述程序，即可进 行下一个I^D芯片1-1的键合。本发明具有如下优点1、能量集中，对热沉只有局部点加热，不会造成 矩形管状热沉1-5及钎料层1-3的氧化和污染；2、由于激光功率密度高，加 热焊盘至钎料熔化一般不超过两秒时间，所以成品率高、生产效率高；3、激 光钎焊易于实现自动化，与芯片贴装机配合使用，具有智能化和柔性化制造的 特点，控制精确，键合质量好，定位准确，使产品达到较好的光学效果。激光 器采用10.6um波长的C02激光器和1.06um波长的YAG激光器。
图1是LED芯片与热沉直接封装的散热组件结构示意图；图2是本发明 方法流程示'意图；图3是本发明方法的流程图。
具体实施方式
具体实施方式
一结合图2和图3说明本实施方式，本实施方式由下列 步骤完成步骤一在矩形管状热沉1-5上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉 金属膜1-4，在热沉金属膜1-4的上表面再镀或印刷上钎料层1-3，形成预设的 焊盘；步骤二将激光器发射头2-l固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机 头为真空吸嘴2-3;步骤三首先采用多头贴片机的真空吸嘴2-3吸取镀有芯片金属膜1-2的LED芯片1-1处于等待状态；步骤四令激光器发射头2-l对准待焊焊盘；步骤五；启动激光器，激光束2-2如热钎料并使之熔化；步骤六激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头2-1置于下一个焊接位置，将真空吸嘴2-3行进至该焊盘上；步骤七真空吸嘴2-3快速下降使LED芯片1-1的芯片金属膜1-2与热焊盘接触，直至钎料层l-3凝固；步骤八真空吸嘴2-3卸压复位；步骤九真空吸嘴2-3吸取下一个LED芯片1-1，重复上述程序，即可进 行下一个LED芯片1-1的键合。
具体实施方式
二结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式一不同点在于在矩形管状热沉1-5下增加一个预热装置2-5，使矩形管状热 沉1-5的温度恒温在0°C 100°C，其它步骤和连接方式与具体实施方式
一相 同。
具体实施方式
三结合图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方 式一不同点在于在真空吸嘴2-3下增加一个微型加热器2-4，以预热LED芯片 1-1，使LED芯片1-1的温度恒温在10(TC 30(rC，其它步骤和连接方式与具 体实施方式一相同。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
二和三不同点在于激光束 采用脉冲激光或连续激光。其它步骤和连接方式与具体实施方式
二和三相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
四不同点在于脉冲激光的 频率为50Hz，功率为3000W，占空比O.IO，脉冲激光的持续时间ls。其它步 骤和连接方式与具体实施方式
四相同。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
四不同点在于脉冲激光的 频率为S0Hz，功率为2S00W，占空比0.15，脉冲激光的持续时间ls。其它步
骤和连接方式与具体实施方式
四相同。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
四不同点在于连续激光在 未预热的情况下，功率大于1000W时实现键合。其它步骤和连接方式与具体 实施方式四相同。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
四不同点在于连续激光在预热到10(TC时，功率大于600W时实现键合。其它步骤和连接方式与具体实 施方式四相同。
具体实施方式
九本实施方式与具体实施方式
一不同点在于矩形管状热 沉l-5采用铜或铝金属材料。其它步骤和连接方式与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
十本实施方式与具体实施方式
一不同点在于芯片金属膜1-2和热沉金属膜1-4采用金Au或银Ag材料。其它步骤和连接方式与具体实 施方式一相同。
具体实施方式
十一本实施方式与具体实施方式
一不同点在于钎料层l-3采用锡银SnAg、锡银铜SnAgCu或锡铅SnPb合金钎料。其它步骤和连接 方式与具体实施方式
一相同。
权利要求
1、单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，其特征在于它由下列步骤完成步骤一在矩形管状热沉(1-5)上表面的预设位置各焊点上先镀有多个热沉金属膜(1-4)，在热沉金属膜(1-4)的上表面再镀或印刷上钎料层(1-3)，形成预设的焊盘；步骤二将激光器发射头(2-1)固定在多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴(2-3)；步骤三首先采用多头贴片机的真空吸嘴(2-3)吸取镀有芯片金属膜(1-2)的LED芯片(1-1)处于等待状态；步骤四令激光器发射头(2-1)对准待焊焊盘；步骤五启动激光器，激光束(2-2)加热钎料并使之熔化；步骤六激光器关闭停止加热，通过多头贴片机的程序设计，使激光器发射头(2-1)置于下一个焊接位置，将真空吸嘴(2-3)行进至该焊盘上；步骤七真空吸嘴(2-3)快速下降使LED芯片(1-1)的芯片金属膜(1-2)与热焊盘接触，直至钎料层(1-3)凝固；步骤八真空吸嘴(2-3)卸压复位；步骤九真空吸嘴(2-3)吸取下一个LED芯片(1-1)，重复上述程序，即可进行下一个LED芯片(1-1)的键合。
2、 根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法， 其特征在于在矩形管状热沉(l-5)下增加一个预热装置(2-5)，使矩形管状热沉 (l-5)的温度恒温在0°C 100°C。
3、 根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法， 其特征在于在真空吸嘴(2-3)下增加一个微型加热器(2-4)，以预热LED芯片 (1-1)，使LED芯片(1-1)的温度恒温在100。C 300。C。
4、 根据权利要求2或3所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的 方法，其特征在于激光束采用脉冲激光或连续激光。
5、 根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法， 其特征在于矩形管状热沉(l-5)采用铜或铝金属材料。
6、 根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法， 其特征在于芯片金属斷l-2)和热沉金属斷l-4沐用金Au或银Ag材料。
7、 根据权利要求1所述的单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法， 其特征在于钎料层(l-3)采用锡银SnAg、锡银铜SnAgCu或锡铅SnPb合金钎料。
全文摘要
单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，它涉及LED芯片与热沉的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。步骤为在热沉上形成预设的焊盘；将激光器发射头固于多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴；真空吸嘴吸取LED芯片处于等待状态；激光器发射头对准焊盘，并使之熔化；停止加热，真空吸嘴吸载着的LED芯片行进至该焊盘上并快速下降与热焊盘接触，直至钎料凝固；真空吸嘴卸压复位，吸取下一个LED芯片，重复上述程序。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。
文档编号H01L33/00GK101159304SQ200710144640
公开日2008年4月9日 申请日期2007年11月20日 优先权日2007年11月20日
发明者孔令超, 罡 杨, 王春青, 田艳红 申请人:哈尔滨工业大学;华之光电子(深圳)有限公司