专利名称：薄膜晶体管基板与薄膜晶体管母基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及 一 种薄膜晶体管基板及 一 种薄膜晶体管母基板。
背景技术：
目前，由于液晶显示装置具有轻、薄、小等特点，已被广
泛应用于手机、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant, PDA)及多种办公自动化与视听设备中。 薄膜晶体管基板是液晶显示装置的主要元件
管基板的制造过程中，为节约成本，通常先制作 母基板，再对制作好的母基板依制品尺寸切割， 膜晶体管基板。
请参阅图l,是一种现有技术薄膜晶体管母基板的平面结构 示意图。该薄膜晶体管母基板l包括一绝缘基底ll、多个薄膜晶 体管阵列12和多条线路13 。该多个薄膜晶体管阵列12和该多条 线路13设置在该绝缘基底11的表面。该薄膜晶体管阵列12通过 该线路13电连接。该多个薄膜晶体管阵列12定义多片薄膜晶体 管基板IO。该薄膜晶体管母基板1沿切割线A-A切裂后则得到该 多片薄膜晶体管基板IO。
请参阅图2,是图1所示薄膜晶体管母基板l沿II-II线的剖面 放大示意图。该线路13包括一金属层131及一保护层132。该金 属层1 3 1的构成物质 一 般是铝等优良导电物质，其临近该绝缘基 底11设置。该保护层132是由绝缘材料构成，其覆盖该金属层131 并使该金属层1 3 1与外部空气隔绝，以保护该金属层1 3 1不被腐 蚀。
然而，在薄膜晶体管母基板l被切割为多片薄膜晶体管基板
，在薄膜晶体 一尺寸较大的 以形成多片薄IO过程中，该线路13被切断，使得该线路13的金属层131切断处 棵露在空气中。由于构成该金属层131的材料一般是铝等优良导 电材料，这些材料同时也容易受到空气中的水汽等的腐蚀，该 腐蚀将沿着金属层131 —直向该薄膜晶体管阵列12延伸，进而破 坏该薄膜晶体管阵列12，降低该薄膜晶体管母基板l切割出的薄 膜晶体管基板10的可靠性。
发明内容
为解决现有技术薄膜晶体管母基板切割出的薄膜晶体管基 板可靠性较差的问题，有必要提供 一 种可切割出可靠性较好的 薄膜晶体管基板的薄膜晶体管母基板。
同时，也有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管基板。
一种薄膜晶体管母基板，其包括一绝缘基底、多个薄膜晶 体管阵列和多个线路区。该薄膜晶体管阵列和该线路区设置于 该绝缘基底表面。每一线路区包括多条线路，该多个薄膜晶体 管阵列通过线路区的多条线路电连接。每 一 线路包括至少两个 金属部分，每一线路还进一步包括桥接保护部分。该至少两个 金属部分通过该桥接保护部分电连接。该桥接保护部分的构成 材料是 一 种抗腐蚀的导电材料。
一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、 一薄膜晶体管 阵列、 一 第 一 金属部分和 一 第二金属部分。该薄膜晶体管阵列 设置于该绝缘基底表面。该第 一金属部分电连接该薄膜晶体管 阵列。该第二金属部分用于电连接 一 外部电路。该薄膜晶体管 基板进一步包括一桥接保护部分，该第二金属部分与该第一金 属部分通过该桥接保护部分电连接。该桥接保护部分的构成材 料是 一 种抗腐蚀导电材料。
一种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、 一薄膜晶体管 阵列、 一 第 一 金属部分和 一 第二金属部分。该薄膜晶体管阵列 设置于该绝缘基底表面。该第 一 金属部分电连接该薄膜晶体管 阵列。该第二金属部分用于电连接 一 外部电路。该薄膜晶体管基板进一步包括一桥接保护部分，该第二金属部分与该第一金 属部分通过该桥接保护部分电连接。桥接保护部分可以防止金 属部分的腐蚀通过该桥接保护部分。
与现有技术相比较，本发明的薄膜晶体管母基板包括具有 桥接保护部分的线路，当薄膜晶体管母基板被切割成多片薄膜 晶体管基板时，该桥接保护部分阻止该线路被切开处开始的腐 蚀延伸到薄膜晶体管基板内部，因而提高了该薄膜晶体管母基 板切割出的薄膜晶体管基板的可靠性。该薄膜晶体管基板也能 提高其可靠性。
图l是一种现有技术薄膜晶体管母基板的平面结构示意图。
图2是图1所示薄膜晶体管母基板沿II-II线的剖面放大示意图。
图3是本发明薄膜晶体管母基板第一实施方式的平面结构 示意图。
图4是图3所示薄膜晶体管母基板沿IV-IV线的剖面放大示意图。
图5是本发明薄膜晶体管母基板第二实施方式的剖面放大 示意图。
具体实施例方式
请参阅图3，是本发明薄膜晶体管母基板第一实施方式的平 面结构示意图。该薄膜晶体管母基板2包括一绝缘基底21、多个 薄膜晶体管阵列22和多个线路区23 。该薄膜晶体管阵列22和该 线路区23设置在该绝缘基底21的 一 表面。该薄膜晶体管阵列22 通过该钱^各区23电连接。
该绝缘基底21由 一种透明绝缘材料构成，优选地该绝缘基 底21是一透明玻璃板。
6该多个薄膜晶体管阵列22定义多片薄膜晶体管基板20。该 薄膜晶体管阵列22包括多条数据线(图未示)、多条扫描线(图未 示)、多个薄膜晶体管(图未示)和各个像素电极(图未示)。该多条 数据线平行间隔设置。该多条扫描线与该多条数据线垂直绝缘 相交。该多条数据线和该多条扫描线共同定义多个像素单元。 每 一 像素单元包括 一 薄膜晶体管和 一 像素电极。该像素电极的 材料是氧化铟锌(IZO)或氧化铟钛(ITO)。
请参阅图4，是图3所示薄膜晶体管母基板2沿IV-IV线的剖面 放大示意图。该线路区23包括一保护层233和多条线路238。该 多条线路238用于电连接该线路区23所临近的薄膜晶体管阵列 22,其设置在该绝缘基底21的表面。该保护层233是一种绝缘材 料，其覆盖该多条线路238从而使该多条线路238与外界空气隔 绝，以防止该多条线i 各238^皮腐蚀。
每一条线路238包括一金属部分231、 一桥接保护部分232和 两沟槽234。该金属部分231是一金属层，其直接设置在该绝缘 基底2 1的表面。该两个沟槽234将该金属部分23 1分割为相互绝 缘的连接该薄膜晶体管阵列22的两第 一 金属部分235和该两第 一金属部分235之间的 一第二金属部分236。该桥接保护部分232 设置在该两沟槽234正上方向并部分覆盖该第一金属部分235与 该第二金属部分236以电连接该第一金属部分235和该第二金属 部分236。
该金属部分23 1与该薄膜晶体管矩阵22的扫描线或数据线 的构成相同， 一般是150到300nm的铝金属层和50到200nm钼金属 层组成的金属叠层。该金属部分231与该扫描线或该数据线在同 一掩膜工艺中形成。该桥接保护部分232使用抗腐蚀的导电材料 形成，优选地抗腐蚀的导电材料是与构成该薄膜晶体管阵列22 的像素电极相同，都是ITO或IZO。该桥接保护部分232与该像素 电极在同一掩膜工艺中形成。
请再次参阅图3和图4。 B-B线是该薄膜晶体管母基板l的切 割线。该切割线B-B横穿该多个线路区23的线路238的第二金属部分236，即该切割线B-B穿过每 一 线路23的线路238的两沟槽 234之间。该薄膜晶体管母基板2将沿着该B-B线被切割为多片薄 膜晶体管基板20。该薄膜晶体管母基板2被切成多片薄膜晶体管 基板20后，每一薄膜晶体管基板20中被暴露在空气中的第二金 属部分236与该第 一金属部分23 5通过该桥接保护部分232电连 接。该第 一 金属部分236再连接到该薄膜晶体管基板20的薄膜晶 体管阵列22。
与现有技术相比较，本发明的薄膜晶体管母基板2被切割成 多片薄膜晶体管基板20时，该薄膜晶体管母基板2的两薄膜晶体 管阵列22之间的线路区23的线路238从该两个沟槽234之间的第 二金属部分2 3 6处被切断。当被切成的薄膜晶体管基板2 0被放置 于空气中时，即使该第二金属部分236被空气中的水汽腐蚀。然 而当该腐蚀向该薄膜晶体管阵列22延伸到该沟槽234时，由于该 金属部分23 1已经被该沟槽234断开，而该桥接保护部分232是由 抗腐蚀导电材料构成。因此该腐蚀延伸到该沟槽234后将停止， 从避免该薄膜晶体管阵列22受到腐蚀损害。提高了该薄膜晶体 管母基板2切割出的薄膜晶体管基板20的可靠性。同时，该桥接 保护部分232与该像素电极在同 一掩膜工艺下形成，并没有增加 该薄膜晶体管母基板2的制造工序。
请参阅图5，是本发明薄膜晶体管母基板第二实施方式的剖 面放大示意图。该第二实施方式的薄膜晶体管母基板3与该薄膜 晶体管母基板2基本相同，其区别在于该第二金属部分336与 该第一金属部分335不属于同一金属层。该两第一金属部分335 直接设置在该绝缘基底31的表面。该桥接保护部分332部分覆盖 该第 一金属部分335 。该第二金属部分336设置在该桥接保护部 分332背离该第 一金属部分335的 一侧。该两第 一金属部分335通 过该两该桥接保护部分332和第二金属部分336电连接。
与该薄膜晶体管母基板2相比较，该薄膜晶体管母基板3的 第二金属部分336与该第一金属部分335分别设置在该桥接保护 部分332的两侧，而#皮该桥接保护部分332隔离。该第二金属部分336^皮腐蚀后，由于该桥4妄保护部分332隔离该两层。所以该 第 一 金属部分335更不容易被腐蚀。所以该薄膜晶体管基板30的 可靠性更高。
然而，本发明并不限于上述实施方式所述，如该金属部分 231还可以是是一铝质金属部分；该金属部分231还可以是一钼 质金属层或是铜等其他高导电率金属材料构成的金属层。该桥 接保护部分332还可以使用高熔点金属作为抗腐蚀材料，该高熔 点金属可以是Cr、 Ti、 Nb、 V、 W、 Ta、 Zr或Hf族中任一金属。 另外，在实施方式l中，该沟槽234中还进一步填充有绝缘材料； 该线路238还可以不包括沟槽234,该桥接保护部分232直接填充 于该金属部分231的第 一金属部分235与第二金属部分236之间。
权利要求
1.一种薄膜晶体管母基板，其包括一绝缘基底、多个薄膜晶体管阵列和多个线路区，该薄膜晶体管阵列和该线路区设置于该绝缘基底表面，每一线路区包括多条线路，该多个薄膜晶体管阵列通过线路区的多条线路电连接，其特征在于每一线路包括至少两个金属部分和桥接保护部分，该至少两个金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀的导电材料。
2. 如权利要求1所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于该至少 两个金属部分包括两个第 一金属部分和一第二金属部分，该两个第 一金属部分分别电连接该薄膜晶体管阵列，该第一金属部分与该第 二金属部分通过该桥接保护部分电连接。
3. 如权利要求2所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于每一第 一金属部分与第二金属部分之间有一沟槽，该桥接保护部分覆盖该 沟槽，并填充该沟槽。
4. 如权利要求1、 2或3中任意一项所述的薄膜晶体管母基板，其 特征在于该抗腐蚀的导电材料是氧化铟锌或氧化铟钛。
5. 如权利要求4所述的薄膜晶体管母基板，其特征在于该薄膜 晶体管阵列包括多个像素电极，构成该像素电极的材料与该桥接保 护部分相同，该像素电极与该桥接保护部分在同 一掩膜工艺中形成。
6. —种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、 一薄膜晶体管阵 列和多条线路，该薄膜晶体管阵列和该多条线路设置于该绝缘基底 表面，其特征在于每一条线路包括一第一金属部分、 一第二金属 部分和 一桥接保护部分，该第 一金属部分电连接该薄膜晶体管阵列， 该第二金属部分用于电连接一外部电路，该第二金属部分与该第一 金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分的构成材料 是一种抗腐蚀导电材料。
7. 如权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其特征在于该第一金 属部分与该第二金属部分之间有 一 沟槽，该桥接保护部分覆盖并填 充该沟才曹。
8. 如权利要求6或7所述的薄膜晶体管基板，其特征在于该抗 腐蚀导电材料是氧化铟锌或氧化铟钛。
9. 如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于该薄膜晶 体管阵列包括多个像素电极，构成该像素电极的材料与该桥接保护 部分相同，该像素电极与该桥接保护部分在同 一掩膜工艺中形成。
10. —种薄膜晶体管基板，其包括一绝缘基底、 一薄膜晶体管 阵列和多条线路，该薄膜晶体管阵列和该多条线路设置于该绝缘基 底表面，其特征在于每一条线路包括一第一金属部分、 一第二金属部分和一桥接保护部分，该第 一金属部分电连接该薄膜晶体管阵 列，该第二金属部分用于电连接一外部电路，该第二金属部分与该 第一金属部分通过该桥接保护部分电连接，该桥接保护部分可以防 止金属部分的腐蚀通过该桥接保护部分。
全文摘要
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及一种薄膜晶体管母基板。该薄膜晶体管母基板包括一绝缘基底、多个薄膜晶体管阵列和多个线路区。该薄膜晶体管阵列和该线路区设置于该绝缘基底表面。该线路区包括多条线路，该多个薄膜晶体管阵列通过线路区的多条线路电连接。每一线路包括至少两个金属部分，每一线路还进一步包括桥接保护部分。该至少两个金属部分通过该桥接保护部分电连接。该桥接保护部分的构成材料是一种抗腐蚀的导电材料。
文档编号H01L23/52GK101599496SQ20081006767
公开日2009年12月9日 申请日期2008年6月6日 优先权日2008年6月6日
发明者简传枝, 谢朝桦, 黄上育 申请人:群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司