专利名称：应用于光电半导体制程的快速升降温设备的制作方法
技术领域：
本实用新型关于一种半导体晶体处理设备，尤指一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备。
背景技术：
以往光电半导体制程的快速高温热处理制程系统，仅提供手动进/退片功能，且各个制程站之间亦需人工进行制程条件的确认以及定位，使得操作人员必需随时监控制程且易产生人为失误情况。
但是，习用的设备之中，仍有其进/退片的困难及其加热与冷却结构不是很完善，使其晶圆无法均匀加热，而让品质无法维持，无石墨盘，而其需要三层腔体及其炉壁冷却隔板间不互通，为独立进出水孔，温度不均匀，制程反应区域依晶圆外形规划为圆形，单位面积的热源较不均匀。
因此，针对上述习知结构所存在的问题点，如何开发一种更具理想实用性的创新结构，实消费者所殷切企盼，亦系相关业者须努力研发突破的目标及方向。
有鉴于此，创作人本于多年从事相关产品的制造开发与设计经验，针对上述的目标，详加设计与审慎评估后，终得一确具实用性的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备，以解决上述习用结构的技术问题点，以达到承载物均匀加热。
解决问题的技术特点本实用新型提供一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备，为手动制程腔体，其特征在于，包含有
至少一制程腔体，该制程腔体至少分为二层，第一层外腔为不透光金属构造外腔，预留有至少一加热源的固定孔位，并连接有用以进行冷却的水冷与气冷的承载物冷却装置，制程腔体内部冷却隔板间互通，制程反应区域为矩形；第二层内腔为透光性构造内腔，并留有用以使制程气体装置向腔体内部供应洁净与制程用气体的气流孔洞；
一可手动取放承载物的开关门机构，该开关门机构设于制程腔体上，该开关门机构包括一把手及一进、退片装置，该进、退片装置包含有石英层的一用以支撑一
3承载物载盘的支撑架。
其中，该承载物为晶圆。
其中，该第二层内腔为具耐热与透光性的石英层。
其中，该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密性封合的无氧铜构造。
其中，该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密封合的o型环构造。
其中，该加热源为至少一红外线加热灯源，并固定于第一层外腔上，以阵列排列。
其中，该载盘为用以承载至少一需进行热处理制程承载物并用以配合不同承载 物尺寸制程的具有均匀导热层的可置换式载盘。
其中，该第二层内腔与支撑架为多片组合式。 其中，该第二层内腔与支撑架为一体成型构造。
对照先前技术的功效先前技术无法顺畅进退片，而且先前技术的晶圆无法均 匀加热，良率无法提升，而本实用新型的制程腔体，其制程腔体设具至少二层及加 热源与水冷、气冷冷却，及气液体流量监控，达晶圆均匀加热。而本实用新型的载 盘，利用其材质特性与承载物间均匀导热，而本实用新型二层式腔体设计及其炉壁 冷却隔板间互通，形成一均匀的冷却循环，而其制程反应区域依加热源规划为矩形， 单位面积的热源较平均。
有关本实用新型所采用的技术、手段及其功效，兹举一较佳实施例并配合图式 详细说明于后，相信本实用新型上述的目的、构造及特征，当可由的得一深入而具 体的了解。
图1:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体示意图。 图2:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体纵剖示图。 图3:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体横剖示图。 图4:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体分解示图。
具体实施方式
参阅图1至图4所示，本实用新型提供一种应用于光电半导体制程的快速升降 温设备，其为至少一制程腔体l 0，该制程腔体l 0至少分为二层，第一层外腔 11为不透光金属构造外腔，预留至少一加热源固定孔位，并施以水冷或气冷方式 进行冷却，第二层内腔l 2为透光性构造内腔，并留有气流孔洞，以供应腔体内部 洁净用或制程用气体，二层腔体之间施以气密性封合； 一开关门机构2 3，该开关 门机构2 3设于制程腔体1 0上，该开关门机构2 3包括一进、退片装置2 3 l及一把手2 3 3，该把手2 3 3供操作人员握持，该进、退片装置2 3 1提供操作人 员能轻易取放承载物6 0，进、退片装置2 3 l包含有以石英制作的支撑架2 1 3， 用以支撑一载盘2 1 2，该载盘2 1 2用以承载至少一承载物6 0。
上述本实用新型的载盘2 1 2，利用其材质特性能迅速与承载物6 0间均匀导 热，而本实用新型二层式腔体设计及其炉壁冷却隔板间互通，形成一均匀的冷却循 环，而其制程反应区域依加热源规划为矩形，单位面积的热源较平均。 上述该制程腔体1 0包含有可外加气体及液体流量监控装置。 上述该制程腔体1 0更包含有一晶圆冷却装置4 0 ，该晶圆冷却装置4 0设于 制程腔体1 0上，该晶圆冷却装置4 Q提供至少一承载物6 0以气冷及水冷方式循 环冷却；
上述该制程腔体1 0更包含有一制程气体装置5 0 ，该制程气体装置5 0设于 制程腔体l 0上，该制程气体装置5 O可提供至少一制程反应与清洁用气体；
该反应的制程腔体l 0开关门机构2 3上另以石英制作的支撑架2 1 3，用以 支撑一载盘2 1 2，该载盘2 1 2用以承载至少一承载物6 0。该制程腔体l 0更 设有制程气体入口 2 1 4 、水路冷却口 2 1 5 、气体冷却口 2 1 6及抽气口 2 17。
该石英内腔及支撑架2 1 3，可分为多片组合式或采用一体成型技术制作，且 内腔透过薄型化设计后的薄型化构造可提升升/降温速率。
该加热源2 2，系选用至少一卤素或红外线加热灯源并固定于外层腔体上，以 环形、阵列、矩阵式排列。
该载盘2 1 2为可置换式，能配合不同承载物6 0尺寸制程的需求进行更换， 用以承载至少一需进行热处理制程的承载物6 0，该承载物6 0可为完整晶圆、不 规则晶圆破片或其它制程反应承载物。
上述该第一层外腔l l与第二层内腔l 2间的气密性封合，系施以0形环或无 氧铜密合层封合。
前文针对本实用新型的较佳实施例为本实用新型的技术特征进行具体的说明； 熟悉此项技术的人士当可在不脱离本实用新型的精神与原则下对本实用新型进行 变更与修改，而该等变更与修改，皆应涵盖于如本申请专利范围所界定的范畴中。
权利要求1. 一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备，为手动制程腔体，其特征在于，包含有至少一制程腔体，该制程腔体至少分为二层，第一层外腔为不透光金属构造外腔，预留有至少一加热源的固定孔位，并连接有用以进行冷却的水冷与气冷的承载物冷却装置，制程腔体内部冷却隔板间互通，制程反应区域为矩形；第二层内腔为透光性构造内腔，并留有用以使制程气体装置向腔体内部供应洁净与制程用气体的气流孔洞；一可手动取放承载物的开关门机构，该开关门机构设于制程腔体上，该开关门机构包括一把手及一进、退片装置，该进、退片装置包含有石英层的一用以支撑一承载物载盘的支撑架。
2 .如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该承载物为晶圆。
3. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该第二层内腔为具耐热与透光性的石英层。
4. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密性封合的无氧铜构造。
5. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密封合的O型环构造。
6. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该加热源为至少一红外线加热灯源，并固定于第一层外腔上，以阵列排列。
7. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该载盘为用以承载至少一需进行热处理制程承载物并用以配合不同承载物尺寸 制程的具有均匀导热层的可置换式载盘。
8. 如权利要求l所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征在 于，该第二层内腔与支撑架为多片组合式。
9. 如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的快速升降温设备，其特征 在于，该第二层内腔与支撑架为一体成型构造。
专利摘要一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备，包含有一至少分为二层的制程腔体，第一层外腔为不透光金属构造外腔，预留至少一加热源固定孔位，并施以水冷或气冷方式进行冷却，外加气体及液体流量监控装置。第二层内腔系为透光性构造内腔，并留有气流孔洞，以供应腔体内部洁净用或制程用气体。二层腔体之间施以气密性封合，系统门板上另以石英制作的支撑架支撑一载盘，该载盘用以承载至少一承载物。通过上述结构达到承载物均匀加热的环境。
文档编号H01L21/00GK201289856SQ200820139938
公开日2009年8月12日 申请日期2008年10月21日 优先权日2008年10月21日
发明者周明源, 林武郎, 洪水斌, 石玉光, 许明慧, 郑煌玉, 郭明伦 申请人:技鼎股份有限公司