专利名称：新型高压二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种二极管。
技术背景-
现有的高压二极管，其芯片采用12层较高电阻率的芯片组成，体
积大，正向通态电压降高。特别我国微波炉生产行业通常的是12KV/0. 5A 的高压二极管，该器件的实际反向电压在20—22KV之间，正向电压降 在10—12V之间，因而器件的正向功耗功率在5—6W。 发明内容
本实用新型的目的在于提供一种结构合理，正向通态电压降低的新 型高压二极管。
本实用新型的技术解决方案是
一种新型高压二极管，包括管体、芯片，其特征是芯片为8层低
电阻率芯片形式。
管体的剖面长度为9.5mm，高度为5mm。
本实用新型结构合理，产品具有高度的的抗反向浪涌能力，极低 的正向通态电压降，特别适宜在微波炉等髙压大电流工作环境的高 压二极管器件的生产。采用本实用新型高压二极管同样使用在微波 炉生产行业。只采用6KV/0.5A设计.其中器件的正向通态电压只有 5—6V;器件的正向功耗功率不到3W.大幅度降低器件的工作结温。
3提高了器件的工作可靠性。同时采用低压设计也大幅度节约了芯片 数量，降低了生产成本。
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以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。 图1是本实用新型一个实施例的结构示图。
具体实施方式
一种新型高压二极管，包括管体1、芯片2，芯片为8层低电阻率 芯片形式。管体的剖面长度为9.5mm，高度为5mm。
权利要求1、一种新型高压二极管，包括管体、芯片，其特征是芯片为8层低电阻率芯片形式。
2、 根据权利要求1所述的新型高压二极管，其特征是管体的剖面长度为9.5mm，高度为5mm。
专利摘要本实用新型公开了一种新型高压二极管，包括管体、芯片，芯片为8层低电阻率芯片形式。本实用新型结构合理，产品具有高度的抗反向浪涌能力，极低的正向通态电压降，特别适宜在微波炉等高压大电流工作环境的高压二极管器件的生产。
文档编号H01L29/66GK201282145SQ20082018626
公开日2009年7月29日 申请日期2008年10月17日 优先权日2008年10月17日
发明者王志敏 申请人:王志敏