专利名称：半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的 信号传送/接收方法以及测试器装置。
背景技术：
近年来，通过无线通信来迸行数据通信的半导体器件是公知的。
曰本专利申请特开No.2007-134694公开了通过电磁感应系统用于通
信数据的半导体器件。该半导体器件具有线圈天线及连接到该线圈天 线的半导体集成电路。当将连接到读取器/写入器的线圈天线接近半导 体器件时，连接到读取器/写入器的线圈天线产生AC磁场。该AC磁 场穿过半导体器件中的线圈天线。通过电磁感应，在天线的端子之间 产生电动势，并且使半导体器件中的半导体集成电路工作。
日本专利申请特开No.2005-311331公开了以下结构，在所述结构 中，集成电路和天线形成在同一基板上，并且包括在天线中的导电线 或导电膜形成在两个层中，以将在其上形成有集成电路的基板夹在中 间。在其中，描述了以下示例，在所述示例中，两层导电线分别是用 于给集成电路供电的天线和用于传送/接收信号的天线。
日本专利申请特开No.2005-228785公开了以下结构，在所述结构 中，在半导体芯片的电路的外围之外的区域中设置线圈天线。日本专 利申请特开No. 2005-30877公开了以下技术，在所述技术中，在半导 体集成电路器件中安装内置测试电路和无线通信电路，并且该内置测 试电路由无线电信号控制以进行测试。另一方面，日本专利译文公布No. 2006-504274公开了其中提供导 电结构作为无源组件的结构，该无源组件用于抵抗在键合导电键合焊 盘层时的机械力，以机械地稳定绝缘层。在此，在键合焊盘层下提供 包括在模拟电路中的无源组件，并且在无源组件和键合焊盘层之间提 供用于阻止无源组件和键合焊盘层耦合的屏蔽层。
本发明人已经意识到以下问题。传统地，为了以半导体器件的晶 片级对内部电路进行测试，通过利用探针的探测，对半导体器件的芯 片表面上的用于电源的焊盘供电，并且，利用经由探针的用于信号的 焊盘来传送/接收信号，以测试内部电路的操作。然而，在探针测试期 间，探针的针会划伤焊盘，这将导致在之后的焊盘键合中的不良连接， 或者，导致由于焊盘的削屑而产生的污染。此外，随着芯片尺寸减小 以及随着每个芯片的焊盘数的增加，焊盘尺寸和在焊盘之间的间隔变 小，并且因此，相应地，变得难以在多个焊盘与相应的多个探针之间 实现符合要求的电连接。
为了避免这些问题，优选地以非接触方式，来相对于内部电路执 行供电以及信号的传送/接收。然而，为了使用，例如，电磁感应来从/ 向内部电路执行各种信号的传送/接收，以代替多个焊盘，以便对应于 向/从多个焊盘输入/输出信号，需要多个电感器，并且因此，电感器需 要较大的覆盖区。如日本专利申请特开No. 2007-134694 、 No.2005-311331以及No.2005-228785中所公开的，在芯片的外围上设
置用于信号传送/接收的线圈天线的结构中，不能设置多个天线。此外， 在日本专利申请特开No.2005-30877公开的技术中，仅仅在假设相对于 一个芯片设置用于天线的一个线圈的情况下，而且使用从外部输入的 无线电信号的载波来产生功率。此外，在日本专利译文公布 No.2006-504274中公开的无源组件中，不采取将无线电信号从/向外部 输入/输出，并且在无源组件和键合焊盘层之间提供屏蔽层使得信号不 能从/向外部输入/输出。
发明内容
根据本发明的一方面，提供一种半导体器件，包括 基板；
焊盘，其提供在基板上方；以及
第一信号传送/接收部，其提供在基板上方并且在键合焊盘下方， 用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。
根据本发明的另一方面，提供一种信号传送/接收的方法，包括
以非接触方式使外部器件接近半导体器件，该半导体器件包括基 板、提供在基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部，所述第一 信号传送/接收部提供在基板上方并且在键合焊盘下方，用于通过电磁 感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收，该外部器件包括第 一外部信号传送/接收部，所述第一外部信号传送/接收部提供在与第一 信号传送/接收部相对应的位置处，用于通过电磁感应，以非接触方式 向/从第一信号传送/接收部执行信号传送/接收；以及
在第一外部信号传送/接收部和第一信号传送/接收部之间，执行信 号传送/接收。
根据本发明的又一方面，提供一种半导体器件的制造方法，包括
以非接触方式使外部器件接近半导体器件，该半导体器件包括基 板、提供在基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部，所述基板 具有芯片形成区域以及提供在芯片形成区域外围上的划线区域，所述 第一信号传送/接收部提供在基板上方并且在键合焊盘下方，用于通过 电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收，该外部器件包 括第一外部信号传送/接收部，所述第一外部信号传送/接收部提供在与 第一信号传送/接收部相对应的位置处，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从第一信号传送/接收部执行信号传送/接收；
在第一外部信号传送/接收部和第一信号传送/接收部之间，执行信 号传送/接收；
沿着划线区域将半导体器件切割成芯片；以及
在通过切割半导体器件而形成的每个芯片中，经由键合引线将键 合焊盘连接到外部端子。
利用该结构，不需要增加芯片尺寸以便提供信号传送/接收部。此 外，可以有效地设置信号传送/接收部以及键合焊盘，并且可以抑制芯 片尺寸的增加。在此，当以晶片级对半导体器件的内部电路进行测试 时，可以提供信号传送/接收部代替用于利用探针的探测的焊盘。传统 地，需要在键合焊盘中提供用于探针的区域和用于引线键合的区域， 这就增加了键合焊盘的尺寸。然而，根据本发明的结构，因为不需要 提供用于探针的区域，所以可以减小键合焊盘的面积，并且，整体地， 可以极大地抑制芯片尺寸的增加。
根据本发明的又一方面，提供一种用于测试半导体器件的测试器 装置，该半导体器件包括基板、提供在该基板上方的键合焊盘以及第 一信号传送/接收部，所述第一信号传送/接收部提供在基板上方并且在 键合焊盘下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号 传送/接收，该测试器装置包括第一外部信号传送/接收部，所述第一外 部信号传送/接收部提供在与第一信号传送/接收部相对应的位置处，用 于通过电磁感应，以非接触方式向/从第一信号传送/接收部执行信号传 送/接收。
通过使用具有此结构的测试器，当以晶片级进行内部电路测试时， 可以使用提供的信号传送/接收部代替用于利用探针的探测的焊盘，以
8非接触方式进行半导体器件的测试。
注意，上述组件的任意组合，以及以方法、装置等形式的本发明 的实现作为本发明的实施例也是有效的。
根据本发明，当以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收时，可 以抑制芯片尺寸的增加。
结合附图，根据某些优选实施例的以下描述，本发明的以上和其 他目的、优点和特征将更加明显，其中
图1是示出根据本发明的第一实施例的半导体器件的示例性结构 的截面图2是在图1中所示的半导体器件的平面图3是在图1中所示的半导体器件的另一个平面图4是示出在图1中所示的半导体器件和用于向/从该半导体器件
传送/接收信号的测试器的结构的截面图5是示出半导体器件和测试器的示例性结构的框图6是示出根据本发明第二实施例的半导体器件的示例性结构的
截面图7是示出在图6中所示的半导体器件和用于向/从该半导体器件 传送/接收信号的测试器的结构的截面图8A和图8B示出了根据本发明第三实施例的半导体器件的示例 性结构；
图9A和图9B示出了根据本发明第四实施例的半导体器件的示例 性结构；
图10是示出根据本发明第五实施例的半导体器件的示例性结构 的平面图IIA和图IIB是沿着图IO的线B-B'截取的截面图。
具体实施例方式
现在将参考附图，描述本发明的实施例。注意，整个附图中，相 似或相同的组成元件由相似的附图标号来表示，并且适当地省略其的 描述。
在本发明的实施例中，当以晶片级对半导体器件的内部电路进行 测试时，将其中提供信号传送/接收部代替出于利用探针进行探测的目 的而提供焊盘的情况描述为示例。当以晶片级对半导体器件的内部电 路进行测试时，以非接触方式，通过短距离通信，信号传送/接收部向/ 从外部测试器传送/接收各种测试信号。在本发明的实施例中，信号传 送/接收部可以是电感器。
图1到图3示出了根据本发明第一实施例的半导体器件100的示 例性结构。图1是半导体器件100的截面图，并且图2和图3是半导 体器件100的平面图。图1是沿着图2和图3中的线A-A'截取的截面图。
如图1所示，半导体器件100包括半导体基板102 (基板)和提 供在半导体基板102上的绝缘膜104。半导体器件100还包括提供在半 导体基板102上的绝缘膜104中的电感器112 (第一信号传送/接收部) 以及提供在半导体基板102上方的键合焊盘110，以便叠置在电感器 112上。在此，半导体器件100可以处于在将半导体基板102分割成芯 片之前的状态。半导体基板102可以是，例如，诸如硅晶片的半导体
曰
通过电磁感应，以非接触方式，电感器112向/从外部执行信号传 送/接收。当以晶片级对内部电路进行测试时，可以提供电感器112代 替传统半导体器件中出于利用探针进行探测的目的而提供的焊盘。传 统地，当利用探针进行探测时，焊盘被划伤，并且，当在划伤位置处 执行键合时，可以导致不良的键合连接。因此，需要提供用于探针的区域和用于引线键合的区域，这增加了焊盘的尺寸。另一方面，根据 该实施例，键合焊盘110仅仅需要包括用于引线键合的区域，并且因 此焊盘的尺寸可以小于传统焊盘的尺寸。此外，在平面图中，形成的 电感器112小于键合焊盘110，并且因此，不需要将芯片尺寸变得更大
以便提供电感器112。注意，根据该实施例，电感器112可以由单层形 成的导体形成。这能够减少电感器112的尺寸。
在半导体器件100的表面上提供键合焊盘110，来为随后执行的 引线键合做准备。在将半导体基板102切割成芯片之后，键合焊盘110 被安装在诸如主板的另一种基板上，并且经由键合引线(未示出)连 接到基板的端子。经由键合引线，来自外部的信号被输入到键合焊盘 110。在该实施例中，键合焊盘110被提供在绝缘膜104上，并且暴露 在半导体器件100的表面上。
图2是示意性示出半导体器件IOO表面的平面图。
注意，在此仅仅示出了一个芯片形成区域，但是半导体器件100 可以包括由划线围绕的多个相似的芯片形成区域。
半导体器件100进一步包括形成在半导体基板102上的内部电路 124和供电电路120。内部电路124包括多个输入/输出端子124a。在 该实施例中，电感器112以及在电感器112上叠置的相应键合焊盘110 可以适于连接到内部电路124的相同的输入/输出端子124a。此外，供 电电路120连接到内部电路124的输入/输出端子124a中的任何一个。
在此，通过实线示出电感器112，以便在平面图中明确键合焊盘 110和电感器112之间的关系。然而，实际上，电感器112提供在与其 中提供键合焊盘110的层不同的层中。此外，供电电路120和内部电 路124也通过实线示出，但是，实际上，供电电路120和内部电路124 也可以提供在与其中提供了键合焊盘110的层不同的层中。内部电路
11124可以适于包括，例如，晶体管。
图3是示意性示出了其中提供半导体器件100的电感器112的层 的结构的平面图。电感器112可以是线圈状的。在此，为了在平面图 中明确键合焊盘110和电感器112之间的关系，通过虚线来示出键合 焊盘110。此外，通过实线来示出供电电路120和内部电路124，但是， 实际上，供电电路120和内部电路124可以提供在与其中提供电感器 112的层不同的层中。
例如，在图2和图3示出的示例中,在半导体器件110的表面上提 供了九个键合焊盘,并且在每个键合焊盘110下提供一个电感器112。 内部电路124的输入/输出端子124a分别连接键合焊盘110和电感器 112的对。
在平面图中，电感器112的尺寸可以基本上与键合焊盘110的尺 寸相同。具体地，可以提供电感器112使得其尺寸相对于键合焊盘110 的尺寸而言不过分的大。这可以抑制由于提供电感器112而引起的芯 片尺寸的增加。在该实施例中，由每个电感器112占据的面积小于由 每个键合焊盘110占据的面积。注意，键合焊盘110仅仅需要包括用 于引线键合的区域，并且因此键合焊盘110的尺寸可以小于传统键合 焊盘的尺寸。以上描述的该结构使得可以有效地设置键合焊盘110和 电感器112，并且可以抑制芯片尺寸的增加。
图4是示出了半导体器件100和用于给半导体器件IOO提供信号 的测试器200的结构的截面图。
测试器200包括在测试器侧的基板202以及在测试器侧的多个电 感器210。分别在与半导体器件IOO的多个电感器112相对应的位置处， 提供在测试器200侧的多个电感器210。图5是示出半导体器件100和测试器200的示例性结构的框图。
内部电路124可以包括与多个电感器112相对应的多个晶体管 126。晶体管126的栅极分别被连接到键合焊盘110和电感器112的对。 在此，可以提供键合焊盘110以便被叠置在电感器112上，电感器112 由围绕键合焊盘110的同一虚线围绕。晶体管126的栅极分别对应于 输入/输出端子124a。
每个晶体管126的源极和漏极中的一个接地，并且另一个经由电 源线128连接到供电电路120。可以将半导体基板102的后表面接地使 得每个晶体管126的源极和漏极中的一个通过连接到半导体基板102 的后表面而接地。
接下来，参考图4和图5，描述在该实施例中当以晶片级对半导 体器件100的内部电路124进行测试时的操作。
首先，以非接触方式使测试器200接近半导体器件100的一个芯 片，使得在测试器200侧的电感器210分别与半导体器件100的电感 器112相对。然后，将具有预定频率的无线电波分别从在测试器200 的测试器侧上的电感器210输出到半导体器件100。在此，从测试器侧 上的电感器210输出测试信号，以及将电源电压从供电电路120提供 给内部电路124。
半导体器件100的电感器112将从测试器侧上的电感器210输出 的信号转换为AC电信号。虽然在图4和图5中未示出，但是半导体器 件100可以适于包括分别与电感器112相对应的转换电路。在该情况 下，电感器112可以适于经由转换电路分别连接到输入/输出端子124a。 转换电路解调由电感器112转换的AC电信号以及将所解调的信号提供 给内部电路124。当将信号从半导体器件100输出到测试器200时，由 内部电路124提供的电信号通过转换电路调制并被提供到电感器112。电感器112将所调制的信号作为无线电波分别输出到测试器200的测
试器侧上的相应的电感器210。以此方式，在半导体器件IOO和测试器 200之间传送/接收数据。
当如上所述，以晶片级进行内部电路124的测试之后，沿着划线 区域将半导体器件100切割为芯片。在通过切割半导体器件100所形 成的每个芯片中，通过将键合焊盘IIO经由键合引线连接到外部端子， 形成半导体封装。在那之后，分别经由键合引线从外部输入信号，以 及将信号输入内部电路124。在该实施例中，电感器112和在电感器 112上叠置的相应的键合焊盘110连接到内部电路124的相同的输入/ 输出端子124a。因此，当以晶片级进行内部电路124的测试时，信号 可以适于经由电感器112分别向/从输入/输出端子124a输入/输出，并 且，在形成芯片形成之后，信号可以适于经由键合焊盘110分别向/从 输入/输出端子124a输入/输出。这使得可以当以晶片级进行内部电路 的测试时，使用电感器112代替出于利用探针进行探测的目的而传统 地提供的焊盘。
如上所述，根据该实施例，当以晶片级进行内部电路124的测试 时，不同于其中探针用于探测键合焊盘110的传统情况，包括在测试 器侧上的电感器210的测试器200被用于以非接触方式，向/从半导体 器件100的电感器112传送/接收信号。将在测试器200和半导体器件 100的电感器112之间传送/接收的信号经由电感器112向/从内部电路 124输入/输出。在测试完成并且将半导体器件100切割成芯片之后， 经由键合引线，将键合焊盘110分别连接到外部端子。向/从外部端子 传送/接收的信号经由键合引线和键合焊盘110分别向/从内部电路124 输入/输出。具体地，在该实施例中，出于将向/从诸如测试器200的外 部器件传送/接收的信号向/从内部电路124输入/输出的目的，提供电感 器112。因此，使电感器112适于以非接触方式向/从外部器件传送/接 收信号。更具体地，在该实施例中，中断向/从电感器112进行信号传 送/接收的构件不能适于提供在键合焊盘IIO和电感器112之间。接下来，描述根据该实施例的半导体器件100的效果。 根据该实施例的半导体器件100的结构，可以有效地设置电感器
112和键合焊盘110，其可以抑制芯片尺寸的增加。具体地，不需要将
芯片尺寸做更大以便设置用作端子的电感器，该端子仅仅用于晶片级
的非接触测试。此外，键合焊盘110的尺寸也可以做得更小，并且，
整体上，可以极大地抑制芯片尺寸的增加。
此外，根据该实施例的电感器112可以由单层形成的导体形成， 这就使得能够紧密。在该实施例中，将电感器112用于短距离通信， 并且因此不需要非常高的Q值，并且因此，即使电感器112由单层形 成的导体形成，也能够毫无任何问题地传送/接收信号。
接下来，将描述根据本发明的半导体器件100的其他实施例。
图6是示出了根据本发明第二实施例的半导体器件100的示例性 结构的截面图。
该实施例与参考图1至图5描述的实施例的不同之处在于多个电 感器被提供在每个键合焊盘110下。
电感器112c、电感器112b以及电感器112a在半导体基板102上 方以该次序堆叠。电感器112c、电感器112b以及电感器112a可以是 相互独立的电感器，使得由各个电感器检测到的信号的相位相互不同。 在此，在每个键合焊盘110下类似地提供多个电感器(电感器112c、 电感器112b以及电感器112a)。
图7是示出了根据本发明第二实施例的半导体器件IOO和用于将 信号提供给半导体器件100的测试器200的结构的截面图。
15当半导体器件100具有如图6中所示的结构时，测试器200也包 括所提供的多个电感器，以便在与半导体器件100的堆叠电感器相对 应的位置处堆叠。具体地，测试器200包括多个电感器，即，在测试 器侧上的电感器210c、在测试器侧上的电感器210b以及在测试器侧上 的电感器210a，其以该次序堆叠在基板202中，以便在平面图中彼此 叠置。在此，在测试器侧上的电感器210c、在测试器侧上的电感器210b 以及在测试器侧上的电感器210a可以适于分别与半导体器件100的电 感器112c、电感器112b以及电感器112a相对应。更具体地，在测试 器侧上的电感器210c和电感器112c可以适于传送/接收具有相同相位 的信号，在测试器侧上的电感器210b和电感器112b可以适于传送/接 收具有相同相位的信号，以及在测试器侧上的电感器210a和电感器 112a可以适于传送/接收具有相同相位的信号。即使在上述的其中设置 多个电感器以便将其堆叠的情况下，通过移动要被传送/接收的信号的 相位，也可以防止电感器之间的干扰。
注意，如在该实施例中所示，当多个电感器112a到112c适于被 堆叠在每个键合焊盘110下时，不需要将所有的堆叠电感器112a到 112c分别与连接到相应键合焊盘110的内部电路124的输入/输出端子 124a连接。当经由与形成在其上方的键合焊盘110连接的输入/输出端 子124a来进行内部电路124的测试时，可以仅仅使用堆叠的多个电感 器112a到112c的一部分，同时剩余的电感器可以用于向/从其他端子 输入/输出信号。
还是在该实施例中，电感器112a到112c中的每个可以由单层形 成的导体形成。堆叠的电感器112a到112c没有相互电连接。在该实施 例中，电感器112a到112c用于短距离通信，并且因此不需要非常高的 Q值。齿此，即使电感器由单层形成的导体形成，也能够毫无任何问 题地传送/接收信号。图8A是示出了根据本发明第三实施例的半导体器件100的示例性 结构的截面图。
在该实施例中，类似于图6中所示的情况，在每个键合焊盘110 下方提供多个电感器，但是该实施例与参考图6描述的实施例的不同 在于，在平面图中，在相互移位的位置处提供电感器。
图8B是示出根据本发明第三实施例的用于将信号提供给半导体 器件100的测试器200的结构的截面图。
当半导体器件IOO具有如图8A中所示的结构时，在与半导体器件 100的电感器112a、电感器112b以及电感器112c相对应的位置处，提 供测试器200的电感器，在平面图中，其被相互移位。在此，在测试 器侧上的电感器210c、在测试器侧上的电感器210b以及在测试器侧上 的电感器210a可以适于分别向/从半导体器件100的电感器112c、电感 器112b以及电感器112a输入/输出信号。上述的此种结构可以更容易 地在半导体器件100的电感器与测试器200的电感器之间进行通信， 其传送/接收具有相同相位的信号。
图9A是示出根据本发明第四实施例的半导体器件100的示例性结 构的平面图。
在该实施例中，类似于在图8A和图8B中所示的实施例，在平面 图中相互移位的位置处提供多个电感器，但是该实施例与参考图8A和 图8B描述的实施例的不同在于，电感器被提供使得在平面图中其不相 互重叠。此外，在平面图中，部分电感器与每个键合焊盘的外边缘保 持距离。
图9B也是示出根据本发明第四实施例的用于将信号提供给半导 体器件100的测试器200的结构的截面图。
17当半导体器件100具有如图9A中所示的结构时，在与半导体器件
100的电感器112a、电感器112b以及电感器112c相对应的位置处提供 测试器200的电感器。在此，在测试器侧上的电感器210c、在测试器 侧上的电感器210b以及在测试器侧上的电感器210a可以适于分别向/ 从半导体器件100的电感器112c、电感器112b以及电感器112a输入/ 输出信号。上述的此种结构可以更容易地在半导体器件100的电感器 与测试器200的电感器之间进行通信，其传送/接收具有相同相位的信 号。此外，还是在该情况下，因为将电感器提供为叠置在半导体器件 IOO中的每个键合焊盘110上，所以还能够抑制芯片尺寸的增加。
图IO是示出了根据本发明第五实施例的半导体器件IOO的示例性 结构的平面图。图IIA和图IIB是沿着图10中的线B-B'截取的截面图。
在该实施例中，在每个键合焊盘IIO下形成多个(四个)电感器， 即，电感器112d、电感器112e、电感器112f以及电感器112g。在同 一层中形成电感器112d、电感器112e、电感器112f以及电感器112g。
图11B也是示出了根据本发明第五实施例的用于将信号提供给半 导体器件100的测试器200的结构的截面图。
在此，仅仅示出了分别与电感器112f和112d相对应的测试器侧 上的电感器210f和测试器侧上的电感器210d，但是测试器200包括在 分别与半导体器件100的电感器112d、电感器112e、电感器112f以及 电感器112g相对应的位置处提供多个(四个)电感器。当电感器的尺 寸小于键合焊盘110的尺寸时，上述的这种设置可以进一步抑制芯片 尺寸的增加。
以上已经参考附图描述了根据本发明的实施例，但是那些实施例200910003767.9
仅仅用于示例本发明，并且还可以采用除了上述之外的各种结构。
此外，在上述的实施例中，描述了以下情况，在该情况中，当以 晶片级进行半导体器件的内部电路测试时，使用诸如电感器的信号传 送/接收部，以非接触方式从/向外部测试器接收/传送不同的测试信号， 但是也可以在形成芯片之后使用本发明，以非接触方式传送/接收各种 信号。
此外，不需要在半导体器件100中包括的所有键合焊盘110下提 供信号传送/接收部。此外，可以仅仅在部分键合焊盘110下提供多个 堆叠或重叠的信号传送/接收部。此外，不需要将在键合焊盘110下提
供的诸如电感器的所有信号传送/接收部用于与诸如测试器200的外部 器件进行无线通信。在该情况下，理所当然地，测试器200也不包括 在测试器侧上的与信号传送/接收部相对应的电感器，该信号传送/接收 部不用于无线通信。
显然，本发明不限于以上的实施例，而是可以在不脱离本发 明的范围和精神的情况下进行修订和修改。
19
权利要求
1. 一种半导体器件，包括基板；键合焊盘，提供在所述基板上方；以及第一信号传送/接收部，提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。
2. 根据权利要求l所述的半导体器件，进一步包括提供在所述基 板上的内部电路，所述内部电路包括至少一个输入/输出端子，其中，所述键合焊盘和所述第一信号传送/接收部连接到所述内部 电路的所述至少一个输入/输出端子。
3. 根据权利要求l所述的半导体器件，进一步包括第二信号传送 /接收部，所述第二信号传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键 合悍盘下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传 送/接收。
4. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在同一层中提供所 述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
5. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在不同层中提供所 述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
6. 根据权利要求5所述的半导体器件，其中，以一个处于另一个 上方地提供所述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部。
7. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一信号传送 /接收部和所述第二信号传送/接收部检测不同相位的信号。
8. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一信号传送 /接收部和所述第二信号传送/接收部中的每个由单层形成的导体形成。
9. 根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一信号传送/接收部和所述第二信号传送/接收部包括电感器。
10. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一信号传送/接收部由单层形成的导体形成。
11. 根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一信号传 送/接收部包括电感器。
12. —种信号传送/接收方法，包括以非接触方式使外部器件接近半导体器件，所述半导体器件包括 基板、提供在所述基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部，所 述第一信号传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下 方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收， 所述外部器件包括第一外部信号传送/接收部，所述第一外部信号传送/ 接收部提供在与所述第一信号传送/接收部相对应的位置处，用于通过 电磁感应，以非接触方式向/从所述第一信号传送/接收部执行信号传送/接收；以及在所述第一外部信号传送/接收部与所述第一信号传送/接收部之 间，执行所述信号传送/接收。
13. 根据权利要求12所述的信号传送/接收方法，其中，所述第一 外部信号传送/接收部及所述第一信号传送/接收部传送/接收用于测试 所述半导体器件的信号。
14. 一种制造半导体器件的方法，包括以非接触方式使外部器件接近所述半导体器件，所述半导体器件包括基板、键合焊盘以及第一信号传送/接收部，所述基板具有芯片形 成区域以及提供在所述芯片形成区域外围上的划线区域，所述键合焊 盘提供在所述基板上方，所述第一信号传送/接收部提供在所述基板上 方并且在所述键合焊盘下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从 外部执行信号传送/接收，所述外部器件包括第一外部信号传送/接收 部，所述第一外部信号传送/接收部提供在与所述第一信号传送/接收部 相对应的位置处，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从所述第一信 号传送/接收部执行信号传送/接收；在所述第一外部信号传送/接收部与所述第一信号传送/接收部之 间，执行所述信号传送/接收；沿着所述划线区域将所述半导体器件切割成芯片；以及 在通过切割所述半导体器件而形成的每个所述芯片中，经由键合 引线将所述键合焊盘连接到外部端子。
15. —种用于测试半导体器件的测试器装置，所述半导体器件包 括基板、提供在所述基板上方的键合焊盘以及第一信号传送/接收部， 所述第一信号传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下 方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收， 所述测试器装置包括第一外部信号传送/接收部，所述第一外部信号传 送/接收部提供在与所述第一信号传送/接收部相对应的位置处，用于通 过电磁感应，以非接触方式向/从所述第一信号传送/接收部执行信号传 送/接收。
16. 根据权利要求15所述的测试器装置，其中所述半导体器件进一步包括第二信号传送/接收部，所述第二信号 传送/接收部提供在所述基板上方并且在所述键合焊盘下方，用于通过 电磁感应，以非接触方式向/从所述外部执行信号传送/接收；以及所述测试器装置进一步包括第二外部信号传送/接收部，所述第二 外部信号传送/接收部提供在与所述第二信号传送/接收部相对应的位 置处，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从所述第二信号传送/接收 部执行信号传送/接收。
全文摘要
本发明提供一种半导体器件、其制造方法、使用该半导体器件的信号传送/接收方法以及测试器装置。本发明提供一种半导体器件(100)，包括基板(102)；键合焊盘(110)，提供在基板(102)上方；以及电感器(112)，提供在基板(102)上方并在键合焊盘(110)下方，用于通过电磁感应，以非接触方式向/从外部执行信号传送/接收。
文档编号H01L23/482GK101499472SQ20091000376
公开日2009年8月5日 申请日期2009年2月1日 优先权日2008年1月29日
发明者中柴康隆 申请人:恩益禧电子股份有限公司