专利名称：晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种硅光电池的加工工艺，尤其是一种晶体硅太阳电池表面 刻槽制备工艺。
背景技术：
通常晶体硅太阳电池表面刻槽的主要用途是用于晶体硅太阳电池表面电 极栅线的嵌放，目前国内的刻槽方法主要有l)机械加工采用金刚石刀具， 用三种刀依次刻化成型出槽宽大于10lim的槽；2)激光刻槽用一束激光刻 化出线槽后再用化学方法对槽底进行扩宽。但是这两种方法设备成本较低， 生产效率也不高，并且不适用于晶体硅太阳电池工业化生产。
发明内容
为了克服以上缺陷，本发明要解决的技术问题是提出一种生产 成本低，生产效率高，并适用太阳电池工业化生产的晶体硅太阳电池 刻槽印刷电极制备工艺。
本发明所采用的技术方案为 一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极 制备工艺，包括以下步骤
1) 将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜
层；
2) 采用丝网印刷腐蚀性桨料选择性的去除电极栅线区域的化学腐 蚀掩膜层；
3) 将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一 定深度的凹槽；4)扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。
本发明进一步包括所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为
80-120nm的热氧化二氧化硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。
本发明所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为
a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上；
b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。
本发明所述的步骤2)中腐蚀性浆料为含15_20%氟化氢氨的刻蚀膏。
本发明所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%，温度为 70°C，腐蚀时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。
本发明的有益效果是采用本发明的制备工艺所制备的刻槽印刷 电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅 电极相比，本发明的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳 电池工业化生产。
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 图1是本发明工艺路线图。
具体实施例方式
现在结合附图和优选实施例对本发明作进一步详细的说明。这些 附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此 其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示， 一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤
1) 将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜
层；
2) 采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐 蚀掩膜层；
3) 将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一 定深度的凹槽；
4) 扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。 本发明所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为80-120nm的热
氧化二氧化硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。
本发明所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为
a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上.；
b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。
其中腐蚀性浆料为含15-20%氟化氢氨的刻蚀膏。 本发明所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%，温虔为
70°C,腐蚀时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，
相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多
样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内
容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求
1、一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特征在于包括以下步骤1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一定深度的凹槽。4)扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。
2、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤1)中化学腐蚀掩膜层为厚度为80-120nm的热氧化二氧化 硅膜或厚度为60-80nm的氮化硅膜。
3、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤2)中去除电极栅线区域的掩膜层的步骤为a) 将腐蚀性浆料按正电极图形印刷到带有掩膜层的硅片上；b) 待腐蚀性浆料对掩膜层选择性腐蚀后清洗去除剩余的腐蚀浆料。
4、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤2)中腐蚀性浆料为含15-20%氟化氢氨的刻蚀膏。
5、 如权利要求l所述的一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特 征在于所述的步骤3)中TMAH水溶液的腐蚀溶度为25%,温度为70°C，腐蚀 时间为10-20min，刻槽深度为5-10um。
全文摘要
本发明涉及一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成凹槽。采用本发明的制备工艺所制备的刻槽印刷电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅电极相比，本发明的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳电池工业化生产。
文档编号H01L31/18GK101533870SQ20091002967
公开日2009年9月16日 申请日期2009年4月1日 优先权日2009年4月1日
发明者焦云峰, 强 黄 申请人:常州天合光能有限公司