专利名称：发光二极管结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管结构(Light-Emitting Diodes，LEDs)，特别涉及可以 提高发光二极管的发光效率的技术。本发明还涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术：
一般发光二极管中所使用的半导体的折射率(折射系数为2. 3)大于空气的折射 率(折射系数为1)，所以造成发光二极管内的活性层(亦称为发光层)所产生的光线大 部分都被半导体与空气间的界面全反射回到半导体内部，而全反射的光线则被内部的活性 层、电极及基板吸收。因此，现有的发光二极管普遍具有较低的发光效率的缺点。为了提高发光二极管的发光效率，目前经研究证实，若将半导体的表面予以粗化， 可使得光线自发光层出来后经过粗化的界面，产生散射现象，因而改变原来入射光的路径， 再经过全反射后，光线出去的机率便会明显增加，此相关技术已在文献IEEE Transcations on Electron Devices，47 (7)，1492，2000中揭示，而且该文献中指出发光二极管经粗化过 后，其外在发光效率可明显增加至40 %。现有技术如美国专利说明书中(专利号为US5040044、US5429954、US5898192等) 公开了以刻蚀方式于外延表面达到粗化的目的，即利用化学刻蚀法来粗化发光组件的表 面，以达成增加发光效率的效果。然而，上述已有技术现阶段只能应用于红光LED的材料， 并不能适用于可产生蓝光、绿光的氮化物材料上，其原因是红光LED的材料加工特性简单， 而氮化物材料具有很强的耐酸碱特性所致。虽然干法刻蚀可以克服湿法刻蚀的问题，但却 容易造成外延层的损伤，导致半导体层的电阻值升高。另外，半导体层为一单晶薄膜，若直 接对其粗化，则可能破坏内部的活性层，发光面积便因而减少，同时也可能会破坏外部的透 明电极，而造成透明电极的不连续，以致于对电流分散造成影响，种种情形将导致整体的发 光效率降低。由上可知，现有技术的适用范围为相当狭隘的，而且其所使用来提高发光二极管 的发光效率的工艺技术仍未达到成熟阶段。因此，现有技术无法广泛被业界所使用而不具 有产业利用性。
发明内容
本发明的要解决的技术问题在于提供一种发光二极管结构及其制造方法，以解决 现有技术无法有效提高发光二极管的发光效率的问题。为解决上述技术问题，本发明的发光二极管结构，至少包括一基板；一网格层， 其位于该基板的上方，且其具有一网格图案；一第一导电类型半导体层，其位于该网格层的 上方；一第二导电类型半导体层，其位于该第一导电类型半导体层的上方。本发明还提供一种发光二极管结构的制造方法，包括下列步骤(a)提供一基板；(b)于该基板上形成一缓冲层；
(c)于该缓冲层上形成一氮化镓层；(d)于该氮化镓层上形成一网格层；(e)于该网格层上形成一第一导电类型半导体层；(f)于该第一导电类型半导体层上形成一活性层；(g)于该活性层上形成一第二导电类型半导体层。本发明的发光二极管结构，其在发光二极管组件的外延过程中生长一网格层，该 网格层可使得朝发光二极管组件内部放射的光线能够反射回去且朝外界的方向行进，因而 不会使所有光线一直在发光二极管组件内部行进，以至于被内部的活性层、电极及基板等 所吸收，由此提高发光二极管组件的发光效率。另外，本发明中还可增加一混合层来进一步 增进发光二极管组件的发光效率。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1显示一具有网格层的基本型发光二极管组件的剖面图2是本发明的发光二极1营结构的第一具体实施例的剖面图
图3是本发明的发光二极1营结构的第二具体实施例的剖面图
图4是本发明的发光二极1营结构的第三具体实施例的剖面图
附图标记说明
10为发光二极管组件，100为基板，
102为网格层，104为n型半导体层，
106为结，108为p型半导体层，
110为光束，200为基板，
202为缓冲层，204为氮化镓层，
206为网格层，208为第一导电类型半导体层，
210为活性层，212为第二导电类型半导体层，
214为第一电极，216为第二电极，
300为基板，302为缓冲层，
304为氮化镓层，306为粗化层，
308为网格层，310为第一导电类型半导体层，
312为活性层，314为第二导电类型半导体层，
316为第一电极，318为第二电极，
400为基板，402为缓冲层，
404为氮化镓层，406为量子点粗化层，
408为网格层，410为第一导电类型半导体层，
412为活性层，414为第二导电类型半导体层，
416为第一电极，418为第二电极。
具体实施例方式
本发明的发光二极管是在发光二极管组件的外延过程中生长一网格层，该网格层可使得朝发光二极管组件内部放射的光线能够反射回去且朝外界的方向行进，因而不会使所有光线一直在发光二极管组件内部行进，以至于被内部的活性层、电极及基板等所吸收， 由此提高发光二极管组件的发光效率。如图1所示，是具有一网格层102的基本型发光二 极管组件10。图中p-n结106所产生的一光束110，在发光二极管组件10与空气间的界面 发生全反射而回到发光二极管组件10内部，当光束110到达网格层102时，则受到网格层 102上的图案的影响而再反射回去，且朝外界的方向行进，因而使得光束110不至于被基板 100所吸收。图2是本发明的发光二极管结构的第一具体实施例的剖面图。图2中各层是利用 金属有机化学气相外延法(MOCVD)的工艺进行沉积。形成图2的发光二极管结构的制造方 法包含以下步骤首先，提供一基板200，而基板200的材料可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、偏铝 酸锂、镓酸锂以及氮化铝中的任一种。接着于500_600°C下生长一层厚度为20_50歷的氮化镓材料的缓冲层202。随后再于1000-1200°C生长一层厚度为1-2μπι且掺杂Si的氮化镓层204 ；接着形 成一网格层206于氮化镓层204上，一种具体做法为可利用光刻显影工艺于氮化镓层204 的表面制作出具有多个网格的网状图形，然后再以干法刻蚀或湿法刻蚀制作网格的形状， 而另一具体做法是直接以刀具或激光进行切割所需的网格，以上做法皆可使得网格层206 具有一网格图案，且该网格图案可以至少是由条状、矩形、圆形以及三角形所组成的组中的 任何一种所构成。接着再生长一第一导电类型半导体层208于网格层206上，第一导电类型半导体 层208是一层厚度为1-2 μ m且掺杂Si的氮化镓层，所以第一导电类型半导体层208是一 η型氮化镓半导体层。接着降低温度至700-900°C，以生长一活性层210于第一导电类型半导体层208 上，活性层210可为下列任一种结构p-n结、双异质结(DH)、单层量子阱(SQW)以及InGaN/ GaN多层量子阱(MQW)。之后再升高温度至1000-120(TC，以生长一第二导电类型半导体层212于活性层 210上，第二导电类型半导体层212是一层厚度为0. 1-0. 2μπι且掺杂Mg的氮化镓层，所以 第二导电类型半导体层212是一 ρ型氮化镓半导体层，如此便制作完成发光二极管外延芯 片。最后，刻蚀第二导电类型半导体层212及活性层210，以暴露出第一导电类型半导 体层208的部分表面；再将Ti/Al金属制作于第一导电类型半导体层208所暴露的部分表 面而形成一第一电极214，因此第一电极214是为一 η型电极；将Ni/Au金属制作于第二导 电类型半导体层212的表面而形成一第二电极216，因此第二电极216则为一 ρ型电极。经 由实施以上步骤，可得到图2所示的发光二极管结构。上述实施例中的氮化镓层204除了可直接利用金属有机化学气相外延法(MOCVD) 进行沉积，亦可通过氢化物气相沉积法(HVPE)、化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)或溅镀法(sputter)等方式生长。本发明除了通过生长一网格层来提高发光二极管组件的发光效率外，还可以再加 入一混合层来进一步增进发光二极管组件的发光效率，其中该混合层至少具有一层可用以扩散射入光线的材料，亦即粗化层，因而使混合层具有让光线散射的效果，而粗化层的生成则可以通过下列二种方式其一，利用生长温度与气氛的控制而让一界面层(如SiN、AlN 等)具有微细孔洞；其二，通过植入量子点的方式而形成一薄膜。上述二种方式将分别实施 于图3及图4的实施例中。图3是本发明的发光二极管结构的第二具体实施例的剖面图。图3中各层是利用 金属有机化学气相外延法(MOCVD)的工艺进行沉积，而形成如图3所示的发光二极管结构 的制造方法包含以下步骤首先，提供一基板300，而基板300的材料可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、偏铝 酸锂、镓酸锂以及氮化铝中的任一种。接着于500-600°C下生长一层厚度为20-50nm的氮化镓材料的缓冲层302。随后再于1000_1200°C下生长一层厚度为1-2μπι且掺杂Si的氮化镓层304，紧接 着来生长一层厚度为I-IOOnm的粗化层306，其中粗化层306的材料至少含有选自于氮化 硅、氮化铝及氮化钛所组成的组中的一种材料，因此氮化镓层304与粗化层306便形成一混 合层；接着形成一网格层308于粗化层306上，一种具体的做法可利用光刻显影工艺于粗化 层306的表面制作出具有多个网格的网状图形，然后再以干法刻蚀或湿法刻蚀制作网格的 形状，而另一做法是直接以刀具或激光进行切割所需的网格，以上做法皆可使得网格层308 具有一网格图案，且该网格图案可以至少由条状、矩形、圆形以及三角形所组成的组中的任 何一个所构成。接着再生长一第一导电类型半导体层310于网格层308上，第一导电类型半导体 层310是一层厚度为1-2 μ m且掺杂Si的氮化镓层，所以第一导电类型半导体层310是一 η型氮化镓半导体层。接着降低温度至700-900°C，以生长一活性层312于第一导电类型半导体层310 上，活性层312可为下列任一种结构p-n结、双异质结(DH)、单层量子阱(SQW)以及InGaN/ GaN多层量子阱(MQW)。之后再升高温度至1000-120(TC，以生长一第二导电类型半导体层314于活性层 312上，第二导电类型半导体层314是一层厚度为0. 1-0. 2μπι且掺杂Mg的氮化镓层，所以 第二导电类型半导体层314是一 ρ型氮化镓半导体层，如此便制作完成发光二极管外延芯 片。最后，刻蚀第二导电类型半导体层314及活性层312，以暴露出第一导电类型半导 体层310的部分表面；再将Ti/Al金属制作于第一导电类型半导体层310所暴露的部分表 面而形成一第一电极316，因此第一电极316为一 η型电极；将Ni/Au金属制作于第二导电 类型半导体层314的表面而形成一第二电极318，因此第二电极318则为一 ρ型电极。经由 实施以上步骤，可得到如图3所示的发光二极管结构。上述实施例中的粗化层306除了可直接利用金属有机化学气相外延法(MOCVD)进 行沉积，亦可通过多层膜蒸镀法(如E-gim多层膜蒸镀法等)、化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)或溅镀法(sputter)等方式生长。图4是本发明的发光二极管结构的第三具体实施例的剖面图。图4中各层同样是 利用金属有机化学气相外延法(MOCVD)的工艺进行沉积，而形成图4的发光二极管结构的 制造方法包含以下步骤
首先，提供一基板400，而基板400的材料可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、偏铝 酸锂、镓酸锂以及氮化铝中的任一种。接着于500-600°C下生长一层厚度为I-IOOnm的氮化镓材料的缓冲层402。随后于1000-1200°C生长一层厚度为1_2μπι且掺杂Si的氮化镓层404，紧接着生 长一层厚度为I-IOOnm且具有AluGa(1_u_v)InvN量子点的粗化层406，其中u、ν参数之范围 0 < U、ν < 1且0 < u+v < 1，因此氮化镓层404与粗化层406便形成一混合层；接着形成 一网格层408于粗化层406上，一种具体的做法为可利用光刻显影工艺于粗化层406的表 面制作出具有多个网格的网状图形，然后再以干法刻蚀或湿法刻蚀制作网格的形状，而另 一做法是直接以刀具或激光进行切割所需的网格，以上做法皆可使得网格层408具有一网 格图案，且该网格图案可以至少由条状、矩形、圆形以及三角形所组成的组中的任何一种所 构成。
接着再生长一第一导电类型半导体层410于网格层408上，第一导电类型半导体 层410是一层厚度为3 μ m且掺杂Si的氮化镓层，所以第一导电类型半导体层410是一 η 型氮化镓半导体层。接着降低温度至700-900°C，以生长一活性层412于第一导电类型半导体层410 上，活性层412可为下列任一种结构p-n结、双异质结(DH)、单层量子阱(SQW)以及InGaN/ GaN多层量子阱(MQW)；然后再升高温度至1000-120(TC，以生长一第二导电类型半导体层 414于活性层412上，第二导电类型半导体层414是一层厚度为0. 1-0. 2 μ m且掺杂Mg的氮 化镓层，所以第二导电类型半导体层414是一 ρ型氮化镓(GaN)半导体层，如此便制作完成 发光二极管外延芯片。最后，刻蚀第二导电类型半导体层414及活性层412，以暴露出第一 导电类型半导体层410的部分表面；再将Ti/Al金属制作于第一导电类型半导体层410所 暴露的部分表面而形成一第一电极416，因此第一电极416为一 η型电极；将Ni/Au金属制 作于第二导电类型半导体层414的表面而形成一第二电极418，因此第二电极418则为一 ρ 型电极。经由实施以上步骤，可得到如图4所示的发光二极管结构。由以上之各实施例可理解，由于本发明主要是在发光二极管组件外延的过程中生 长一网格层，另外亦可进一步生长一具有粗化层的混合层，而相较于现有技术是在外延完 成后再进行后续的粗化处理，可理解本发明所使用的工艺较为方便且能够有效简化工艺步 骤，因此具有进步性及产业利用性。以上通过实施例，对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。 在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视 为本发明的保护范围。
权利要求
一种发光二极管结构，其特征在于，至少包括一基板；一网格层，其位于所述基板的上方，且具有一网格图案；一第一导电类型半导体层，其位于所述网格层的上方；一第二导电类型半导体层，其位于所述第一导电类型半导体层的上方。
2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述网格图案至少由条状、矩 形、圆形以及三角形所组成的组中的任一个所构成。
3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，进一步包括一活性层，其位 于所述第一导电类型半导体层及所述第二导电类型半导体层之间。
4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述基板的材料为蓝宝石、碳 化硅、硅、砷化镓、偏铝酸锂、镓酸锂以及氮化铝中的任一种。
5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一导电类型半导体层 是一n型氮化镓半导体层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体层 是一P型氮化镓半导体层。
7.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，所述活性层系可为下列任一 种结构P_n结、双异质结、单层量子阱以及多层量子阱。
8.一种发光二极管结构，其特征在于，至少包括 一基板；一混合层，其位于所述基板的上方，所述混合层至少具有一粗化层用以扩散射入光线.一入 ，一网格层，其位于所述混合层的上方，且具有一网格图案；一第一导电类型半导体层，其位于该网格层的上方；一第二导电类型半导体层，其位于该第一导电类型半导体层的上方。
9.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述网格图案至少由条状、矩 形、圆形以及三角形所组成的组中的任一者所构成。
10.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，进一步包括一活性层，其位 于该第一导电类型半导体层及该第二导电类型半导体层之间。
11.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述基板的材料为下列中的 任一种蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、偏铝酸锂、镓酸锂以及氮化铝。
12.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述粗化层的材料至少含有 选自于氮化硅、氮化铝及氮化钛所组成的组中的一种材料。
13.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述粗化层具有AluGa(1_u_v) InvN量子点，而u、v参数的范围为0彡u、v < 1，且0彡u+v < 1。
14.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一导电类型半导体层 是一n型氮化镓半导体层。
15.根据权利要求8所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体层 是一P型氮化镓半导体层。
16.根据权利要求10所述的发光二极管结构，其特征在于，所述活性层为下列任一种结构p-n结、双异质结、单层量子阱以及多层量子阱。
17.一种发光二极管结构，其特征在于，至少包括 一基板；一缓冲层，其形成于所述基板上；一混合层，其形成于所述缓冲层上，所述混合层至少具有一粗化层用以扩散射入的光线.一入 ，一网格层，其形成于所述混合层上，且具有一网格图案； 一第一导电类型半导体层，其形成于所述网格层上； 一活性层，其形成于所述第一导电类型半导体层上； 一第二导电类型半导体层，其形成于所述活性层上。
18.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述网格图案至少由条状、 矩形、圆形以及三角形所组成的组中的任一种所构成。
19.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述基板的材料为蓝宝石、 碳化硅、硅、砷化镓、偏铝酸锂、镓酸锂以及氮化铝中的任一种。
20.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述缓冲层的材料为氮化镓。
21.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述粗化层的材料至少含 有选自于氮化硅、氮化铝及氮化钛所组成的组中的任一材料。
22.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述粗化层具有AluGa(1_u_v) InvN量子点，而u、v参数的范围为0彡u、v < 1且0彡u+v < 1。
23.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第一导电类型半导体 层是一n型氮化镓半导体层。
24.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体 层是一P型氮化镓半导体层。
25.根据权利要求17所述的发光二极管结构，其特征在于，所述活性层可为下列任一 种结构P_n结、双异质结、单层量子阱以及多层量子阱。
26.一种发光二极管的制造方法，包括下列步骤(a)提供一基板；(b)于所述基板上形成一缓冲层；(c)于所述缓冲层上形成一氮化镓层；(d)于所述氮化镓层上形成一网格层；(e)于所述网格层上形成一第一导电类型半导体层；(f)于所述第一导电类型半导体层上形成一活性层；(g)于所述活性层上形成一第二导电类型半导体层。
27.根据权利要求26所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，进一步包含下列步骤(h)刻蚀所述第二导电类型半导体层及所述活性层，以暴露出所述第一导电类型半导 体层的部分表面；(i)于所述第一导电类型半导体层所暴露的部分表面形成一第一电极；(j)于所述第二导电类型半导体层的表面形成一第二电极。
28.根据权利要求27所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第一电极是一n 型电极。
29.根据权利要求27所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第二电极是一p 型电极。
30.根据权利要求26所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)是于 500-600°C下生长一层厚度为20-50nm的氮化镓材料的缓冲层。
31.根据权利要求30所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(c)是于 1000-1200°C生长一层厚度为l-2iim且掺杂Si的氮化镓层。
32.根据权利要求31所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(d)是利用 光刻显影工艺于所述氮化镓层的表面制作出具有多个网格的网状图形，然后再以干法刻蚀 或湿法刻蚀制作网格的形状。
33.根据权利要求31所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(d)是直接 以刀具或激光对所述氮化镓层进行切割形成所需的网格。
34.根据权利要求32或33所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(e) 是于1000-1200°C生长一层厚度为l-2iim且掺杂Si的氮化镓层。
35.根据权利要求34所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(f)是于 700-900°C下生长所述活性层。
36.根据权利要求35所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(g)是于 1000-1200°C生长一层厚度为0. 1-0. 2 u m且掺杂Mg的氮化镓层。
37.根据权利要求26所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述氮化镓层的生 长采用以下任一种方式进行氢化物气相沉积法、化学气相沉积法和溅镀法。
38.根据权利要求37所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积 法是金属有机化学气相外延法。
39.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括下列步骤(a)提供一基板；(b)于所述基板上形成一缓冲层；(c)于所述缓冲层上形成一混合层；(d)于所述混合层上形成一网格层；(e)于所述混合层上形成一第一导电类型半导体层；(f)于所述第一导电类型半导体层上形成一活性层；(g)于所述活性层上形成一第二导电类型半导体层。
40.根据权利要求39所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，进一步包含下列步骤(h)刻蚀所述第二导电类型半导体层及所述活性层，以暴露出所述第一导电类型半导 体层的部分表面；(i)于所述第一导电类型半导体层所暴露的部分表面形成一第一电极；(j)于所述第二导电类型半导体层的表面形成一第二电极。
41.根据权利要求40所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第一电极是一n型电极。
42.根据权利要求40所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第二电极是一p 型电极。
43.根据权利要求39所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)是于 500-600°C下生长一层厚度为20-50nm的氮化镓材料的缓冲层。
44.根据权利要求43所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(c)至少包 含于1000-1200°C下生长一层厚度为1-lOOnm的粗化层的步骤。
45.根据权利要求44所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(d)是于 1000-1200°C下生长一层厚度为l-2iim且掺杂Si的氮化镓层。
46.根据权利要求45所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(e)是于 700-900°C下生长所述活性层。
47.根据权利要求46所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(f)是于 1000-1200°C下生长一层厚度为0. 1-0. 2 u m且掺杂Mg的氮化镓层。
48.根据权利要求39所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(b)是于 500-600°C下生长一层厚度为1-lOOnm的氮化镓材料的缓冲层。
49.根据权利要求48所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(c)至少包 含于1000-1200°C下生长一层厚度为1-lOOnm且具有AluGaa_u_v)InvN量子点的粗化层的步 骤，其中u、v参数是范围为0彡u、v< 1且0彡u+v< 1。
50.根据权利要求49所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(d)是于 1000-1200°C下生长一层厚度为l-2iim且掺杂Si的氮化镓层。
51.根据权利要求50所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(e)是于 700-900°C下生长所述活性层。
52.根据权利要求51所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤(f)是于 1000-1200°C下生长一层厚度为0. 1-0. 2 u m且掺杂Mg的氮化镓层。
53.根据权利要求44或49所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述粗化层的 生长采用以下方式中的任一种多层膜蒸镀法、化学气相沉积法和溅镀法。
54.根据权利要求53所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述多层膜蒸镀法 为E-gim多层膜蒸镀法。
55.根据权利要求53所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积 法为金属有机化学气相外延法。
全文摘要
本发明公开了一种发光二极管结构，其至少包括一基板、一网格层、一第一导电类型半导体层，以及一第二导电类型半导体层。其中，网格层具有一网格图案，可使得朝发光二极管组件内部放射的光线能够反射回去而朝外界方向行进，因而不会使所有光线一直在发光二极管组件内部行进，以至于被内部各层所吸收。本发明的发光二极管结构能有效的增加发光二极管的发光效率。此外，本发明亦公开了一种发光二极管的制造方法，其是在发光二极管组件的外延过程中生长一网格层，而完成本发明的发光二极管结构。
文档编号H01L33/00GK101859835SQ200910131538
公开日2010年10月13日 申请日期2009年4月7日 优先权日2009年4月7日
发明者简奉任, 陈隆建 申请人:裕星企业有限公司