切割/芯片接合薄膜的制作方法

专利名称：：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极部件的胶粘剂在切割前粘贴在工件(半导体晶片等)上的状态下供给工件切割的切割/芯片接合薄膜、其制造方法及使用该切割/芯片接合薄膜的半导体装置制造方法。
背景技术：
：形成电路图案的半导体晶片(工件)在根据需要通过背面研磨调节厚度后，切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。切割工序中，为了除去切割层一般在适度的液压(通常是约2kg/cm2)下清洗半导体晶片。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(安装工序)后，进入接合工序。所述安装工序中，将胶粘剂涂布在引线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层难以均匀化，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片、并且还提供安装工序中所需的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参照专利文献l)。专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，在支撑基材上设置有能够剥离的胶粘剂层。即，在胶粘剂层的保持下切割半导体晶片，然后拉伸支撑基材，将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其逐个回收，通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。这种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，为了不产生无法切割或尺寸差错等，希望具有对半导体晶片的良好保持力和能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一起从支撑基材剥离的良好剥离性。但是，使这两种特性平衡绝不是容易的事情。特别是象利用旋转圆刀等切割半导体晶片的方式那样要求胶粘剂层具有高保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，为了克服这样的问题，提出了各种改进方法(例如，参照专利文献2)。专利文献2中公开了在支撑基材和胶粘剂层之间插入可紫外线固化的粘合剂层，将其切割后进行紫外线固化，由此使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，从而通过两者间的剥离使半导体芯片的拾取变得容易的方法。但是，即使通过该改进方法，有时也难以得到使切割时的保持力和之后的剥离性良好平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在10mmX10mm以上的大型半导体芯片或25~75pm的极薄半导体芯片的情况下，使用一般的芯片接合机不能容易地拾取半导体芯片。针对这样的问题，下述专利文献3中公开了向粘合剂层中与半导体晶片粘贴部分对应的部分照射紫外线使该部分固化，由此提高拾取性的方案。但是，专利文献3记载的切割/芯片接合薄膜，其切割后的切割面上发生构成芯片接合薄膜的胶粘剂层的胶糊溢出，因此有时切割面之间再附着(粘连)。结果，难以进行半导体芯片的拾取。专利文献l:日本特开昭60-57642号公报专利文献2:日本特开平2-248064号公报专利文献3:日本特开2005-5355号公报
发明内容本发明鉴于上述问题而进行，其目的在于提供一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下，切割该薄型半导体晶片时的保持力与将切割得到的半导体芯片和其芯片接合薄膜一起剥离时的剥离性之间的平衡特性也优良；其制造方法；以及使用该切割/芯片接合薄膜的半导体装置制造方法。本发明人为了解决上述现有问题，对切割/芯片接合薄膜、其制造方法以及使用该切割/芯片接合薄膜的半导体装置制造方法进行了研究。结果发现，如果是通过在紫外线照射前的粘合剂层上粘贴芯片接合薄膜而制作的切割/芯片接合薄膜，则粘合剂层与芯片接合薄膜的界面处的密合性高，锚固效应过度显现，结果，即使通过紫外线照射使粘合剂层固化后对半导体芯片进行拾取，有时也难以剥离。艮P，为了解决上述问题，本发明的切割/芯片接合薄膜为具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CHfCHCOOR1(式中，Ri为碳原子数6~10的垸基)表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2(式中，R2为碳原子数ll以上的垸基)表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A6090摩尔％，丙烯酸酯B为40~10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10~30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在70~90摩尔％的范围内，并且，通过紫外线照射而固化，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在紫外线照射后的粘合剂层上。所述粘合剂层在与芯片接合薄膜粘贴前通过紫外线照射预先固化而形成。因此粘合剂层表面硬，在与芯片接合薄膜粘贴时能够使两者的密合度下降。由此，减小粘合剂层与芯片接合薄膜之间的锚固效果，例如在拾取半导体芯片时，使粘合剂层与芯片接合薄膜之间的剥离性良好。结果，能够提高拾取性。另外，通过紫外线照射使粘合剂层固化时，形成交联结构，由此粘合剂层的体积縮小。因此，例如在与芯片接合薄膜粘贴后对粘合剂层照射紫外线使其固化时，对芯片接合薄膜施加有应力。结果，有时切割/芯片接合薄膜整体产生翘曲。但是，本发明的切割/芯片接合薄膜，由于是在通过紫外线照射进行固化后与芯片接合薄膜粘贴而形成的，因此能够防止对芯片接合薄膜施加不需要的应力。结果，能够得到无翘曲的切割/芯片接合薄膜。另外，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，因此即使例如通过切割与半导体晶片一起被切断，也能够防止其切割面上发生构成芯片接合薄膜的胶粘剂的胶糊溢出。由此，防止切割面之间再附着(粘连)，从而能够进一步提高半导体芯片的拾取性。另外，形成所述粘合剂层的丙烯酸类聚合物中，包含由CH^CHCOOR1(式中，W为碳原子数6~10的烷基)表示的丙烯酸酯A和由CH2=CHCOOR2(式中，R"为碳原子数11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B，并且相对于丙烯酸酯A6090摩尔。/。，丙烯酸酯B的配合比例为40-10摩尔％。通过使丙烯酸酯A的配合比例为90摩尔％以下并且使丙烯酸酯B的配合比例为10摩尔％以上，能够提高粘合剂层在紫外线固化后对芯片接合薄膜的剥离性，从而使拾取半导体芯片时的拾取性良好。另一方面，通过使丙烯酸酯A的配合比例为60摩尔％以上并且使丙烯酸酯B的配合比例为40摩尔％以下，使紫外线固化前切割薄膜与芯片接合薄膜的胶粘性良好，能够防止剥离。另外，通过使含羟基单体的配合比例相对于丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％为10摩尔％以上，抑制紫外线照射后的交联不足。结果，能够防止例如切割时对粘贴于粘合剂层上的切割环产生胶糊残留。另一方面，通过使所述配合比例为40摩尔％以下，能够防止紫外线照射导致交联过度进行而造成剥离困难，拾取性降低的情况。另外，还能够防止与聚合物的部分凝胶化相伴随的生产率下降。另外，本发明中，不使用多官能单体，而采用分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，因此，不会出现该多官能单体物质扩散至芯片接合薄膜中的情况。结果，防止切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，能够实现更好的拾取性。所述紫外线照射时的积分光量优选在301000mJ/cm2的范围内。通过使紫外线照射时的积分光量为30mJ/cr^以上，使粘合剂层充分固化，防止其与芯片接合薄膜过度密合。结果，能够实现良好的拾取性，并能够防止拾取后粘合剂附着在芯片接合薄膜上(所谓的胶糊残留)。另一方面，通过使所述积分光量为1000mJ/ci^以下，能够减少对基材的热损害。另外，能够防止粘合剂层的固化过度进行而使拉伸弹性模量过大，扩张性下降。另外，能够防止粘合力过低，由此在工件的切割时，能够防止芯片飞散的发生。所述含羟基单体优选为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二垸酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。另外，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，优选为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。另外，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量优选在35万至100万的范围内。通过使重均分子量为35万以上，减少低分子量聚合物的比例，由此，能够防止例如切割时从粘合剂层上粘贴的切割环上发生剥离。另外，防止紫外线照射后的交联不足，因此在从粘合剂层上剥离切割环时，能够防止产生胶糊残留。另一方面，通过使重均分子量为100万以下，能够提高在基材上形成粘合剂层时的操作性。粘合剂层的形成，例如通过在基材上涂布由所述丙烯酸类聚合物形成的粘合剂组合物溶液后使其干燥来进行，如果丙烯酸类聚合物的重均分子量超过100万，则粘合剂组合物溶液的粘度过大，因此该丙烯酸类聚合物的聚合以及涂布时的操作性下降。另外，优选所述粘合剂层的紫外线照射后的23'C下的拉伸弹性模量在7170MPa的范围内，并且构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物不包含丙烯酸作为单体成分。通过使紫外线照射后的拉伸弹性模量(23°C)为7MPa以上，能够保持良好的拾取性。另一方面，通过使拉伸弹性模量为170MPa以下，能够抑制切割时发生芯片飞散。构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物优选不包含丙烯酸作为单体成分。由此，能够防止粘合剂层与芯片接合薄膜的反应或相互作用，从而进一步提高拾取性。另外，为了解决前述问题，本发明的切割/芯片接合薄膜的制造方法用于制造具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于包括在所述基材上形成粘合剂层前体的工序，所述粘合剂层前体由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2-CHCOORi表示的丙烯酸酯A、CH^CHCOOI^表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6~10的垸基，R"为碳原子数11以上的垸基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A6090摩尔％，丙烯酸酯B为40-10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10~30摩尔°/。的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在70~90摩尔％的范围内；对所述粘合剂层前体照射紫外线而形成所述粘合剂层的工序；和在所述粘合剂层上粘贴所述芯片接合薄膜的工序。所述切割薄膜的粘合剂层在粘贴芯片接合薄膜前通过紫外线照射预先固化。因此粘合剂层表面硬，成为对凹凸的密合性下降的状态。本发明通过在这样的粘合剂层上粘贴芯片接合薄膜来制作切割/芯片接合薄膜，因此，粘合剂层与芯片接合薄膜之间的密合性下降，减少锚固效果。结果，例如在拾取半导体芯片时，粘合剂层与芯片接合薄膜之间的剥离性优良，得到显示良好拾取性的切割/芯片接合薄膜。另外，通过紫外线照射使粘合剂层固化时，形成交联结构，由此粘合剂层的体积縮小。因此，例如在与芯片接合薄膜粘贴后对粘合剂层照射紫外线使其固化时，对芯片接合薄膜施加有应力。结果，有时切割/芯片接合薄膜整体产生翘曲。但是，本发明的切割/芯片接合薄膜，由于是在通过紫外线照射进行固化后与芯片接合薄膜粘贴而形成的，因此能够防止对芯片接合薄膜施加不需要的应力。结果，能够得到无翘曲的切割/芯片接合薄膜。另外，所述方法中，使用环氧树脂作为芯片接合薄膜的构成材料，因此能够形成例如半导体晶片的切割时，即使半导体晶片与芯片接合薄膜被切断也能够防止其切割面上发生胶粘剂的胶糊溢出的芯片接合薄膜。结果，防止芯片接合薄膜的切割面之间再附着(粘连)，由此能够制作拾取性优良的切割/芯片接合薄膜。另外，形成所述粘合剂层的丙烯酸类聚合物中，包含由CH^CHCOOR1(式中，W为碳原子数610的烷基)表示的丙烯酸酯A和由CH2=CHCOOR2(式中，W为碳原子数11以上的垸基)表示的丙烯酸酯B，并且相对于丙烯酸酯A60—0摩尔M，丙烯酸酯B的配合比例为40-10摩尔％。通过使丙烯酸酯A的配合比例为90摩尔％以下并且使丙烯酸酯B的配合比例为10摩尔％以上，能够提高粘合剂层在紫外线固化后对芯片接合薄膜的剥离性，从而使拾取半导体芯片时的拾取性良好。另一方面，通过使丙烯酸酯A的配合比例为60摩尔％以上并且使丙烯酸酯B的配合比例为40摩尔％以下，使紫外线固化前的切割薄膜与芯片接合薄膜的胶粘性良好，能够防止剥离。另外，通过使含羟基单体的配合比例相对于丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％为10摩尔％以上，抑制紫外线照射后的交联不足。结果，能够防止例如切割时对粘贴于粘合剂层上的切割环产生胶糊残留。另一方面，通过使所述配合比例为40摩尔％以下，能够防止紫外线照射导致交联过度进行而造成剥离困难，拾取性降低的情况。另外，也能够防止与聚合物的部分凝胶化相伴随的生产率下降。另外，本发明中，不使用多官能单体，而采用分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，因此，不会出现该多官能单体物质扩散至芯片接合薄膜中的情况。结果，防止切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，能够实现更好的拾取性。所述紫外线照射优选在301000mJ/cm2的范围内进行。通过使紫外线的照射为30mJ/cri^以上，使粘合剂层充分固化，防止其与芯片接合薄膜过度密合。结果，能够实现良好的拾取性，并能够防止拾取后粘合剂附着在芯片接合薄膜上(所谓的胶糊残留)。另一方面，通过使紫外线的照射为1000mJ/cn^以下，能够减少对基材的热损害。另外，能够防止粘合剂层的固化过度进行而使拉伸弹性模量过大，扩张性下降。另外，能够防止粘合力过低，由此在工件的切割时，能够防止芯片飞散的发生。另外，为了解决前述问题，本发明的半导体装置制造方法使用具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下工序准备前面记载的切割/芯片接合薄膜，并在所述芯片接合薄膜上压接半导体晶片的工序；通过将所述半导体晶片与所述芯片接合薄膜一起切割而形成半导体芯片的工序；和将所述半导体芯片与所述芯片接合薄膜一起从所述粘合剂层上剥离的工序；并且从所述半导体晶片的压接工序直至半导体芯片的剥离工序，所述粘合剂层上未照射紫外线。所述方法中，使用在半导体晶片的切割时防止半导体芯片发生芯片飞散、并且拾取性也优良的切割/芯片接合薄膜，因此即使在例如10mmX10mm以上的大型半导体芯片或2575|im的极薄半导体芯片的情况下，也能够容易地将半导体芯片与芯片接合薄膜一起从切割薄膜上剥离。S卩，如果是所述方法，则能够提高成品率而制造半导体装置。另外，所述方法中，在拾取前不必对粘合剂层照射紫外线。结果，与以往的半导体装置制造方法相比能够减少工序数。另外，即使在半导体晶片具有规定电路图案的情况下，也能够防止由紫外线照射引起的电路图案不良情况的产生。结果，能够制造可靠性高的半导体装置。另外，所述方法中，由于使用具有使用环氧树脂作为构成材料的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，因此即使在例如半导体晶片的切割时，也能够防止芯片接合薄膜的切割面上胶粘剂的糊溢出而造成的切割面之间的再附着(粘连)。结果，半导体芯片的剥离更加容易，能够实现成品率的提高。图1是表示本发明的一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图2是表示本发明的另一个实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图3是表示通过所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安装半导体芯片的例子的剖面示意图。符号说明1基材2粘合剂层3芯片接合薄膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘物7焊线8密封树脂9垫片10、11切割/芯片接合薄膜具体实施例方式(切割/芯片接合薄膜)参照图1和图2对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图2是表示本发明实施方式的另一个切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。其中，省略不需说明的部分，另外，为了便于说明有扩大或者縮小等进行图示的部分。如图1所示，切割/芯片接合薄膜10的构成为具有在基材1上设置粘合剂层2的切割薄膜和在该粘合剂层2上设置的芯片接合薄膜3。另外，如图2所示，本发明也可以是仅在半导体晶片粘贴部分2a上形成芯片接合薄膜3'的构成。所述基材1具有紫外线透过性，并且为切割/芯片接合薄膜10、11的强度母体。可以列举例如低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、含氟树脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纤维素树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。另外，作为基材l的材料，可以列举所述树脂的交联物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸而使用，也可以根据需要进行单轴或双轴拉伸处理后使用。利用经拉伸处理等赋予了热收縮性的树脂片，通过在切割后使其基材1热收縮而降低粘合剂层2与芯片接合薄膜3、3'的胶粘面积，从而容易进行半导体芯片的回收。为了提高与邻接层的密合性、保持性等，基材1的表面可以进行常规表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电压暴露、离子化射线处理等化学或物理处理、以及底涂剂(例如，后述的粘合物质)涂布处理等。所述基材1，可以适当选择使用同种或异种材料，根据需要也可以将多种混合使用。另外，为了赋予基材1防静电性能，可以在所述基材1上设置包含金属、合金、它们的氧化物等的厚度约30A约500A的导电物质的蒸镀层。基材1可以是单层或2种以上的多层。基材1的厚度没有特别限制，可以适当设定，一般为约5pm约200fim。所述粘合剂层2由紫外线固化型粘合剂形成，通过预先照射紫外线而固化。固化的部分不必是粘合剂层2的全部区域，只要至少与粘合剂层2的半导体晶片粘贴部分3a对应的部分2a固化即可(参照图1)。粘合剂层2在与芯片接合薄膜3粘贴前通过紫外线照射而固化，因此其表面变硬，能够抑制粘合剂层2与芯片接合薄膜3的界面处的密合性过度增大。由此，减少粘合剂层2与芯片接合薄膜3之间的锚固效果，实现剥离力的提高。另外，通过使紫外线固化型粘合剂层2在与图2所示的芯片接合薄膜3，贴合的状态下预先固化，抑制粘合剂层2与芯片接合薄膜3的界面处密合性过度增大。由此，具备拾取时芯片接合薄膜3'容易从粘合剂层2上剥离的性质。另一方面，粘合剂层2的其它部分2b由于未照射紫外线因此未固化，粘合力比所述部分2a大。由此，在其它部分2b上粘贴切割环12时，能够将切割环12可靠地胶粘固定。如前所述，图1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合剂层2中，由未固化的紫外线固化型粘合剂形成的所述部分2b与芯片接合薄膜3粘合，能够确保切割时的保持力。这样，紫外线固化型粘合剂能够以良好的胶粘/剥离支撑用于将半导体芯片固着到衬底等被粘物上的芯片接合薄膜3。图2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合剂层2中，所述部分2b能够固定切割环。切割环例如可以使用不锈钢制等由金属制成的切割环或树脂制成的切割环。切割/芯片接合薄膜10中，优选进行如下设计使粘合剂层2中所述部分2a对半导体晶片粘贴部分3a的粘合力小于所述其它部分2b对与半导体晶片粘贴部分3a不同的部分3b的粘合力。就常温(23'C)下的粘合力(剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟)而言，所述部分2a的粘合力从晶片的固定保持力和形成的芯片的回收性等观点考虑优选为0.5~0.9N/10mm。粘合力如果小于0.5N/10mm则半导体芯片的胶粘固定不充分，因此在切割时有时发生芯片飞散。另外，粘合力如果超过0.9N/10mm则粘合剂层2过度地胶粘芯片接合薄膜3，因此有时难以拾取半导体芯片。另一方面，所述其它部分2b的粘合力优选为0.5~10N/10mm、进一步优选l5N/10mm。即使所述部分2a的粘合力低，通过所述其它部分2b的粘合力也能够抑制芯片飞散等的发生，从而发挥晶片加工所需的保持力。切割/芯片接合薄膜11中，优选进行如下设计使粘合剂层2中所述部分2a对半导体晶片粘贴部分3a的粘合力小于所述其它部分2b对切割环12的粘合力。所述部分2a对半导体晶片粘贴部分3a的粘合力(常温(23°C)、剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟)与上述同样优选为0.5~0.9N/10mm。另一方面，所述其它部分2b对切割环12的粘合力优选为0.0510N/10mm、进一步优选0.15N/10mm。即使所述部分2a的剥离粘合力低，通过所述其它部分2b的粘合力也能够抑制芯片飞散等的发生，从而发挥对晶片加工充分的保持力。另外，这些粘合力基于常温(23°C)、剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟条件下的测定值。另外，切割/芯片接合薄膜10、11中，优选进行如下设计使半导体晶片粘贴部分3a对半导体晶片的粘合力大于其对所述部分2a的粘合力。对半导体晶片的粘合力可以根据其种类适当调节。半导体晶片粘贴部分3a对所述部分2a的粘合力(常温(23'C)、剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟)优选为0.05~10N/10mm、进一步优选l~5N/10mm。另一方面，半导体晶片粘贴部分3a对半导体晶片的粘合力(常温(23°C)、剥离角度15度、剥离速度300mm/分钟)从切割时、拾取时、芯片接合时的可靠性、拾取性的观点考虑优选为0.5~15N/10mm以下、进一步优选l~15N/10mm。在此，当设半导体晶片4的直径为n、粘合剂层2中所述部分2a的直径为r2、芯片接合薄膜3中半导体晶片粘贴部分3a(或芯片接合薄膜3')的直径为r3时，优选满足rfr2々3的关系。由此，能够将半导体晶片4的整个面胶粘固定在芯片接合薄膜3、3'上，同时，能够将半导体晶片粘贴部分3a(或芯片接合薄膜3')的边缘部胶粘固定在所述其它部分2b上。由于所述其它部分2b的粘合力大于所述部分2a，因此能够在所述边缘部胶粘固定半导体晶片粘贴部分3a(或芯片接合薄膜3，)。结果，切割时能够进一步防止芯片飞散的发生。所述紫外线固化型粘合剂是使用在聚合物侧链或主链中或者主链末端具有自由基反应性碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型紫外线固化型粘合剂。内在型紫外线固化型粘合剂不需要含有或者大部分不含有作为低分子量成分的低聚物等成分等，因此低聚物成分等不会随时间推移在粘合剂中移动，能够形成稳定层结构的粘合剂层。本发明中，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯A、丙烯酸酯B、含羟基单体和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成。所述丙烯酸酯A由化学式CH^CHCOOR1(式中，W为碳原子数6~10、更优选碳原子数8~9的烷基)表示。另外，所述丙烯酸酯B由化学式CH2=CHCOOR2(式中，R2为碳原子数11以上、更优选12~26、进一步优选1622的烷基)表示。通过含有这样的长链垸基单体，减小粘合剂的极性，能够提高紫外线固化后的剥离性。所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60~90摩尔％，丙烯酸酯B为40~10摩尔％。如果所述丙烯酸酯A的配合比例超过卯摩尔％并且丙烯酸酯B的配合比例低于10摩尔％，则紫外线固化后的粘合剂层2对芯片接合薄膜的剥离性降低，在拾取半导体芯片时导致拾取性下降。另一方面，如果丙烯酸酯A的配合比例低于60摩尔％并且丙烯酸酯B的比例超过40摩尔％，则粘合剂层2对芯片接合薄膜3的胶粘性下降，切割时有时发生芯片飞散。所述丙烯酸酯A具体可以列举例如丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异癸酯等烷基的碳原子数为6~10(特别是碳原子数8-9)的直链或支链丙烯酸垸基酯等。这些单体可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，所述化学式表示的单体中，特别优选丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬酯。作为所述丙烯酸酯B,只要是垸基的碳原子数为11以上的丙烯酸烷基酯则没有特别限制，优选垸基的碳原子数为12以上(特别优选碳原子数16以上)的丙烯酸垸基酯。丙烯酸酯B中垸基的碳原子数的上限没有特别限制，例如可以为30以下，优选26以下(进一步优选22以下)。作为丙烯酸酯B，具体可以列举例如丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯、丙烯酸二十二垸酯等。这些单体可以单独使用或者两种以上组合使用。所述丙烯酸类聚合物含有能够与所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B共聚的含羟基单体作为必须成分。作为含羟基单体，可以列举例如(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或(甲基)丙烯酸-(4-羟甲基环己基)甲酯等。所述含羟基单体可以单独使用或者两种以上组合使用。所述含羟基单体的配合比例，相对于丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％优选在10~40摩尔％的范围内，更优选在15-30摩尔％的范围内。配合比例如果小于10摩尔％则紫外线照射后交联不足，有时拾取性下降。另一方面，如果配合比例超过40摩尔％则粘合剂的极性增高，与芯片接合薄膜的相互作用增大，因此剥离困难。为了改善凝聚力、耐热性等，所述丙烯酸类聚合物根据需要可以含有与能够与所述丙烯酸垸基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸戊酯等丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等甲基丙烯酸垸基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺；丙烯腈；丙烯酸环烷酯(环己酯等)；甲基丙烯酸环烷酯；等。这些可共聚单体成分可以使用一种或两种以上。这些可共聚单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。但是，在所述含羧基单体的情况下，其羧基与芯片接合薄膜3中的环氧树脂中的环氧基反应，由此粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失，有时两者的剥离性下降。因此，含羧基单体的用量优选为全部单体成分的0~3重量％以下。另外，这些单体成分中，构成本发明的粘合剂层2的丙烯酸类聚合物优选不含丙烯酸作为单体成分。这是因为有时丙烯酸物质扩散到芯片接合薄膜3中，使粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失而使剥离性下降。在此，所述丙烯酸类聚合物优选不含多官能单体作为共聚用单体成分。由此，多官能单体不会物质扩散至芯片接合薄膜，能够防止粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失而导致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸类聚合物中，使用分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物作为必须成分。作为所述异氰酸酯化合物，可以列举例如甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-a，a-二甲基苄基异氰酸酯等。所述异氰酸酯化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物的配合比例，相对于含羟基单体100摩尔％优选在70~90摩尔％的范围内，更优选在75~85摩尔％的范围内。配合比例如果低于70摩尔％则紫外线照射后的交联不足，有时拾取性下降。另一方面，配合比例如果超过卯摩尔％则粘合剂的极性增高，与芯片接合薄膜的相互作用增大，由此难以剥离，拾取性下降。所述丙烯酸类聚合物可以通过使所述单体混合物进行聚合而得至U。聚合可以通过溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等中的任意方式进行。从防止污染洁净的被粘物等方面考虑，优选低分子量物质的含量小。从该观点考虑，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为约35万至约100万、更优选约45万至约80万。重均分子量的测定通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行，是通过聚乙烯换算计算得到的值。另外，为了调节紫外线照射前的粘合力或紫外线照射后的粘合力，所述粘合剂中也可以适当使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂使其反应的方法。使用外部交联剂的情况下，其用量根据与欲交联的基础聚合物的平衡以及作为粘合剂的使用用途进行适当确定。一般相对于所述基础聚合物100重量份优选配合约20重量份以下、更优选配合0.1-10重量份。另外，根据需要，粘合剂中除所述成分之外还可以使用现有公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。在所述丙烯酸类聚合物中引入自由基反应性碳碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，从分子设计方面而言在聚合物侧链中引入自由基反应性碳碳双键是比较容易的。例如可以列举预先将具有羟基的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有能够与该羟基反应的异氰酸酯基及自由基反应性碳碳双键的所述异氰酸酯化合物在保持自由基反应性碳碳双键的紫外线固化性的状态下与所得共聚物进行縮合或加成反应的方法。所述内在型紫外线固化型粘合剂，可以单独使用所述具有自由基反应性碳碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以在不损害特性的范围内配合紫外线固化性单体成分或低聚物成分。作为配合的所述紫外线固化性单体成分，可以列举例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外线固化性低聚物成分可以列举氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量在约100至约30000的范围内是适当的。紫外线固化性单体成分或低聚物成分的配合量可以根据所述粘合剂层的种类适当确定能够使粘合剂层的粘合力下降的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约5重量份至约500重量份、优选约40重量份至约150重量份。所述紫外线固化型粘合剂中优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、a-羟基-(x，a，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等ot-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2，2，-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2，-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙垸-l-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；联苯酰二甲基縮酮等縮酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；l-苯基-l,2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)躬等光活性月亏类化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3，3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份例如为约0.05重量份至约20重量份。切割/芯片接合薄膜10的粘合剂层2中，可以对粘合剂层2的一部分进行紫外线照射以使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用对基材1的至少单面的、与半导体晶片粘贴部分3a对应的部分以外的部分的全部或者一部分进行遮光的基材，在其上形成紫外线固化型粘合剂层2后进行紫外线照射，使与半导体晶片粘贴部分3a对应的部分固化，形成粘合力下降的所述部分2a。作为遮光材料，可以通过印刷或蒸镀等在支撑薄膜上制作能够形成光掩模的遮光材料。另外，紫外线照射时因氧而产生固化抑制时，优选从紫外线固化型粘合剂层2的表面隔断氧(空气)。作为其方法，可以列举例如用隔膜包覆粘合剂层2的表面的方法或者在氮气氛围中进行紫外线等的照射的方法等。粘合剂层2的厚度没有特别限制，从同时防止芯片切割面的缺陷和保持芯片接合薄膜3的固定等方面考虑，优选为约lpm至约50pm。优选2~30]um、更优选5~25jim。芯片接合薄膜3例如可以形成仅由单层胶粘剂层构成的结构。另外，也可以将玻璃化转变温度不同的热塑性树脂、热固化温度不同的热固性树脂适当组合，形成两层以上的多层结构。另外，由于半导体晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸湿，有时达到常态以上的含水率。如果以这样的高含水率状态胶粘到衬底等上，则有时在后固化阶段胶粘界面处滞留水蒸汽，而产生隆起。因此，作为芯片胶粘用胶粘剂，形成用芯片胶粘剂夹住髙透湿性芯材的结构，由此在后固化阶段水蒸汽透过薄膜而扩散，从而能够避免所述问题。从这样的观点考虑，芯片接合薄膜3可以形成在芯材的单面或双面形成胶粘剂层的多层结构。作为所述芯材，可以列举薄膜(例如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。本发明的芯片接合薄膜3，以环氧树脂作为主成分而形成。环氧树脂中使半导体元件腐蚀的离子性杂质等的含量少，因此优选。作为所述环氧树脂，只要是通常作为胶粘剂组合物使用的环氧树脂则没有特别限制，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四酚基乙烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、异氰脲酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲垸型环氧树脂或四酚基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚树脂的反应性好，并且耐热性等优良。另外，芯片接合薄膜3根据需要可以适当组合使用其它热固性树脂或热塑性树脂。作为所述热固性树脂，可以列举酚树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂、或者热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，作为环氧树脂的固化剂优选酚树脂。另外，所述酚树脂作为所述环氧树脂的固化剂使用，可以列举例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚树脂、甲阶酚醛树脂型酚树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳垸基树脂等。这是因为它们能够提高半导体装置的连接可靠性。所述环氧树脂与酚树脂的配合比例，优选例如以相对于所述环氧树脂成分中的每一当量环氧基，酚树脂中的羟基为0.5-2.0当量的比例进行配合。更优选0.8-1.2当量。g卩，这是因为两者的配合比例如果在所述范围以外，则固化反应不充分，环氧树脂固化物的特性容易变差。作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、尼龙6或尼龙6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者含氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸系树脂。作为所述丙烯酸系树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4~18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为成分的聚合物等。作为所述垸基，可以列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三垸基、十四垸基、硬脂基、十八垸基或者十二烷基等。另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体。为了使芯片接合薄膜3的胶粘剂层预先具有某种程度的交联，在制作时优选添加能够与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂。由此，能够提高高温下的胶粘特性、改善耐热性。另外，芯片接合薄膜3的胶粘剂层中根据需要可以适当配合其它添加剂。作为其它添加剂，可以列举例如阻燃剂、硅垸偶联剂或离子捕获剂等。作为所述阻燃剂，可以列举例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述硅垸偶联剂，可以列举例如(3-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸、"环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述离子捕获剂，可以列举例如水滑石类、氢氧化铋等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。芯片接合薄膜3的厚度没有特别限制，例如为约5nm至约100pm、优选约5nm至约50|im。可以使切割/芯片接合薄膜10、11具有防静电性能。由此，能够防止其胶粘时及剥离时等产生静电或者电路由于静电导致的半导体晶片带电而遭破坏等。防静电能力的赋予，可以通过在基材l、粘合剂层2或者芯片接合薄膜3中添加防静电剂或导电物质的方法、在基材1上附设由电荷转移络合物或金属膜等形成的导电层等适宜方式来进行。作为这些方式，优选不易产生可能导致半导体晶片变质的杂质离子的方式。作为以赋予导电性、提高导热性等为目的而配合的导电物质(导电填料)，可以列举银、铝、金、铜、镍、导电合金等球状、针状、片状金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。但是，从不漏电的观点考虑，优选所述芯片接合薄膜3、3'为非导电性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3'优选由隔膜保护(未图示)。隔膜具有作为在供给实际应用之前保护芯片接合薄膜3、3'的保护材料的功能。另外，隔膜还可以作为向粘合剂层2上转印芯片接合薄膜3、3'时的支撑基材使用。隔膜在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3、3'上粘贴半导体芯片时剥离。作为隔膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剥离剂、长链垸基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂敷的塑料薄膜或纸等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10为例对本发明的切割/芯片接合薄膜的制造方法进行说明。首先，基材1可以通过现有公知的制膜方式制成膜。作为该制膜方法，可以列举例如压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系的挤压吹塑法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。然后，在基材1上涂布粘合剂组合物形成涂膜后，在规定条件下使该涂膜干燥(根据需要进行加热交联)，形成粘合剂层前体。作为涂布方法没有特别限制，可以列举例如辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，作为干燥条件可以根据涂膜的厚度或材料等进行各种设定。具体而言，例如，在干燥温度8015(TC、干燥时间0.5~5分钟的范围内进行。另外，也可以在隔膜上涂布粘合剂组合物形成涂膜后，在所述干燥条件下使涂膜干燥而形成粘合剂层前体。之后，将粘合剂层前体转印到基材1上。对这样形成的粘合剂层前体进行紫外线照射，由此形成粘合剂层2。作为紫外线的照射条件，其积分光量优选在301000mJ/cm2的范围内、更优选在100~500mJ/cm2的范围内。紫外线照射如果不足30mJ/cn^则有时粘合剂层的固化不充分。结果，与芯片接合薄膜的密合性增大，导致拾取性下降。另外，拾取后在芯片接合薄膜上产生胶糊残留。另一方面，紫外线照射如果超过1000mJ/cn^则有时对基材产生热损害。另外，粘合剂层的固化过度进行而使拉伸弹性模量过大，扩张性下降。另外，粘合力过度下降，由此在半导体晶片的切割时，有时发生芯片飞散。然后，将用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剥离纸上至预定厚度，并且在规定条件下进行干燥而形成芯片接合薄膜3。通过将该芯片接合薄膜3转印到所述粘合剂层2上，形成切割/芯片接合薄膜。通过以上方法，得到本发明的切割/芯片接合薄膜10。(半导体装置的制造方法)参照图3对使用本发明的切割/芯片接合薄膜11的半导体装置的制造方法进行说明。首先，将半导体晶片4压接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3，上，将其胶粘保持而固定(安装工序)。本工序在用压接辊等挤压工具挤压的同时进行。然后，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切割为规定的尺寸而小片化，形成半导体芯片5。切割例如从半导体晶片4的电路面侧一按照常规方法进行。另外，本工序中，例如可以采用完全切入至芯片接合薄膜3的、称为全切的切割方式等。由于芯片接合薄膜3由环氧树脂形成，因此即使通过切割被切断，也能够防止其切割面上产生胶粘剂的胶糊溢出。结果，能够防止切割面之间再附着(粘连)，从而能够更好地进行后述的拾取。本工序中使用的切割装置没有特别限制，可以使用现有公知的切割装置。另外，由于半导体晶片4由芯片接合薄膜3胶粘固定，因此不仅能够抑制芯片缺陷和芯片飞散，也能够抑制半导体晶片4的破损。另外，即使在通过切割切入至粘合剂导2的情况下，由于粘合剂层2通过紫外线照射而固化，也能够防止丝屑等的产生。然后，进行切割/芯片接合薄膜11的扩张。扩张使用现有公知的扩张装置进行。扩张装置具有能够通过切割环将切割/芯片接合薄膜11向下方下推的甜甜圈(donuts)状外环和直径比该外环小的支撑切割/芯片接合薄膜11的内环。切割/芯片接合薄膜11中，仅粘合剂层2的所述部分2a通过紫外线照射而固化，其它部分2b未固化，因此，能够充分地扩大相邻半导体芯片间的间隙而不产生断裂。结果，在后述的拾取时，能够防止半导体芯片之间接触而破损。为了剥离胶粘固定在切割/芯片接合薄膜10上的半导体芯片5，进行半导体芯片5的拾取。拾取以不对粘合剂层2照射紫外线的方式进行。拾取方法没有特别限制，可以采用现有公知的各种方法。例如，可以列举用针从切割/芯片接合薄膜10—侧将各个半导体芯片5向上推，通过拾取装置拾取被上推的半导体芯片5的方法等。本发明的切割/芯片接合薄膜10中，粘合剂层2与芯片接合薄膜3的剥离性良好，因此即使减少针数、或者减小上推量也能够提高成品率而进行拾取。拾取的半导体芯片5通过芯片接合薄膜3a胶粘固定在被粘物6上(芯片接合)。被粘物6载置于加热台(heatblock)9上。作为被粘物6，可以列举引线框、TAB薄膜、衬底或者另外制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以是容易变形的变形型被粘物、也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶片等)。作为所述衬底，可以使用现有公知的衬底。另外，作为所述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框或者由玻璃环氧、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等制成的有机衬底。但是，本发明不限于这些，也包括在安装半导体元件，与半导体元件电连接后可以使用的电路衬底。芯片接合薄膜3为热固型时，通过加热固化将半导体芯片5胶粘固定在被粘物6上，并提高耐热强度。另外，通过芯片接合薄膜3a将半导体芯片5胶粘固定到衬底等上而形成的制品可以供给回流焊接工序。之后，进行用焊线7将衬底的端子部(内部端子)的前端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)电连接的丝焊，再用密封树脂8将半导体芯片密封，并使该密封树脂8后固化。由此，制作本实施方式的半导体装置。实施例以下，具体地举例说明本发明的优选实施例。但是，这些实施例中记载的材料或配合量等，只要没有特别限定的记载，则并不意味本发明的范围仅限定于此，只不过是举例说明而己。另外，各例中，只要没有特别说明，"份"均为重量基准。(实施例l)<切割薄膜的制作>在具有冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中，加入51.7份丙烯酸-2-乙基己酯(以下称为"2EHA")、39.0份丙烯酸硬脂酯(以下称为"SA")、9.3份丙烯酸-2-羟基己酯(以下称为"HEA")、0.2份过氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮气流中在61'C下进行6小时聚合处理，得到重均分子量58万的丙烯酸类聚合物A。重均分子量如后所述。2EHA、SA、HEA的摩尔比为70摩尔对30摩尔对20摩尔。在该丙烯酸类聚合物A中加入10.0份(相对于HEA为80摩尔％)2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下称为"MOI")，在空气气流中在5(TC下进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A'。然后，在100份丙烯酸类聚合物A'中加入8份多异氰酸酯化合物(商品名":n口氺一卜L"，日本聚氨酯株式会社制造)和5份光聚合引发剂(商品名"吖々方年-7651",汽巴特殊化学品公司制)，制作粘合剂溶液。将前述制备的粘合剂溶液涂布于PET剥离衬里的经聚硅氧垸(silicone)处理的表面上，在120'C加热交联2分钟，形成厚度10pm的粘合剂层前体。然后，在该粘合剂层前体表面粘贴厚度100jum的聚烯烃薄膜。之后，在50'C保存24小时。之后，仅对粘合剂层前体的与半导体晶片粘贴部分(直径200mm)对应的部分(直径220mm)照射500mJ/cr^的紫外线而形成粘合剂层。由此，制作本实施例的切割薄膜。另外，紫外线照射条件如下所述。<紫外线照射条件>紫外线(UV)照射装置高压水银灯紫外线照射积分光量500mJ/cm2输出功率75W照射强度150mW/cm2另外，紫外线照射是对粘合剂层前体直接照射。<芯片接合薄膜的制作>使100份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，商品名八°，夕口>W-197CM)、59份环氧树脂l(JER株式会社制，商品名Epicoat1004)、53份环氧树脂2(JER株式会社制，商品名Epicoat827)、121份酚树脂(三井化学株式会社制，商品名S卜乂夕7XLC-4L)和222份球状二氧化硅(7K^亍y夕7株式会社制，商品名SO-25R)溶解于甲乙酮中，制备成浓度23.6重量％。将该胶粘剂组合物的溶液涂布于作为剥离衬里(隔膜)的经聚硅氧烷处理的厚度38pm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱膜处理薄膜上，然后在13(TC干燥2分钟。由此，制作厚度25pm的芯片接合薄膜。进而，将芯片接合薄膜转印到前述切割薄膜的粘合剂层一侧，得到本实施例的切割/芯片接合薄膜。〈重均分子量Mw的测定〉重均分子量MW的测定通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行。测定条件如下所述。另外，重均分子量通过聚苯乙烯换算来计算。测定装置HLC-8120GPC(制品名，东曹公司制)柱TSKgelGMH-H(S)X2(商品编号，东曹公司帝D流量0.5ml/分钟注射量100^1柱温40。C洗脱液THF注射试样浓度0.1重量％检测器差示折射计(实施例2~13)实施例213变更为下表1所示的组成及配合比例，除此以外，与实施例1同样操作，制作切割/芯片接合薄膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>另外，表1及后述的表2中记载的简称的含义如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯i-OA:丙烯酸异辛酯SA:丙烯酸硬脂酯VA:丙烯酸二十二烷酯BA:丙烯酸正丁酯HEA:丙烯酸-2-羟基乙酯4HBA:丙烯酸-4-羟基丁酯AOI:2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯C/L:多异氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"，日本聚氨酯株式会社制造)(比较例1~8)比较例17变更为下表2所示的组成及配合比例，除此以外，与所述实施例1同样操作，制作切割/芯片接合薄膜。另外，比较例8变更为下表2所示的组成及配合比例并且在芯片接合薄膜的粘贴前不实施紫外线照射，除此以外与实施例1同样操作，制作切割/芯片接合薄膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>括号内的数值表示摩尔％。其中，HEA及4HBA中的括号内的数值表示相对于丙烯酸酯总量100摩尔％的摩尔％。另外，MOI及AOI中的括号内的数值表示相对于含羟基单体的摩尔M。(切割)使用各实施例及比较例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要领实际进行半导体晶片的切割，并评价各切割/芯片接合薄膜的性能。对半导体晶片(直径8英寸、厚度0.6mm)进行背面研磨处理，将厚度0.15mm的镜面晶片作为工件使用。从切割/芯片接合薄膜上剥离隔膜后，在4(TC下在其芯片接合薄膜上用辊压接镜面晶片使其粘贴，进而进行切割。另外，切割以得到lmm见方的芯片尺寸的方式进行全切。确认切割后的半导体晶片及切割/芯片接合薄膜有无芯片飞散。芯片飞散在即使半导体芯片有一个飞散时也评价为X，无飞散时评价为〇。晶片磨削条件、粘贴条件及切割条件如下所述。<晶片磨削条件>磨削装置fV只〕公司制，DFG-8560半导体晶片8英寸直径(从厚度0.6mm背面磨削至0.15mm)<粘贴条件>粘贴装置日东精机制MA-3000II粘贴速度10mm/分钟粘贴压力0.15MPa粘贴时的级温40°C<切割条件>切割装置fV只〕公司制，DFD-6361切割环2-8-1(fV73公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:fV只〕公司制2050HEDDZ2:fV只〕公司制2050HEBB切割刀片转数Zl:40000rpmZ2:40000rpm刀片高度Zh0.215mm(由半导体晶片厚度决定(晶片厚度为75pm时，为0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A模式/阶段式切割晶片芯片尺寸l.Omm见方(拾取)使用各实施例及比较例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要领实际进行半导体晶片的切割后进行拾取，并评价各切割/芯片接合薄膜的性能。对半导体晶片(直径8英寸、厚度0.6mm)进行背面研磨处理，将厚度0.050mm的镜面晶片作为工件使用。从切割/芯片接合薄膜上剥离隔膜后，在40'C下在其芯片接合薄膜上用辊压接镜面晶片使其粘贴，进而进行切割。另外，切割以得到10mm见方的芯片尺寸的方式进行全切。然后，将各切割/芯片接合薄膜拉伸，进行使各芯片间达到规定间隔的扩张工序。但是，比较例8的切割/芯片接合薄膜在进行紫外线照射后进行扩张工序。另外，紫外线的照射条件是使用日东精机(商品名UM-810型)作为紫外线(UV)照射装置，紫外线照射积分光量为300mJ/cm2。另外，紫外线照射从聚烯烃薄膜一侧进行。进而，从各切割/芯片接合薄膜的基材一侧通过用针上推的方式拾取半导体芯片，进行拾取性评价。具体而言，连续地拾取400个半导体芯片，显示在后述条件下进行时的成功率。<晶片磨削条件〉磨削装置fV只〕公司制，DFG-8560半导体晶片8英寸直径(从厚度0.6mm背面磨削至0.050mm)<粘贴条件>粘贴装置日东精机制MA-300011粘贴速度10mm/分钟粘贴压力0.15MPa粘贴时的级温40°C<切割条件>切割装置f一X〕公司帝iJ，DFD-6361切割环2-8-1(fV7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:fV只〕公司制2050HEDDZ2:fV只〕公司制2050HEBB切割刀片转数Zl:糊00rpmZ2:40000rpm刀片高度Zl:0.170mm(由半导体晶片厚度决定(晶片厚度为50pm时，为0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A模式/阶段式切割晶片芯片尺寸10.0mm见方<拾取条件〉拾取条件按照下表3所示的条件分别进行。<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>(拉伸弹性模量的测定方法)在样品尺寸设定为初始长度10mm、截面积0.10.5mm2，测定温度23°C、夹盘间距50mm、拉伸速度50mm/分钟的测定条件下，沿MD方向或TD方向进行拉伸试验，测定各方向上样品的伸长变化量(mm)。结果，对得到的S-S曲线的初期上升部分作切线，用该切线上相当于100%伸长时的拉伸强度除以基材薄膜的截面积，得到拉伸弹性模量。另外，紫外线照射后的拉伸弹性模量的测定，在按照所述照射条件从聚烯烃薄膜一侧照射后进行。(剥离粘合力)由各切割/芯片接合薄膜切出宽10mm的试片，将其粘贴于4(TC的热板上载置的硅镜面晶片上。放置约30分钟，使用拉伸试验机测定剥离粘合力。测定条件是剥离角度15°、拉伸速度300mm/分钟。另外，试片的保存及剥离粘合力的测定在温度23'C、相对温度50%的环境下进行。但是，对于比较例8的切割/芯片接合薄膜，在与前述同样的条件下粘贴到硅镜面晶片上并放置约30分钟后，从切割薄膜一侧进行紫外线照射。紫外线照射条件如下所述。之后，在与前述同样的条件下进行剥离粘合力的测定。<紫外线照射条件>紫外线(UV)照射装置高压水银灯紫外线照射积分光量500mJ/cm2输出功率75W照射强度150mW/cm2<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>权利要求1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6～10的烷基，R2为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，并且，通过紫外线照射而固化，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在紫外线照射后的粘合剂层上。2.如权利要求l所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述紫外线照射时的积分光量在301000mJ/cm2的范围内。3.如权利要求l或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羟基单体为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二垸酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。4.如权利要求1至3中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。5.如权利要求1至4中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量在35万100万的范围内。6.如权利要求1至5中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射后的、23'C下的拉伸弹性模量在7~170MPa的范围内。7.如权利要求1至6中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物不含丙烯酸作为单体成分。8.—种切割/芯片接合薄膜的制造方法，所述切割/芯片接合薄膜具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于包括在所述基材上形成粘合剂层前体的工序，所述粘合剂层前体由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CHfCHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2-CHCOO^表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数610的垸基，W为碳原子数11以上的垸基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60~90摩尔％，丙烯酸酯B为40~10摩尔°/0，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10-30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是:相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在70~卯摩尔％的范围内；对所述粘合剂层前体照射紫外线而形成所述粘合剂层的工序；和在所述粘合剂层上粘贴所述芯片接合薄膜的工序。9.如权利要求8所述的切割/芯片接合薄膜的制造方法，其特征在于，所述紫外线的照射在30~1000mJ/cm2的范围内进行。10.—种半导体装置的制造方法，该方法使用具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，包括以下工序准备权利要求1至7所述的切割/芯片接合薄膜，并在所述芯片接合薄膜上压接半导体晶片的工序；通过将所述半导体晶片与所述芯片接合薄膜一起切割而形成半导体芯片的工序；和将所述半导体芯片与所述芯片接合薄膜一起从所述粘合剂层上剥离的工序；并且从所述半导体晶片的压接工序直至半导体芯片的剥离工序，所述粘合剂层上未照射紫外线。全文摘要本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性之间的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明提供一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH₂＝CHCOOR¹(式中，R¹为碳原子数6～10的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH₂＝CHCOOR²(式中，R²为碳原子数11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，并且，通过紫外线照射而固化，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在紫外线照射后的粘合剂层上。文档编号H01L23/00GK101645425SQ20091016112公开日2010年2月10日申请日期2009年8月4日优先权日2008年8月4日发明者大竹宏尚,村田修平,松村健,神谷克彦申请人:日东电工株式会社