切割/芯片接合薄膜的制作方法

专利名称：：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技术领域：
：本发明涉及将用于固着芯片状工件(半导体芯片等)与电极部件的胶粘剂在切割前粘贴在工件(半导体晶片等)上的状态下用于工件切割的切割/芯片接合薄膜。
背景技术：
：形成电路图案的半导体晶片(工件)根据需要通过背面研磨调节厚度后，切割为半导体芯片(芯片状工件)(切割工序)。切割工序中，一般是为了除去切断层而在适度的液压(通常是约2kg/cm2)下清洗半争体芯片。然后，利用胶粘剂将所述半导体芯片固着到引线框等被粘物上(安装工序)后，移至接合工序。所述安装工序中，将胶粘剂涂布在引线框或半导体芯片上。但是，该方法中胶粘剂层的均匀化是困难的，另外胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，提出了在切割工序中保持半导体晶片胶粘的同时在安装工序中也提供必要的芯片固着用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参照专利文献l)。专利文献1中记载的切割/芯片接合薄膜，是在支撑基材上设置能够剥离的胶粘剂层的结构。即，在胶粘剂层的支撑下切割半导体晶片，然后拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘剂层一起剥离，将其分别回收，通过该胶粘剂层固着到引线框等被粘物上。该种切割/芯片接合薄膜的胶粘剂层，为了不产生不能切割或尺寸错误，希望具有对半导体晶片的良好保持力以及能够将切割后的半导体芯片与胶粘剂层一体地从支撑基材上剥离的良好剥离性。但是，使这两个特性平衡绝不容易。特别是在象利用旋转圆刃等切割半导体晶片的方式等那样要求胶粘剂层具有高保持力的情况下，难以得到满足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，为了解决这样的问题，提出了各种改进方法(例如，参照专利文献2)。专利文献2中公开了如下方法在支撑基材和胶粘剂层之间隔着可紫外线固化的粘合剂层，将其切割后进行紫外线固化，使粘合剂层与胶粘剂层之间的胶粘力下降，从而通过两者间的剥离使半导体芯片的拾取变得容易。但是，通过该改进方法，有时也难以得到使切割时的保持力和之后的剥离性良好平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在10mmX10mm以上的大型半导体芯片或25~50(am的极薄半导体芯片的情况下，由于其面积大，因此一般的芯片接合机不能容易地拾取半导体芯片。_专利文献1:日本特开昭60-57642号公报专利文献2:日本特开平2-248064号公报
发明内容本发明鉴于上述问题而进行，其目的在于提供具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，该切割/芯片接合薄膜即使在半导体晶片为薄型的情况下，切割该薄型工件时的保持力和将通过切割得到的半导体芯片与该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性之间的平衡特性也优良。本发明人为了解决上述现有问题，对切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，切割薄膜中所含的多官能性单体成分物质扩散至芯片接合薄膜中，由此切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，从而拾取性下降，至此完成了本发明。艮P，本发明的切割/芯片接合薄膜，为了解决上述问题，其具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH^CHCOOR1(式中，R'为碳原子数610的烷基)表示的丙烯酸酯A、CH2=CHCOOR2(式中，R为碳原子数U以上的烷基)表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A6090摩尔M，丙烯酸酯B为4010摩尔Q/。，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10~30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在7090摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。CH2=CHCOOR'(式中，R'为碳原子数610的烷基)表示的丙烯酸酯A和CH2=CHCOOR2(式中，W为碳原子数11以上的烷基)表示的丙烯酸酯B以相对于丙烯酸A60~卯摩尔％丙烯酸酯B为40~10摩尔％的配合比例包含在形成本发明的粘合剂层的丙烯酸类聚合物中。通过使丙烯酸酯A的配合比例为90摩尔。/。以下并且使丙烯酸酯B的配合比例为10摩尔％以上，可以提高粘合剂层在紫外线固化后对芯片接合薄膜的剥离性，可以使拾取半导体芯片时的拾取性良好。另一方面，通过使丙烯酸酯A的配合比例为60摩尔。/。以上并且使丙烯酸酯B的配合比例为40摩尔％以下，可以使紫外线固化前的切割薄膜与芯片接合薄膜的胶粘性良好，防止剥离。另外，通过使含羟基单体的配合比例相对于丙烯酸酯A与丙烯酸酯B的总量100摩尔％为10摩尔％以上，可以抑制紫外线固化后的交联不足。结果，例如对于切割时粘贴在粘合剂层上的切割环，可以防止胶糊残留的产生。另一方面，通过使所述配合比例为30摩尔％以下，可以防止由紫外线照射引起的交联过度进行从而剥离困难并且拾取性下降。另外，本发明中，不使用多官能性单体，而使用分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，因此，不会出现该多官能性单体物质扩散至芯片接合薄膜中。结果，防止切割薄膜与芯片接合薄膜的边界面消失，可以实现更好的拾取性。所述含羟基单体优选为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二垸酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。另外，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物，优选为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。另外，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量优选在35万至100万的范围内。通过使重均分子量为35万以上，可以防止低分子量聚合物的比例减少，由此，可以防止例如切割时从在粘合剂层上粘贴的切割环上产生剥离。另外，由于可以防止紫外线照射后的交联不足，因此在从粘合剂层上剥离切割环时，也可以防止产生胶糊残留。另一方面，通过使重均分子量为100万以下，可以提高在基材上形成粘合剂层时的作业性。粘合剂层的形成，例如可以通过在基材上涂布由所述丙烯酸类聚合物形成的粘合剂组合物的溶液然后进行干燥来进行，如果丙烯酸类聚合物的重均分子量超过100万，则粘合剂组合物溶液的粘度过大，因此该丙烯酸类聚合物的聚合以及涂布时的作业性降低。另外，所述粘合剂层的紫外线照射前的23t:下的拉伸弹性模量优选在0.43.5MPa的范围内，紫外线照射后的23'C下的拉伸弹性模量优选在7100MPa的范围内。通过使紫外线照射前的拉伸弹性模量(23°C)为0.4MPa以上，可以使切割半导体晶片时的半导体芯片的固定良好，结果可以抑制碎屑的产生。另外，剥离切割环时，可以防止产生胶糊残留。另一方面，通过使拉伸弹性模量(23°C)为3.5MPa以下，可以防止切割时产生芯片飞散。另外，通过使紫外线照射后的拉伸弹性模量(23°C)为7MPa以上，可以提高拾取性。构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物优选不包含丙烯酸作为单体成分。由此，可以防止粘合剂层与芯片接合薄膜的反应或相互作用，可以进一步提高拾取性。图1是表示本发明的实施方式之一的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图2是表示本发明的另一实施方式的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图3是表示通过所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安装半导体芯片的例子的剖面示意图。符号说明1基材2粘合剂层3芯片接合薄膜4半导体晶片5半导体芯片6被粘物7焊线8密封树脂9垫片10、11切割/芯片接合薄膜具体实施例方式(切割/芯片接合薄膜)关于本发明的实施方式，参照图1和图2进行说明。图1是表示本实施方式中的切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。图2是表示本实施8方式中另一个切割/芯片接合薄膜的剖面示意图。其中，不需说明的部分省略，并且为了容易说明而具有扩大或者縮小等进行图示的部分。如图1所示，切割/芯片接合薄膜10为具有在基材1上设有粘合剂层2的切割薄膜和在该粘合剂层2上具有芯片接合薄膜3的结构。另外，本发明如图2所示，也可以是仅半导体晶片粘贴部分上形成芯片接合薄膜3'的构成。所述基材1具有紫外线透过性，并且作为切割/芯片接合薄膜10、11的强度母体。例如可以列举低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(纸)、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纤维素类树脂、有机硅树脂、金属(箔)、纸等。另外，作为基材l的材料，可以列举所述树脂的交联物等聚合物。所述塑料薄膜可以不拉伸使用，根据需要也可以进行单轴或双轴拉伸处理后使用。利用经拉伸处理等而赋予了热收縮性的树脂片，切割后通过使其基材1热收縮，能够降低粘合剂层2与芯片接合薄膜3、3'的胶粘面积，从而容易回收半导体芯片。为了提高与邻接层的密合性和保持性等，基材1的表面可以进行常规表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电压暴露、离子化放射线处理等化学或物理处理、利用底涂剂(例如，后述的粘合物质)的涂布处理。所述基材1，可以适当选择使用同种或异种材料，根据需要也可以将多种混合使用。另外，为了对基材1赋予防静电性能，可以在所述基材1上设置包含金属、合金、它们的氧化物等的厚度约30约500A的导电物质的蒸镀层。基材1可以是单层也可以是2种以上的多层。基材1的厚度没有特别限制，可以适当设定，一般为约5~约200,。所述粘合剂层2通过紫外线固化型粘合剂形成。紫外线固化型粘合剂可以通过紫外线照射使交联度增大，从而容易使其粘合力下降。通过仅对图2所示的粘合剂层2的与半导体晶片粘贴部分对应的部分2a进行紫外线照射，可以设置与其它部分2b的粘合力差。另外，通过使紫外线固化型的粘合剂层2与图2所示的芯片接合薄膜3'的形状一致地进行固化，可以容易地形成粘合力显著下降的所述部分2a。由于在固化并且粘合力下降的所述部分2a上粘贴芯片接合薄膜3'，因此粘合剂层2的所述部分2a与芯片接合薄膜3'的界面具有拾取时容易剥离的性质。另一方面，未照射紫外线的部分具有充分的粘合力，形成所述部分2b。如前所述，图1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合剂层2中，由未固化的紫外线固化型粘合剂形成的所述部分2b与芯片接合薄膜3粘合，能够确保切割时的保持力。这样，紫外线固化型粘合剂能够以良好的胶粘、剥离平衡来支撑用于将半导体芯片固着到衬底等被粘物上的芯片接合薄膜3。图2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合剂层2中，所述部分2b可以固定切割环。切割环例如可以使用由不锈钢等金属制成的切割环或树脂制成的切割环。所述紫外线固化型粘合剂是使用在聚合物侧链或主链中或者主链10末端具有自由基反应性碳碳双键的聚合物作为基础聚合物的内在型紫外线固化型粘合剂。内在型紫外线固化型粘合剂不需要含有或者大部分不含有作为低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不会随时间而在粘合剂中移动，可以形成稳定层结构的粘合剂层。本发明中，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯A、丙烯酸酯B、含羟基单体和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成。所述丙烯酸酯A由化学式CH^CHCOOR1(式中，W为碳原子数6~10的烷基、更优选碳原子数8~9的烷基)表示。另外，所述丙烯酸酯B由CH2=CHCOOR2(式中，R2为碳原子数11以上、更优选1226、进一步优选1622的垸基)表示。通过含有这样的长链烷基单体，可以降低粘合剂的极性，提高紫外线固化后的剥离性。所述丙烯酸酯A与所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸A60~90摩尔％丙烯酸酯B为4010摩尔％。如果使丙烯酸酯A的配合比例超过90摩尔％、并且丙烯酸酯B的配合比例小于10摩尔％，则紫外线固化后的粘合剂层2对于芯片接合薄膜3的剥离性下降，导致拾取半导体芯片时的拾取性下降。另一方面，如果使丙烯酸酯A的配合比例小于60摩尔％并且丙烯酸酯B的配合比例超过40摩尔％，则粘合剂层2对于芯片接合薄膜3的胶粘性下降，有时在切割时产生芯片飞散。所述丙烯酸酯A具体可以列举例如丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸异壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸异癸酯等烷基的碳原子数为6~10(特别是碳原子数89)的直链状或支链状丙烯酸垸基酯等。这些单体可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，所述化学式表示的单体中，特别优选丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸异壬酯等。作为所述丙烯酸酯B，只要是烷基的碳原子数为11以上的丙烯酸垸基酯则没有特别限制，优选烷基的碳原子数为12以上(特别优选碳原子数16以上)的丙烯酸烷基酯。作为丙烯酸酯B中垸基的碳原子数上限，没有特别限制，例如可以为30以下，优选26以下(进一步优选22以下)。作为丙烯酸酯B，具体可以列举例如丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四垸酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯、丙烯酸二十二垸酯等。这些单体可以单独使用或者两种以上组合使用。所述丙烯酸类聚合物中使用能够与所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B共聚的含羟基单体作为必须成分。作为含羟基单体，可以列举例如(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸-(4-羟甲基环己基)甲酯等。所述含羟基单体可以单独使用或者两种以上组合使用。所述含羟基单体的配合比例，相对于丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％优选在1030摩尔°/。的范围内，更优选在15~25摩尔％的范围内。配合比例如果小于10摩尔％，则紫外线照射后交联不足，切割时对于粘贴在粘合剂层上的切割环，有时产生胶糊残留。另一方面，如果配合比例超过30摩尔％，则粘合剂的极性变高，与芯片接合薄膜的相互作用变高，由此剥离困难。所述丙烯酸类聚合物，为了改善凝聚力和耐热性等，根据需要可以含有与能够与所述丙烯酸烷基酯共聚的其它单体成分对应的单元。作为这样的单体成分，可以列举例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸异丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸戊酯等烷基的碳原子数为1~5的丙烯酸烷12基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等烷基的碳原子数为1~5的甲基丙烯酸垸基酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、丁烯酸等含羧基单体；马来酸酑、衣康酸酐等酸酐单体；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸单体；丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体；丙烯酰胺；丙烯腈；丙烯酸环烷酯(环己酯等)；甲基丙烯酸环烷酯等。这些可共聚单体成分可以使用一种或两种以上。这些可共聚单体的使用量优选为全部单体成分的40重量%以下。但是，所述含羧基单体的情况下，通过该羧基与芯片接合薄膜3中的环氧树脂中的环氧基反应，粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失，有时两者的剥离性下降。因此，含羧基单体的使用量优选为全部单体成分的0~3重量％以下。另外，这些单体成分中，构成本发明的粘合剂层2的丙烯酸类聚合物优选不含丙烯酸作为单体成分。这是因为有时丙烯酸物质扩散到芯片接合薄膜3中，使粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失，使剥离性下降。在此，所述丙烯酸类聚合物，优选不含多官能性单体作为共聚用单体成分。由此，多官能性单体不会物质扩散至芯片接合薄膜中，可以防止由粘合剂层2与芯片接合薄膜3的边界面消失而导致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸类聚合物中，使用分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物作为必须成分。作为所述异氰酸酯化合物，可以列举例如甲基丙烯酰异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-oc,a-二甲基苄基异氰酸酯等。所述异氰酸酯化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物的配合比例，相对于含羟基单体100摩尔％优选在7090摩尔％的范围内，更优选在7585摩尔％的范围内。配合比例如果低于70摩尔％，则有时紫外线照射后的交联不足，切割时对于粘贴在粘合剂层上的切割环，有时产生胶糊残留。另一方面，配合比例如果超过90摩尔％，则粘合剂的极性变高，与芯片接合薄膜的相互作用变高，由此剥离困难，拾取性下降。所述丙烯酸类聚合物可以通过将所述单体混合物聚合而得到。聚合可以以溶液聚合、乳化聚合、本体聚合、悬浮聚合等任意方式进行。从防止污染洁净的被粘物等方面考虑，优选低分子量物质的含量小。从该观点考虑，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为约35万至约100万、更优选约45万至约80万。重均分子量的测定通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行，是通过聚苯乙烯换算而算出的值。另外，为了调节紫外线照射前的粘合力或者紫外线照射后的粘合力，所述粘合剂中也可以适当使用外部交联剂。作为外部交联方法的具体手段，可以列举添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺类交联剂等所谓的交联剂进行反应的方法。使用外部交联剂的情况下，其使用量根据与要交联的基础聚合物的平衡以及作为粘合剂的使用用途来进行适当确定。一般相对于所述基础聚合物100重量份优选配合约20重量份以下、更优选0.110重量份。另外，粘合剂中根据需要除所述成分之外还可以使用以往公知的各种增粘剂、抗老化剂等添加剂。在所述丙烯酸类聚合物中引入自由基反应性碳碳双键的方法没有特别限制，可以采用各种方法，从分子设计方面考虑，在聚合物侧链中引入自由基反应性碳碳双键是比较容易的。例如可以列举下述方法预先将具有羟基的单体与丙烯酸类聚合物共聚后，使具有能够与该羟基反应的异氰酸酯基及自由基反应性碳碳双键的所述异氰酸酯化合物在保持自由基反应性碳碳双键的紫外线固化性的状态下进行縮合或加14成反应。所述内在型的紫外线固化型粘合剂，可以单独使用所述具有自由基反应性碳碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸类聚合物)，也可以在不损害特性的范围内配合紫外线固化性单体成分或低聚物成分。作为配合的所述紫外线固化性单体成分，可以列举例如氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，紫外线固化性的低聚物成分可以列举氨基甲酸酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量在约100至约30000的范围内是适当的。紫外线固化性单体成分或低聚物成分的配合比例，可以根据所述粘合剂层的种类适当确定能够使粘合剂层的粘合力下降的量。一般而言，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份，例如为约5至约500重量份、优选约40至约150重量份。所述紫外线固化型粘合剂中优选含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可以列举例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、oc-羟基-ot，a，-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羟基苯丙酮、1-羟基环己基苯基酮等a-酮醇类化合物；甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-l-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-l-酮等苯乙酮类化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚类化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮类化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯类化合物；l-苯基-l,2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟类化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合比例，相对于构成粘合剂的丙烯酸类聚合物等基础聚合物100重量份例如为约0.05至约20重量份。在切割/芯片接合薄膜10的粘合剂层2中，可以对粘合剂层2的一部分进行紫外线照射使得所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，使用基材l的至少单面的、与半导体晶片粘贴部分3a对应的部分以外的部分的全部或者一部分被遮光的基材，在其上形成紫外线固化型粘合剂层2后进行紫外线照射，使与半导体晶片粘贴部分3a对应的部分固化，可以形成使粘合力下降的所述部分2a。作为遮光材料，可以通过印刷或蒸镀等在支撑薄膜上制作能够形成光掩模的遮光材料。另外，紫外线照射积分光量优选为50~500mJ/cm2。通过使积分光量在所述范围内，可以在保持能够防止切割时产生半导体芯片的芯片飞散的程度的胶粘性的同时，在拾取时得到良好的拾取性。由此，可以高效制造本发明的切割/芯片接合薄膜10。另外，紫外线照射时因氧而产生固化障碍时，优选从紫外线固化型粘合剂层2的表面遮断氧(空气)。作为该方法，可以列举例如用隔膜被覆粘合剂层2的表面的方法、或者在氮气环境中进行紫外线等的紫外线照射的方法等。粘合剂层2的厚度没有特别限制，从防止芯片切断面的缺陷或者胶粘层的固定保持的兼具性等方面考虑，优选为约1至约50nm。优选2~30,、更优选5~25,。芯片接合薄膜3例如可以仅由胶粘剂层单层构成。另外，也可以形成将玻璃化转变温度不同的热塑性树脂、热固化温度不同的热固性树脂适当组合的两层以上的多层结构。另外，由于在半导体晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸湿，有时含水率达到常态以上。如果以这样的高含水率直接胶粘在衬底等上，则有时在后固16化阶段胶粘界面处滞留水蒸汽，而产生隆起。因此，作为芯片胶粘用胶粘剂，通过形成用芯片胶粘剂夹着高透湿性的芯材的结构，在后固化阶段水蒸汽透过薄膜而扩散，从而可以避免所述问题。从这样的观点考虑，可以形成在芯片接合薄膜3的芯材的单面或双面上形成胶粘剂层的多层结构。作为所述芯材，可以列举薄膜(例如聚酰亚胺薄膜、聚酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂衬底、硅衬底或玻璃衬底等。本发明的芯片接合薄膜3，以环氧树脂作为主成分而形成。环氧树脂中使半导体元件腐蚀的离子性杂质等含量少，因此优选。作为所述环氧树脂，只要是作为胶粘剂组合物通常使用的即可，没有特别限制，可以使用例如双酚A型、双酚F型、双酚S型、溴化双酚A型、氢化双酚A型、双酚AF型、联苯型、萘型、莉型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等双官能环氧树脂或多官能环氧树脂、或者乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型或者縮水甘油胺型等环氧树脂。这些环氧树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些环氧树脂中，特别优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟苯基甲垸型环氧树脂或四苯酚基乙烷型环氧树脂。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚树脂的反应性好，并且耐热性等优良。另外，芯片接合薄膜3根据需要可以适当组合使用其它热固性树脂或热塑性树脂。作为所述热固性树脂，可以列举酚树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚硅氧烷树脂、或者热固性聚酰亚胺树脂等。这些树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。另外，作为环氧树脂的固化剂优选酚树脂。另外，所述酚树脂作为所述环氧树脂的固化剂起作用，可以列举例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚树脂、甲阶酚醛树脂型酚树脂、聚对羟基苯乙烯等聚羟基苯乙烯等。这些酚树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些酚树脂中特别优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳垸基树脂。这是因为可以提高半导体装置的连接可靠性。所述环氧树脂与酚树脂的配合比例，例如以所述环氧树脂成分中的环氧基每1当量酚树脂中的羟基为0.52.0当量的方式进行配合是适当的。更优选为0.81.2当量。即，这是因为两者的配合比例如果在所述范围以外，则固化反应不充分，环氧树脂固化物的特性容易变差。作为所述热塑性树脂，可以列举天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙或6，6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸系树脂、PET或PBT等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、或者含氟树脂等。这些热塑性树脂可以单独使用或者两种以上组合使用。这些热塑性树脂中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯酸系树脂。作为所述丙烯酸系树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4~18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为成分的聚合物等。作为所述烷基，可以列举例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一垸基、月桂基、十三垸基、十四垸基、硬脂基、十八垸基或者十二垸基等。18另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或丁烯酸等含羧基单体；马来酸酐或衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯或丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙垸磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基单体；或者丙烯酰磷酸-2-羟基乙酯等含磷酸基单体。芯片接合薄膜3的胶粘剂层中，为了预先具有某种程度的交联，在制作时优选添加与聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能性化合物作为交联剂。由此，可以提高高温下的胶粘特性、改善耐热性。另外，芯片接合薄膜3的胶粘剂层中根据需要可以适当配合其它添加剂。作为其它添加剂，可以列举例如阻燃剂、硅垸偶联剂或离子捕获剂等。作为所述阻燃剂，可以列举例如三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述硅烷偶联剂，可以列举例如P-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、y-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。这些化合物可以单独使用或者两种以上组合使用。作为所述离子捕获剂，可以列举例如水滑石类、氢氧化铋等。这些物质可以单独使用或者两种以上组合使用。芯片接合薄膜3的厚度没有特别限制，例如为约5至约10C^m、优选约5至约50jim。可以使切割/芯片接合薄膜10、11具有防静电能力。由此，可以防止其胶粘时及剥离时等静电的产生或者电路因由于静电导致的工件19(半导体晶片等)带电而遭破坏等。防静电能力的赋予，可以通过在基材1、粘合剂层2或者芯片接合薄膜3中添加防静电剂或导电物质的方法、在基材1上附设由电荷移动络合物或金属膜等形成的导电层等适宜的方式进行。作为这些方式，优选难以产生有可能使半导体晶片变质的杂质离子的方式。作为为了导电性的赋予、导热性的提高等而配合的导电物质(导电填料)，可以列举银、铝、金、铜、镍、导电合金等的球状、针状、片状金属粉、氧化铝等金属氧化物、无定形炭黑、石墨等。但是，从能够不漏电的观点考虑，优选所述芯片接合薄膜3、3'为非导电性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3'优选由隔膜保护(未图示)。隔膜具有在供实际应用之前作为保护芯片接合薄膜3、3'的保护材料的功能。另外，隔膜还可以作为向粘合剂层2上转印芯片接合薄膜3、3'时的支撑基材使用。隔膜在向切割/芯片接合薄膜的芯片接合膜3、3，上粘贴工件时剥离。作为隔膜，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或由含氟剥离剂、长链烷基丙烯酸酯类剥离剂等剥离剂进行了表面涂布后的塑料薄膜或纸等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10为例对本发明的切割/芯片接合薄膜的制造方法进行说明。首先，基材1可以通过以往公知的制膜方法制成膜。作为该制膜方法，可以列举例如压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的挤压吹塑法、T形模头挤出法、共挤出法、干式层压法等。然后，在基材1上涂布包含粘合剂的组合物后进行干燥(根据需要进行加热交联)，形成粘合剂层2。作为涂布方式，可以列举辊涂、丝网涂布、凹版涂布等。另外，涂布可以直接在基材1上进行，也可以涂布到表面进行过剥离处理的剥离纸等上后转印到基材1上。然后，将用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剥离纸上至预定厚度，并且在预定条件下进行干燥而形成涂布层。通过将该涂布层转印到所述粘合剂层2上，形成芯片接合薄膜3。另外，通过在所述粘合剂层2上直接涂布形成材料后在预定条件下进行干燥，也可以形成芯片接合薄膜3。通过以上方法，可以得到本发明的切割/芯片接合薄膜10。(半导体装置的制造方法)本发明的切割/芯片接合薄膜10、11在适当剥离芯片接合薄膜3、3'上任意设置的隔膜后以下述方式使用。以下，参照图3以使用切割/芯片接合薄膜11的情况为例进行说明。首先，将半导体晶片4压接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3'上，并将其胶粘保持而固定(安装工序)。本工序在用压接辊等挤压工具挤压的同时进行。然后，进行半导体晶片4的切割。由此，将半导体晶片4切割为预定的尺寸而小片化，形成半导体芯片5。切割例如可以从半导体晶片4的电路面一侧按照常规方法进行。另外，本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片接合薄膜10的、称为全切的切割方式等。本工序中使用的切割装置没有特别限制，可以使用现有公知的切割装置。另外，由于半导体晶片由切割/芯片接合薄膜IO胶粘固定，因此能够抑制芯片缺陷和芯片飞散，并且也能够抑制半导体晶片4的破损。为了将在切割/芯片接合薄膜10上胶粘固定的半导体芯片剥离，进行半导体芯片5的拾取。拾取方法没有特别限制，可以使用现有公知的各种方法。例如可以列举用针从切割/芯片接合薄膜IO—侧将各个半导体芯片5向上推，通过拾取装置拾取被上推的半导体芯片5的方法等。21在此，由于粘合剂层2是紫外线固化型，因此拾取在对该粘合剂层2照射紫外线之后进行。由此，粘合剂层2对芯片接合薄膜3a的粘合力降低，使半导体芯片5的剥离变得容易。结果，可以在不损伤半导体芯片的情况下进行拾取。紫外线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限制，可以根据需要适当设定。例如，紫外线照射积分光量优选为50~500mJ/cm2。在所述积分光量的范围内，本发明的芯片接合薄膜不会因紫外线照射而过度进行交联从而造成剥离困难，显示良好的拾取性。另外，作为紫外线照射时使用的光源，可以使用前述的光源。拾取的半导体芯片5通过芯片接合薄膜3a胶粘固定在被粘物6上(芯片接合)。被粘物6载置于加热台(heatblock)9上。作为被粘物6，可以列举引线框、TAB薄膜、衬底或者另外制作的半导体芯片等。被粘物6例如可以是容易变形的变形型被粘物、也可以是难以变形的非变形型被粘物(半导体晶片等)。作为所述衬底，可以使用现有公知的衬底。另外，作为所述引线框，可以使用Cu引线框、42合金引线框等金属引线框或者由玻璃环氧、BT(双马来酰亚胺-三嗪)、聚酰亚胺等制成的有机衬底。但是，本发明不限于这些，也包括在安装半导体元件、与半导体元件电连接后可以使用的电路衬底。芯片接合薄膜3为热固型时，通过加热固化将半导体芯片5胶粘固定在被粘物6上，提高耐热强度。另外，半导体芯片5通过半导体芯片粘贴部分3a胶粘固定到衬底等上而得到的制品可以用于回流工序。之后，进行将衬底的端子部(内部端子)的前端与半导体芯片5上的电极焊盘(未图示)通过焊线7进行电连接的丝焊，再用密封树脂8将半导体芯片密封，并将该密封树脂8后固化。由此，制作本实施方式的半导体装置。实施例以下，更具体地例示说明本发明的优选实施例。但是，这些实施例所记载的材料或配合量等如果没有特别限定的记载，则不应将本发明的范围限定于此，只不过是举例说明而已。另外，各例中，"份"如果没有特别说明是重量基准。(实施例1)<切割薄膜的制作>在具有冷凝管、氮气导入管、温度计和搅拌装置的反应容器中，加入51.7份丙烯酸-2-乙基己酯(以下称为"2EHA")、39.0份丙烯酸硬脂酯(以下称为"SA")、9.3份丙烯酸-2-羟基乙酯(以下称为"HEA")、0.2份过氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮气流中在6rC下进行6小时聚合处理，得到重均分子量58万的丙烯酸类聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA与SA与HEA的摩尔比为70摩尔比30摩尔比20摩尔。在该丙烯酸类聚合物A中加入IO.O份(相对于HEA为80摩尔％)2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下称为"MOI")，在空气气流中在5(TC下进行48小时加成反应处理，得到丙烯酸类聚合物A'。然后，在100份丙烯酸类聚合物A'中加入8份多异氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"，日本聚氨酯株式会社制造)和5份光聚合引发剂(商品名"^》力'年工7651"，汽巴特殊化学品公司制)，制作粘合剂溶液。将前述制备的粘合剂溶液涂布于PET剥离衬里的经聚硅氧烷(silicone)处理的面上，在120'C加热交联2分钟，形成厚度10pm的粘合剂层。然后，在该粘合剂层表面粘贴厚度10(^m的聚烯烃薄膜。之后，在5(TC保存24小时后，制作本实施例的切割薄膜。23<芯片接合薄膜的制作〉使相对于lOO份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯类聚合物(根上工业株式会社制，商品名八，夕口yW-197CM)为59份环氧树脂1UER株式会社制，工匕。〕一卜1004)、53份环氧树脂2(JER株式会社制，工匕°〕一卜827)、121份酚树脂(三井化学株式会社制，商品名Sky夕7XLC-4L)和222份球状二氧化硅(7K"^亍、乂夕义株式会社制，商品名SO-25R)溶解于甲乙酮中，制备成浓度23.6重量％。将该胶粘剂组合物的溶液涂布于作为剥离衬里(隔膜)的由经聚硅氧烷脱模处理的厚度38pm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜，然后在13(TC干燥2分钟。由此，制作厚度25jam的芯片接合薄膜。另外，将芯片接合薄膜转印到前述的切割薄膜的粘合剂层一侧，得到本实施例的切割/芯片接合薄膜。〈重均分子量Mw的测定〉重均分子量Mw的测定通过GPC(凝胶渗透色谱法)进行。测定条件如下所述。另外，重均分子量经聚苯乙烯换算来计算。测定装置HLC-8120GPC(制品名，东曹公司制)色谱柱TSKgelGMH-H(S)X2(商品编号，东曹公司制)流量0.5ml/分钟注入量100pl柱温40°C洗脱液THF注入试样浓度0.1重量％检测器差示折射计(实施例2~15)关于各实施例215，变更为下表1所示的组成及配合比例，除此以外，与所述实施例1同样操作，制作切割/芯片接合薄膜。24<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>括号内的数值表示摩尔％。其中，HEA及4HBA中的括号内的数值表示相对于丙烯酸酯总量〗00摩尔％的摩尔％。另外，MOI及AOI中的括号内的数值表示相对于含羟基单体的摩尔％。另外，表1及后述的表2中记载的简称的含义如下所述。2EHA:丙烯酸-2-乙基己酯i-OA:丙烯酸异辛酯SA:丙烯酸硬脂酯VA:丙烯酸二十二垸酯BA:丙烯酸正丁酯HEA:丙烯酸-2-羟基乙酯4HBA:丙烯酸-4-羟基丁酯AOI:2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯C/L:多异氰酸酯化合物(商品名"〕口氺一卜L"，日本聚氨酯株式会社制造)(比较例1~7)关于各比较例17，除了变更为下表2所示的组成及配合比例以外，与所述实施例l同样操作，制作切割/芯片接合薄膜。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>(切割)使用各实施例及比较例的各切割/芯片接合薄膜，在以下要点下实际进行半导体晶片的切割，并评价各切割/芯片接合薄膜的性能。将半导体晶片(直径8英寸、厚度0.6mm)进行背面研磨处理，将厚度0.15mm的镜面晶片作为工件使用。从切割/芯片接合薄膜上剥离隔膜后，在其芯片接合薄膜上在4(TC下用辊压接镜面晶片使其粘贴，并进行切割。另外，切割是进行全切而得到lmm见方的芯片尺寸。对于切断后的半导体晶片及切割/芯片接合薄膜，确认有无芯片飞散。芯片飞散将即使半导体芯片有一个飞散时也评价为X，将无飞散时评价为〇。晶片磨削条件、粘贴条件及切割条件如下所述。<晶片磨削条件>磨削装置fV7〕公司制，DFG-8560半导体晶片8英寸直径(从厚度0.6mm背面磨削至0.15mm)<粘贴条件〉粘贴装置日东精机制MA-3000II粘贴速度10mm/分钟粘贴压力0.15MPa粘贴时的级温40°C<切割条件>切割装置fV7〕公司制，DFD-6361切割环2-8-1(fj7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:f^7〕公司制2050HEDDZ2:f、7-公司制2050HEBB切割刀片转数Zh40，000rpmZ2:40，000rpm刀片高度Zl:0.215mm(根据半导体晶片厚度决定(晶片厚度为75pm时，为0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A方式/阶段式切割晶片芯片尺寸l.Omm见方(拾取)使用各实施例及比较例的各切割/芯片接合薄膜，在以下要点下实际进行半导体晶片的切割后进行拾取，并评价各切割/芯片接合薄膜的性能。—将半导体晶片(直径8英寸、厚度0.6mm)进行背面研磨处理，将厚度0.075mm的镜面晶片作为工件使用。从切割/芯片接合薄膜上剥离隔膜后，在其芯片接合薄膜上在4(TC下用辊压接镜面晶片使其粘贴，并进行切割。另外，切割是进行全切而得到10mm见方的芯片尺寸。然后，对各切割/芯片接合薄膜进行紫外线照射，将它们进行拉伸，进行使各芯片间为预定间隔的扩展工序。另外，从各切割/芯片接合薄膜的基材一侧通过用针上推的方式拾取半导体芯片，进行拾取性评价。具体而言，连续地拾取400个半导体芯片，显示在后述条件下进行时的成功率。<晶片磨削条件>磨削装置于V只〕公司制，DFG-8560半导体晶片8英寸直径(从厚度0.6mm背面磨削至0.050mm)<粘贴条件〉粘贴装置日东精机制MA-300011粘贴速度10mm/分钟粘贴压力0.15MPa粘贴时的级温40°C<切割条件>切割装置fV只〕公司制，DFD-6361切割环2-8-1(f一7〕公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Zl:于V只n公司制2050HEDDZ2:于V只〕公司制2050HEBB切割刀片转数_Zl:40,000rpmZ2:40，000rpm刀片高度Zl:0.170mm(根据半导体晶片厚度决定(晶片厚度为50pm时，为0.170mm))Z2:0.085mm切割方式A方式/阶段式切割晶片芯片尺寸10.0mm见方<紫外线照射条件>紫外线(UV)照射装置日东精机(商品名、UM-810型)紫外线照射积分光量300mJ/cm2另外，紫外线照射是从聚烯烃薄膜一侧进行。<拾取条件>关于拾取条件，分别通过下表3所示的条件进行。表3针全长10mm、直径0.7mm、锐角15度、顶端R350pm针数(根)9针上推^(pm)250针上推速度(mm/秒)5夹头保持时间(毫秒)1000扩展(mm/秒)3(拉伸弹性模量的测定方法)在将样品尺寸设定为初期长度10mm、断面积0.10.5mm2，测定温度23°C、夹盘间距50mm、拉伸速度50mm/分钟的测定条件下，在MD方向或TD方向进行拉伸试验，测定各方向上样品的伸长变化量(mm)。结果，在得到的S-S曲线的初期上升部分引切线，将该切线相当于100°/。伸长时的拉伸强度除以基材薄膜的断面积，得到拉伸弹性模量。另外，对于紫外线照射后的拉伸弹性模量的测定，根据所述照射条件从聚烯烃薄膜一侧照射紫外线之后进行。(剥离粘合力)从各切割/芯片接合薄膜上切出宽10mm的试片，将其粘贴于在40C的热板上载置的硅镜面晶片上。放置约30分钟后，从切割薄膜一侧照射紫外线，再使用拉伸试验机测定剥离粘合力。测定条件是剥离角度15°、拉伸速度300mm/分钟。另外，试片的保存及剥离粘合力的测定在温度23'C、相对湿度50%的环境下进行。另外，紫外线的照射条件如下所述。<紫外线照射条件>紫外线(UV)照射装置高压水银灯紫外线照射积分光量500mJ/cm231输出功率75W照射强度150mW/cm表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>权利要求1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH2＝CHCOOR1表示的丙烯酸酯A、CH2＝CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R1为碳原子数6～10的烷基，R2为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羟基单体为选自由(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷酯和(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯组成的组中的至少任意一种。3.如权利要求l或2所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物为选自2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯的至少任意一种。4.如权利要求1至3中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物的重均分子量在35万100万的范围内。5.如权利要求1至4中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的、23'C下的拉伸弹性模量在0.43.5MPa的范围内，紫外线照射后的、23°C下的拉伸弹性模量在7100MPa的范围内。6.如权利要求1至5中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，构成所述粘合剂层的所述丙烯酸类聚合物不含丙烯酸作为单体成分。全文摘要提供一种切割/芯片接合薄膜，即使工件为薄型的情况下，工件切割时的保持力和将通过切割得到的芯片状工件与芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良。一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH₂＝CHCOOR¹表示的丙烯酸酯A、CH₂＝CHCOOR²表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R¹为碳原子数6～10的烷基，R²为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是相对于丙烯酸酯A60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。文档编号H01L23/00GK101645426SQ200910161128公开日2010年2月10日申请日期2009年8月4日优先权日2008年8月4日发明者大竹宏尚,村田修平,松村健,神谷克彦申请人:日东电工株式会社