专利名称：高效率发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管，尤指一种适用于提高出光效率的发光二极管。
背景技术：
发光二极管光学效率分为内部量子效率与外部光萃取效率，内部量子效率是半导 体芯片电光转换的效能，现今一般量子转换效率很高，此一效能主要取决于发光二极管芯 片厂技术能力。而外部光萃取效率，一般而言皆较低落，是现今发光二极管整体发光效率无 法提升的主要原因。光萃取效率低落，其主要原因是不同介质所造成的全反射现象，使得光无法有效 导出、而局限于LED内部。根据斯奈尔(Snell)定律，光入射到不同介质的界面会发生反 射和折射的现象，入射光和折射光位于同一个平面上，并且与界面法线的夹角满足如下关 系
权利要求
一种高效率发光二极管，其特征在于包括一基板；一外延层结构，形成于该基板上，外延层结构内包含有一活化层，并具有一第一位置、及第二位置；一第一电极，其配置于该外延层结构的第一位置；一第二电极，其配置于该外延层结构的第二位置；以及一聚酰亚胺层，包覆住该外延层结构及该基板，致使该外延层结构所发出的光通过该聚酰亚胺层而发散出去。
2.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，该外延层结构包含一η型半导 体层及一 P型半导体层，该活化层位于该η型半导体层及P型半导体层之间，该第一、第二 电极分别连接至该η型半导体层、及该ρ型半导体层。
3.如权利要求2所述的高效率发光二极管，其特征在于，该第一电极为一阴极。
4.如权利要求2所述的高效率发光二极管，其特征在于，该第二电极为一阳极。
5.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，还包含一透明封胶，以将该外 延层结构、基板、第一电极、第二电极、及聚酰亚胺层包覆于其内。
6.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层是由聚酰亚胺 分子所构成。
7.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层还包含有Ti02、 ZnO、Nb2O5, Ta2O5, Zr2O2, Si、GaP 的微粒。
8.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层的表面为微结 构、或表面粗化结构。
9.如权利要求1所述的高效率发光二极管，其特征在于，该外延层内的活化层为一多重量子井。
10.一种高效率发光二极管，其特征在于包括一导电基板；一外延层结构，形成于该导电基板上；一第一电极，其配置于该外延层结构上；一第二电极，其配置于该导电基板上；以及一聚酰亚胺层，包覆住该外延层结构及该导电基板，致使该外延层结构所发出的光源 通过该聚酰亚胺层而发散出去。
11.如权利要求10所述的高效率发光二极管，其特征在于，该外延层结构内包含一η型 半导体层、一 P型半导体层、及一位于该η型半导体层及P型半导体层之间的活化层。
12.如权利要求11所述的高效率发光二极管，其特征在于，该外延层内的活化层为一 多重量子井。
13.如权利要求10所述的高效率发光二极管，其特征在于，还包含一透明封胶，以将该 外延层结构、导电基板、第一电极、第二电极、及聚酰亚胺层包覆于其内。
14.如权利要求10所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层由聚酰亚胺 分子所构成。
15.如权利要求10所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层还包含有TiO2, ZnO、Nb2O5, Ta2O5, Zr2O2, Si、GaP 的微粒。
16.如权利要求10所述的高效率发光二极管，其特征在于，该聚酰亚胺层的表面为微 结构、或表面粗化结构。
全文摘要
本发明公开了一种高效率发光二极管，包括基板、外延层结构、正负电极、透明封胶、以及聚酰亚胺层。聚酰亚胺层覆盖住外延层结构、基板的表面，并再经由透明封胶将聚酰亚胺层、基板、外延层结构、正负电极包覆于其内。本发明的聚酰亚胺层具有高于现有发光二极管封装材料的折射率，可降低光源经由外延层结构、基板至透明封胶接面的全反射现象，从而降低内部全反射所造成的光辐射通量损失，以提高出光率。
文档编号H01L33/00GK101989639SQ20091016602
公开日2011年3月23日 申请日期2009年8月7日 优先权日2009年8月7日
发明者蓝培轩, 蓝钰邴, 陈瑞鸿 申请人:福华电子股份有限公司