专利名称：半导体器件、半导体器件制造方法、液晶显示装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件、制造所述半导体器件的方法、和配备有所述半导体 器件的液晶装置和电子设备。
背景技术：
近年来发展的液晶显示器通常包括液晶面板和背光单元。液晶显示器的液晶面板 包括将液晶保持在其间一对透明支撑基板、形成在一个支撑基板上的数据线和扫描线、形 成在另一个支撑基板上的共用电极、和分别布置在液晶面板的入射平面和投射平面上的偏 光板。数据线和扫描线被设置成将液晶面板的显示区域分割成多个像素，且每一个像素 与诸如薄膜晶体管(TFT)或类似物一起设置有像素电极。TFT的漏极区连接到像素电极，所 述TFT的源极区连接到数据线，而栅极连接到扫描线。TFT根据来自扫描线的信号执行切换操作，并且电流在数据线与像素电极之间流 动通过所述扫描线。因此，在像素电极与共用电极之间产生电场，并且所述电场能够使像素 电极上的液晶分子改变其排列。来自背光单元的光通过在入射面的一侧的偏光板入射到液晶面板上。这里，与偏 光板的偏振平面相同的偏振方向上的光线入射到液晶面板上。各个像素的TFT和各个像素 中的液晶的偏振状态一起基于将被显示的图像数据被控制。光的入射线基于液晶的偏振状 态而被偏振，并且被入射到投射平面的一侧的偏光板上。仅具有与偏振平面的偏振方向相 同的偏振方向的光线被投射，使得图像数据作为亮度的光密度被显示。TFT通过将杂质注入在诸如玻璃或类似物的支撑基板上的被形成图案的多晶硅上 而形成，以形成源极区(电极)或漏极区(电极)，并然后执行退火过程以活化杂质。因为诸如多晶硅的半导体由于入射光而产生光激励，如果来自背光单元的光入射 到TFT上，泄漏的光电流由光激励载流子产生。因为泄漏光电流不管来自扫描线的信号而流动，因此即使当TFT处于截止状态 时，电流也在数据线与像素电极之间流动。这种截止电流(OFF电流)产生闪烁，从而使液 晶显示装置的屏幕的图像质量变差。因此，专利文献1 (W001/067169)提出了一种通过使用包括全耗尽型沟道层的ρ型 TFT抑制产生泄漏光电流的技术。此外，专利文献2 (JP-S60-136262A)提出了一种通过使TFT的半导体膜更薄来抑 制产生泄漏光电流的技术。此外，专利文献3(JP-2007-88432A)公开的问题在于在使TFT的半导体膜更薄时， 接触孔的底部上的半导体膜通过过蚀刻被移除，使得孔中的互连部与源极区/漏极区之间 的接触电阻增加。为了解决此问题，提出了一种根据杂质元素的深度改变杂质元素的浓度 同时根据杂质元素的浓度控制蚀刻度(深度)的技术。
发明内容
然而，虽然使用石英基板作为支撑基板的专利文献1的技术可以采用能够制造高 性能TFT的高温处理，但是产生的问题在于因为石英基板昂贵，因此增加加工成本。通常， 相关技术采用使用便宜的玻璃基板的低温处理。专利文献2的技术通过使半导体膜薄而抑制产生泄漏光电流。然而，产生的问题 在于因为在低温处理中通过注入杂质元素形成的非晶质化半导体不能被有效率地恢复，在 源极区/漏极区内的电阻较高，并因此功率消耗增加。此外，因为专利文献2采用单个漏极 结构，产生的问题在于尽管在明亮的照明条件下可减少泄漏光电流，但是即使在黑暗条件 下，也会极大地产生泄漏光电流，这是本发明的目的之一。专利文献3可以抑制当与源极区/漏极区接触的接触孔形成时互连部与源极区/ 漏极区之间的接触电阻在蚀刻程度的控制下增加。然而，该技术预先假定源极区/漏极区 内的电阻应该较低，因此产生的问题在于即使该技术适于如所期望的通过低温处理来制造 半导体设备，但是源极区/漏极区内的电阻本身不能被减小。在相关技术中产生的上述问题与其审查一起在随后被详细说明。本发明旨在提供一种能够抑制泄漏光电流的半导体器件，一种制造该半导体器件 的方法，和具有该半导体器件的液晶显示装置和电子设备。根据示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括支撑基板；在支撑基板上的半 导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所 述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm 到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和在漏极区与沟道 形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂 质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧区 域的杂质浓度。根据示例性实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤 在支撑基板上形成半导体膜，且半导体膜具有在20nm到40nm范围内的厚度；在半导体膜 上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极电极；以及在半导体膜上形成源极区和漏极 区，和形成分别在源极区与沟道形成区域之间和在漏极区与沟道形成区域之间的低浓度区 域。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并 且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧上的上表面侧区域的杂 质浓度。根据示例性实施例，提供了一种液晶显示装置，包括包括半导体器件的液晶面 板；和照亮液晶面板的光源。半导体器件包括支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半 导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和 所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜被构造成使得乘积AXB在 总波长范围(nm)上的积分不超过5，其中A是用发光光谱的最大值对入射到半导体膜上的 光线的发光光谱进行标准化而获得的相对强度谱，而B是用吸收光谱的最大值对半导体膜 的吸收光谱进行标准化而获得的相对强度谱。根据示例性实施例，提供了一种液晶显示装置，包括包括半导体器件的液晶面
5板；和照亮液晶面板的光源。半导体器件包括支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半 导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和 所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范 围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和在漏极区与沟道形成区域之 间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并 且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧区域的杂质 浓度。根据示例性实施例，提供了一种包括半导体器件的电子设备。根据示例性实施例，提供了一种包括液晶装置中的任一个的电子设备。根据示例性实施例，可以提供能够抑制泄漏光电流的半导体器件、制造该半导体 器件的方法、和具有该半导体器件的液晶显示装置和电子设备。
图1是图示根据第一示例性实施例的半导体器件的示意性横截面图；图2是图示半导体膜(Si)的厚度与标准化泄漏光电流之间的相关性的图表；图3是图示在靠近半导体膜中的基板的区域中的薄层电阻与杂质(B)浓度之间的 相互关系的图；图4是图示在半导体膜的低浓度区域内靠近表层区的杂质浓度与靠近基板区域 的杂质浓度的比值与标准化泄漏光电流之间的相互关系的图；图5是图示半导体膜的低浓度区域(LDD区域)的薄层电阻与TFT的标准化截止 电流的标准偏差和导通/截止电流的比值之间的相互关系的图；图6是图示LDD区域的薄层电阻与导通电流和截止电流之间的相互关系的图表；图7是图示半导体膜的厚度与LDD区域的薄层电阻之间的相互关系的图表；图8是图示根据第二示例性实施例的半导体器件的示意性横截面图；图9是图示制造第二示例性实施例的半导体器件的方法的示例性过程的过程图；图10是图示图9的方法的过程的流程图；图11是图示发光二极管的相对强度谱的图；图12是图示冷阴极荧光灯的相对强度谱的图；图13是图示三种半导体膜的相对强度谱的图；图14是图示发光二极管的半导体膜(硅)的厚度与所述半导体膜的光谱的积分 之间的相互关系的图表；图15是图示根据第四示例性实施例的液晶显示装置的分解立体图；以及图16是图示根据第五示例性实施例的电子设备(移动电话)的立体图。
具体实施例方式以下说明优选的示例性实施例。第一示例性实施例以下在审查上述相关技术的同时说明第一示例性实施例。图1是图示半导体器件 (例如，薄膜晶体管TFT) 10的截面结构的视图，所述半导体器件形成在透明支撑基板11上，并且本示例性实施例适于所述半导体器件。作为支撑基板11，可以为诸如无碱玻璃或类似物的玻璃基板。同时，二氧化硅膜、 或包括氮化硅膜和二氧化硅膜的层压膜可以形成在作为带基膜的支撑层11上。TFTlO是平面型晶体管，所述平面型晶体管包括半导体膜12、栅极绝缘膜13、栅极 电极14、以及源极区15a和漏极区15b，所述源极区15a和漏极区15b形成在栅极电极14 的左侧和右侧。低浓度区域17分别形成在源极区15a与沟道形成区域之间和在漏极区15b与沟 道形成区域之间。低浓度区域具有小于源极区15a的杂质浓度和漏极区15b的杂质浓度的 杂质浓度。源极区15a和漏极区15b作为总称以下被称为高浓度区15。沟道形成区域是当 半导体器件操作时沟道在栅极电极14下方形成在半导体膜12中的区域。半导体膜12通过成对形成在支撑基板11上的多晶硅形成图案而形成。栅极绝缘 膜13和栅极电极14形成在半导体膜12上。此外，通过将杂质元素以离子方式注入到半导 体膜12中，高浓度区15和低浓度区17形成。半导体膜由于注入杂质元素而被损坏，并且所述半导体膜的晶相变成非晶的。这 种现象显著地出现在专利文献2提出的薄半导体膜(多晶硅膜)上。在专利文献2中，采用单个漏极结构，使得泄漏电流通过施加到漏极侧端的高电 场流动通过多晶硅膜的晶界。虽然这种泄漏电流随着光照射而增加，但是在黑暗状态下流 动的原始泄漏电流具有较高的值。由于此，如果需要高亮度，或者如果由于使IXD装置具有 高分辨率结构而减少存储电容，则需要减少原始黑暗状态泄漏电流。因为即使注入杂质元素也不足以使杂质元素发挥其自身的功能，因此在注入之 后，利用退火对杂质元素进行处理，用于使杂质元素活化。如专利文献1所述，在晶体管形成在作为支撑基板的石英基板上的情况下，可以 采用达到大约1150°C的高温处理。然而，在大大需要减少产品成本的诸如液晶显示装置的情况下，诸如便宜的无碱 玻璃、钠钙玻璃或类似物的玻璃基板用作支撑基板。可以通过使用便宜的玻璃基板以很低 的成本获得液晶显示装置。因为玻璃基板在大约600°C下被软化，因此需要在具有在软化温 度以下的处理温度的低温处理中处理所述玻璃基板。通常，处理温度与杂质注入的活化程度有关，并进一步与薄层电阻有关。如果令杂 质注入物的流动性和活化度分别为μ和X，在μ与χ的乘积大约为10-1到100的低温处 理中，与专利文献1中的μ与Χ的乘积大于低温处理的μ与Χ的乘积的高温处理不同，杂 质注入物不能被充分活化，使得高浓度区域15内的电阻不能被降低。如果高浓度区域15 内的电阻较高，则产生的问题在于当电流流动通过该区域时，大量功率被消耗，并且不能将 来此数据线的信号精确地施加到像素电极。同时，专利文献3的技术通过选择蚀刻条件和杂质注入物沿半导体膜的深度方向 的浓度分布来控制蚀刻深度。该技术的优点在于即使当半导体膜的厚度较小时，该技术也 可根据高浓度区域的深度控制蚀刻深度，从而抑制互连部与高浓度区域之间的接触电阻增 加。然而，这种技术不能直接对采用低温处理的技术方案做贡献，因为该技术预先假定了高 浓度区域15和低浓度区域17的低电阻。考虑到此，为了实现对泄漏光电流的抑制，源极区与漏极区之间的击穿电压的增
7加，和高浓度区域15和低浓度区域17的低电阻，示例性实施例可以至少包括在随后的结构 A-E中的结构B和D。此外，示例性实施例根据期望特征可以另外地仅包括另一个结构或合 并形式的其它结构。结构 A结构A使用诸如硼的轻元素作为杂质元素。通过使用这种轻杂质元素，在注入杂 质元素时可减少晶体缺陷的量。结构B结构B可使半导体膜的厚度(tl)具有20nm-40nm的范围。在光线入射到半导体 膜上时，如果半导体膜12的体积形成为较小(即，形成为较薄)，光接收体积降低，并因此被 激励的载流子的数量减少，从而抑制泄漏光电流产生。图2示出了当使用硅作为半导体膜12时半导体膜的厚度与标准化泄漏光电流的 值之间的相互关系。同时，标准化泄漏光电流的值是根据在作为参考值的70nm的膜厚度处 的泄漏光电流的值对各个膜厚度进行标准化的泄漏光电流的值。如由图2可以看到，标准 化泄漏光电流的值在40nm或更小的膜厚度处急剧减小。因此，可以得出的结论是半导体膜 12的厚度的上限优选地可以等于40nm或更小。同时，从以下参照结构E随后详细所述的薄 层电阻得到膜厚度的下限(20nm)。结构 C结构C被示出，使得在支撑基板11的一侧上的高浓度区域15的具有一定深度范 围的区域内(即，在支撑基板11的一侧从半导体膜12的边界面沿厚度方向的一定范围的 区域内)的杂质浓度被形成为3. 4X IO2tlCnT3或更小。以下，从支撑基板的一侧具有一定范 围的区域将被称作为近基板区域18 (参见图1)。在这种情况下，如果基膜存在于支撑基板 11与半导体膜12之间，近基板区域表示从基膜与半导体膜12之间的边界沿深度方向指向 的具有一定范围的区域。近基板区域18的厚度(t2)可以优选地为0.6nm或更大，更优选 地为大约Inm或更大。近基板区域的厚度(t2)可以优选地为半导体膜12的厚度(tl)的 1/4倍或更小。因为高浓度区域15通过以高浓度的方式注入杂质元素而形成，因此非晶质化的 程度较高。然而，在低温处理中，非晶质半导体不能被容易地再结晶。图3显示了近基板区域18内的(硼的)杂质浓度与薄层电阻之间在当半导体膜 12的膜厚度为40nm的点处的相互关系。如果杂质浓度超过3.4X102°cnT3，则可执行近基板区域18的非晶质化，但是不足 以实施从非晶质化相到晶相的恢复，使得薄层电阻大大增加。同时，如果杂质浓度不超过 3. 4 X IO20Cm-3,则薄层电阻大大降低。同时，如果比硼重的磷用作杂质元素，因为磷溶解到硅中的限制较小，因此薄层电 阻增加。因此，优选的是用于半导体膜12的近基板区域18的注入物是磷，并且所述注入物 的浓度等于3. 4X IO20Cm-3或更小。实际上，可以将杂质浓度设定为3. 4X 102°cm_3或更小。因此，通过使近基板区域18内的杂质浓度为3.4X102°cm_3或更小，则可以减小通 过杂质的注入而得到的近基板区域18内的半导体的非晶质化的程度。即，保持具有没有被 非晶质化的晶相的半导体。因此，即使在低温活化退火中，结晶状半导体变成用于晶体生长的原子核，使得非晶质化的半导体容易结晶。结晶作用允许在硅的一侧上接收杂质，而不是用作淀析分散 (precipitating dispersion),从而获得低电阻。同时，为了获得添加杂质的充分效果，高浓度区域15的杂质浓度优选地可以为 3. IX IO18CnT3或更大。实际上，杂质浓度可以被设定为4Χ IO18CnT3或更大。结构 D结构D是提供低浓度区域17。当半导体膜12形成为较薄时，源极与漏极之间的击 穿电压的减小变得显著。如果源极与漏极之间的击穿电压下降，则截止电流增加。本发明的发明人最新发现了当半导体膜12的厚度(tl)形成为较薄时发生源极与 漏极之间的击穿电压的显著减小的事实。虽然理论基础不清楚，但是本发明人假定该现象 是由当TFTlO被夹紧时漏极电流分布沿厚度方向的延伸而产生。即，如果半导体膜12的厚 度(tl)形成为较厚，在夹紧时的漏极区的耗尽层可以沿厚度方向被加宽，这使得难以产生 电场聚集。相反，如果半导体膜12的厚度(tl)形成为较薄，耗尽层不能沿厚度方向充分延 伸，使得可假设电场聚集发生并因此击穿电压减小。因此，低浓度区域17形成在沟道与高浓度区域15之间。优选的是低浓度区域17 被构造成具有沿厚度方向的浓度分布，使得在支撑基板的一侧上的近边界部(靠近半导体 膜的下表面)的杂质浓度形成为小于在栅极绝缘膜的一侧的近边界部(靠近半导体膜的上 表面)的杂质浓度，从而支撑基板的一侧的近边界部的电阻高于栅极绝缘膜的一侧的近边 界部的电阻。相反，如果支撑基板的一侧的电阻小于栅极绝缘膜的一侧的电阻，在支撑基板 的一侧的边界附近形成电流。当在支撑基板的一侧的近边界部形成更高的电阻时，使得难 以在支撑基板的一侧的边界附近形成电流。同时，在光从支撑基板的一侧入射时，光载流子通过光激励产生。根据半导体膜的 光吸收特性，光载流子进一步产生在入射表面的一侧。这里，如果电流形成在栅极绝缘膜的 一侧的边界附近，则在入射表面的一侧(即，在支撑基板的一侧的近边界部部分)上产生的 光载流子被抑制输送，使得可以抑制沿厚度方向的整个泄漏光电流。图4显示在TFT的半导体膜12的低浓度区域中的近上表面区域和近下表面区域 (在基板的一侧的近边界部)的杂质浓度的比值与标准化泄漏光电流之间的相互关系。这 里，TFT被构造成使得半导体膜12的厚度具有20nm-40nm的范围，并且近基板区域18的杂 质浓度等于3. 4X IO20Cm-3或更少。横坐标轴表示标准化杂质浓度(Bs/Bb)，其中Bs是半导 体膜12的低浓度区域中的近上表面区域(在距离上表面0-4nm的范围内的区域)的杂质 浓度，而Bb是半导体膜的低浓度区域中的近下表面区域(在距离下表面0-4nm的范围内的 区域)的杂质浓度。纵坐标轴表示通过当标准化杂质浓度(Bs/Bb)为1.79时通过泄漏光 电流Ip(l. 79)对泄漏光电流Ip进行标准化而获得的标准化泄漏电流[Ip/Ip(l. 79)]。如果标准化杂质浓度(Bs/Bb)变得大于1，则泄漏光电流急剧降低。因此，标准化 杂质浓度(Bs/Bb)被形成为大于1。即，优选的是在低浓度区域17中，基板一侧的近边界部 (半导体膜的近下表面区域)的杂质浓度小于近上表面区域的杂质浓度。结构 E结构E使低浓度区域17的薄层电阻具有3 X IO5 Ω / □至2 X IO7 Ω / □的范围。如果半导体膜12是多晶硅膜，晶界存在于多晶硅膜中。则由于晶界中不均勻的缺 陷，TFT的截止电流变得不均勻。因此，在液晶显示装置中需要精确显示并且用于保持像素
9电极的电势的电荷储存电容较低的情况下，所保持的电荷的变化由于TFT的截止电流的不 均勻而变得显著，从而使图像质量产生不均勻性。图5显示半导体膜的低浓度区域的薄层电阻与TFT的截止电流的标准化标准偏 差和导通/截止电流的比值之间的相互关系。这里，标准化标准偏差是在图5中所示的测 量值内通过最高标准偏差进行标准化的值，并且用作用于指示TFT产品的不均勻程度的指 标。由图5可以已知的是截止电流的标准化标准偏差可以通过使低浓度区域的薄层电阻形 成为具有3 X IO5 Ω / 口或更大而被充分抑制。此外，还可以由图5已知的是如果薄层电阻 较高并且超过2 X IO6 Ω / □，可以获得更加良好的均勻性。
同时，因为当低浓度区域的薄层电阻增加时导通电流减少，因此导通/截止电流 的比值变小，使得液晶显示装置的图像质量显著恶化。可以由图5已知的是为了确保将信 号写给像素所需的最小导通电流，和导通/截止电流的适当比值，优选的是使低浓度区域 的薄层电阻形成为具有2 X IO7 Ω / 口或更小。 由上述，低浓度区域的薄层电阻形成为具有3 X IO5 Ω / □至2 X IO7 Ω / □的范围， 使得可以获得可充分抑制截止电流的不均勻性的半导体器件。更加优选的是低浓度区域17的薄层电阻被形成为具有3Χ105Ω/ □至 1 X IO6 Ω / □的范围。有一种情况是在需要在外围驱动电路或类似物中需要驱动能力的TFT 中需要足够高的导通电流。然而，对于低浓度区域17的薄层电阻来说，如果TFT的导通电 流增加，截止电流也增加。因此需要抑制截止电流而增加导通电流的状态。图6显示低浓度区域17的薄层电阻与导通电流或截止电流之间的相互关系。如由 此图可以看出，可以通过将低浓度区域17的薄层电阻设定到3Χ105Ω / □至1Χ106Ω / 口 的范围，从而充分抑制截止电流同时获得充分高的导通电流。图7显示半导体膜12的厚度与低浓度区域17的薄层电阻之间的相互关系。该图 示出了在具有半导体膜12的TFTlO中被注入硼的低浓度区域17的薄层电阻，且所述半导 体膜的厚度变化。如可以从图7看到，当半导体膜的厚度变得比20nm薄时，薄层电阻大大 增加。这是因为当厚度减少时，硼在半导体膜12中的可溶解的固体量减少。因此，难以在 膜厚度比20nm薄时降低薄层电阻。即，为了降低薄层电阻，需要使半导体膜12的厚度等于20nm或更大。所述厚度也 可以设定到25nm或更大。在与上述在结构B中将半导体膜12的厚度设定到40nm或更小 的情况相结合，从而得出的结论是半导体膜12的厚度优选地等于20nm到40nm的范围。因此，可以提供一种源极/漏极之间的击穿电压较高并且充分抑制泄漏光电流的 半导体器件。然而，用于与像素一起使用的TFT和构成外围驱动电路的TFT的所需的特征通常 不同。例如，如之前所述，像素的TFT需要宽范围均勻性，以抑制显示器的不均勻性。然而， 在外围驱动电路中使用的TFT需要更高的驱动能力，因为存在对尽可能小地减少外围驱动 电路的占有面积以使液晶显示装置的框架的宽度更窄的需要。因此，如之前所述，可以通 过使低浓度区域的薄层电阻形成为具有3Χ105Ω/ □到2Χ107Ω/ □的范围。此外，在需 要高驱动能力的外围驱动电路或类似物的TFT中，可以通过使低浓度区域的薄层电阻具有 3 X IO5 Ω / □到1 X IO6 Ω / 口的范围满足获得充分高的导通电流的需要。因此，可以获得抑 制显示的不均勻性并且超出显示部分(所谓的框架)较小的液晶显示装置，并且所述液晶显示装置可以促进诸如移动电话或笔记本PC的电子设备的高质量显示和小型化。根据这 种示例性实施例，可以提供适于这种液晶显示装置的TFT。第二示例性实施例以下参照图8-10说明第二示例性实施例。图8显示根据第二示例性实施例的半导体器件30的截面结构。图9是显示制造 半导体器件30的方法的示例性过程的过程图，而图10是显示该方法的过程的流程图。半导体器件(例如，TFT) 30包括基膜32、半导体膜33、栅极绝缘膜34、栅极电极 35、中间层绝缘膜36、源极配线37、漏极配线38、和类似物，所述基膜32、半导体膜33、栅极 绝缘膜34、栅极电极35、中间层绝缘膜36、源极配线37、漏极配线38、和类似物形成在支撑 基板31上。在TFT30中，在高浓度区域40 (包括源极区40a和漏极区40b)与沟道端之间，设 置具有低杂质浓度的低浓度区域41，从而形成所谓的轻掺杂漏极(LDD)结构。高浓度区域 40的杂质浓度具有3. IX IO18cnT3到3. 4X IO20cnT3的范围。此外，低浓度区域41的薄层电 阻被设定到3X IO5 Ω / □到IX IO6 Ω / □的范围。以下与示例性制造过程一起说明TFT的详细结构。制造过程通常包括6个过程。 同时与各个过程相对应的参考符号Sl到S2表示图10的流程图的各个步骤。(1)半导体膜形成过程(Si)首先，由二氧化硅膜或包括氮化硅膜和二氧化硅膜的层压膜构成的基膜32形成 在支撑基板31上(参见图9 (a))。作为支撑基板31，使用诸如无碱玻璃或类似物的便宜玻
璃基板。大约40nm的非晶质化硅膜形成在基膜32上(见9(b))。这里，为了控制TFT30的 阈值，在膜形成过程期间以例如IXlO16Cnr3的剂量引入诸如B或P的杂质。同时，在形成非 晶质化硅膜之后，可以通过离子掺杂或离子注入引入杂质。然后，将非晶态硅膜暴露给准分子激光器或类似物，从而形成多晶体硅的具有极 好的半导体特征的半导体膜33。半导体膜33通过光刻法和干刻蚀方法被蚀刻成期望的图案。(2)栅极电极形成过程(S2)在形成半导体膜33之后，形成栅极绝缘膜34 (参见图9 (c))。此外，作为栅极绝缘 膜形成过程的预处理，半导体膜33被处理成使用稀释的氢氟酸(DHF)除去形成在所述半导 体膜的上表面上的天然氧化物，从而形成清洁的硅表面。栅极绝缘膜34通过等离子体CVD方法在600°C以下的温度下形成，600°C的温度 比使支撑基板31热变形的温度低。栅极绝缘膜34的厚度等于但不具体地限于例如优选的 5nm到5000nm的范围，更优选地为IOnm到lOOOnm。然后，栅极电极膜形成在栅极绝缘膜34上。栅极电极膜可以由通过溅射方法获得 的金属膜、通过CVD方法或类似方法获得的含有杂质的硅膜、和包括金属膜和硅膜的层压 膜构成。这里，杂质例如可以是B或P，并且可以引入所述杂质，同时改变杂质的浓度和种 类，以在栅极电极35相对于沟道端的功函数的控制下调节阈值。使用光刻法将光致抗蚀剂图案形成在栅极电极膜上，并且使用干刻蚀、湿蚀刻、 或所述干刻蚀和所述湿蚀刻的组合蚀刻法蚀刻栅极电极膜以形成栅极电极35(参见图
119(d))。
(3)源极区和漏极区形成过程(S3)在低浓度区域41形成之前形成源极区和漏极区的高浓度区域40。然而，形成过程 可以改变，使得首先形成低浓度区域41，然后形成抗蚀图案以遮盖栅极电极35和低浓度区 域，从而形成高浓度区域40。虽然此示例性实施例显示在栅极电极35形成之后执行漏极 区域和源极区域的形成的情况，但是可以以首先形成源极区和漏极区然后形成栅极电极35 的方式实施形成过程。首先将抗蚀剂50施加到半导体膜的整个表面上，并且形成具有与高浓度区域40 相对应的开口 51的抗蚀图案(参见图9(e))。通过离子掺杂或离子注入使用抗蚀图案作为 掩模以高浓度的方式注入杂质。在注入杂质之后，移除抗蚀图案并完成高浓度区域40的形 成。在此过程中，优选地，杂质可以是B。这里，可调节加速电压和杂质的剂量，使得 近基板区域的杂质浓度等于3. IXlO18Cm-3到3. 4X102°cm_3的范围。在半导体膜12的厚 度为40nm的情况下，具有ieOnm的膜厚度的二氧化硅形成在所述半导体膜(在栅极绝 缘膜侧)上，然后，使用离子掺杂注入硼，可以图示的是加速电压是25keV，剂量被设定为 6. 7 X 1015cnT2，而RF功率为IOOff的条件。然后，形成低浓度区域41。虽然通过类似于高浓度区域40的方法的方法执行用于 形成低浓度区域41的杂质的注入，但是不使用抗蚀图案，并且栅极电极35用作掩模(参见 图 9(f))。这里，加速电压被设定成使得半导体膜的在栅极电极35的一侧的表面的杂质浓 度变得比在半导体膜的在支撑基板12的一侧的相对表面(底部表面)的杂质浓度高。此 夕卜，调节剂量使得已经利用活化退火过程被处理的低浓度区域41的薄层电阻优选地等于 3Χ105Ω/ □到 2Χ107Ω/ □，更优选地等于 3 X IO5 Ω / □到 1Χ106Ω / 口。(4)中间层绝缘膜形成过程(S4)接下来，形成中间层绝缘膜36。中间层绝缘膜36通过使用等离子体CVD处理形 成二氧化硅膜、氮化硅膜或包括所述二氧化硅膜和氮化硅膜的层压沉积膜来提供(参见图 9(g))。(5)活化退火过程(S5)接下来，执行活化退火过程以活化杂质注入物(参见图9(h))。退火温度被设定 到300°C到600°C的范围。可以在电炉中或者使用诸如准分子激光器的迅速退火方法执行 活化退火过程。(6)配线形成过程(S6)在已经完成活化退火过程之后，接触孔53形成在中间层绝缘膜36中，并且执行配 线形成过程以形成栅极配线、源极配线和漏极配线(参见图9(i)和图9(j))。通过在中间层绝缘膜36形成具有与栅极、源极、和漏极相对应的开口抗蚀图案并 使用干刻蚀、湿蚀刻或所述干刻蚀和湿蚀刻的组合蚀刻中间层绝缘膜36来形成接触孔53。 在形成接触孔53之后，使用溅射方法或类似方法形成诸如铝膜的金属膜，并且使用不同类 型的蚀刻方法和光刻技术对金属膜进行蚀刻以形成配线54。此外，优选的是执行终止设置在半导体膜33内或设置在半导体膜33与栅极绝缘膜34之间的边界上的悬挂键的过程，以稳定电特征。用于终止的元素可以是氢。该终止处 理可以是氢等离子体处理。只要在已经形成栅极绝缘膜34之后，可以在任何阶段执行这种
处理。 由上述过程，完成了制造TFTlO的主过程。在栅极配线和源极配线或漏极配线相 交的情况下(例如，在TFT适于有源矩阵液晶显示装置的情况下)，为了单独地布置相交的 配线，可以执行配线形成过程，同时将配线形成过程分成两个子过程。根据制造方法，与相关技术相比，在不需要一些专业过程的情况下，通过仅设置制 造条件，可以制造其中低浓度区域的薄层电阻较低、源极与漏极之间的击穿电压较高并可 充分抑制泄漏光电流、同时保持所述过程与相关技术的适应性的半导体器件。第三示例性实施例以下参照附图详细说明第三示例性实施例。上述示例性实施例执行与诸如TFTlO 的半导体器件的结构有关的抑制泄漏光电流的操作。泄漏光电流由被入射光线激励的载流 子产生。光激励是吸收入射光线载流子在能带内被激发的现象。因此，通过减小吸收程度， 即使存在相同量的晶体缺陷，也可以减少泄漏光电流。因此，此示例性实施例通过限定光源的发光光谱与半导体的吸收光谱之间的关系 来抑制泄漏光电流。图11显示当最大值被设定为100时白色发光二极管(LED)的发光光谱的相对强 度谱，图12显示冷阴极荧光灯(CCFL)的当最大值被设定为1时的相对强度谱。这样，发光 光谱基于光源而不同。纵坐标轴表示发光强度的相对值。图13显示具有不同厚度的三种硅膜的吸收光谱的当最大值被设定为1时的相对 强度谱。纵坐标轴表示吸收速率的相对值。图14显示当光源是发光二极管时半导体膜(硅膜)的厚度与光谱的积分之间的 相互关系。光谱的积分是在总波长范围(nm)上对AXB进行积分的值，其中A(波长λ的函 数:Α(λ))是用光源的发光光谱的最大值对各个波长的发光光谱进行标准化而获得的相 对强度谱，而B(波长λ的函数Β(λ))是用半导体膜的吸收光谱的最大值对各个波长的 吸收光谱进行标准化而获得的相对强度谱。这里，总波长范围可以是包括光源的发光波长 的波长范围Umin到Xmax，单位nm)。例如，当使用可见射线作为光源时，波长范围可以 被设定为380nm到800nm或400nm到800nm。此外，半导体膜的吸收光谱的最大值表示在光 源的发光波长范围内的最大值。光谱的积分可以由以下公式表示。在公式中，Amax和λπ η分别表示在总波长 范围内的最大值(nm)和最小值(nm)。公式1
光谱的积分=J^ Αζλ) X由图14可以看出在使用LED背光作为光源的情况下，光谱的积分在膜厚度上的相 关性与泄漏光电流特征在膜厚度上的相关性一致(参见图2)。可以看出的是当膜厚度在50nm到70nm的范围内时，光谱的积分随膜厚度的减少 而增加。这是因为当膜厚度为50nm时，光源的发光强度的峰值与硅膜的吸收特性的峰值重叠。这样，泄漏光电流的减少不是简单地由于硅膜的变薄而产生，而是受照明光(这里，LED 背光)的发光光谱和半导体膜(这里，硅膜)的吸收特性与膜厚度的相关性的影响。此外， 如果膜厚度减少，光谱的积分在40nm的膜厚度附近极大地变化。即，光谱的积分等于5或 更小的半导体膜的厚度为40nm或更小。 如上所述，由于被吸收的波长基于膜厚度而存在，并且由于发光光谱(即，发光强 度)与波长的相关性基于光源的类型而存在，因此光吸收(因此泄漏光电流)的范围根据 该特征变化。泄漏光电流特征可以由概括上述关系的光谱的积分来评价。换句话说，从抑 制泄漏光电流的点，优选的是光源的发光光谱的峰值和半导体膜的吸收光谱的峰值几乎不 能相互重叠。由于此，光谱的积分优选地为5或更小，更优选地为3或更小。因为光谱的积 分的下限在不发生光谱的重叠的理想状态下变为零，因此，下限优选地超过零。为了使光谱 的积分具有这种范围，选择光源的类型和/或半导体膜的厚度或包括粒径、密度或类似物 的材料。另外，对于某一光源，选择半导体膜的厚度或包括粒径、密度或类似物的材料。因 此，可以获得抑制泄漏光电流的半导体器件。
第四示例性实施例以下继续说明第四示例性实施例。示例性实施例提供一种具有根据上述示例性实 施例的半导体器件的液晶显示装置。图15是显示液晶显示装置的概念分解立体图。液晶显示装置55包括液晶面板56和背光单元57。背光单元57包括诸如冷阴极 荧光灯、发光二极管、或类似物的光源。液晶面板56包括一对支撑基板58a和58b，在所 述一对支撑基板之间供应液晶59 ；设置在一个支撑基板58a上的数据电路60、扫描电路61 和显示区22 ；设置在另一个支撑基板58b上的共用电极(未示出)；和设置在液晶面板56 的入射表面和投射表面上的偏光板(未示出)。数据线和扫描线连接到数据电路60和扫描电路61，使得液晶面板56的显示区22 被分成多个像素。数据电路60和扫描电路61设置有上述实施例的半导体器件，并且各个像素也设 置有示例性实施例的半导体器件。因此，根据上述结构的操作，即使当来自背光单元57的光入射到液晶面板56中的 半导体器件上时，可抑制载流子作为泄漏光电流在源极/漏极之间流动，从而避免图像质 量的降低，例如闪烁。此外，通过提供结构D的低浓度区域，可抑制源极与漏极之间的击穿电压的降低， 从而提高可靠性。此外，因为半导体器件的高浓度区域的薄层电阻足够低，并且即使当设置低浓度 区域时，低浓度区域具有适当的薄层电阻，可以减小液晶显示装置的功率消耗。此外，因为光谱的积分由于与光源的关系而被设定到5或更小，因此即使当使用 高亮度背光单元57时也可以获得极好的显示特性。第五示例性实施例以下继续说明第五示例性实施例。该示例性实施例涉及一种使用根据上述示例性 实施例的半导体器件的电子设备。虽然已经图示和说明了作为电子设备的具有液晶显示装 置的移动电话，但是本发明不限于此，而是可以包括例如个人电脑、个人数字助理(PDA)、投 影仪、数码(影像)相机、或类似物。
图16是显示具有液晶显示装置的移动电话65的立体图。移动电话65包括上壳 体66和下壳体67。上壳体66设置有根据上述示例性实施例的液晶显示装置69，而下壳体 67设置有包括数字键盘的输入装置。此外，移动电话还在壳体内包括具有移动电话所需的 功能的装置，所述装置包括收发设备、各种控制器、存储器、具有话筒和麦克风的音量单元、 电池、和类似物。因为液晶显示装置69抑制泄漏光电流和功率消耗，因此即使当使用高亮度背光 单元时，也可以提供相对长期、极好的显示特性，使得可以获得具有最佳能见度的移动电 话。此外，在本发明的液晶显示装置中，可以使用具有高亮度的这种背光单元，使得所 述装置适用于获得在暗处使用的诸如摄像机的良好景象。已经参照示例性实施例如此说明了本发明，但是本发明不局限于上述示例性实施 例。在本发明的保护范围的中可以对本发明的结构和细节做可被本领域的技术人员所理解 的各种修改。本申请基于并主张2008年4月2日提出申请的日本专利申请No. 2008-096530的 优先权权益，该申请的公开内容通过引用在此全文并入。
权利要求
一种半导体器件，包括支撑基板；在所述支撑基板上的半导体膜；在所述半导体膜上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到所述半导体膜而形成，其中所述半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内；以及所述半导体器件还包括分别设置在所述源极区与沟道形成区域之间和在所述漏极区与所述沟道形成区域之间的低浓度区域，所述低浓度区域每一个都具有小于所述源极区的杂质浓度和所述漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在所述支撑基板的一侧上的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧上的上表面侧区域的杂质浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述低浓度区域中的每一个的薄层电阻 具有3Χ105Ω/ □到2Χ107Ω/ □的范围。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述低浓度区域中的每一个的薄层电阻 具有3Χ105Ω/ □到1Χ106Ω/ □的范围。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体器件，其中，所述源极区和所述漏极区每 一个都包括从所述半导体膜的在所述支撑基板的所述一侧上的下表面沿厚度方向的、杂质 浓度在3. IXlO18Cm-3到3. 4X IO2W的范围内的区域。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件，其中，所述杂质是硼。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体膜被构造成使得 乘积AXB在总波长范围(nm)上的积分不超过5，其中A是用发光光谱的最大值对入射到所 述半导体膜上的光线的发光光谱进行标准化而获得的相对强度谱，而B是用吸收光谱的最 大值对所述半导体膜的吸收光谱进行标准化而获得的相对强度谱。
7.—种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤在支撑基板上形成半导体膜，所述半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内； 在所述半导体膜上形成栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极；以及在所述半导体膜上形成源极区和漏极区，和形成分别在所述源极区与沟道形成区域之 间和在所述漏极区与所述沟道形成区域之间的低浓度区域，所述低浓度区域每一个都具有 小于所述源极区的杂质浓度和所述漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在所述支撑基板的 一侧上的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧上的上表面侧区域的杂质浓度。
8.一种液晶显示装置，包括包括半导体器件的液晶面板；和照亮所述液晶面板的光源，其中所述半导体器件包括 支撑基板；在所述支撑基板上的半导体膜； 在所述半导体膜上的栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到所述半导体膜而形成，所述半导体膜被构造成使得乘积AXB在总波长范围(nm)上的积分不超过5，其中A是 用发光光谱的最大值对光源的发光光谱进行标准化而获得的相对强度谱，而B是用吸收光 谱的最大值对所述半导体膜的吸收光谱进行标准化而获得的相对强度谱。
9.一种液晶显示装置，包括 包括半导体器件的液晶面板；和 照亮所述液晶面板的光源， 其中所述半导体器件包括支撑基板；在所述支撑基板上的半导体膜； 在所述半导体膜上的栅极绝缘膜； 在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到所述半导体膜而形成，所述半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内；以及所述半导体器件还包括分别设置在所述源极区与沟道形成区域之间和在所述漏极区 与所述沟道形成区域之间的低浓度区域，所述低浓度区域每一个都具有小于所述源极区的 杂质浓度和所述漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在所述支撑基板的一侧上的下表面侧 区域内的杂质浓度小于在相对侧上的上表面侧区域的杂质浓度。
10.一种电子设备，包括根据权利要求1-6中任一项所述的半导体器件。
11.一种电子设备，包括根据权利要求8或9所述的液晶显示装置。
全文摘要
本发明公开了一种半导体器件，包括支撑基板；在支撑基板上的半导体膜；在半导体膜上的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上的栅极电极；和源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区通过将杂质元素引入到半导体膜而形成。半导体膜的厚度在20nm到40nm的范围内。低浓度区域分别设置在源极区与沟道形成区域之间和漏极区与沟道形成区域之间。低浓度区域每一个都具有小于源极区的杂质浓度和漏极区的杂质浓度的杂质浓度，并且在支撑基板的一侧的下表面侧区域内的杂质浓度小于在相对侧的上表面侧的杂质浓度。
文档编号H01L21/336GK101981676SQ200980111418
公开日2011年2月23日 申请日期2009年3月30日 优先权日2008年4月2日
发明者东海林功, 柴田惠, 森茂, 田边浩 申请人:Nec液晶技术株式会社