专利名称：发光器件封装的制作方法
技术领域：
实施方案涉及一种发光器件封装。
背景技术：
发光二极管(LED)可使用GaAs基、AlGaAs基、GaN基、InGaN基和InGaAlP基的化 合物半导体材料形成发光源。将这种LED进行封装以用作发出各种颜色的发光器件。发光二极管在显示颜色的 各种应用包括开/关指示装置、文本显示装置和图像显示装置中用作光源。
发明内容
实施方案提供一种发光器件封装，其中发光器件在导电型封装体上生长。实施方案提供一种发光器件封装，其中电流通过封装体供给至发光器件。实施方案提供一种发光器件封装，其中由发光器件产生的热通过封装体放出。实施方案提供一种发光器件封装，包括在封装体上设置的多个阱。一个实施方案提供一种发光器件封装，包括第一导电型封装体；在所述封装体 上的具有开口的绝缘层；通过所述绝缘层的开口在所述封装体上设置的多个化合物半导体 层；电连接至所述多个化合物半导体层的电极；电连接至所述封装体并且设置在所述绝缘 层的一部分上的第一金属层；和电连接至所述电极并且设置在所述绝缘层的其它部分上的 第二金属层。一个实施方案提供一种发光器件封装，包括在其上部具有腔的第一导电型封装 体；在所述封装体上的绝缘层；包括导电型缓冲层的多个化合物半导体层，其中所述导电 型缓冲层接触所述封装体的腔的底表面；在所述多个化合物半导体层上的电极；电连接至 所述封装体并且设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层；和电连接至所述电极并且设 置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层。一个或更多个实施方案的细节将在附图和以下的描述中进行阐述。其它特征将由 说明书和附图以及由权利要求书而变得明显。
图1是根据一个实施方案的发光器件封装的侧视图。图2是说明图1的发光器件区域的放大图。图3 10是说明制造图1的发光器件封装的工艺的视图。图11是说明制造图1的发光器件封装的工艺的流程图。图12是说明制造根据另一个实施方案的发光器件封装的工艺的流程图。
具体实施例方式在以下描述中，应理解当层(或者膜)称为在另一层或者衬底‘上’时，其可以直接在另一层或者衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当层称为在另一层“下”时，其 可以直接在另一层下，也可存在一个或更多个中间层。现在将详细说明本公开的实施方案， 在附图中对其实例进行说明。在以下描述中，措辞“上方”、“一个”、“下”和“下方”均基于 附图。此外，各层的厚度仅仅是示例性说明的。图1是根据一个实施方案的发光器件封装的侧视图。参考图1，发光器件封装100包括封装体110、绝缘层120、第一阱130、第二阱135、第一金属层140、第二金属层145和发光器件150。封装体110可为导体，例如使用由硅材料形成的导电衬底的晶片级封装(WLP)。在 封装体110的上部中限定具有预定深度的腔103。腔103可为基管型凹槽、多边形凹槽和圆 形凹槽中任意一种。凹槽形状可实现为单一结构或者多层梯级结构，但是不限于此。封装体110可具有第一导电特性。此处，第一导电特性表示其中注入或者扩散第 一导电型掺杂剂的区域。而且，封装体110可具有和导电型缓冲层151相同的极性，但是不限于此。腔103可具有相对于封装体110的底表面垂直或者倾斜设置的侧表面101。而且， 腔103的侧表面101可倾斜为具有预定角度或者曲率。绝缘层120设置在封装体110的表面上。绝缘层120可由选自各种绝缘材料例如 硅氧化物(例如，SiO2)、硅热氧化物、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化铝和氮化硅、电介质 材料中的一种形成，但是不限于此。此处，绝缘层120可由例如有效实现齐纳二极管结构的 硅热氧化物形成。例如，从腔103的底表面至封装体110的底表面的厚度可为约500μπι 约 2000 μ m。该厚度表示其中热得到有效传递从而硅衬底不会破裂的范围。然而，本实施方案 对硅衬底的厚度没有限制。绝缘层120设置在封装体110的表面上。绝缘层120可不设置在封装体110的表 面的一部分上。绝缘层120具有多个开口 Pl P5。第一开口 Pl可在腔103的底表面中限 定，第二开口 P2可在第二阱135的一部分中限定，第三开口 P3可在封装体110的底表面的 一部分中限定，第四开口 P4可在第一阱130的一部分中限定，但是不限于此。绝缘层120的第一开口 Pl和第三开口 P3的至少一部分可在封装体110的两个表 面上垂直设置为彼此交叠。在封装体110的预定区域中可限定用于实现晶体管TFT和齐纳二极管的一个或更 多个阱。所述阱可具有与封装体110的极性相同或者相反的极性。以下，本实施方案将作 为一个实例来描述用于实现齐纳二极管的结构。在封装体110的预定区域中可限定第一阱130。在封装体110的第一阱区域中注 入或者扩散与封装体110的极性相反的材料例如第二导电型掺杂剂，以限定第一阱130。第 一阱130在封装体110的预定区域中可具有预定尺寸，但是不限于此。在第一阱130的一部分中注入或者扩散第一导电型掺杂剂以限定第二阱135。本 实施方案对第二阱135的位置和数目没有限制。第一阱130将封装体110连接至第二阱135，第二阱135将第一阱130连接至第二 金属层145。第一阱130和第二阱135可实现作为齐纳二极管并电连接至发光器件150。虽然在本实施方案中齐纳二极管设置在封装体110的侧面区域中，但是齐纳二极管可设置在任意侧面区域或者下部区域中。此处，本实施方案对阱的位置和数目没有限制。在绝缘层120上设置第一金属层140和第二金属层145。第一金属层140和第二金 属层145各自具有预定图案并且彼此电隔离。第一金属层140设置在相对于发光器件150 的封装体110的一个侧面处。第二金属层145设置在相对于发光器件150的封装体110的 另一侧面处。第一金属层140和第二金属层145的一端朝向腔103延伸，第一金属层140 和第二金属层145的另一端延伸直至封装体110的底表面。第一金属层140和第二金属层145可具有使用金属材料例如Cu、Ni、Au和Ti中的 至少一种的单层结构或者多层结构，但是不限于此。第一金属层140和第二金属层145可 用作至少两个电极引线。引线的数目可根据金属层的图案结构而改变。在第一金属层140的另一侧142上设置体接触部143和第一阱接触部144。体接 触部143通过绝缘层120的第三开口 P3接触封装体110。体接触部143在封装体110的下 部处与发光器件150垂直交叠。第一阱接触部144通过绝缘层120的第四开口 P4接触第 一阱 130。第二金属层145的另一侧146通过绝缘层120的第二开口 P2接触第二阱135。在封装体110的腔103中设置发光器件150。封装体110用作用于生长的衬底。 发光器件150的半导体层设置在封装体110上，第一开口 Pl限定在腔103的底表面中。在发光器件150中，在封装体110上设置导电型缓冲层151、第一导电型半导体层 152、有源层153和第二导电型半导体层156。第一金属层140通过封装体110电连接至发光器件150的导电型缓冲层151。第 二金属层145使用导线158连接至发光器件150。参考图1和2，发光器件150包括导电型缓冲层151、第一导电型半导体层152、 有源层153、第二导电型半导体层154、透明电极层155和电极156。导电型缓冲层151设置在封装体110上。导电型缓冲层151设置在腔103的底表 面上。而且，导电型缓冲层151设置在通过绝缘层120的第一开口 Pl暴露的封装体110上。导电型缓冲层151可由掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体例如选 自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的一种形成。而且，导电型缓冲层151 可由II至VI族化合物的导电氧化物例如ZnOx形成。导电型缓冲层151可具有单层结构 或者多层结构。导电型缓冲层151可具有与第一开口 Pl相等的尺寸。在导电型缓冲层151上设置第一导电型半导体层152。第一导电型半导体层152 可实现为具有组成式为InxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，和0彡x+y彡1)的半导 体材料。而且，第一导电型半导体层152掺杂有第一导电型掺杂剂。例如，第一导电型半导 体层152可由选自通过将III族元素和V族元素组合形成的GaN、InN, AlN, InGaN、AlGaN、 InAlGaN和Al InN中的一种形成。当第一导电型半导体层152是N型半导体层时，第一导电 型掺杂剂是N型掺杂剂。N型掺杂剂包括Si、Ge、Sn等。第一导电型半导体层152可具有和导电型缓冲层151相同的尺寸并设置在导电型 缓冲层151上。在第一导电型半导体层152上设置有源层153。有源层153具有单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层153可具有阱层和势垒层的周期，例如使用III族元素和V族元 素的化合物半导体材料的InGaN阱层/GaN势垒层的周期或者AlGaN阱层/GaN势垒层的周 期。有源层153由具有能带间隙为依照发出的光的波长的材料形成。例如，在发出具 有波长为约440nm 约460nm的蓝色光的情况下，有源层153可为具有InGaN阱层/GaN势 垒层的周期的单量子阱结构或者多量子阱结构。有源层153可由发出彩色光例如具有蓝色 波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光的材料形成。有源层153可发出具有UV 波长的光。在有源层153 上和/或下可设置导电覆层(未显示)。导电覆层可实现为AlGaN 层。在有源层153上设置第二导电型半导体层154。第二导电型半导体层154可实现为 具有组成式为InxAlyGai_x_yN(其中0彡χ彡1，0彡y彡1，和0彡x+y彡1)的半导体材料。 而且，第二导电型半导体层154掺杂有第二导电型掺杂剂。例如，第二导电型半导体层154 可由选自通过将III族元素和V族元素组合形成的GaN、InN, A1N、InGaN, AlGaN, InAlGaN 和AlInN中的一种形成。当第二导电型半导体层154是P型半导体层时，第二导电型掺杂 剂是P型掺杂剂。P型掺杂剂包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。在第二导电型半导体层154上可设置第三导电型半导体层(未显示)。第三导电 型半导体层可具有与第二导电型半导体层154相反的极性。在第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电型半导体层154之间，或者在 第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电型半导体层154各自的内部，可设置其它 半导体层或者结构，但是不限于此。第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电型半 导体层154可具有与导电型缓冲层151相同的尺寸。此处，每层的尺寸可表示接触每层的 上表面或者底表面的界面的面积。第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电型半导体层154可限定为发光结 构。在此实施方案的技术范围内，发光结构可具有P-N结结构、N-P结结构、或者N-P-N结 结构。在第二导电型半导体层154上可设置透明电极层155。透明电极层155可由选 自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌 (IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、 Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au和Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少一种形成。在透明电极层155上设置电 极 156。电极 156 可由选自 Cr、Ag、Ag 合金、Ni、Al、Al 合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 和Hf中的至少一种或两种或更多种化合物形成。而且，电极156可具有单层结构或者多层 结构。电极156可直接或者间接接触透明电极层155和/或第二导电型半导体层154，但是 不限于此。可使用导线158将发光器件150的电极156电连接至第二金属层145。在腔103中可设置透明树脂材料107例如硅树脂或者环氧树脂。在树脂材料107 中可添加磷光体。透镜(例如凸透镜)可连接或者模制于树脂材料107上。发光器件封装100的第一金属层140和第二金属层145可安装在衬底上。例如， 所述衬底可安装在陶瓷衬底、金属芯印刷电路板(MCPCB)或者柔性衬底上。第一金属层140 和第二金属层145可使用表面安装技术(SMT)通过焊料结合来安装。
发光器件150通过第一金属层140和第二金属层145来接收功率。将提供给第二 金属层145的载流子供给至导线158的通道、第二电极156、透明电极层155和第二导电型 半导体层154。将提供给第一金属层140的载流子供给至封装体110的通道、导电型缓冲层 151和第一导电型半导体层152。当有源层153发光时，发出的光沿各个方向发出。设置在腔103的侧表面101上 的第一金属层140和第二金属层145将入射光反射。此时，第一金属层140的体接触部143 在预定区域处接触封装体110的底表面。因此，体接触部143可电连接至封装体110以有 效地将传递至封装体110的热放出。第一阱130和第二阱135按照电路结构平行地连接至发光器件150。因此，第一阱 130和第二阱135保护发光器件150免受施加到发光器件150的异常电压(例如ESD)。图3 10是说明制造图1的发光器件封装的工艺的视图。图11是说明制造图1 的发光器件封装的工艺的流程图。参考图3和4，在封装体110的上部中形成腔103 (参见图11的操作S101)。封装 体110可具有第一导电特性。或者，可注入或者扩散第一型掺杂剂以形成封装体110。腔 103可通过蚀刻工艺例如湿蚀刻工艺和/或干蚀刻工艺形成。而且，腔103可不形成。在封装体110的表面上形成绝缘层120 (参见图11的操作S102)。通过光刻工艺 利用图案化可打开绝缘层120的第一开口 P1。第一开口 Pl可为LED区域。设置在腔103 的底表面上的封装体110的上表面得到暴露(参见图11的操作S103)。此处，除了绝缘层 120的第一开口 Pl之外的区域可通过使用掩模图案的掩蔽和蚀刻来形成。参考图4 6，当绝缘层120的第一开口 Pl形成时，在通过第一开口 Pl暴露的封 装体Iio上形成化合物半导体层(参见图11的操作104)。在生长设备内部使用II VI 族化合物半导体材料依次生长导电型缓冲层151、第一导电型半导体层152、有源层153和 第二导电型半导体层154。生长设备可包括电子束蒸发器、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离 子体激光沉积(PLD)、双型热蒸发器、溅射或者有机金属化学气相沉积(MOCVD)，但是不限 于此。导电型缓冲层151可由II VI族化合物半导体材料形成。导电型缓冲层151可由 掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体材料例如GaN、InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN和AlInN中的一种形成。第一导电型掺杂剂包括IV族元素例如Si。当导电型缓 冲层151是GaN缓冲层时，可供应包含N型掺杂剂的气体例如NH3、TMGa和Si以形成导电 型缓冲层151。或者，导电型缓冲层151可由氧化物基材料形成并具有导电特性。在导电型缓冲层151上依次形成第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电 型半导体层154。本领域技术人员根据实施方案可容易地应用各层的具体生长方法。而且， 第一导电型半导体层152可为N型半导体层，第二导电型半导体层154可为P型半导体层。 另一方面，第一导电型半导体层152可为P型半导体层，第二导电型半导体层154可为N型 半导体层。而且，在第二导电型半导体层154上可进一步形成具有极性与第二导电型半导 体层154相反的半导体层，但是不限于此。将N型掺杂剂掺杂入III-V族化合物半导体以 形成N型半导体层。将P型掺杂剂掺杂入III-V族化合物半导体以形成P型半导体层。在第二导电型半导体层154上可形成透明电极层155。透明电极层155可由选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌 (IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IrOx、RuOx、 Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au和Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少一种形成。此处，当形成金属层时可形 成透明电极层155，但是不限于此。参考图7和8，图案化绝缘层120的第五开口 P5以暴露封装体110。S卩，封装体 110通过第五开口 P5而暴露。注入第一离子进入暴露的封装体110以形成第一阱130 (参 见图11的操作S105和S106)。第一离子可包括第一导电型掺杂剂。利用形成绝缘层120的材料再次覆盖第五开口 P5。此处，第五开口 P5的一部分可 用作第二开口 P2。第二开口 P2可通过图案化绝缘层120形成或者使用第五开口 P5的暴露 部分。通过第二开口 P2将具有与第一离子相反极性的第二离子注入以形成第二阱 135 (参见图11的操作S107和S108)。第二阱135可在第一阱130的一部分处形成并且通 过第一阱130连接至封装体110。参考图9和10，图案化金属区域例如金属层和电极以沉积金属(参见图11的操 作S109和S110)。在透明电极层155上沉积电极156。此处，透明电极层155可在形成电 极156之前形成，但是不限于此。此处，电极156 可使用 Cr、Ag、Ag 合金、Ni、Al、Al 合金、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、
Au和Hf中的至少一种来形成为单层结构或者多层结构。对绝缘层120实施图案化工艺以形成第三开口 P3和第四开口 P4。在该图案化工 艺中，使用掩模图案将除了开口区域之外的区域掩蔽以形成第三开口 P3和第四开口 P4。在绝缘层120上形成第一金属层140和第二金属层145。第一金属层140和第二 金属层145可使用溅射设备或者镀敷工艺由选自Ti、Cu、Ni和Au中的一种形成。第一金属 层140和第二金属层145彼此电隔离。第一金属层140延伸直至腔的侧面、封装体110的底表面的侧部和封装体110的 底表面的一部分。第一金属层140的另一侧142设置在封装体110的底表面上。第一金属 层140接触封装体110和第一阱130。即，第一金属层140的体接触部143通过绝缘层120 的第三开口 P3接触封装体110。第一阱接触部144通过绝缘层120的第四开口 P4接触第 一阱 130。第二金属层145延伸直至腔的另一侧、封装体110的另一侧和封装体110的底表 面的一部分。第二金属层145通过绝缘层120的第二开口 P2在第二阱135上形成。第二 金属层145的第二阱接触部147电接触第二阱135。第一金属层140的另一侧142和第二金属层145的另一侧146可用作用于表面安 装技术(SMT)的金属。此处，第一金属层140的另一侧142的尺寸可为第二金属层145的 另一侧146的尺寸的1.5倍。发光器件150的电极156可通过连接元件即导线158连接至第二电极层145。在腔103中形成树脂材料107。树脂材料107可包括树脂基材料例如硅树脂或者 环氧树脂。可对树脂材料107添加磷光体。在树脂材料107上可形成透镜。
然后，当发光器件150的封装工艺完成时，可对每个封装实施划片工艺。图12是说明制造根据另一个实施方案的发光器件封装的工艺的流程图。在图12的描述中，可引用图1的构件，并将其重复描述省略。参考图12和1，在操作S121中，在封装体119的上部处可形成腔103。腔可不形 成，但是不限于此。在操作S122中，在封装体110的表面上形成绝缘层120。此处，绝缘层120可在封 装体的部分表面上或者整个表面上形成，但是不限于此。在操作S123中，图案化绝缘层120的第一阱区域。在操作S124中，图案化器件 (LED)区域。此处，第一阱区域和器件区域的图案化工艺可改变次序。然后，在操作S125中，实施第一扩散工艺以扩散第一离子进入封装体110的第一 阱区域。在操作S127中，图案化第一阱区域的第二阱区域以通过第二扩散工艺在封装体 110的第二阱区域中扩散第二离子。此处，第一离子包括第一导电型掺杂剂，第二离子包括 第二导电型掺杂剂。在操作S128中，在器件(LED)形成区域中形成用作化合物半导体层的LED外延 层。在生长设备(例如PEMICVD)内部使用II VI族化合物半导体材料依次生长导电型 缓冲层151、第一导电型半导体层152、有源层153和第二导电型半导体层154，以形成LED 外延层。然后，在操作S129和S130中，图案化金属区域以沉积金属。在化合物半导体层上 形成透明电极层155，并且在透明电极层155上沉积电极156。在操作S131和S132中，将封装体110上限定的SMT金属区域图案化以形成SMT
金属，例如第一金属层和第二金属层。然后，对发光器件150实施引线结合工艺和然后在腔区域中形成树脂材料。一种制造发光器件封装的方法，包括在第一导电型封装体的表面上形成绝缘 层；图案化在封装体上限定的第一区域以形成导电型缓冲层；在导电型缓冲层上形成包括 III-V族化合物半导体层的发光结构；在发光结构上形成第一电极，图案化封装体的下部 以形成第一金属层；和在绝缘层的另一侧上形成第二金属层。根据所述实施方案，因为发光器件在导电型封装体上直接生长，所以可改善发光 器件的电流特性。在根据所述实施方案的发光器件封装中，因为在封装体上直接生长多个化合物半 导体层并进行封装，所以可改善发光器件封装的制造工艺。而且，可不使用生长衬底例如蓝 宝石衬底。所述实施方案改善发光器件的散热特性和ESD特性。另一个实施方案提供一种包括如上所述发光器件的照明系统。所述照明系统可包 括灯、街灯，光单元而不受限制。根据所述实施方案的发光器件封装可作为光源用于各种领域中，例如照明显示装 置、指示装置、照明装置、字母数字显示装置和图像显示装置。在本说明书中对〃 一个实施方案〃、‘‘实施方案〃、‘‘示例性实施方案〃等的任 何引用，表示与实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实 施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合 任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与其它实施方 案关联均在本领域技术人员的范围之内。虽然已经参考大量说明性实施方案描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可 能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言， 可替代的用途也会是显而易见的。
权利要求
一种发光器件封装，包括第一导电型封装体；在所述封装体上的具有开口的绝缘层；通过所述绝缘层的开口在所述封装体上设置的多个化合物半导体层；电连接至所述多个化合物半导体层的电极；电连接至所述封装体并设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层；和电连接至所述电极并设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述封装体包括硅材料。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括在所述封装体 的上表面上设置的导电型缓冲层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述绝缘层包括在所述封装体的底表面中的 开口以接触所述第一金属层。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述导电型缓冲层通过所述绝缘层的开口直 接接触所述封装体的上表面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，包括在所述封装体上设置的保护装置，所述保护 装置电连接至所述第一金属层和所述第二金属层。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极设置在所述多个化合物半导体层上 并且包括连接元件，所述连接元件包括将所述电极连接至所述第二金属层的导线。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其中在所述封装体的底表面下的所述第一金属层 的至少一部分与所述导电型缓冲层垂直交叠。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述保护装置包括 连接至所述第一金属层的具有与所述封装体相反极性的第一阱；和在所述第一阱的一部分处连接至所述第二金属层的第二阱，所述第二阱具有与所述封 装体相同的极性。
10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括 在所述封装体上的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和 在所述有源层上的第二导电型半导体层。
11.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述导电型缓冲层包括第一导电型氮化物 半导体材料或者导电氧化物。
12.一种发光器件封装，包括在其上部具有腔的第一导电型封装体； 在所述封装体上的绝缘层；包括导电型缓冲层的多个化合物半导体层，所述导电型缓冲层接触所述封装体的腔的 底表面；在所述多个化合物半导体层上的电极；电连接至所述封装体并设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层；和 电连接至所述电极并设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述封装体包括硅材料，和所述绝缘层包括硅氧化物、硅热氧化物、氮化铝(A1N)、碳化硅(SiC)、氧化铝和氮化硅中的任何一种。
14.根据权利要求12所述的发光器件，其中所述绝缘层包括 在所述腔的底表面中的第一开口以接触所述导电型缓冲层；和 在所述封装体的底表面中的第二开口以接触所述第一金属层。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述绝缘层的所述第一开口和所述第二开 口的至少部分垂直交叠所述封装体的两个表面。
16.根据权利要求14所述的发光器件，其中所述多个化合物半导体层包括 在所述导电型缓冲层上的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和 在所述有源层和所述电极之间的第二导电型半导体层。
17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述导电型缓冲层具有与所述绝缘层的第 一开口相同的尺寸。
18.根据权利要求16所述的发光器件，包括在所述封装体上的其中扩散或者注入离子 的多个阱，其中所述多个阱选择性地接触所述第一和第二金属层。
19. 根据权利要 求16所述的发光器件，包括在所述第二导电型半导体层上的透明电极层。
20.根据权利要求12所述的发光器件，包括在所述腔中的树脂材料以覆盖所述多个化 合物半导体层。
全文摘要
本发明提供一种发光器件封装。所述发光器件封装包括第一导电型封装体；在所述封装体上的具有开口的绝缘层；通过所述绝缘层的开口在所述封装体上设置的多个化合物半导体层；电连接至所述多个化合物半导体层的电极；电连接至所述封装体并且设置在所述绝缘层的一部分上的第一金属层；和电连接至所述电极并且设置在所述绝缘层的其它部分上的第二金属层。
文档编号H01L33/48GK101807569SQ20101012159
公开日2010年8月18日 申请日期2010年2月20日 优先权日2009年2月17日
发明者赵范哲 申请人:Lg伊诺特有限公司