专利名称：一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法
技术领域：
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种碳纳米管网络结构存储器及制备方 法。
背景技术：
存储器在半导体世界中占有重要地位，在全世界半导体市场中存储器占据了 40% 的份额，并且存储器的更新换代速度非常快，存储器以外的其他半导体产品每2年更新一 代，而存储器则是每18个月一代。随着人们对器件速度和尺寸要求的不断提高，集成电路 尺寸不断减小，集成度不断提高，现在已经可以实现22nm工艺在指甲盖大小的面积上集成 29亿个晶体管，而随着集成电路尺寸的减小，量子效应将越来越明显，导致宏观概念的实 效，基于传统宏观概念的器件将不能正常工作。存储器的发展同样面对着器件进一步减小 所带来的困难，以动态存储器(DRAM)为例，存储单元的电容不能太小，如果这个电容小到 不能提供足够多的电子给放大器，那么整个存储器将被噪声所淹没，将不能保证信息存储 的可靠性；同时，当每个存储单元的电子数目因集成度的提高变得越来越小时，存储器中的 MOS场效应晶体管逐渐变得不稳定。传统半导体存储器的种种限制，使得纳米材料和纳米加工技术的研究发展越来越 受关注，而碳纳米管以其特有的电学特性成为了下一代电子器件的首选材料。基于碳纳米管制作的存储器主要是用单根或多根碳纳米管构成晶体管，通过控制 栅压的方式来实现存储器的存储与擦除。但是在以碳纳米管为基础的器件和电路制作中， 碳纳米管的精确放置一直困扰着人们，现阶段，人们一般使用原子力显微镜(AFM)或扫描 隧道显微镜(STM)控制单根碳纳米管将其拖拉到位，或者使用“随机取向”等特殊的方法。 这些方法都有效率低，不易获得良好的接触等缺点。
发明内容
本发明的目的是为降低已有的碳纳米管存储器的电路结构比较复杂的缺点，减小 在以碳纳米管为基础的器件的制作中碳纳米管的准确放置的制作难度，从而提供一种新型 碳纳米管网络结构存储器及制备方法。本发明提出的碳纳米管网络结构存储器，包括以硅为衬底，其表面是氧化形成的 二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上设置有源极和漏极两个电极，及两个电极之间的碳 纳米管网络通路；其中，所述的电极是在绝缘层上的淀积形成的，两个电极之间具有间距， 利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积一 层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。所述的制作源极、漏极两个电极的材料可以为贵金属，如为钯或金。所述的碳纳米管可以是单壁碳纳米管。本发明的另一个目的在于提供此碳纳米管网络结构存储器的制作方法，包括以下 步骤
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1)选用硅作衬底材料，利用常规干氧氧化或湿氧氧化方法在上面形成氧化层，在 氧化层上淀积源极和漏极两个电极；2)利用光刻胶在两个电极之间刻蚀出一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗 口中淀积碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触；3)去除光刻胶，对器件进行封装。所述的淀积碳纳米管网络薄层使用的是单壁碳纳米管溶液，此溶液中使用分离剂 以避免单壁碳纳米管聚合成团。本发明所述的碳纳米管网络结构存储器，其数据读写方法为写入“1”时在衬底 (背栅)施加正电压，写入“0”时在衬底施加负电压，通过在衬底施加零偏压、测量源极和漏 极之间的电流读出存储的数据。本发明所提出的新型碳纳米管网络结构存储器及制备方法可以有效地降低制作 难度和生产成本。
图1为本发明器件的结构示意图。图2A-2D为依据本发明的一个实施例的制备过程示意图，其中图2A、图2B为剖面 示意图，图2C、图2D为俯视图。图3为碳纳米管网络薄层示意图。图4为依据本发明的实例采用电压施加方法得到的电流电压回线。图中标号1.硅衬底，2. 二氧化硅绝缘层，3.金属电极，4.碳纳米管网络。
具体实施例方式下面结合图示在参考实施例中更具体地描述本发明，本发明提供优选实施例，但 不应该被认为仅限于在此阐述的实施例。在图中，为了方便说明，放大了层和区域的厚度， 所示大小并不代表实际尺寸。参考图是本发明的理想化实施例的示意图，本发明所示的实施例不应该被认为仅 限于图中所示区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。例如刻蚀得 到的曲线通常具有弯曲或圆润的特点，但在本发明实施例中，均以矩形表示，图中的表示是 示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。图1为本发明器件的结构示意图。该器件结构包括作为衬底同时也作为背栅的 硅衬底1，作为栅绝缘层的二氧化硅绝缘层2，覆盖在绝缘层2上的金属电极3以及连接金 属电极3的碳纳米管网络4。图2A 2D是根据本发明的一个实施例的制备过程示意图。下面结合制备方法对 本发明存储器结构进行详细说明图2A为硅衬底和二氧化硅绝缘层剖面示意图。选择(100)取向的硅作衬底1，利 用常规方法在衬底1上氧化出一个150-170纳米厚的二氧化硅绝缘层2。图2B为在绝缘层上制作金属电极的剖面示意图，图2C为金属电极的俯视图。利 用常规方法在二氧化硅绝缘层2上淀积金属电极3，电极形状为凸形，电极为100微米长， 100微米宽，凸出的部分为10微米，50微米宽，电极厚度为40纳米，包括4纳米的钛及其上36纳米的钯，两个电极的间距为50微米。图2D为在电极之间淀积碳纳米管网络薄层的俯视图。在硅片上旋涂一层200纳 米厚的光刻胶，在两个电极3之间刻蚀出一个50微米长，50微米宽的窗口，窗口边缘与电 极3凸出的部分对齐；在硅片上旋涂碳纳米管溶液，所用的溶液为单壁碳纳米管溶液，在窗 口中淀积形成碳纳米管网络薄层4，用丙酮去除光刻胶，最后对器件进行封装。图3为碳纳米管网络示意图。图4为依据本发明的实例采用电压施加方法得到的电流电压回线。在衬底(背 栅)加正电压写入“ 1 ”，加负电压写入“0”，衬底所加电压为OV时，在源漏两电极间加电压， 测量源漏电流读出存储的数据。在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应 当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。
权利要求
一种碳纳米管网络结构存储器，其特征在于存储器以硅为衬底，在衬底表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上淀积有源极和漏极两个电极；所述两个电两个电极之间具有间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积有一层碳纳米管形成的碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器，其特征在于所述的源极和漏极 两个电极的材料为贵金属钯或金。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器，其特征在于所述的碳纳米管是 单壁碳纳米管。
4.一种如权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器的制备方法，其特征在于包括以 下步骤1)选用硅作衬底材料，利用干氧氧化或湿氧氧化方法在衬底上面形成氧化层，在氧化 层上淀积形成源极和漏极两个电极；2)利用光刻胶在两个电极之间刻蚀出一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中 淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触；3)去除光刻胶，对器件进行封装。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管网络结构存储器的制备方法，其特征在于所述的 淀积碳纳米管网络薄层使用单壁碳纳米管溶液，在所述溶液中使用分离剂以避免单壁碳纳 米管聚合成团。
6.一种如权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器的数据读写方法，其特征在于 写入“ 1”时在衬底施加正电压，写入“O”时在衬底施加负电压，通过在衬底施加零偏压、测 量源极和漏极之间的电流读出存储的数据。
全文摘要
本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度为两电极间距，在此窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底(背栅)施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极的电流来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。
文档编号H01L21/8239GK101882621SQ20101018635
公开日2010年11月10日 申请日期2010年5月27日 优先权日2010年5月27日
发明者仇志军, 吴东平, 张世理, 李辉, 瞿敏妮 申请人:复旦大学