专利名称：电子装置壳体及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电子装置壳体，尤其涉及一种具有三维天线层的电子装置壳体及其制作方法。
背景技术：
随着移动通信、蓝牙等技术的发展，实现这些应用的电子装置具有了越来越多的功能，然而这些电子装置的体积向着轻、薄的方向发展，因此，如何简化这些电子装置中内置元件的结构、减小这些内置元件的体积对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有非常重要的作用。天线作为电子装置中一收发信号的重要元件，其结构的简化及体积的减小对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有重要的作用。现有的电子装置包括一本体、一天线辐射体及一壳体。该天线辐射体通过粘贴的方式固定在本体上。该壳体通过卡合的方式固定在该本体上并覆盖该天线辐射体。然而，通过上述方式形成电子装置，采用粘贴的方式将天线辐射体固定于本体上， 天线容易脱胶而与本体相分离，从而影响了电子装置的使用寿命。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种使用寿命长的集成天线的电子装置壳体。另外，还有必要提供一种上述集成天线的电子装置壳体的制作方法。—种电子装置壳体，包括一基体、一三维天线层及一遮盖层；所述基体包括注塑形成的一第一成型层及一与第一成型层相结合的第二成型层，该第二成型层的材质包含可激光活化物；该三维天线层为形成于第二成型层上的电镀层，其为对所述第二成型层的预选表面进行激光活化后电镀形成；该遮盖层覆盖所述三维天线层。一种电子装置壳体，包括注塑形成的一第一成型层、一第二成型层、一遮盖层及一三维天线层，该第二成型层包含可激光活化物并注塑形成于遮盖层上；该三维天线层为形成于第二成型层上的电镀层，其为对所述第二成型层的预选表面进行激光活化后电镀形成；该第一成型层至少部分覆盖所述三维天线层。一种电子装置壳体的制作方法，包括如下步骤双射注塑成型以形成电子装置壳体的第一成型层和第二成型层，该第二成型层结合于所述第一成型层上；激光活化所述第二成型层的预选表面；将所述被活化的第二成型层的预选表面金属化形成三维天线层；注塑成型以形成电子装置壳体的遮盖层，该遮盖层至少覆盖部分三维天线层。相较于现有技术，本发明电子装置壳体的制作方法双射注塑成型壳体，所述第一成型层可使用普通的塑材，如此可以大大降低第二成型层的可激光活化材料的用量，从而降低了产品的成本；通过遮盖层覆盖三维天线层，该三维天线层为遮盖层所覆盖，不易分离，使用寿命长。
图1为本发明较佳实施方式电子装置壳体立体示意图；图2为图1中电子装置壳体的剖示图；图3为本发明较佳实施例的电子装置壳体的制作流程图。主要元件符号说明电子装置壳体10基体11第一成型层111第二成型层113三维天线层13遮盖层15导电件17双射注塑成型S11激光活化S13电镀S15注塑成型S1具体实施例方式请参阅图1和图2所示，本发明一较佳实施方式的电子装置壳体10包括一基体 11、一三维天线层13、一遮盖层15及一导电件17。该三维天线层13形成于基体11上，该 遮盖层15结合于基体11上并覆盖三维天线层13。所述导电件17嵌入成型于基体11上并 与三维天线层13电连接，以形成天线的馈入端及接地端。所述基体11包括一第一成型层111及一与第一成型层111相结合的第二成型层 113。所述第一成型层111以注塑成型的方式制成，该导电件17嵌入其中。注塑成型第 一成型层111的塑料可选自为聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二 酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任一种。该第一成型层111可直接成型为所述 电子装置壳体10的形状，并占所述电子装置壳体10的厚度的三分之一至五分之三左右；亦 可成型为所述电子装置壳体10的一部分。所述第二成型层113以注塑成型的方式制成。注塑成型第二成型层113的材质可 为热塑性塑料、有机填充物与可激光活化物的混合物。所述热塑性塑料可为聚对苯二甲酸 丁二醇酯(PBT)或聚酰亚胺(PI)。所述有机填充物可为娃酸和/或娃酸衍生物。所述可激 光活化物可为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物，如含铜尖晶石等。在所述注塑成型第二 成型层113的混合物中，该热塑性塑料的质量百分含量为65-75%，有机填充物的质量百分 含量为22-28%，不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的质量百分含量为3-7%。所述不导电 的基于尖晶石的高阶氧化物可被激光活化而析出金属晶核覆盖于第二成型层113的表面。 该第二成型层113成型后，所述导电件17突出或者平齐于第二成型层113的表面。所述三维天线层13为一形成于第二成型层113的预选表面的电镀层。该电镀层包括依次形成于该预选表面的电镀铜层、电镀镍层及电镀金层。所述电镀铜层主要起天线的作用；所述电镀镍层为中间过渡层，其可增强电镀金层与电镀铜层的结合力；所述电镀金层的抗氧化能力较强，其可预防所述三维天线层13被氧化，且该电镀金层的导电能力较强，其可保证所述三维天线层13与电子装置的控制系统的电性连接的稳定性。该三维天线层13可为对所述第二成型层113表面的预选区域先进行激光活化，使该预选区域的不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的金属晶核析出于表面，而后对该预选区域进行电镀而制得。 该三维天线层13形成后与导电件17电连接。所述遮盖层15以注塑成型的方式制成。注塑成型遮盖层15的塑料可选自为聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)中的任一种。该遮盖层15覆盖三维天线层13最终形成所述电子装置壳体10的形状。在本发明的较佳实施例中，该遮盖层15完全覆盖三维天线层13，即遮盖层15与基体 11将三维天线13包裹于其内，该三维天线层13通过导电件17与电路板或者电子器件电连接。请结合参阅图3，本发明较佳实施方式的制作所述电子装置壳体10的方法包括如下步骤提供一第一注塑模具。该第一注塑模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔。双射注塑成型(步骤Sll)。向所述一次成型型腔中注塑塑料形成电子装置壳体10 的第一成型层111。注塑成型第一成型层111的塑料可选自为聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任一种；向所述二次成型型腔中注塑含可激光活化物的塑料形成电子装置壳体的第二成型层113，该第二成型层113结合于所述第一成型层111上。所述可激光活化物可为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物，如含铜尖晶石。所述塑料可为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)或聚酰亚胺(PI)。 注塑形成所述第二成型层113的塑料中还可包含有硅酸和/或硅酸衍生物。在所述第二成型层113的表面预选一任意的三维形状的区域，并使用激光照射该预选的区域，使该区域的不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的金属离子析出表面，而活化成为导体(步骤S13)。将所述第二成型层113的被活化的预选区域金属化制得三维天线层13(步骤 S15)。所述金属化的方法可为电镀。由于第二成型层113未被激光活化的区域为不导电体， 因此电镀时仅被活化的预选区域上可被电镀上金属层，而制得所述三维天线层13。电镀时可先电镀一铜层，然后电镀一镍层，最后电镀一金层。提供一第一注塑模具。该第二注塑模具一型腔。在将上述的三维天线层13定位放入第二注塑模具的型腔中，向所述型腔中注塑塑料形成电子装置壳体10的遮盖层15(步骤S17)。该遮盖层15的塑料可选自为聚丙烯 (PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 中的任一种。可以理解，当先注塑形成该遮盖层15，再于遮盖层15内侧注塑形成第二成型层 113并激光活化第二成型层113的预定表面，在所述预定表面上形成三维天线层13最后在注塑第一成型层111时，该第一成型层111可一不完全覆盖三维天线层13，即该三维天线层13的部分裸露，以直接与外部电路电连接，相应的导电件17可以省略。本发明所述的电子装置壳体10的制作方法适用于无线通信产品、笔记本电脑等产品壳体的生产中。本发明电子装置壳体的制作方法分两次注塑成型壳体，所述第一成型层可使用普通的塑材，如此可以大大降低第二成型层的可激光活化材料的用量，从而降低了产品的成本；通过遮盖层覆盖三维天线层，该三维天线层内置于电子装置的壳体内，不易分离，使用寿命长。另外，本领域技术人员还可在本发明权利要求公开的范围和精神内做其它形式和细节上的各种修改、添加和替换。当然，这些依据本发明精神所做的各种修改、添加和替换等变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种电子装置壳体，其包括一基体，其特征在于所述基体包括注塑形成的一第一成型层及一与第一成型层相结合的第二成型层，该第二成型层的材质包含可激光活化物； 该电子装置壳体进一步包括一三维天线层及一遮盖层；该三维天线层为形成于第二成型层上的电镀层，其为对所述第二成型层的预选表面进行激光活化后电镀形成；该遮盖层覆盖所述三维天线层。
2.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于所述电子装置壳体包括至少一导电件，所述导电件一端与三维天线层电连接另一端平齐或者突出于第一成型层。
3.如权利要求1所述的电子装置壳体，其特征在于所述第二成型层以注塑成型的方式制成，注塑成型第二成型层的材质为热塑性塑料、有机填充物与可激光活化物的混合物。
4.如权利要求3所述的电子装置壳体，其特征在于所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。
5.一种电子装置壳体，其特征在于该电子装置壳体包括注塑形成的一第一成型层、 一第二成型层、一遮盖层及一三维天线层，该第二成型层包含可激光活化物并注塑形成于遮盖层上；该三维天线层为形成于第二成型层上的电镀层，其为对所述第二成型层的预选表面进行激光活化后电镀形成；该第一成型层至少部分覆盖所述三维天线层。
6.如权利要求5所述的电子装置壳体，其特征在于所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。
7.一种电子装置壳体的制作方法，其包括如下步骤双射注塑成型以形成电子装置壳体的第一成型层和第二成型层，该第二成型层结合于所述第一成型层上；激光活化所述第二成型层的预选表面；将所述被活化的第二成型层的预选表面金属化形成三维天线层；注塑成型以形成电子装置壳体的遮盖层，该遮盖层覆盖三维天线层。
8.如权利要求7所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于所述可激光活化物为不导电的基于尖晶石的高阶氧化物。
9.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于所述激光活化为使用激光对所述第二成型层的预选表面进行照射，使该第二成型层中的不导电的基于尖晶石的高阶氧化物的金属晶核析出于该预选表面，使该预选表面成为导体。
10.如权利要求9所述的电子装置壳体的制作方法，其特征在于所述金属化的方法为对所述被活化的第二成型层的预选表面进行电镀。
全文摘要
本发明提供一种电子装置壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体、一三维天线层及一遮盖层；所述基体包括注塑形成的一第一成型层及一与第一成型层相结合的第二成型层，该第二成型层的材质包含可激光活化物；该三维天线层为形成于第二成型层上的电镀层，其为对所述第二成型层的预选表面进行激光活化后电镀形成；该遮盖层覆盖所述三维天线层。该电子装置壳体的三维天线层为形成层所覆盖，不易分离，使用寿命长。
文档编号H01Q1/40GK102299403SQ201010210968
公开日2011年12月28日 申请日期2010年6月28日 优先权日2010年6月28日
发明者吴照毅, 樊永发, 赵治国, 阎勇 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司