专利名称：电光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电光器件及其制造方法，更具体地，涉及一种能够通过利用激光 划线工艺去除用于上电极的顶膜的一部分并因而形成上电极来简化形成上电极的工艺的 电光器件及制造这种电光器件的方法。
背景技术：
通常，多个有机发光器件(OLED)设置在单个基板上的有机发光显示器包括基板、 在该基板上形成的多个下电极、覆盖所述下电极的边缘区域的绝缘膜、在所述多个下电极 上形成的有机膜以及在有机膜上形成的、由分隔物隔开为与所述多个下电极交叉的多个上 电极，从而多个OLED能够被独立驱动。简单地说，在制造有机发光显示器的现有方法中，该 方法首先在基板的整个表面上沉积诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料。接着，执行光刻 工艺，从而形成多个下电极。然后，在下电极的边缘区域上、即在下电极的上表面的边缘区 域和侧面上形成绝缘膜。接着，为了在后续工艺中形成上电极，按照与下电极交叉的方式形 成分隔物。在这里，通过用负性光刻胶涂覆基板，接着对该涂覆的负性光刻胶执行光刻工艺 来形成5μπι或更高的分隔物。然后，在基板上形成有机膜。接着，在形成有下电极和有机 膜的基板的整个表面上沉积金属膜。金属膜被分隔物分隔开，由此被分隔开的金属膜用作 多个上电极。由于这样形成分隔物和上电极，所以多个OLED能够被独立驱动。但是，如果利用如同现有技术方法中的光刻工艺形成分隔物，就会需要多个制造 步骤。因此，制造工艺太复杂，导致光刻工艺时间增加，制造成本也增加。
发明内容
本发明提供一种能够通过利用激光划线工艺去除在基板的整个表面上形成的顶 膜的一部分并因而形成上电极来简化形成上电极的工艺的电光器件，以及制造这种电光器 件的方法。根据典型实施例，一种用于制造电光器件的方法包括在基板上形成下电极；形 成与下电极交叉的第一绝缘膜；在形成有下电极和所述第一绝缘膜的基板上形成有机膜； 在有机膜上形成顶膜；以及通过利用激光划线工艺去除顶膜的一部分形成与下电极交叉的 上电极。在这里，在利用激光划线工艺形成上电极时，上电极的下表面的边缘区域位于第一 绝缘膜的上方。在利用激光划线工艺形成上电极时，可以去除设置在顶膜下方的有机膜的一部分 以形成有机图案，同时可以去除设置在有机膜下方的第一绝缘膜的一部分。在激光划线工艺中使用的激光的宽度可以小于第一绝缘膜的宽度，且所述激光沿 着第一绝缘膜的上侧的中心区域移动。在所述激光划线工艺期间，在激光沿着第一绝缘膜的上侧的中心区域移动时，第 一绝缘膜的中心区域、与第一绝缘膜的中心区域对应的有机膜和顶膜的一部分可以被去 除。
所述有机图案的边缘区域和上电极的边缘区域可位于其中心区域被去除的所述 第一绝缘膜的边缘区域的上方。该方法可以包括形成覆盖下电极的边缘区域的第二绝缘膜，其中第二绝缘膜与下 电极平行并与上电极和第一绝缘膜交叉。 第一绝缘膜和第二绝缘膜可以同时形成。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以由有机材料、无机材料和氧化物中的一种形成。可以利用印刷工艺和光刻工艺中的一种形成第一绝缘膜和第二绝缘膜。根据另一典型实施例，一种电光器件包括设置在基板上的下电极；与下电极交 叉的上电极；以及设置在下电极和上电极之间以与下电极交叉并与上电极平行的第一绝缘膜。上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜的上方。该电光器件还可以包括被设置成与下电极平行并覆盖下电极的边缘区域的第二 绝缘膜。该电光器件还可以包括设置在上电极和下电极之间的有机图案，且有机图案的边 缘区域可以设置在第一绝缘膜上。
由下面的结合附图的说明，可以更详细地理解典型实施例，其中图IA到图5A是示出典型实施例的制造电光器件的方法的俯视图；以及图IB到图5B是沿着图IA到图5A的A-A，线截取的截面图。
具体实施例方式下面将参考附图更加详细地描述本发明的具体实施例。但是，本发明可以以不同 的形式体现，因此不应解释为限制于这里阐述的实施例。更确切地说，提供这些实施例是为 了使本发明全面且完整，并向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。本文中相同的附 图标记表示相同的元件。图IA到图5A是示出根据典型实施例的制造电光器件的方法的俯视图，并且图IB 到图5B是沿着图IA到图5A的A-A’线截取的截面图。根据典型实施例的制造电光器件的方法能够简化形成多个上电极600b的工艺， 并提高该电光器件的可靠性。以下，将参照图IA到图5A以及图IB到图5B描述根据典型 实施例的制造电光器件的方法。参照图IA和图1B，在基板100上形成以预定距离彼此分隔的多个下电极200。该 基板可以是具有80%或更高透光率的塑料基板(例如，PES、PEN等)和玻璃基板中的任意 一种，但并不限于此。换句话说，基板100可以是其他各种基板，例如，薄硅基板或蓝宝石基 板。在该典型实施例中，使用玻璃基板作为基板100。在这里，多个下电极200中的每个在基 板100上沿着预定方向延伸，例如，图IA中所示的水平方向。虽然未示出，但是可以通过在 基板100上沉积诸透明导电材料，例如沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO) 和氧化铟(In2O3)中的一种，接着对沉积的透明导电材料构图来形成下电极200。在该典型 实施例中，通过利用溅射工艺在基板100上沉积诸如ITO的透明导电材料，接着利用光刻对沉积的透明导电材料构图来形成多个下电极200。但是，透明导电材料的沉积不限于溅射方 法，可以使用除了溅射方法之外的其他各种沉积方法。另外，也可以通过利用湿蚀刻、划线、 印刷等对透明导电材料构图而形成下电极200。 参照图2A和图2B，在形成有多个下电极200的基板上形成绝缘膜300。根据典型 实施例的绝缘膜300包括多个第一绝缘膜300a和多个第二绝缘膜300b。多个第一绝缘膜 300a形成为与下电极200交叉，而多个第二绝缘膜300b形成为与下电极200平行。在这 里，第一绝缘膜300a防止随后形成的上电极600b的边缘区域接触下电极200，从而防止漏 电流产生并且防止电光器件发生故障。第一绝缘膜300a形成在下电极200上，以使第一绝 缘膜与下电极200交叉并与上电极600b平行。可按照这样的方式形成第一绝缘膜300a 上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜300a的上方。此外，第二绝缘膜300b与下电 极200平行地设置在所述下电极200之间，从而覆盖下电极200的每个的边缘区域。更具 体地，第二绝缘膜300b覆盖下电极200的每个的上表面的边缘区域和侧面。在这里，第二 绝缘膜300b起到覆盖会在下电极200的形成工艺期间变形的下电极200的边缘区域的作 用。结果，第一绝缘膜300a与下电极200交叉，而第二绝缘膜300b与下电极200平行形 成。第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b由诸如光刻胶(PR)的有机材料和诸如氮化物或 例如氧化铝(Al2O3)的氧化物的无机材料形成。在典型实施例中，通过利用属于印刷方法中 一种的丝网印刷法涂覆绝缘材料来形成第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b。简单地说， 在基板100上方设置模板掩模，该模板掩模暴露下电极200的边缘区域和上电极600b的边 缘区域。该模板掩模包括第一开口部分和第二开口部分，该第一开口部分与下电极200交 叉并暴露上电极600b的边缘区域，而该第二开口部分与下电极200平行并暴露下电极200 之间的区域和下电极200的边缘区域。然后，通过模板掩模施加绝缘材料。在这里，通过移 动挤压机喷射绝缘材料，并且绝缘材料被填充到模板掩模的开口部分，由此被构图。结果， 第一绝缘膜300a与下电极200交叉，而第二绝缘膜300b与下电极200平行。第一绝缘膜 300a以这样的方式形成，即随后形成的上电极600b的边缘区域位于第一绝缘膜300a的上 方。第二绝缘膜300b形成在下电极200的上表面的边缘区域和侧面处。这样，根据典型实 施例，通过单一的丝网印刷在形成有下电极200的基板100上同时形成了第一绝缘膜300a 和第二绝缘膜300b。在现有OLED的情况下，虽然未示出，但是在基板上仅形成覆盖下电极 的边缘区域的绝缘膜。然而，在典型实施例中，形成覆盖下电极200的上表面的边缘区域和 侧面的第二绝缘膜300b，同时形成第一绝缘膜300a，上电极600b的下表面的边缘区域位于 该第一绝缘膜的上方。换句话说，第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b通过单一的工艺同 时形成在下电极200上。于是，不需要另外执行形成第一绝缘膜300a的工艺，上电极600b 的下表面的边缘区域位于该第一绝缘膜300a的上方。因此，即使利用相同的处理时间，也 能够不仅形成覆盖下电极200的上表面的边缘区域和侧面的第二绝缘膜300b，还形成第一 绝缘膜300a，上电极600b的下表面的边缘区域位于该第一绝缘膜的上方。虽然绝缘膜300 在典型实施例中是通过丝网印刷工艺形成的，但并不限于此，所以各种印刷方法能够被使 用。换句话说，第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b可以利用笔印刷(pen-printing)、滚筒 印刷(roller-printing)和凹版印刷(gravure-printing)中的一种形成。此外，第一绝缘 膜300a和第二绝缘膜300b可以通过在形成有下电极200的基板100上施加光刻胶并通过 光刻对光刻胶构图来形成。
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参照图3A和图3B，在形成有下电极200、第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b的 基板100的整个表面上形成用于有机图案500b的有机膜500a。虽然未示出，但是有机膜 500a包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。有机膜500a通过顺序地层叠空 穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层形成。可以利用各种有机材料来形成有机膜 500a。例如，利用有效注入空穴的诸如CuPc、2T-NATA和MTDA的材料在下电极200上形成 空穴注入层。另外，利用可以有效传输空穴的诸如NPB和TPD的材料在空穴注入层上形成 空穴传输层。接着，在空穴传输层上形成发光层。该发光层可以包括由Alp3:C545T组成的 绿色发光层、由DPVBi组成的蓝色发光层、由CBP:Ir(acac)组成的红色发光层以及包含这 些构成的组并具有卓越发光特性的材料。接着，利用可以有效传输电子的诸如Alq3的材料 形成电子传输层。通过热蒸发沉积这些有机材料，从而形成有机膜500a。当然，本发明并不 限于上述方法，因而可以根据有机材料利用各种方法来形成有机膜500a。参照图4A和图4B，在形成有下电极200、第一绝缘膜300a、第二绝缘膜300b和有 机膜500a的基板100的整个表面上形成顶膜600a。在典型实施例中，通过热蒸发由LiF、 Al、Ag、Ca、Cu及其合金中选择的一种材料在基板100上形成顶膜600a。接着，如图5A和 图5B中所示，利用激光划线工艺去除一部分顶膜600a来形成多个上电极600b。多个上电 极600b可形成为沿与下电极200交叉的方向延伸。为此，移动激光以与下电极200交叉， 并去除一部分顶膜600a，以使上电极600b可以与下电极200交叉。划线工艺中使用的激 光的宽度可比第一绝缘膜300a的宽度小，并且激光可以沿着第一绝缘膜300a的上侧的中 心区域移动。因此，去除了在第一绝缘膜300a上方形成的一部分顶膜600a，以形成多个上 电极600b。此外，除了去除顶膜600a之外，在激光划线工艺期间同时还去除了部分有机膜 500a和部分第一绝缘膜300a。因此，如图5B中所示，按照与上电极600b相同的方式对有 机膜500a构图，以形成有机图案500b。这样构图的有机图案500b的边缘区域设置在第一 绝缘膜300a上。第一绝缘膜300a具有以下结构它的中心区域在如上所述的激光划线工 艺中被去除，而有机图案500b的边缘区域和上电极600b的边缘区域分别设置在第一绝缘 膜300a上和上方。因为通过激光划线工艺构图的上电极600b和有机图案500b的边缘区 域设置在第一绝缘膜300a上，所以能够防止漏电流产生并且防止电光器件发生故障。在利 用激光划线工艺去除一部分顶膜600a以形成上电极600b时，激光划线工艺期间的高热或 高能量能够修改每个上电极600b的边缘区域。设置在顶膜600a下方的一部分有机膜500a 在该激光划线工艺期间被去除，并且该工艺期间的高热或高能量能够修改有机图案500b 的边缘区域。然而，在典型实施例中，第一绝缘膜300a可以设置在上电极600b和有机图案 500b的边缘区域下方，以便即使上电极600b和有机图案500b的边缘区域在激光划线工艺 期间被损坏，也能防止漏电流产生并且防止电光器件发生故障。在制备上电极600b之后， 可以执行清洗工艺，以去除激光划线工艺期间产生的颗粒。在该典型实施例中，可以通过利 用抽吸器通过干洗方法去除这些颗粒。虽然没有示出，但是形成互连以使下电极200和上 电极600b中的每个可以连接到外部电源。在典型实施例中，形成绝缘膜300，该绝缘膜300包括与下电极200交叉的多个第 一绝缘膜300a和与下电极200平行的多个第二绝缘膜300b。第一绝缘膜300a设置在上电 极600b和有机图案500b的边缘区域下方来制备电光器件，从而即使上电极600b和有机图 案500b的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏，电光器件的特性也不会受到影响。第二绝
6缘膜300b与下电极200平行设置，以起到覆盖下电极200的边缘区域的作用，该边缘区域 能够在形成下电极200的工艺期间被修改。在实施例中，在形成覆盖下电极200的边缘区 域的第二绝缘膜300b时，同时也形成第一绝缘膜300a，第一绝缘膜300a设置在随后形成的 上电极600b的下方。从而，不需要其他的工艺时间来形成第一绝缘膜300a。因此，利用单 一的工艺，不仅可以形成覆盖下电极200的边缘区域的第二绝缘膜300b，还可以形成设置 在上电极600b下方的第一绝缘膜300a。在典型实施例中，可以无需形成分隔物而形成多个上电极600b。可以利用激光划 线工艺去除一部分顶膜600a来形成多个上电极600b。因此，与传统方法相比，可以简化形 成多个上电极600b的工艺。即使上电极600b的边缘区域在激光划线期间被损坏，但是由 于第一绝缘膜300a可以设置在上电极600b下方，也能够防止该电光器件的漏电流产生并 且防止该电光器件发生故障。在该典型实施例中，虽然通过用有机发光器件作为例子描述了用于形成上电极 600b的方法，但是该方法并不限于此，可以将该方法应用到需要形成多个上电极的各种电 光器件中。如上所述，根据该典型实施例，通过利用激光划线工艺去除在基板的整个表面上 形成的顶膜的一部分来形成多个上电极。因此，可以减少形成多个上电极所需要的加工设 备的数量和步骤，从而简化制造工艺并节省制造成本。此外，因为在上电极的边缘区域下方形成了绝缘膜，所以即使上电极的边缘区域 在激光划线工艺期间被损坏，也能够防止由于上电极的变形所引起的漏电流的产生以及电 光器件发生故障。因此，可以提高电光器件的可靠性。虽然已经参考具体实施例描述了电光器件及其制造方法，但不限于此。因此，本领 域技术人员将容易理解，在不脱离由权利要求确定的本发明的精神和范围的情况下，可以 对本发明进行各种修改和改变。
权利要求
一种用于制造电光器件的方法，包括在基板上形成下电极；形成与所述下电极交叉的第一绝缘膜；在形成有所述下电极和所述第一绝缘膜的基板上形成有机膜；在所述有机膜上形成顶膜；以及通过利用激光划线工艺去除所述顶膜的一部分形成与所述下电极交叉的上电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在利用激光划线工艺形成所述上电极时，所述上 电极的下表面的边缘区域位于所述第一绝缘膜的上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在利用激光划线工艺形成所述上电极时，去除设 置在所述顶膜下方的有机膜的一部分以形成有机图案，同时去除设置在所述有机膜下方的 第一绝缘膜的一部分。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述激光划线工艺中使用的激光的宽度小于所 述第一绝缘膜的宽度，且所述激光沿着所述第一绝缘膜的上侧的中心区域移动。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述激光划线工艺期间，在所述激光沿着所述 第一绝缘膜的上侧的中心区域移动时，所述第一绝缘膜的中心区域、与所述第一绝缘膜的 中心区域对应的有机膜和所述顶膜的一部分被去除。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述有机图案的边缘区域和所述上电极的边缘区 域位于其中心区域被去除的所述第一绝缘膜的边缘区域的上方。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括形成覆盖所述下电极的边缘区域的第二绝缘 膜，其中所述第二绝缘膜与所述下电极平行并与所述上电极和所述第一绝缘膜交叉。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜同时形成。
9.根据权利要求1到8中任一所述的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜由 有机材料、无机材料和氧化物中的一种形成。
10.根据权利要求9所述的方法，其中利用印刷工艺和光刻工艺中的一种形成所述第 一绝缘膜和所述第二绝缘膜。
11.一种电光器件，包括 设置在基板上的下电极； 与所述下电极交叉的上电极；以及设置在所述下电极和所述上电极之间以与所述下电极交叉并与所述上电极平行的第一绝缘膜。
12.根据权利要求11所述的电光器件，其中所述上电极的下表面的边缘区域位于所述第一绝缘膜的上方。
13.根据权利要求11所述的电光器件，还包括被设置成与所述下电极平行并覆盖所述 下电极的边缘区域的第二绝缘膜。
14.根据权利要求11所述的电光器件，还包括设置在所述上电极和所述下电极之间的 有机图案，且所述有机图案的边缘区域设置在所述第一绝缘膜上。
全文摘要
本发明提供一种电光器件及其制造方法。该方法包括在基板上形成下电极；形成与下电极交叉的第一绝缘膜；在形成有下电极和所述第一绝缘膜的基板上形成有机膜；在有机膜上形成顶膜；以及通过利用激光划线工艺去除顶膜的一部分形成与下电极交叉的上电极。这里，在利用激光划线工艺形成上电极时，上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜的上方。因此，能够减少形成上电极所需要的加工设备的数量和步骤，从而简化制造工艺并节省制造成本。此外，因为在上电极的边缘区域下方形成绝缘膜，所以即使上电极的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏，也能够防止由于上电极的变形所引起的漏电流的产生以及电光器件发生故障。因此，可以提高电光器件的可靠性。
文档编号H01L51/56GK101958403SQ20101022738
公开日2011年1月26日 申请日期2010年7月15日 优先权日2009年7月15日
发明者刘致旭, 李亨燮, 李成姬 申请人:周星工程股份有限公司