专利名称：一种超高频晶片的抛光方法
技术领域：
本发明涉及晶片的抛光方法，特别涉及一种用于频率为50. OMHz以上的超高频水晶频率片的抛光方法。
背景技术：
抛光机是一种电动工具，抛光机由底座、抛盘、抛光织物、抛光罩及盖等基本元件组成。抛光机操作的关键是要设法得到最大的抛光速率，以便尽快除去磨光时产生的损伤层。同时也要使抛光损伤层不会影响最终观察到的组织，即不会造成假组织。前者要求使用较粗的磨料，以保证有较大的抛光速率来去除磨光的损伤层，但抛光损伤层也较深；后者要求使用最细的材料，使抛光损伤层较浅，但抛光速率低。传统的物理抛光是使用专用的抛光机，使用专用的抛光砂，抛光砂的粒子非常细， 通过研磨的方法进行表面抛光，使用这种方法，晶片破损率高，约为60%，最高频率只能做到基本波80MHz，抛光机维护起来困难。
发明内容
为了解决传统物理抛光晶片破损率高，机器维护起来困难的问题，提高工业生产的效率，本发明提出以下技术方案一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；(3) LOT构成，LOT构成指的是将晶片构成批次进行流动；(4)中性洗涤剂与超声波洗净，中性洗涤剂指的是普通的洗涤剂；(5)纯水超声波洗净，这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的， 超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子；(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；(7)硫酸洗净，硫酸的浓度是98% ；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程，(下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)。优选的，所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。优选的，第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1 1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1 1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3 1/3。
优选的，全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT ；(13)超纯水超声波洗净；(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光；(15)追加蚀刻后纯水洗净；(16)纯水超声波洗净；(17)干燥。本发明带来的有益效果是1.使用化学抛光可以降低晶片破损率，提高晶片的加工频率。2.减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。
具体实施例方式本发明所述的超高频晶片的加工工艺流程具体如下一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；(3) LOT构成将晶片构成批次进行流动；(4)中性洗涤剂与超声波洗净，中性洗涤剂为是普通的洗涤剂即可；(5)纯水超声波洗净(这里所述的超纯水洗净和下面所述的纯水洗净的是一样的)，超声波洗净的好处是可以利用超声波清洗晶片表面的细微粒子；(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；(7)硫酸洗净，使用的硫酸浓度为98% ；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程，下一流程指的是切割、尺寸加工、频率调整等)所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定，这里的最大1枚频率测定是指测量第一次抛光后频率最大的晶片，目的是根据这枚频率最大的晶片计算第二次抛光所需要的时间，防止第二次抛光后频率超出规格；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。全数周波数测定是指所有抛光完成的晶片进行频率测量，根据频率范围判断是否0K。第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1 1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1 1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3 1/3;第一次抛光后晶片表面呈现内凹的形状，第二次抛光后晶片呈现外凸的形状，两次抛光结合起来，使晶片表面达到抛光效果。全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT ；(13)超纯水超声波洗净；
(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光；(15)追加蚀刻后纯水洗净；(16)纯水超声波洗净；(17)干燥。晶片的破损率为1%，最高频率可加工到基本波180MHz，不需要专用的抛光机，减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
权利要求
1.一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，该方法主要包括以下步骤(1)频率测定，使用频率测量仪测量频率；(2)全数分类，将所有晶片的频率都进行测量，并按照从小到大的顺序排列，插在晶片架中；(3)LOT 构成；(4)中性洗涤剂与超声波洗净；(5)纯水超声波洗净；(6)干燥，通过IPA脱水，然后用烘箱(150度)干燥；(7)硫酸洗净；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程。
2.根据权利要求1所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，所述第一次化学抛光还应包括第一次抛光后的洗净和最大1枚频率测定；所述第二次化学抛光还应包括第二次抛光后的洗净、超纯水超声波洗净、干燥以及全数周波数测定。
3.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，第一次化学抛光使用氟化铵和氢氟酸的混合液，比例为1 1，第二次化学抛光使用氢氟酸和纯水的混合液，比例为1 1，第一次和第二次的腐蚀量为2/3 1/3。
4.根据权利要求1或2所述的一种超高频晶片的抛光方法，其特征在于，全数周波数测定后，若晶片不符合要求，则按照以下步骤进一步加工(12)追加蚀刻构成，将频率不到要求的晶片重新构成LOT；(13)超纯水超声波洗净；(14)追加蚀刻，根据频率计算蚀刻时间，并按照时间再进行第二次抛光(15)追加蚀刻后纯水洗净；(16)纯水超声波洗净；(17)干燥。
全文摘要
本发明公开一种超高频晶片的抛光方法，该方法主要包括以下步骤(1)频率测定；(2)全数分类；(3)LOT构成；(4)中性洗涤剂与超声波洗净；(5)超纯水超声波洗净；(6)干燥；(7)硫酸洗净；(8)硫酸洗净后纯水洗净；(9)第一次化学抛光；(10)第二次化学抛光；(11)送至下一流程。本发明使用化学抛光可以降低晶片破损率，提高晶片的加工频率，同时减少了机器的维护，有效地提高了抛光效率。
文档编号H01L21/306GK102339744SQ20101023429
公开日2012年2月1日 申请日期2010年7月23日 优先权日2010年7月23日
发明者任剑锋 申请人:苏州普锐晶科技有限公司