专利名称：有机发光显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机发光显示设备。
背景技术：
有机发光显示设备所使用的有机发光元件是自发光元件，该自发光元件具有在 其两个电极(即阴极和阳极)之间形成的发光层。在该有机发光元件中，来自阴极的电 子和来自阳极的空穴被注入到发光层中并相结合而产生激子(exciton)，并且当激子从激 发态下降到基态时发出光。使用有机发光元件的有机发光显示设备根据其光发出方向可以分类为顶部发射 型、底部发射型和双发射型，而根据其驱动方法可以分类为无源矩阵型和有源矩阵型。顶部发射型有机发光显示设备包括设置在其底部并由ITO(铟锡氧化物)形成的 阳极和设置在其顶部并由Al形成的阴极。顶部发射型有机发光显示设备由于其薄阴极而 具有高阴极电阻，因此为了使驱动电压升高，要增大接地电压，并由于不均勻发光而导 致显示质量劣化。因而，为了防止驱动电压增大并防止显示质量下降，在位于显示器与 扫描驱动器之间的边框区(bezel area)中形成有伪接地线。然而，在边框区中形成的常规 的伪接电线既厚又宽，因此边框区增大，从而导致在设计紧凑型显示设备时存在困难。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括 在基板上限定的显示区，该显示区包括具有子像素的显示部；多个扫描驱动器区，所述 扫描驱动器区分别位于所述显示区的左侧和右侧并包括向所述子像素提供扫描信号的多 个扫描驱动器；多个伪区域，所述伪区域分别限定在所述显示区与所述扫描驱动器区之 间；以及多个布线区，所述布线区限定在各个所述扫描驱动器区的外部，并包括选通线 和源极/漏极线，所述选通线与所述源极/漏极线通过形成在所述基板上并分别位于不同 层的多个绝缘层而彼此绝缘，其中，设置在所述布线区中的线路中的至少一个通过设置 在所述扫描驱动器区中的阳极电连接至位于所述显示区中的阴极。
将参照附图详细描述本发明的实现方式，在附图中，相同的附图标记指代相同 的元件。图1是有机发光显示设备的一种实现方式的平面图；图2是子像素的电路图；图3是子像素的截面图；图4是有机发光二极管的截面图；图5是根据本发明构思的一个实施方式的在图1中示出的区域I-II的截面图；图6和图7是图1中所示有机发光显示设备的经修改的实现方式的截面图8是图5中所示的实现方式与一个比较例的比较图；图9是根据本发明构思的另一实施方式的在图1中示出的区域I-II的截面图；以 及图10、11和12是图9中所示结构的经修改的实现方式的截面图。
具体实施例方式下面，将参照附图详细说明本发明的实现方式。参照图1，根据本发明构思的一个实施方式的有机发光显示设备包括基板110、 显示部AA、数据驱动器DD、扫描驱动器SD、焊盘(pad)区PA、布线区WA以及附接 至基板110的覆盖基板180。显示部AA位于基板110的中央。显示部AA包括以矩阵形式排列的子像素SP。 这些子像素SP通过设置在布线区WA中的数据线连接至数据驱动器DD，通过设置在布 线区WA中的扫描线连接至扫描驱动器SD，并通过位于布线区WA中的电源线连接至电 源。子像素SP可以配置成2T1C(2个晶体管和1个电容器)结构，该2T1C结构包括开 关晶体管、驱动晶体管、电容器和有机发光二极管，或者子像素SP可以配置成除了包括 2T1C以外还包括一个晶体管和一个电容器的结构。在2T1C结构中，单个子像素SP中包括的元件可以如图2所示地连接。开关晶 体管Sl的栅极连接至扫描线SLl (通过该扫描线SLl施加扫描信号)，开关晶体管Sl的 第一端子连接至数据线DLl (通过该数据线DLl施加数据信号)并且其第二端子连接至第 一节点A。驱动晶体管Tl的栅极连接至第一节点A，驱动晶体管Tl的第一端子耦接至 第二节点B并且其第二端子连接至第三节点C，其中第二节点B连接至被提供了高电压的 第一电源线VDD。电容器Cst的第一端子连接至第一节点A并且其第二端子连接至第二 节点B。有机发光二极管D的阳极连接至第三节点C和驱动晶体管Tl的第二端子，其 阴极连接至被施加了低电压的第二电源线GND。虽然在本说明书中，包含在子像素SP中的晶体管Sl和Tl是P型晶体管，但本 发明构思的实现方式不限于此。通过第一电源线VDD施加的高电压可以高于通过第二电 源线GND施加的低电压。可以根据驱动方法而切换通过第一电源线VDD和第二电源线 GND施加的电压电平。下面将说明上述子像素SP的操作。当通过扫描线SLl提供扫描信号时，开关晶 体管Sl导通。当通过数据线DLl提供的数据信号通过导通的开关晶体管Sl被提供至第 一节点A时，该数据信号被存储在电容器Cst中作为数据电压。然后，当扫描信号被切 断并且开关晶体管Sl截止时，根据存储在电容器Cst中的数据电压对驱动晶体管Tl进行 驱动。当通过第一电源线VDD提供的高电压被传送到第二电源线GND时，有机发光二 极管D发出光。该驱动方法是示例性的，并且本发明构思的实现方式不限于此。焊盘区PA位于基板110的边缘区域中。焊盘区PA通过各向异性导电膜连接至 外部基板，并耦接至布线区WA以将从外部设备提供的各种驱动信号和电力传送到显示 部AA、数据驱动器DD和扫描驱动器SD。布线区WA将从焊盘区PA提供的驱动信号和电力传送到显示部AA、数据驱动 器DD和扫描驱动器SD。布线区WA包括用于将数据信号传送到数据驱动器DD的数据线、用于将时钟信号传送到扫描驱动器SD的时钟信号线、以及用于将高电压和低电压传 送到显示部AA的电源线VDD和GND。在下文中，用于传送低电压的电源线被称为接 地线。数据驱动器DD位于显示部AA和焊盘区PA之间。数据驱动器DD以IC (集成 电路)形式安装在基板110上。数据驱动器DD根据从焊盘区PA提供的驱动信号而生成 数据信号，并将该数据信号提供至子像素SP。扫描驱动器SD设置在显示部AA的左侧和右侧。扫描驱动器SD以GIP(板内 栅极)形式安装在基板110上。扫描驱动器SD根据从焊盘区PA提供的驱动信号而生成 扫描信号，并将该扫描信号提供至子像素SP。下面更详细地描述子像素SP。参照图3和4，栅极111形成于基板110上。栅极111可以由从包括Mo、Al、 Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者这些材料的合金的组中选择的一种材料形成。栅极111 可以是如下的多层结构，该多层结构由从包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或 者这些材料的合金的组中选择的一种材料形成。此外，栅极111可以是Mo/Al-Nd或者 Mo/Al的双层。第一绝缘层113形成于栅极111上。第一绝缘层113可以由SiOx、SiNx形成， 或者可以是由SiOx和SiNx形成的多层。在第一绝缘层113上形成有源层114。有源层114可以包括非晶硅或多晶硅。 有源层114包括沟道区(未示出)、源区(未示出)和漏区(未示出)。源区和漏区可以 掺杂有P型或N型杂质。而且，有源区114可以包括用于降低接触电阻的欧姆接触层。在有源层114上形成有源极115a和漏极115b。源极115a和漏极115b可以由 单层或多层形成。当源极115a和漏极115b由单层形成时，源极115a和漏极115b可以 由从包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或者这些材料的合金的组中选择的一种 材料形成。当源极115a和漏极115b由多层形成时，源极115a和漏极115b可以由Mo/ Al-Nd的双层形成，或者由Mo/Al/Mo的三层或Mo/Al_Nd/Mo的三层形成。在源极115a和漏极115b上形成有第二绝缘层117。第二绝缘层117可以由 SiOx、SiNx形成，或者可以是由SiOx和SiNx形成的多层。然而，第二绝缘层117并不 限于此。第二绝缘层117可以是钝化层。已经描述了位于基板110上的驱动晶体管。下面将描述设置在驱动晶体管上的 有机发光二极管。在第二绝缘层117上形成有阳极118。阳极118可以由例如ITO或IZO (铟锌氧 化物)的透明材料形成。然而，阳极118的材料不限于此。在阳极118上形成部分地暴露出阳极118的提层(bank layer) 120。该提层120 可以由诸如苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)树脂、丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有 机材料形成。然而，提层120的材料不限于此。在通过提层120暴露出的阳极118上形成了有机发光层121。该有机发光层 121包括空穴注入层121a、空穴传输层121b、发射层121c、电子传输层121d和电子注 入层121e，如图4所示。空穴注入层121a可以允许空穴平稳地注入，并且空穴注入层 121a可以由从包括CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3，4)-乙撑二氧噻吩)、PANI(聚苯胺)和NPD(N，N，_ 二萘基-N，N，_ 二苯基联苯胺)的组中选择的一种或更多种 材料形成。然而，空穴注入层121a的材料不限于此。空穴传输层121b可以平稳地传 输空穴，且空穴传输层121b可以由从包括NPD(N，N，_ 二萘基-N，N，-二苯基联 苯胺)、TPD(N, N，-双(3-甲基苯基)-N，N，-双(苯基)_联苯胺)、s-TAD和 MTDATA(4，3，，4” -三(N_3_甲基苯基_N_苯基-氨基)-三苯胺)的组中选择的一 种或更多种材料形成。然而，空穴传输层121b的材料不限于此。发射层121c包括基质 (host)和掺杂剂(dopant)。发射层121c可以包括发出绿色光、蓝色光和白色光的材料， 并且可以使用磷光材料或者荧光材料形成。如果发射层121c发出红色光，则发射层121c 具有包括CPB (咔唑联苯，carbazol biphenyl)或mCP (1，3-双(咔唑-9-基))的基质材 料，并且可以由具有掺杂剂的磷光材料形成，该掺杂剂包括从包括PIQIr(acac)(双(1-苯 基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr (acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)和PtOEP (八乙基 卟啉钼)的组中选择的一种或更多种材料。此外，发出红色光的发射层121c可以由包括 PBD:Eu(DBM)3(Phen)或茈的荧光材料形成。然而，发出红色光的发射层121c的材料不 限于此。如果发射层121c发出绿色光，则发射层121c具有包括CBP或mCP的基质材 料，并且可以由具有掺杂剂的磷光材料形成，该掺杂剂包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡 啶)铱)。此外，发出绿色光的发射层121c可以由包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的 荧光材料形成。然而，发出绿色光的发射层121c的材料不限于此。如果发射层121c发 出蓝色光，则发射层121c具有包括CBP或mCP的基质材料，并且可以由具有掺杂剂的磷 光材料形成，该掺杂剂包括(4，6-F2ppy)2Irpic。此外，发出蓝色光的发射层121c可以 由包括从以下组中选择的一种材料的荧光材料形成，该组包括spiro-DPVBi、spiro-6P, DSB, DSA，PFO聚合物和PPV聚合物。然而，发出蓝色光的发光层121c的材料不限 于此。电子传输层121d允许电子平稳地传输，并且电子传输层121d可以由从Alq3(三 (8-羟基喹啉)铝))、PBD> TAZ> spiro-PBD、BAlq和SAlq中选择的材料形成。然 而，电子传输层121d的材料不限于此。电子注入层121e使得电子能够平稳地注入，并且 电子注入层121e可以由Alq3(三(8-羟基喹啉)铝))、PBD> TAZ> LiF> spiro-PBD> BAlq或SAlq形成。然而，电子注入层121e的材料不限于此。本发明构思的实施方式不 限于图4的结构，而是可以省略空穴注入层121a、空穴传输层121b、电子传输层121d和 电子注入层121e中的至少一个，或者可以增加其他的功能层。同时，空穴注入层121a、 空穴传输层121b、电子传输层121d和电子注入层121e限定在公共层中。然而，该公共 层不限于此。阴极122形成在有机发光层121上。阴极122可以由Al或AlNd形成。然而， 阴极122的材料不限于此。具有上述子像素结构的有机发光显示设备是在由透明材料形成的阴极122的方 向上显示图像的顶部发射型有机发光显示设备。下面将详细描述图1中所示的有机发光显示设备。参照图1至图5，显示区AAA、伪区域DMA、扫描驱动器区SDA、布线区DWA
和边缘区EDA限定在基板110上。这里，伪区域DMA、扫描驱动器区SDA、布线区 DWA和边缘区EDA被定义为边框区。显示区AAA对图像进行显示。包括以矩阵形式排列的子像素SP的显示部AA位于显示区AAA中。阴极122设置在显示部AA上。位于显示部AA上的阴极122是 通过与形成子像素SP的阴极122的工艺相同的工艺，由与子像素SP的阴极122的材料相 同的材料形成。阴极122通常形成在显示区AAA上。扫描驱动器区SDA限定在显示区AAA的左侧和右侧。向包括在显示部AA内 的子像素SP提供扫描信号的扫描驱动器SD位于扫描驱动器区SDA中。阳极119设置 在扫描驱动器SD上。位于扫描驱动器SD上的阳极119是通过与形成子像素SP的阳极 118的工艺相同的工艺，由与子像素SP的阳极118的材料相同的材料形成。然而，位于 扫描驱动器SD上的阳极119不电连接至子像素SP的阳极118。伪区域DMA限定在显示区AAA与扫描驱动器区SDA之间。用于向扫描驱动 器SD提供从外部设备供应的时钟信号的时钟信号线CLK位于伪区域DMA中。而且， 用于根据从外部设备供应的驱动信号对子像素SP进行时效处理(aging)的时效开关(aging switch) AGSW和用于向时效开关AGSW供应参考电压的参考线VREF可以位于伪区域 DMA中。第一绝缘层113位于时钟信号线CLK上，而与布线区WA中包括的接地线相 连接的伪接地线DGND位于第一绝缘层113上。伪接地线DGND位于形成有包括在显 示部AA中的子像素SP的发射层和公共层的区域的外部。如图5所示，形成有子像素 SP的发射层和公共层的区域与扫描驱动器区SDA相邻。第二绝缘层117设置在伪接地 线DGND上，而提层120位于第二绝缘层117上。布线区DWA限定在扫描驱动器区SDA的外部。布线区DWA包括选通线112 和源极/漏极线115c及115d，选通线112和源极/漏极线115c及115d通过形成在基板 110上并位于不同层的绝缘层113及117而彼此绝缘。选通线112可以通过与形成栅极 111的工艺相同的工艺，由与子像素SP中包括的栅极111相同的材料形成。然而，选通 线112不限于此。选通线112和栅极111不彼此电连接。源极/漏极线115c及115d可 以通过与形成源极/漏极115a及115b的工艺相同的工艺，由与源极/漏极115a及115b 的材料相同的材料形成。然而，源极/漏极线115c及115d不限于此。源极/漏极线 115c及115d不电连接至源极/漏极115a及115b。源极/漏极线115c及115d包括设置 在与附接构件170相对应的区域内的第一源极/漏极线115c以及与扫描驱动器SD相邻的 第二源极/漏极线115d。在上述结构中，位于布线区DWA内的线中的至少一个通过设置在扫描驱动器区 SDA中的阳极119而电连接至位于显示区AAA中的阴极122。更具体而言，位于布线区 DWA中的选通线112以及第二源极/漏极线115d通过在第一绝缘层113中形成的第一接 触孔CHl彼此连接。设置在布线区DWA中的第二源极/漏极线115d与位于扫描驱动器 区SDA中的阳极119通过在第二绝缘层117中形成的第二接触孔CH2彼此连接。位于扫 描驱动器区SDA中的阳极119与设置在伪区域DMA中的伪接地线DGND通过在第二绝 缘层117中形成的第三接触孔CH3彼此连接。位于伪区域DMA中的伪接地线DGND与 位于显示部AA上的阴极122通过在第二绝缘层117和提层120中形成的第四接触孔CH4 彼此连接。这里，位于显示部AA上的阴极122延伸到伪区域DMA的边缘(即，与扫描 驱动器SD相邻的扫描驱动器区SDA)，以连接至伪接地线DGND。与扫描驱动器SD相 邻的区域可以是没有形成公共层或者包括在有机发光层中的有机材料的区域。第一源极 /漏极线115c与位于布线区DWA中的选通线112可以通过在第一绝缘层113中形成的第五接触孔CH5彼此连接。选通线112与第一源极/漏极线115c的连接可以用于在由玻璃 料(frit)形成附接构件170时形成热传导路径。然而，如图6所示，可以省略选通线112 与第一源极/漏极线115c的连接。此外，如图7所示，可以在伪区域DMA中形成伪像 素DSP，而不是图5和6中所示的时效开关AGSW和参考线VREF。将图5中所示的结构与比较例进行比较。参见图8中的虚线圆refl，在该比较例的结构中，在伪区域DMA中形成既宽又 厚的伪接地线DGND，以减小用作透明电极的阴极122的电阻。在伪区域DMA中形成 的伪接地线DGND连接至位于显示部AA中的阴极122。参见图8中的三个虚线圆embl、emb2和emb3，在位于伪区域DMA中的时钟 信号线CLK上形成伪接地线DGND，以减小用作透明电极的阴极122的电阻。位于显示 区AAA中的阴极122连接至设置在伪区域DMA中的伪接地线DGND、位于扫描驱动器 区SDA中的阳极119、以及设置在布线区DWA中的选通线112。S卩，在本实施方式中， 在时钟信号线CLK上形成位于基板110上并在伪区域DMA中的伪接地线DGND，因此 边框区变得小于比较例的结构中的边框区。此外，在本实施方式中，位于显示区AAA中 的阴极122延伸至位于布线区DMA中的选通线112，因此与比较例相比，能够减小阴极 122的电阻。参照图1至图9，在基板110上限定显示区AAA、伪区域DMA、扫描驱动器区 SDA、布线区DWA和边缘区EDA。这里，伪区域DMA、扫描驱动器区SDA、布线区 DWA和边缘区EDA被定义为边框区。在当前实施方式中，连接到阳极119的第二源极/漏极线115d耦接至位于布线 区WA中的接地线，因此省略了伪接地线，这与图5中所示的上述实施方式不同。此外， 位于显示部AA上的阴极122延伸至扫描驱动器区SDA以与阳极119直接接触。因而， 与上述实施方式相比，处理可以简化。第一源极/漏极线115c与位于布线区DWA中的选通线112可以通过在第一绝缘 层113中形成的第五接触孔CH5彼此连接。选通线112与第一源极/漏极线115c的连接 可以用于在由玻璃料(frit)形成附接构件170时形成热传导路径。然而，如图10所示， 可以省略该连接。此外，如图11所示，可以在伪区域DMA中形成伪接地线DGND。此外，如图 12所示，伪像素DSP，而不是图9、10和11中所示的时效开关AGSW和参考线VREF， 可以位于伪区域DMA中。如上所述，本发明提供了一种顶部发射型有机发光显示设备，其能够减小用作 透明电极的阴极的电阻，从而防止驱动电压升高或者防止显示质量由于发光不均勻而劣 化。而且，可以修改用于减小阴极的电阻的伪接地线的结构以减小边框区，从而设计紧 凑型显示设备。此外，在形成有附接构件的密封区中形成了热传导路径，因此能够防止 显示面板的特性由于玻璃料所需的高处理温度而劣化。前述实施方式和优点仅是示例性的，而不应解释为限制本发明。此处的教导能 够容易地应用于其他类型的装置。前述实施方式的描述是出于例示的目的，而不是为了 限定所要求保护的范围。多种替换、修改和变型对本领域技术人员而言是显而易见的。 在权利要求书中，装置加功能的限定方式旨在涵盖此处描述的执行所述功能的结构，并且不仅涵盖了结构上的等同物，而且涵盖了等同结构。 本申请要求于2009年9月17日提交的韩国专利申请Νο.10-2009_0088240的优
先权，以引证方式将其合并于此。
权利要求
1.一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括在基板上限定的显示区，该显示区包括具有子像素的显示部；多个扫描驱动器区，所述多个扫描驱动器区分别位于所述显示区的左侧和右侧，并 且包括用于向所述子像素提供扫描信号的扫描驱动器；多个伪区域，所述多个伪区域分别限定在所述显示区与所述扫描驱动器区之间；以及布线区，所述布线区限定在各个所述扫描驱动器区的外部，并且包括选通线和源极/ 漏极线，所述选通线和所述源极/漏极线通过形成在所述基板上并且分别位于不同层的多 个绝缘层彼此绝缘，其中，设置在所述布线区中的线中的至少一个通过设置在所述扫描驱动器区中的阳 极电连接至位于所述显示区中的阴极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，该有机发光显示设备还包括伪接地线， 所述伪接地线位于所述伪区域中并由与所述源极/漏极线的材料相同的材料形成，其中，所述阳极和所述阴极通过所述伪接地线彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，所述伪接地线位于形成有设置在 所述显示部中的子像素的发射层和公共层的区域的外部。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述源极/漏极线包括与所述扫 描驱动器区相邻的第一源极/漏极线和第二源极/漏极线，所述选通线通过在覆盖所述选 通线的第一绝缘层中形成的第一接触孔连接至所述第二源极/漏极线，并且所述第二源 极/漏极线通过在覆盖所述第二源极/漏极线的第二绝缘层中形成的第二接触孔连接至所 述阳极。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，所述阳极通过在覆盖所述伪接地 线的所述第二绝缘层中形成的第三接触孔连接至所述伪接地线，并且所述阴极通过在覆 盖所述伪接地线的所述第二绝缘层和第三绝缘层中形成的第四接触孔连接至所述伪接地 线。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，所述选通线通过在覆盖所述选通 线的所述第一绝缘层中形成的第五接触孔连接至所述第一源极/漏极线。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，所述阴极延伸至与所述扫描驱动 器区相邻的区域。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，在所述第一源极/漏极线上形成 有附接构件。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述阴极延伸至所述扫描驱动器 区的顶部，以电连接到所述阳极。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中，所述源极/漏极线包括与所述扫 描驱动器区相邻的所述第一源极/漏极线和所述第二源极/漏极线，并且所述第二源极/ 漏极线连接至被供应了低电压的接地线。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述伪区域包括以下中的至少 一个用于将从外部设备供应的时钟信号传送到所述扫描驱动器的时钟信号线、用于对 所述子像素进行时效处理的时效开关、以及以与所述子像素相似的结构形成的伪像素。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括在基板上限定的显示区，该显示区包括具有子像素的显示部；多个扫描驱动器区，所述多个扫描驱动器区分别位于所述显示区的左侧和右侧，并且包括用于向所述子像素提供扫描信号的扫描驱动器；多个伪区域，所述多个伪区域分别限定在所述显示区与所述扫描驱动器区之间；以及布线区，所述布线区限定在各个所述扫描驱动器区的外部，并且包括选通线和源极/漏极线，所述选通线和所述源极/漏极线通过形成在所述基板上并且分别位于不同层的多个绝缘层彼此绝缘，其中，设置在所述布线区中的线中的至少一个通过设置在所述扫描驱动器区中的阳极电连接至位于所述显示区中的阴极。
文档编号H01L27/32GK102024421SQ20101028687
公开日2011年4月20日 申请日期2010年9月16日 优先权日2009年9月17日
发明者沈载昊, 洪淳光 申请人:乐金显示有限公司