专利名称：一种led芯片图形衬底的制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种LED芯片图形衬底的制备方法。
背景技术：
氮化镓基发光二极管主要是异质外延在平坦的衬底上，其中衬底可以为蓝宝石、 碳化硅或硅。光从外延层进入衬底时，由于界面比较平坦，光的入射角比较小，且氮化镓和衬底折射率相差不大，导到反射率低，大部分光会逸出到衬底，不能有效反射回到外延层， 出光效率低。目前解决以上问题的策略，主要是采用图形衬底，如中国专利文献CN101814426A 于2010年8月25日公开的一种蓝宝石图形衬底的制作方法，具体步骤是(1)在蓝宝石的上表面沉积一层低折射率材料、厚度为1埃-999埃的薄膜；( 用光阻在所述的薄膜上制备掩模图形；C3)通过刻蚀，将光刻胶掩模的图形转移到所述的薄膜上，得到图形下底的宽度为0. 5-3 μ m、间距0. 5-3 μ m的凸起，凸起厚度为1埃-999埃；(4)清洗蓝宝石，去除残留的光阻。本发明具有能大大降低制作PSS成本、增加光的全反射角从而更有利于出光、提高出光效率、更有利于激光剥离、提高成品LED芯片优良率的优点。
除前述蚀刻制作方法外，也有人采用激光雕刻方式制作图形衬底，这些方式是不足之处是显而易见的，效率底，加工成本太高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种加工成本低的LED 芯片图形衬底的制备方法。本发明的目的可以通过以下技术方案实现
一种LED芯片图形衬底的制备方法，该LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤S10，制作图形压印辊；S20，提供底模基材；S30，底模基材单面涂UV 油；S40，以图形压印辊压印底模基材具有UV油的一面，同时光固形成底模；S50，切割底模； S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体；S70，加压；S80，取出粉体，烧结。LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于S10步骤通过激光雕刻或蚀刻方式。LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于所述基材是金属膜，S20步骤所提供的基材是基材与离型膜双层结构。LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于，所述底模基材是卷式材料，去切割底模及是在冲型机上连续完成的，具体包括以下子步骤S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿离型膜；S503，收废，卷除基材边料；S504，收卷；离型膜是基材的载体，在S60 步骤时基材与离型膜分离。LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于所述等静压模具有分体式结构，所述底膜通过胶粘层贴合于等静压模内。LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于SlO步骤通过激光雕刻或蚀刻方式；所述基材是金属膜，S20步骤所提供的基材是基材与离型膜双层结构；所述底模基材是卷式材料，去切割底模及是在冲型机上连续完成的，具体包括以下子步骤S501，放料；S502， 切半穿，即切穿基材，但不切穿离型膜；S503，收废，卷除基材边料；S504，收卷；离型膜是基材的载体，在S60步骤时基材与离型膜分离；所述等静压模具有分体式结构，所述底膜通过胶粘层贴合于等静压模内。一种大体上如上下文及附图所表达的LED芯片图形衬底的制备方法。本发明的LED芯片图形衬底的制备方法，以光固形成等静压底模，再经过压粉、烧结工序制成衬底，由于等静压底模是一次性使用，可以保证图形精度达到纳米级，满足使用要求。与现有技术相比，本发明具有制备成本低，适合批量生产的特点。
图1是本发明第一个实施例之底模的示意图。图2是本发明第一个实施例之底模在离型膜上的示意图。图3是本发明第一个实施例的流程图。图4是本发明第四个实施例切割底模步骤的流程图。
具体实施例方式下面将结合附图对本发明作进一步详述。参考图1至图4，本发明的第一个实施例是一种LED芯片图形衬底的制备方法，该 LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤S10，制作图形压印辊； S20，提供底模基材；S30，底模基材单面涂UV油；S40，以图形压印辊压印底模基材具有UV 油的一面，同时光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体； S70，加压；S80，取出粉体，烧结。SlO步骤通过激光雕刻或蚀刻方式。所述基材是金属膜， S20步骤所提供的基材是基材与离型膜双层结构。本实施例中，所述底模基材101是卷式材料，去切割底模及是在冲型机上连续完成的，具体包括以下子步骤S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿离型膜； S503，收废，卷除基材边料；S504，收卷；离型膜是基材的载体，在S60步骤时基材与离型膜 102分离。本实施例中，等静压模具有分体式结构，所述底膜通过胶粘层贴合于等静压模内。
权利要求
1.一种LED芯片图形衬底的制备方法，该LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤S10，制作图形压印辊； S20，提供底模基材； S30，底模基材单面涂UV油；S40,以图形压印辊压印底模基材具有UV油的一面，同时光固形成底模； S50，切割底模；S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体；S70，加压；S80，取出粉体，烧结。
2.根据权利要求1所述的LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于S10步骤通过激光雕刻或蚀刻方式。
3.根据权利要求1所述的LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于所述基材是金属膜，S20步骤所提供的基材是基材与离型膜双层结构。
4.根据权利要求3所述的LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于，所述底模基材是卷式材料，去切割底模及是在冲型机上连续完成的，具体包括以下子步骤S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿离型膜； S503，收废，卷除基材边料； S504，收卷；离型膜是基材的载体，在S60步骤时基材与离型膜分离。
5.根据权利要求4所述的LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于所述等静压模具有分体式结构，所述底膜通过胶粘层贴合于等静压模内。
6.根据权利要求1所述的LED芯片图形衬底的制备方法，其特征在于SlO步骤通过激光雕刻或蚀刻方式；所述基材是金属膜，S20步骤所提供的基材是基材与离型膜双层结构；所述底模基材是卷式材料，去切割底模及是在冲型机上连续完成的，具体包括以下子步骤S501，放料；S502，切半穿，即切穿基材，但不切穿离型膜；S503，收废，卷除基材边料； S504，收卷；离型膜是基材的载体，在S60步骤时基材与离型膜分离；所述等静压模具有分体式结构，所述底膜通过胶粘层贴合于等静压模内。
7.一种大体上如上下文及附图所表达的LED芯片图形衬底的制备方法。
全文摘要
本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种LED芯片图形衬底的制备方法，LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤S10，制作图形压印辊；S20，提供底模基材；S30，底模基材单面涂UV油；S40，以图形压印辊压印底模基材具有UV油的一面，同时光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体；S70，加压；S80，取出粉体，烧结。本发明提供一种加工成本低的LED芯片图形衬底的制备方法。
文档编号H01L33/00GK102163657SQ20101061897
公开日2011年8月24日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年12月31日
发明者李金明 申请人:东莞市万丰纳米材料有限公司