专利名称：晶体硅太阳电池的背面电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种晶体硅太阳电池的背面电极结构， 属于太阳能应用技术领域。
技术背景 目前，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问 题，发展太阳能电池是解决上述问题的途经之一。因此，世界各国都在积极开发太阳电池， 而高转换效率、低成本是太阳电池发展的主要趋势，也是技术研究者追求的目标。现有的制造晶体硅太阳电池的制造流程为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去 边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化太阳电池制造技术相对简 单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，丝网印刷用于制备电 极，N电极位于晶体硅电池的正面，P电极位于晶体硅电池的背面，其背面P电极结构如附 图1所示，包括晶体硅片1和2条印刷于硅片背面的银导体条5，银导体条相隔对称分布于 硅片背面且其长度几乎贯穿整个硅片背面，在硅片正面则印刷银浆形成晶体硅电池的N电 极，N、P电极均需用焊带引出，从而形成晶体硅太阳电池的互连。上述结构的电池片之间的连接方式如附图2所示，一片电池正面6的N电极与相 邻另一片电池背面7的P电极通过焊带4相连，由于电池片具有一定的厚度，因此焊带不在 同一个水平面上，这将在电池片的边缘引入应力，容易造成组件的失效，降低了组件的可靠 性。且该连接方式大幅增加了组件的串联电阻，降低了组件的光电转换效率。
发明内容本实用新型目的是提供一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，以提高太阳电池的 光电转换效率。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种晶体硅太阳电池的背面电 极结构，包括晶体硅片和N、P电极，所述N电极为设于晶体硅电池背面的指状银电极，并与 晶体硅电池的正面电极相连；所述P电极为3个条状银电极；所述N、P电极配合设置且均 布于晶体硅电池的背面。上述技术方案中，所述晶体硅电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一 端与晶体硅电池的正面电极连接，另一端与指状银电极连接，构成指状银电极与晶体硅电 池正面电极的连接结构。与之相应的另一种技术方案，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅 片和N、P电极，所述N电极为设于晶体硅背面的4个条状银电极，并与晶体硅电池的正面电 极相连；所述P电极为一指状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。上述技术方案中，所述晶体硅电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一 端与晶体硅电池的正面电极连接，另一端与条状银电极连接，构成条状银电极与晶体硅电 池正面电极的连接结构。[0010]上文中，所述N电极可以通过孔内的银浆与正面电极连接，而孔可以采用激光打 孔的方法制作。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有的优点是1、本实用新型将晶体硅电池的N电极由正面引到背面，与背面P电极一起构成背 面电极结构，即N、P电极都在晶体硅电池的背面，从而在连接相邻电池片时可使焊带处于 同一水平面内，避免了应力产生，大大提高了组件的可靠性，同时也便于太阳电池的焊接操作。2、本实用新型将晶体硅电池的N电极由正面引到背面，减少了电池片正面焊带和 N电极对入射光的遮蔽，提高了太阳光的利用率，也相应提高了太阳电池的光电转换效率。3、本实用新型结构简单，便于生产制备，且成本较低，适于推广应用。
图1是背景技术中晶体硅太阳电池的背面电极结构的示意图；图2是背景技术中晶体硅太阳电池连接方式的示意图；图3是本实用新型实施例一的结构示意图；图4是本实用新型实施例一中晶体硅太阳电池连接方式的示意图；图5是本实用新型实施例二的结构示意图；图6是本实用新型实施例二中晶体硅太阳电池连接方式的示意图。其中1、晶体硅片；2、N电极；3、P电极；4、焊带；5、银导体条；6、硅片正面；7、硅片 背面。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述实施例一参见图3 4所示，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片1和N、 P电极，所述N电极2为设于晶体硅电池背面的指状银电极，并与晶体硅电池的正面电极相 连；所述P电极3为3个条状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。所述晶体硅电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一端与晶体硅电池 的正面电极连接，另一端与指状银电极连接，构成指状银电极与晶体硅正面电极的连接结 构。该结构的晶体硅电池片之间的连接方式如附图4所示，一片电池背面7的P电极 与相邻另一片电池背面7的N电极通过焊带4相连，即3个条状银P电极通过焊带分别与 相邻电池片的指状N电极连接。由于其N、P电极都在电池片的背面，从而在连接相邻电池 片时可使焊带处于同一水平面内，避免了应力产生，大大提高了组件的可靠性，同时也便于 太阳电池的焊接操作。实施例二参见图5 6所示，一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电 极，所述N电极2为设于晶体硅电池背面的4个条状银电极，并与晶体硅电池的正面电极相 连；所述P电极3为一指状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。[0029]所述晶体硅电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一端与晶体硅电池 的正面电极连接，另一端与条状银电极连接，构成条状银电极与晶体硅电池正面电极的连 接结构。该结构的晶体硅电池片之间的连接方式如附 图6所示，一片电池背面的N电极与 相邻另一片电池背面的P电极通过焊带相连，即4个条状银N电极通过焊带分别与相邻电 池片的指状P电极连接。
权利要求一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片(1)和N、P电极，其特征在于所述N电极(2)为设于晶体硅电池背面的指状银电极，并与晶体硅电池的正面电极相连；所述P电极(3)为3个条状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的背面电极结构，其特征在于所述晶体硅 电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极连接，另一 端与指状银电极连接，构成指状银电极与晶体硅电池正面电极的连接结构。
3.一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，其特征在于所述 N电极为设于晶体硅电池背面的4个条状银电极，并与晶体硅电池的正面电极相连；所述P 电极为一指状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的背面电极结构，其特征在于所述晶体硅 电池上设有复数个通孔，通孔内设置银浆，银浆的一端与晶体硅电池的正面电极连接，另一 端与条状银电极连接，构成条状银电极与晶体硅电池正面电极的连接结构。
专利摘要本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括晶体硅片和N、P电极，所述N电极为设于晶体硅电池背面的指状银电极，并与晶体硅电池正面电极相连；所述P电极为3个条状银电极；所述N、P电极配合设置且均布于晶体硅电池的背面。本实用新型在连接相邻电池片时可使焊带处于同一水平面内，避免了应力产生，大大提高了太阳能组件的可靠性，同时也便于太阳电池的焊接操作。
文档编号H01L31/0224GK201616438SQ20102012233
公开日2010年10月27日 申请日期2010年2月26日 优先权日2010年2月26日
发明者王栩生, 王立建, 章灵军 申请人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司