专利名称：形成具有带内陷电极的电容器的存储器设备的方法
形成具有带内陷电极的电容器的存储器设备的方法本公开的领域本公开文本所揭示的实施例一般涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，并尤其涉及适于以嵌入式技术制造这种电容器的技术。本公开的
背景技术：
存储器访问时间是影响计算机系统性能的重要因素。通常通过将存储器和处理器放置在同一管芯上或同一封装内来增强系统性能，而嵌入式动态随机存取存储器(嵌入式 DRAMdPeDRAM)是这样的管芯上存储器技术或封装上存储器技术的示例。因为电容器是 eDRAM的数据存储元件，eDRAM的制造包括制造嵌入式电容器——一种包括减法式金属布图的过程。传统上，已经使用包括等离子蚀刻的大量处理操作来完成减法式金属布图。等离子蚀刻是高度各向异性的，导致很难从相对晶圆表面和等离子场垂直定向的表面上完全去除金属。附图简述以示例方式且非限制性的方式在附图中示出本发明的诸实施例，其中
图1是示出根据本公开的实施例的、形成带内陷电极的嵌入式MIM电容器的方法 100的流程图。图2是根据本公开的实施例的、诸如eDRAM或类似物的嵌入式存储器设备200的挖空特征物230的截面图。图3A是根据本公开的实施例的、形成在嵌入式存储器设备200的挖空特征物230 中的MIM电容器272的截面图。图;3B是根据本公开的实施例的、嵌入式存储器设备200在其制造过程中在一不同的特定过程点上的截面图。图3C是根据本公开的实施例的、在选择性的蚀刻使得MIM电容器的导电电极层内陷之后的嵌入式存储器设备200的截面图。图3D是根据本公开的实施例的、在形成到MIM电容器的通孔之后的嵌入式存储器设备200的截面图。图4是示出根据本公开的另一个实施例的、形成带内陷电极的MIM电容器的方法 400的流程图。图5A是根据本公开的实施例的、诸如eDRAM或类似物的嵌入式存储器设备500的挖空特征物530的截面图。图5B是根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的 MIM电容器结构的截面图。图5C是根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的 MIM电容器在一不同的制造过程点上的结构的截面图。图5D是根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的 MIM电容器在一不同的制造过程点上的结构的截面图。图6A是根据本公开的实施例的、在挖空特征物630上沉积下部电极层之后该特征物的一部分的截面图。图6B是根据本公开的实施例的斜面区域642的分解图。详细描述在本公开的一个实施例中，一种形成带内陷电极的MIM电容器的方法包括形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法包括在特征物上沉积下部电极层，在下部电极层上沉积电绝缘层，以及在电绝缘层上沉积上部电极层，以形成MIM电容器。该方法包括移除MIM 电容器的上部部分以暴露各电极层的上表面，并随后选择性地蚀刻电极层中的一个以使电极层中的一个内陷。该内陷操作使电极彼此隔离，并减少了电极之间漏电通路的可能性。所描述的方法可被用于生产适于eDRAM设备的MIM电容器。在特定实施例中，用于制造MIM电容器的方法包括形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征的底部，而上部部分形成挖空特征物的侧壁。随后在挖空特征物上沉积第一导电层并使用了使得挖空特征物的上部转角带斜面的二次溅射比率，以在挖空特征物中形成内陷的下部电极层。接下来，该方法包括在第一导电层上沉积电绝缘层，并在第一电绝缘层上沉积第二导电层(诸如，上部电极)。挖空特征物带斜面的上部转角的至少一部分不包括第一导电层。该技术通过溅射高能金属或氩离子来执行选择性沉积，以提供电容器电极之间的隔离。上文中提到了 eDRAM电容器是使用减法式金属布图方法来制造的。传统上，已经通过等离子蚀刻来完成减法式金属布图。等离子蚀刻是高度各向异性的，导致很难从相对晶圆表面和等离子场垂直定向的表面上完全去除金属。此外，减法式金属布图要求大量的处理操作。一种方法是在介电特征物中沉积下部电极层，使用旋涂薄膜填充该特征物，对该薄膜的顶部部分进行等离子蚀刻，对下部电极层的暴露部分进行湿法蚀刻，移除该薄膜，沉积介电层，沉积上部电极，并随后对MIM电容器进行平坦化。该方法会遭受与布图有关的下部电极的高度变化，这对MIM电容器造成极大的电容量变化。本公开的诸个实施例通过以下方法克服了这些问题在MIM电容器的平坦化之后，使用选择性蚀刻技术和化学制剂来内陷多个电极中的一个，由此可以实现eDRAM电容器的高效生产。本公开的其他实施例通过使用下部电极的选择性沉积以形成内陷的下部电极而克服了这些问题。本公开的内陷电极技术需要较少的处理操作，不受到与布图有关的电极高度的影响，并且在确定如何内陷多个电极中的一个时不必考虑抛光变化度。减小的电极高度变化提供了更高的内陷电极高度，进而提供了更大的电容量。本公开的内陷电极技术提供了对下部电极层、高k介电层以及上部电极层的连续沉积，而不需要湿法处理操作的介入。如在此所用的，术语“高k”指的是其介电常数k大于二氧化硅的介电常数(即，大于4)的材料。在一实施例中，在MIM电容器的平坦化之后，选择性蚀刻使得多个电极中的一个内陷。后续的使用CVD电介质对电极凹陷的填充提供了上部电极和下部电极之间的强有力的隔离。所产生的电容器具有更少的缺陷、更大的表面面积，分别导致了更高的产率和性能。图1是示出根据本公开的实施例的、形成嵌入式MIM电容器的方法100的流程图。 作为示例，方法100可导致形成其中可构造嵌入式存储器设备的结构。方法100包括在框 102中形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，上部部分形成挖空特征物的侧壁。一个实施例中，上部部分包括介电材料(诸如，特征物的侧壁)，下部部分包括在框102中至少部分界定特征物底部的导电层。接下来，方法 100包括在框104中在特征物中沉积第一导电层。随后，方法100包括在框106中在第一导电层上沉积电绝缘层。方法100进一步包括在框108中在电绝缘层上沉积第二导电层。随后，在框110中在第二导电层上沉积导电材料。所述导电材料填充该特征物。在一个实施例中，第一导电层形成了电容器的底部电极。第二导电层和导电材料合起来形成了电容器的顶部电极。随后，在框112中移除MIM电容器的上部部分以暴露第一和第二导电层的上表面。在一个实施例中，使用标准的半导体处理操作(诸如，蚀刻)来移除电容器的上部部分。例如，化学机械平坦化(CMP)处理或等离子蚀刻处理可执行该蚀亥IJ。蚀刻可在到达介电材料的上部部分时停止。方法100进一步包括在框114中选择性地蚀刻第一或第二导电层以分别内陷第一或第二导电层。在一个实施例中，选择性蚀刻包括选择性湿法蚀刻，其对第一导电层(诸如，底部电极)进行内陷而不实质性蚀刻电绝缘层的暴露部分和第二导电层(诸如，顶部电极)的暴露部分。在另一个实施例中，选择性湿法蚀刻对第二导电层进行内陷，而不实质性蚀刻电绝缘层的暴露部分或第一导电层的暴露部分。图2是根据本公开的实施例的、诸如eDRAM或类似物的嵌入式存储器设备200的挖空特征物230的截面图。如图2A所示，嵌入式存储器设备200包括导电层210、电绝缘层212、电绝缘层214、以及蚀刻停止层216和218。挖空特征物230是由下部部分(诸如， 210,212)和上部部分(诸如，214、216、218)所界定的开口或凹陷。图3A是根据本公开的实施例的、形成在嵌入式存储器设备200的挖空特征物230 中的MIM电容器272的截面图。MIM电容器272包括位于挖空特征物230中的邻接且电连接于导电层210的导电层M0、位于挖空特征物230中且沉积在导电层240上的电绝缘层 250、以及位于挖空特征物230中且沉积在电绝缘层250上的导电层沈0。MIM电容器272 也可包括沉积在层260上的导电材料270。材料270填充了 MIM电容器272的凹陷。在一个实施例中，层240和260可使用溅射、物理气相沉积(PVD)、或原子层沉积(ALD)处理由钽 CTa)、氮化钽(TaN)、或氮化钛(TiN)来形成。作为示例，导电层210可以是由铜或类似物所形成的金属线。作为另一个示例，导电层270可以是由铜或另一种金属所形成的栓塞。在一个实施例中，导电层210的金属和导电层270的金属是相同的(诸如，铜)。作为另一个示例，蚀刻停止层可以是CVD电介质 (诸如，碳化硅(SiC))。作为另一个示例，电绝缘层250可以是共形介电薄膜，在一个实施例中共形介电薄膜包括高k金属氧化物或其他高k材料。层250可使用ALD或其他半导体处理技术由氧化铪(HfC^)、氧化锆(ZrC^)、氧化钽(1^20 、钛酸锶钡(e. g. ,BaSrTi03)、氧化铝(A1203)、或这些材料的组合物(诸如，Zr02/A1203/Zr(^)来形成。图:3B是根据本公开的实施例的、嵌入式存储器设备200在其制造过程中在一不同的特定过程点上的截面图。如图3B所示，电容器272的上部部分被移除，使得剩余的设备被平坦化。在一个实施例中，电容器272的被移除部分是使用等离子蚀刻或CMP操作或这些操作的组合而被蚀刻去除的。该蚀刻可在到达介电层214的上部部分时停止。在所述过程的这一过程点，电极层240和260仅由介电层250的厚度来分离。为了确保不在介电层 250的顶部形成漏电通路，本设计的嵌入式存储器设备的通过对电极层240或260中的一个进行内陷来增大电极层240和260之间的距离。图3C是根据本公开的实施例的、在选择性蚀刻使得MIM电容器的导电电极层MO 内陷之后的嵌入式存储器设备200的截面图。选择性蚀刻可选择性蚀刻导电层240或层 260以内陷这些层中的一个。在一实施例中，选择性蚀刻包括选择性湿法蚀刻，其使得导电层MO (诸如，底部或下部电极)内陷，而不实质性蚀刻电绝缘层250的暴露部分和导电层沈0 (诸如，顶部或上部电极)的暴露部分。对于该实施例，层240可包括TiN，层260可包括 iTa 或 iTaN。在另一个实施例中，选择性湿法蚀刻使得层沈0内陷，而不实质性蚀刻电绝缘层 250的暴露部分和层MO的暴露部分。对于该实施例，层260可包括TiN，层240可包括I1a 或 I^aN。在一些实施例中，选择性湿法蚀刻包括过氧化氢化学反应(酸性或碱性的)，以相对于蚀刻高k电介质和铜而言具有更高的选择性来蚀刻钛合金和陶瓷。在一个实施例中， 选择性湿法蚀刻包括大约15%重量百分比的过氧化氢，其PH值被调节至在大约50C的温度下为大约8。该蚀刻化学反应使用相对于Hf02、Ta、TaN、CU和中间介电层(诸如，214)大于40 1的选择性来蚀刻TiN。电极被移除的量随给定的电容器应用而变化。电极被移除的量可从10 — 20埃(A)直到500-600A，或可能更高的量。图3D是根据本公开的实施例的、在形成到MIM电容器的通孔之后的嵌入式存储器设备200的截面图。蚀刻停止层219和中间介电层观0已经被沉积在该设备上。到上部电极(诸如，材料270和层沈0)的通孔连接290被布图、蚀刻且填充。这些操作可以使用常规通孔布图技术来完成。在特定实施例中，带内陷电极的MIM电容器可使用内陷电极的选择性沉积来形成。图4是示出根据本公开的实施例的、形成带内陷电极的MIM电容器的方法400的流程图。作为示例，方法400可导致形成其中可构造嵌入式存储器设备的结构。方法400包括在框402中形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法可选地包括在框404中的溅射操作，以制造挖空特征物的上部转角的斜面区域。该溅射操作可选地在沉积第一导电层(发生于框 406中)之前被执行。在框406中，使用使得挖空特征物的上部转角带斜面的二次溅射比率来沉积第一导电层，以使得在挖空特征物中形成内陷的下部电极层。挖空特征物带斜面的上部转角的至少一部分不包括第一导电层，如下所详细描述且示出于附图5A-5D的。如果执行操作404，则操作406可更为有效地选择性地在下部部分(诸如，底部)上沉积第一导电层以及在挖空特征物低于斜面部分(斜面部分完全不包括第一导电层或至少部分不包括第一导电层)的上部部分(诸如，侧壁)沉积第一导电层。方法400包括在框408中在第一导电层上沉积电绝缘层。方法400包括在框410 中在第一电绝缘层上沉积第二导电层。方法400包括在框412中在第二导电层上沉积导电材料，以填充MIM电容器。方法400包括在框414中移除MIM电容器的上部部分以形成平坦化的MIM电容器。平坦化的MIM电容器具有相对于上部电极层而言是内陷的下部电极层， 上部电极层由保留的第二导电层和导电材料形成。图5A是根据本公开的实施例的、诸如eDRAM或类似物的嵌入式存储器设备500的挖空特征物530的截面图。如图5A所示，嵌入式存储器设备500包括导电层510、电绝缘层512、电绝缘层514、以及蚀刻停止层516和518。挖空特征物530是由下部部分(诸如，510、 512)和上部部分(诸如，514、516、518)所界定的开口或凹陷。金属-绝缘体-金属(MIM) 电容器被沉积在挖空特征物530上，如图5A-5D所示。图5A示出了第一电导层(诸如，540、 541)，其中对第一电导层的沉积使用了导致挖空特征物530的上部转角带斜面(诸如，斜面区域的二次溅射比率。第一导电层包括上部部分541和下部部分M0，其中下部部分 540是沉积在挖空特征物上的MIM电容器的内陷下部电极层。挖空特征物的斜面区域讨2 的至少一部分不包括第一导电层。上部部分541和下部部分540彼此分离且彼此电绝缘。 在一实施例中，二次溅射比率大于1。在另一实施例中，二次溅射比率大约为1. 4到1. 6。图5B示出根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的MIM电容器在一不同的制造过程点上的结构的截面图。电绝缘层550被沉积在导电层 (诸如，540、541)之上。图5C是根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的 MIM电容器572在一不同的制造点上的结构的截面图。导电层560被沉积在电绝缘层550 之上。导电材料570填充MIM电容器572。MIM电容器572包括下部电极MO、绝缘层550、 导电层560 (诸如，上部电极)、以及材料570。在一实施例中，挖空特征物530的上部转角包括由溅射操作(诸如，金属离子、氩) 所导致的斜面区域M2。溅射操作可在沉积导电层(诸如，540、541)之前执行。图5D是根据本公开的实施例的、在嵌入式存储器设备500的挖空特征物530中的 MIM电容器572在一不同的制造过程点上的结构的截面图。图5D示出了 MIM电容器572的上部部分的移除，以形成平坦化的MIM电容器，该平坦化的MIM电容器具有下部电极层M0， 其中下部电极层540相对于上部电极层560是内陷的，上部电极层560由保留的第二导电层所形成。在一个实施例中，导电层(诸如，540、541)可使用溅射处理由Ta、TaN、Ti或TiN 来形成。层560可使用溅射、物理气相沉积(PVD)、或原子层沉积(ALD)处理由Ta、TaN、Ti 或TiN来形成。在一些实施例中，在沉积处理期间可单独地或组合地通过以下过程来使得底层电极540内陷。1.在沉积底层电极金属之前和/或在沉积底层电极金属期间，通过使用溅射来沉积Ti、Ta、TiN或TaN，以使得挖空特征物530的顶部转角带斜面。在顶部转角存在“净蚀刻”的状态下完成沉积。“净蚀刻”条件导致了底部板被内陷。2.在电容器布图期间均勻蚀刻，使得在底部和侧壁上沉积电极金属时的溅射更为有效率，且保持顶部转角不含金属。在一个特定实施例中，一个这样的堆栈和蚀刻组合被描述如下底部电极板MO 是以高的二次溅射比率使用Ta来形成的。PVD高k电介质包括使用ALD处理的Hf02。顶部电极包括使用溅射、PVD、或ALD沉积的Ta(或TaN)。导电材料570是使用铜来形成的。作为示例，导电层510可以是由铜或类似物所形成的金属线。作为另一个示例，导电层570可以是由铜或另一种金属所形成的栓塞。在一个实施例中，导电层510的金属和导电层570的金属是相同的(如同在本情况中一样，均为铜)。作为另一示例，蚀刻停止层可以是CVD介电质(诸如，SiC)。作为另一个示例，电绝缘层550可以是共形介电薄膜，在一个实施例中共形介电薄膜包括高k金属氧化物或其他高k材料。层550可以使用ALD或其他半导体处理技术由Hf02、Zr02、Ta205、BaSrTi03、A1203或这些材料的组合(诸如，Zr02/ A1203/Zr02)来形成。如图5D所示，电容器572的上部部分已经被移除，使得剩余设备被平坦化。在一个实施例中，电容器572被移除的部分是使用等离子蚀刻或CMP操作或这些操作的组合而被移除的。该蚀刻可在到达介电层Ml的上部部分时停止。接下来，蚀刻停止层519和中间介电层580已经被沉积在设备上。到上部电极(诸如，材料570和层560)的通孔连接590 被布图、蚀刻且填充。这些操作可以使用常规通孔布图技术来完成。图6A是根据本公开的实施例的、在特征物上沉积下部电极层之后的挖空特征物 630的一部分的截面图。介电区域610形成挖空特征物630的侧壁，且下部电极层640和上部导电部分641在具有高的二次溅射比率的溅射操作期间被沉积在挖空特征物上。在沉积层640和部分641的溅射操作之后形成铜层620。挖空特征物630具有斜面区域642。图6B是根据本公开的实施例的斜面区域642的分解图。斜面区域642不包含下部电极层640和上部导电部分641，下部电极层640和上部导电部分641使用物理气相沉积 (PVD)被选择性地沉积在介电区域610上。在说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果有的话)用于在类似元件之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下如此使用的这些术语可互换，例如使得本文所述的本公开的实施例能够以不同于本文所述或所示顺序的其它顺序来操作。类似地，如果本文所述的方法包括一系列操作，本文所呈现的这些操作的顺序并非必须是可执行这些操作的唯一顺序，且一些所陈述的操作可被省略和/或本文未描述的一些其它操作可被添加到该方法。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变形旨在适用非排他地包括，使得包括一系列要素的过程、方法、制品或装置不一定限于那些要素，但可包括未明确列出的或这些过程、方法、制品或装置所固有的其它要素。尽管已经参照特定实施例描述了本公开，但本领域的技术人员将理解可在不背离本公开的精神或范围的情况下进行各种改变。因此，本公开的诸个实施例的公开内容旨在说明本公开的范围，而非旨在限制。本公开的范围旨在应仅被限制于由所附权利要求所主张的范围。例如，对于本领域普通技术人员，显而易见的是可在多种实施例中实现本文讨论的嵌入式存储器及其相关结构和方法，且这些实施例中的某些实施例的前述某些讨论不一定表示对所有可能实施例的全部描述。
权利要求
1.一种嵌入式存储器设备，包括挖空特征物，其由下部部分和上部部分来界定，其中所述下部部分形成所述挖空特征物的底部，所述上部部分形成所述挖空特征物的侧壁；以及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，其沉积在所述挖空特征物上，所述MIM电容器包括第一导电层，其沉积在所述挖空特征物中；电绝缘层，其沉积在所述第一导电层上；以及第二导电层，其沉积在所述第一电绝缘层上，其中所述MIM电容器的上部部分被移除， 以暴露所述第一和第二导电层的上表面，用于后续的选择性蚀刻，所述后续的选择性蚀刻使得所述第一或第二导电层内陷。
2.如权利要求1所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述选择性蚀刻包括选择性的湿法蚀刻，使得所述第一导电层内陷，而不实质性蚀刻所述电绝缘层的暴露部分和所述第二导电层的暴露部分。
3.如权利要求1所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述第一电绝缘层包括氮化钛(TiN)，所述第二电绝缘层包括钽(Ta)或氮化钽(TaN)。
4.如权利要求1所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述第二电绝缘层包括TiN， 所述第一电绝缘层包括Ta或TaN。
5.如权利要求1所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述选择性的湿法蚀刻包括过氧化氢。
6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括导电材料，其在移除MIM电容器的上部部分之前被沉积在所述第二导电层上。
7.一种形成嵌入式MIM电容器的方法，所述方法包括形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中所述下部部分形成所述挖空特征物的底部，所述上部部分形成所述挖空特征物的侧壁；将第一导电层沉积在所述特征物中；将电绝缘层沉积在所述第一导电层上；将第二导电层沉积在所述电绝缘层上；移除所述MIM电容器的上部部分以暴露第一和第二导电层的上表面；以及选择性地蚀刻所述第一或第二导电层，以分别使得所述第一或第二导电层内陷。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述选择性地蚀刻包括选择性的湿法蚀亥IJ，使得所述第一导电层内陷，而不实质性蚀刻所述电绝缘层的暴露部分和所述第二导电层的暴露部分。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一电绝缘层包括氮化钛(TiN)，所述第二电绝缘层包括钽(Ta)或氮化钽(TaN)。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二电绝缘层包括TiN，所述第一电绝缘层包括iTa或TaN。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括在移除MIM电容器的上部部分之前，将导电材料沉积在所述第二导电层上。
12.—种嵌入式存储器设备，包括挖空特征物，其由下部部分和上部部分来界定，其中所述下部部分形成所述挖空特征物的底部，所述上部部分形成所述挖空特征物的侧壁；以及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，其沉积在所述挖空特征物上，所述MIM电容器包括第一导电层，所述第一导电层是使用二次溅射比率来沉积的，所述二次溅射比率使得所述挖空特征物的上部转角带斜面，以在所述挖空特征物中形成内陷的下部电极层。
13.如权利要求12所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述MIM电容器还包括电绝缘层，其沉积在所述第一导电层上；以及第二导电层，其沉积在所述第一电绝缘层上。
14.如权利要求12所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述二次溅射比率大约为 1. 4 至Ij 1. 6。
15.如权利要求12所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述挖空特征物带斜面的上部转角的至少一部分不包括第一导电层。
16.如权利要求12所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，所述挖空特征物的上部转角包括通过在沉积第一导电层之前所进行的溅射而导致的斜面区域。
17.如权利要求13所述的嵌入式存储器设备，其特征在于，还包括导电材料，其在移除所述MIM电容器的上部部分之前被沉积在所述第二导电层上，其中移除所述MIM电容器的上部部分用以形成平坦化的MIM电容器，所述平坦化的MIM电容器具有相对于上部电极层而言是内陷的下部分电极层，而所述上部电极层由保留的第二导电层所形成。
18.一种制造金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的方法，包括形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中所述下部部分形成所述挖空特征物的底部，所述上部部分形成所述挖空特征物的侧壁；以及使用二次溅射比率来沉积第一导电层，所述二次溅射比率使得所述挖空特征物的上部转角带斜面，以在所述挖空特征物中形成内陷的下部电极层。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括将电绝缘层沉积在所述第一导电层上；以及将第二导电层沉积在所述第一电绝缘层上。
20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述二次溅射比率大约为1.4到1. 6。
21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述挖空特征物带斜面的上部转角的至少一部分不包括第一导电层。
22.如权利要求18所述的方法，其特征在于，进一步包括在沉积所述第一导电层之前，执行溅射操作，以制造所述挖空特征物的上部转角的斜面区域。
23.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括将导电材料沉积在所述第二导电层上，并移除所述MIM电容器的上部部分以形成平坦化的MIM电容器，其中所述平坦化的MIM 电容器具有相对于上部电极层而言是内陷的下部分电极层，而所述上部电极层由保留的第二导电层所形成。
全文摘要
描述了用于形成具有带内陷电极的MIM电容器的存储器设备。在一个实施例中，用于形成带内陷电极的MIM电容器的方法包括形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，而上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法包括在特征物上沉积下部电极层，在下部电极层上沉积电绝缘层，以及在电绝缘层上沉积上部电极层，从而形成MIM电容器。该方法包括移除MIM电容器的上部部分以暴露电极层的上表面，并随后选择性地蚀刻电极层中的一个以使得电极层中的一个内陷。该内陷操作使电极彼此隔离，并减少了电极之间漏电通路的可能性。
文档编号H01L21/8242GK102473709SQ201080028743
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月18日 优先权日2009年12月23日
发明者C·J·杰泽斯基, J·M·斯特格沃德, N·林德特, S·J·凯廷, T·E·格拉斯曼 申请人:英特尔公司