专利名称：太阳能电池设备及其制造方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池设备及其制造方法。
背景技术：
用于通过光电转换将光能转化为电能的太阳能电池模块已被广泛用于获得对地球环境保护有利的清洁能源。随着太阳能电池光电转换效率的提高，具有太阳能电池设备的大量太阳能电池系统不仅被安装用于家用，并且还被安装在商业建筑的外部。换言之，采用光伏(PV)电池作为建筑装饰材料的BIPV(光伏建筑一体化)技术已引起公众的注意。在这种BIPV技术中，建筑装饰材料必须具有要求的性能并且必须基于自身发电向建筑供电。具体地，由于使用具有预定厚度的上衬底和下衬底作为太阳能电池模块的装饰材料，因此要求上衬底和下衬底重量轻。
发明内容
本发明提供薄且轻的太阳能电池设备。此外，本发明提供一种太阳能电池设备及其制造方法，其中，所述太阳能电池设备可以用作建筑的窗子，所述太阳能电池设备具有改进的外观并且易于制造。根据实施例，一种太阳能电池设备包括衬底以及在所述衬底上的太阳能电池。所述衬底包括在所述太阳能电池下面的支撑层；以及增强部，该增强部具有设置在所述支撑层下面以露出所述支撑层的下表面的开口区。根据实施例，一种太阳能电池设备包括衬底和设置在所述衬底上的太阳能电池。 所述衬底的下表面上设置有图案。根据实施例，一种太阳能电池设备制造方法包括在衬底上形成太阳能电池以及蚀刻衬底下部。在根据实施例的太阳能电池设备中，部分移除支撑太阳能电池的衬底下部。如上所述，部分移除衬底下部以形成开口区，从而可以形成支撑层和增强部。换言之，移除衬底的一部分，从而支撑衬底可以被移除约50%至约70%。在此情形中，当移除衬底的该部分时，增强部增强衬底的强度。因此，可以在维持机械强度的同时实现根据实施例的薄且轻的太阳能电池设备。由于衬底具有薄形状，因此当衬底包括聚合物时，衬底可以更有弹性。可以多方面地使用根据实施例的太阳能电池设备。在根据实施例的太阳能电池设备中，可以在衬底的下表面上形成图案。因此，图案导致漫反射从而防止光在根据实施例的太阳能电池设备的下表面上反射。具体地，当根据实施例的太阳能电池设备用于窗子时，衬底的下表面暴露于建筑内部。在此情形中，由于漫反射，图案可以防止后电极层通过衬底呈现在建筑内。换言之，在建筑内部，不呈现形成在衬底上的层的形状，并且可以保持一致的外观。因此，根据实施例的太阳能电池设备用作具有改进的良好视野的窗子。此外，当在衬底下表面形成图案时，可以从衬底下表面同时移除异物。因此，当形成根据实施例的太阳能电池设备时，不额外需要移除异物的过程。因此，可以容易地制造根据实施例的太阳能电池设备。
图1是示意性示出根据一个实施例的太阳能电池板的平面图；图2是沿图1的X-X，线截取的剖视图；图3是示出支撑衬底的背面的透视图；图4是示出根据另一实施例的太阳能电池板的支撑衬底的背面的透视图；图5至10是示出根据一个实施例的太阳能电池板制造方法的剖视图；图11是根据又一实施例的太阳能电池设备的剖视图；以及图12至15是根据又一实施例的太阳能电池设备制造过程的剖视图。
具体实施例方式在实施例的描述中，应该理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被表述为在其它衬底、其它层(或膜)、其它区域、其它衬垫、或其它图案的“上方”时，它可以“直接地”和“间接地”在其它衬底、层(或膜)、区域、衬垫、或图案上，或则可以存在一个或多个中间层。参照附图描述层的此种位置。为了方便和清楚的目的，可以夸大、省略或示意性绘制附图所示的各个层的厚度和尺寸。另外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。图1是示意性示出根据一个实施例的太阳能电池板的平面图，图2是沿图1的 X-X’线截取的剖视图。图3是示出支撑衬底的背面的透视图。参照图1至3，根据实施例的太阳能电池板包括支撑衬底100和多个太阳能电池 C1、C2...和 Cn。支撑衬底100具有板形形状。支撑衬底100可以是透明的或者可以是绝缘体。支撑衬底100可以是刚性或挠性的。支撑衬底100支撑太阳能电池C1、C2...和Cn。支撑衬底包括布置有太阳能电池 C1、C2...和Cn的中心区C和围绕中心区C的边缘区Ε。换言之，边缘区E中不布置太阳能电池C1、C2...和Cn。换言之，通过太阳能电池Cl、C2...和Cn可以区分中心区C和边缘区E。支撑衬底100包括支撑层110和增强部120。支撑层110具有板形形状以支撑太阳能电池C1、C2...和Cn。支撑层110布置在太阳能电池Cl、C2...和Cn下面。支撑层110具有约3mm至约25mm的厚度T2。增强部120被设置在支撑层110下面。增强部120可以与支撑层110 —体形成。 增强部120增加支撑层110的强度。具体地，当支撑衬底100被插入框架中时，增强部120 可以增加支撑衬底100的强度。
如图3所示，增强部120可以具有延伸得比较长的形状。详细地，增强部120可以具有闭环形状。增强部120可以具有沿支撑层110的外周部分延伸的形状。增强部120可以与边缘区E相对应地形成。增强部120具有露出支撑层110下表面的开口区OA。在此情形中，开口区OA可以与中心区C相对应。换言之，开口区OA的平面形状可以与中心区C的平面形状相对应。增强部120的厚度T3可以在约3mm至约25mm的范围内。支撑衬底110的厚度Tl， 艮口，增强部120的厚度T3和支撑层110的厚度T2之和，可以在约7mm至约35mm的范围内。 此外，支撑层110的厚度T2与增强部120的厚度T3的比率可以为约3 7至约7 3。增强部120的宽度可以根据支撑层110的尺寸改变。换言之，当支撑层110的面积增加时，增强部120的宽度增加。当支撑层110的面积减小时，增强部120的宽度可以减小。支撑衬底100可以包括玻璃衬底。详细地，支撑衬底100可以包括钠钙玻璃衬底。 因此，支撑层Iio和增强部120可以包括玻璃。详细地，支撑层110和增强部120可以包括玻璃。如图4所示，增强部120可以包括格子形式。换言之，增强部120可以包括第一增强部121、第二增强部122和第三增强部123。第一增强部121可以沿第一方向延伸，第二增强部122可以沿第二方向延伸。在此情形中，第一增强部121与第二增强部122交叉。详细地，第一增强部121可以与第二增强部122彼此垂直地交叉。第三增强部123将第一增强部121与第二增强部122连接。可以将第三增强部123 布置为与边缘区E相对应的闭环形状。详细地，第三增强部123可以具有矩形框架形状。第一增强部121、第二增强部122和第三增强部123可以彼此一体形成。详细地， 第一增强部121至第三增强部123及支撑层110可以彼此一体形成。将太阳能电池C1、C2...和Cn设置在支撑衬底100上。详细地，将太阳能电池Cl、 C2...和Cn设置在支撑层110上。将太阳能电池Cl、C2...和Cn布置在中心区C。太阳能电池Cl、C2...和Cn将其中接收的太阳光转化为电能。太阳能电池Cl、 C2...和Cn可以包括半导体化合物太阳能电池，诸如基于CIGS的太阳能电池、基于硅的太阳能电池或染料敏化太阳能电池。太阳能电池Cl、C2...和Cn可以彼此串联或并联连接。太阳能电池C1、C2...和Cn可以包括后电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层600。此外，太阳能电池Cl、C2...和Cn可以通过多个连接部彼此连接。后电极层200可以包括钼(Mo)。光吸收层300可以包括基于CIGS的P型半导体化合物。详细地，光吸收层300可以包括基于Cu-In-Gale的化合物(Cu(Inja)Sii2 ；CIGS)。由于支撑衬底100包括开口区0A，因此可以显著降低支撑衬底100的重量。换言之，可以通过移除玻璃衬底的下部形成包括开口区OA的支撑衬底100。因此，支撑衬底100的重量可以减小至玻璃衬底重量的约50%或更小。一般而言，太阳能电池板的重量基本等于支撑衬底100的重量。此外，由于在高温下执行太阳能电池Cl、C2...和Cn的形成过程，因此当形成太阳能电池Cl、C2...和Cn时支撑衬底100必须具有足够的厚度。
由于降低了支撑衬底100的重量，因此可以降低根据实施例的太阳能电池板的重量。此外，由于降低了中心区C的厚度，因此根据实施例的太阳能电池板可以实现为薄形。此外，即使降低了支撑衬底100的重量，但是增强部120增强了支撑层110的强度。因此，可以保持支撑衬底100的强度。同时，尽管已描述开口区OA具有一个凹槽的形式的实施例，但是开口区OA可以具有各种形式。例如，可以将开口区OA设置为具有直角转角的矩形形状。此外，可以将开口区OA 设置为具有弧形转角的半圆形形状。此外，开口区OA具有小的宽度并且可以设置至少一个开口区OA。因此，可以实现薄、轻且小的太阳能电池板。此外，由于支撑衬底100可以包括与支撑衬底100的薄相对应的更有韧性的材料和更有韧性的结构，因此支撑衬底100可以应用于各种领域。图5至10是示出根据一个实施例的太阳能电池板制造过程的剖视图。将通过参照对太阳能电池板的描述来描述太阳能电池的制造方法。换言之，对太阳能电池板的描述将与对太阳能电池板制造方法的描述合并。参照图5，在预备支撑衬底102上形成多个太阳能电池C1、C2...和Cn。在所述预备支撑衬底102上形成后电极层200。预备支撑衬底102具有板形形状。预备支撑衬底102可以包括玻璃衬底。此外， 预备支撑衬底102可以包括陶瓷衬底、金属衬底或聚合物衬底。例如，玻璃衬底可以包括钠钙玻璃或高应变点钠钙玻璃。金属衬底可以包括不锈钢或钛(Ti)。聚合物衬底可以包括聚酰亚胺衬底。预备支撑衬底102可以是透明的。预备支撑衬底102可以是刚性或挠性的。由于之后形成光吸收层300的过程可以在高温中执行，因此预备支撑衬底102必须具有足够的厚度。例如，预备支撑衬底110的厚度Tl可以在约7mm至约35mm的范围内。后电极层200可以包括诸如金属的导体。例如，可以通过采用钼(Mo)靶的溅射过程形成后电极层200。这是因为Mo显示高电导率，与光吸收层300形成欧姆接触以及在％ 气氛下显示高温稳定性。用作后电极层200的钼薄膜显示如电极一样的低电阻率。此外，由于钼薄膜不会因热导率差异而被剥离，因此钼薄膜具有相对于支撑衬底102的高粘附特性。同时，构成后电极层200的材料不限于此，而是可以包括掺杂Na离子的Mo。尽管未示出，但是后电极层200可以包括至少一层。当后电极层200包括多层时， 构成厚度层200的多层可以包括不同材料。在后电极层200中形成多个第一通孔P1，并且可以图案化后电极层200。第一通孔Pl可以露出预备支撑衬底102的上表面。光吸收层300形成在后电极层200上。光吸收层300包括基于I b_IUb-VH3的化合物。详细地，光吸收层300包括基于Cu (In，( ) Sii2 (CIGS)的化合物。另外，光吸收层300包括基于Cu InSe2(CIS)的化合物或基于CuGaSii2(CGS)的化合物。例如，为了形成光吸收层300，通过利用铜靶、铟靶和镓靶在后电极层200上形成基于CIG的金属前导层。之后，金属前导层通过硒化过程与％反应，由此形成基于CIGS的光吸收层300。此外，可以通过执行Cu、Irufe1和％的共蒸发过程形成光吸收层300。光吸收层300接收外部光并将光转化为电能。光吸收层300通过光电效应产生光
伏能量。之后，在光吸收层300上形成缓冲层400和高阻缓冲层500。可以在光吸收层300上形成至少一层缓冲层400。可以通过化学浴沉积(chemical bath deposition, CBD)利用硫化镉(CdS)形成缓冲层400。在此情形中，缓冲层400是N型半导体层，并且光吸收层300是P型半导体层。因此，光吸收层300和缓冲层400形成PN结。高阻缓冲层500可以形成为缓冲层400上的透明导电层。例如，高阻缓冲层500可以包括ΙΤ0、ZnO和i-&i0中的一种。高阻缓冲层500可以包括通过利用ZnO靶的溅射过程形成的氧化锌(SiO)层。缓冲层400和高阻缓冲层500插置在光吸收层300和之后形成的窗口层600之间。换言之，由于光吸收层300和窗口层600在晶格常数和能带隙上有很大差异，因此将具有以上两个层的中间带隙的缓冲层400和高阻缓冲层500插置在所述两个层之前，从而光吸收层300和窗口层600可以互相更好地结合。尽管根据本实施例在光吸收层300上形成两个缓冲层400，但是本实施例不限于此。换言之，可以设置单个缓冲层400。之后，穿过高阻缓冲层500、缓冲层400和光吸收层300形成多个第二通孔P2。第二通孔P2可以露出后电极层200的一部分。第二通孔P2可以与第一通孔Pl 相邻。随后，通过在高阻缓冲层500上层叠透明导电材料形成窗口层600.当形成窗口层600时，透明导电材料插入第二通孔P2，由此形成多个连接线700。通过溅射过程，窗口层600可以包括掺杂Al或Al2O3的氧化锌。由于窗口层600与光吸收层300形成PN结并用作太阳能电池整个表面的透明电极，窗口层600包括表现高透射率和优异电导率的aio。因此，窗口层600可以包括通过在SiO中掺杂Al或Al2O3而形成的低电阻电极。可以通过利用RF溅射法、使用Si靶的反应溅射法或金属有机化学气相沉积法沉积ZnO来形成用作窗口层600的ZnO层。窗口层600可以包括通过在ZnO薄膜上沉积表现良好电光特性的氧化铟锡(ITO) 薄膜而形成的双层结构。接着，穿过窗口层600、高阻缓冲层500、缓冲层400和光吸收层300形成多个第三通孔P3。第三通孔P3可以选择性地露出后电极层200。第三通孔P3可以与第二通孔P2相邻。通过第三通孔P3，按照各个太阳能电池，可以使光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层600彼此分开。换言之，第三通孔P3可以限定太阳能电池Cl、C2...和 Cn0参照图6，移除后电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层 600的外周部分。因此，形成中心区C和边缘区E。换言之，移除的外周部分与边缘区E相对应，并且用于太阳能电池C1、C2...和Cn 的剩余部分与中心区C相对应。被移除的外周部分被限定为第四通孔P4。换言之，通过第四通孔P4露出预备支撑衬底102的边缘区E。参照图7，在预备支撑衬底102的下表面上形成硬掩膜10。详细地，将硬掩膜10 设置在预备支撑衬底102下表面上与边缘区E相对应。例如，硬掩膜10可以包括金属材料、绝缘材料和聚合物材料之一。硬掩膜10用于在后面执行的蚀刻过程中选择性地保护预备支撑衬底102的下表面。参照图8和9，蚀刻预备支撑衬底102的下部，从而形成包括支撑层110和增强部 120的支撑衬底100。换言之，蚀刻预备支撑衬底102的下部以形成开口区OA。开口区OA可以与中心区C相对应。换言之，开口区OA可以以与中心区C相同的形状形成在与中心区C相同的位置处。通过选择性蚀刻预备支撑衬底102的下部可以形成开口区OA。换言之，开口区OA可以形成在预备支撑衬底102的下部除了硬掩膜10之外的区域。下面，将详细描述蚀刻预备支撑衬底102的下部的方法。如图8所示，通过框架10固定预备支撑衬底102。框架可以与预备支撑衬底102 的边缘区E结合。具体地，框架20固定预备支撑衬底102，同时与硬掩膜10和对应于边缘区E的预备支撑衬底102接触。如图6所示，将蚀刻溶液或蚀刻气体喷射在预备支撑衬底102的下表面上，从而蚀刻预备支撑衬底102的下部。因此，形成包括开口区OA的支撑衬底100。通过向预备支撑衬底102的下部供应蚀刻剂可以执行蚀刻过程。例如，将预备支撑衬底102浸入含有蚀刻剂的浴器中，从而可以蚀刻预备支撑衬底102。蚀刻剂可以包括基于氟化氢(HF)的蚀刻溶液。在此情形中，在预备支撑衬底102下表面上与边缘区域E相对应的区域形成硬掩膜10。因此，仅选择性蚀刻与边缘区E内侧相对应的预备支撑衬底102中心区C，从而可以形成开口区OA。此外，可以通过利用硬掩膜10作为蚀刻掩膜的干蚀刻过程形成开口区OA。在干蚀刻过程中，可以使用基于氟化氢的气体。尽管开口区OA形成在预备支撑衬底102下部的中心区C，而不形成在边缘区E，但是实施例不限于此。换言之，开口区OA可以具有弯曲的下表面。此外，在预备支撑衬底102的下表面中心区C设置用于形成开口区OA的至少一个硬掩膜10之后，可以执行蚀刻过程。因此，可以将预备支撑衬底102的下部蚀刻成所需形状。具体地，可以将预备支撑衬底102的下部如上所述地蚀刻成图4所示的形状。参照图10，可以通过典型的剥离过程移除硬掩膜10。
在典型的太阳能电池板中，具有板形形状的支撑衬底100的重量占太阳能电池板的大部分重量。由于根据本实施例选择性去除预备支撑衬底102，因此可以降低支撑衬底 100的重量。支撑衬底100的重量可以减小到预备支撑衬底102重量的约50%或更小。因此，根据实施例的太阳能电池板的整体重量被减小了，从而可以实现根据实施例的薄、轻且小的太阳能电池板。根据本实施例的太阳能电池板与太阳能电池设备相对应。因此，本实施例可应用于太阳能电池设备。图11是示出根据另一实施例的太阳能电池设备的剖视图。将参照关于前述实施例的描述对本实施例进行描述。换言之，将关于前述实施例的描述与关于本实施例的描述
口井O参照图11，根据本实施例的太阳能电池设备包括支撑衬底103、后电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层600。后电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层600可以构成一个或多个太阳能电池。换言之，根据实施例的太阳能电池设备包括支撑衬底103和设置在支撑衬底103上的一个或多个太阳能电池。支撑衬底103具有板形形状，以支撑后电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500和窗口层600。支撑衬底103可以包括绝缘体。支撑衬底103可以包括玻璃衬底或塑料衬底。详细地，支撑衬底103可以包括钠钙玻璃衬底。支撑衬底103可以是刚性或挠性的。图案130形成在支撑衬底103的下表面上。图案103可以具有各种形状。例如， 图案103可以包括随机地形成的突起图案。由于图案130，在支撑衬底103的下表面上可以发生漫反射。换言之，由于图案 130，支撑衬底103是半透明的。在支撑衬底103下表面中的照度可以在约0.008μπι至 0. 023 μ m的范围内。在支撑衬底103上设置后电极层200。后电极层200是导电层。构成后电极层200 的材料可以包括诸如Mo的金属。此外，后电极层200可以包括至少两层。在这种情形中，各个层可以包括相同材料或不同金属。可以在后电极层200上形成光吸收层300。光吸收层300可以包括I-III-V族化合物。例如，光吸收层300可以包括基于Cu-In-Gale的晶体结构(Cu(Inja)Sii2 ；CIGS)、 基于Cu-Inle的晶体结构或基于Cu-Gale的晶体结构。光吸收层300的带隙可以在约IeV至约1. SeV的范围内。在光吸收层300上设置缓冲层400。构成缓冲层400的材料可以包括CdS。缓冲层400可以具有约50nm至约150nm的厚度。此外，缓冲层400的带隙能量可以在约2. OeV 至约2. MV的范围内。在缓冲层400上设置高阻缓冲层500。高阻缓冲层500包括未掺杂有杂质的 I-ZnO0高阻缓冲层500具有在约3. IeV至约3. 3eV范围内的能带隙。在高阻缓冲层500上设置窗口层600。窗口层600是透明的，并且包括导电层。构成窗口层600的材料可以包括掺杂Al的SiO(AZO)。在根据实施例的太阳能电池设备中，图案130导致漫反射，由此防止光从下表面反射。具体地，当根据实施例的太阳能电池设备被用作窗子时，支撑衬底103的下表面暴露在建筑内侧。在此情形中，由于漫反射，图案130防止后电极层200通过支撑衬底103 显现在建筑中。换言之，在建筑内部，不显示形成在支撑衬底103上的各层的图案，而是可以保持均勻的外观。因此，根据本实施例的太阳能电池设备可以用作具有改进的外观的窗子。图12至15是示出根据另一实施例的太阳能电池设备制造过程的剖视图。将通过参照对前述实施例的太阳能电池设备的描述来描述本实施例的太阳能电池设备的制造方法。换言之，对前述实施例的太阳能电池设备的描述将与对本实施例的太阳能电池设备制造方法的描述合并。参照图12，通过在预备支撑衬底104上利用溅射过程沉积诸如Mo的金属形成后电极层200。可以通过具有不同过程条件的两个过程形成后电极层200。可以在预备支撑衬底104和后电极层200之间插置诸如防扩散层的额外层。参照图13，在后电极层200上形成光吸收层300。可以通过溅射过程或蒸发法形成光吸收层300。例如，可以通过各种方案形成光吸收层300，诸如，通过同时或分别蒸发Cu、Irufe1 和％形成基于Cu (In，Ga) Se2 (CIGS)的光吸收层300的方案，以及在形成金属前驱膜之后执行硒化过程的方案。关于在形成金属前驱层之后的硒化过程的细节，通过利用Cu靶、In靶或( 靶的溅射过程在后接触电极200上形成金属前驱层。之后，金属前驱层经历硒化过程，从而形成基于Cu (In，( ) (CIGS)的光吸收层 300。此外，可以同时执行利用Cu靶、In靶和( 靶的溅射过程以及硒化过程。此外，可以通过仅利用Cu靶和h靶或仅利用Cu靶和( 靶的溅射过程及硒化过程来形成CIS或CIG光吸收层300。在此情形中，异物301可能会附着到预备支撑衬底104的下表面上。例如，k可能会沉积在预备支撑衬底104的下表面上。具体地，由于％通过蒸发方法法沉积在后电极层200上，因此k还可以容易地沉积在预备支撑衬底104的下表面上。如图14所示，在光吸收层300上形成缓冲层400。可以通过CBD (化学浴沉积)方案形成缓冲层400。为了形成缓冲层400，通过利用过饱和溶液可以形成含有用于形成缓冲层400的过饱和离子的溶液。例如，溶液可以含有过饱和状态的Cd2+和S2—。详细地，所述溶液可以包含乙酸镉和硫脲，并且还可以包含缓冲剂和氨。之后，将光吸收层300浸入该溶液中。换言之，光吸收层300与溶液直接接触，从而通过化学反应在光吸收层300上形成缓冲层400。在此情形中，反应温度可以在约60°C 至约80°C的范围内。此外，反应时间可以在约10分钟至约15分钟的分为内。
之后，通过溅射过程在缓冲层400上沉积未掺杂杂质的氧化锌，从而形成高阻缓冲层500。接着，在高阻缓冲层500上形成窗口层600。为了形成窗口层600，在高阻缓冲层 500上层叠透明导电材料。所述透明材料可以包括掺杂铝(Al)的氧化锌(ZnO)。参照图15，在形成窗口层600之后，图案化预备支撑衬底104的下表面。因此，可以形成预备支撑衬底103，所述预备支撑衬底包括形成在其下表面上的精细图案130。此外，通过图案化过程从预备支撑衬底104的下表面移除异物301。预备支撑衬底104的下表面通过喷砂过程经历表面处理，从而可以形成图案130。 同时，可以移除异物301。换言之，在预备支撑衬底104的下表面上喷射细沙及压缩空气，并且蚀刻预备支撑衬底104的下表面，由此形成精细图案130。同时，通过砂移除异物301。在根据实施例的太阳能电池设备制造方法中，经由一个过程执行从预备支撑衬底 104的下表面移除异物和形成图案。此外，可以更容易地执行根据实施例的太阳能电池设备制造方法。如上所述，尽管分别描述了各个实施例，但是各个实施例可以彼此结合。在参照图 1至10描述的太阳能电池设备中，当蚀刻预备支撑衬底102的下部时，异物被从预备支撑衬底104的下表面移除。此外，随着对蚀刻预备支撑衬底102的下部进行蚀刻，在图1至10 的支撑衬底100下表面上，详细地，在支撑层110的下表面上，可以形成精细图案。在此说明书中，所涉及的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等表示联系所述实施例描述的具体特点、结构或特征包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中不同位置出现的这种短语不必都涉及同一实施例。此外，当联系任意实施例描述具体特点、结构或特征时，应该认为联系其它实施例实现这样的特点、结构或特征在本领域技术人员能力范围内。尽管参照本发明的说明性实施例描述了本发明，但是应该理解，本领域技术人员可以推导出的许多其它改进和实施例将落在本公开原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可以对所讨论的结合布局方式的组成部件和/或布局方式进行各种变型和改进。对于本领域技术人员来说，除了对组成部件和/或布局方式进行变型和改进之外，替换使用也是显然的。根据本发明的太阳能电池设备可应用于太阳能发电领域。
权利要求
1.一种太阳能电池设备，包括 衬底；以及在所述衬底上的太阳能电池，其中，所述衬底包括在所述太阳能电池下面的支撑层；以及增强部，该增强部被设置在所述支撑层下面并且具有用以露出所述支撑层的下表面的开口区。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述支撑层与所述增强部一体形成。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述增强部沿所述支撑层的外周部分延伸。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述支撑层的厚度与所述增强部的厚度之比为7 3至3 7。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述支撑层和所述增强部包括玻璃。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述增强部包括 沿一个方向延伸的第一增强部；以及与所述第一增强部一体形成同时与所述第一增强部交叉的第二增强部。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池设备，进一步包括与所述第一增强部和所述第二增强部连接的第三增强部，其中，所述第三增强部沿所述支撑层的外周部分延伸。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述增强部具有格子形式。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池设备，其中，所述衬底包括设置有所述太阳能电池的中心区，以及围绕所述中心区的边缘区，并且所述开口区与所述中心区相对应。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池设备，其中，所述增强部与所述边缘区相对应。
11.一种太阳能电池设备，包括 衬底；以及在所述衬底上的太阳能电池， 其中，所述衬底的下表面上设置有图案。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池设备，其中，所述衬底包括玻璃。
13.根据权利要求11所述的太阳能电池设备，其中，所述太阳能电池包括设置在所述衬底的上表面上的后电极，并且所述后电极包括不透明金属。
14.根据权利要求11所述的太阳能电池设备，其中，所述图案是突起图案。
15.一种太阳能电池设备的制造方法，所述方法包括 在衬底上形成太阳能电池；以及蚀刻所述衬底的下部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述衬底的下部包括 在所述衬底的下部上设置掩膜；以及通过利用所述掩膜蚀刻所述衬底的下部。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述掩膜被设置在所述衬底的外周部分。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述衬底的下部包括 固定所述衬底的外周部分；以及向所述衬底的下部喷射蚀刻剂。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述衬底的下部时使用基于氟化氢的蚀刻剂或精细颗粒。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，蚀刻所述衬底的下部包括在所述衬底的下表面上形成突起图案，其中，当在所述衬底的下表面上形成所述突起图案时，从所述衬底的下表面移除异物。
全文摘要
本发明公开一种太阳能电池设备。所述太阳能电池设备包括衬底；以及在所述衬底上的太阳能电池。所述衬底包括在所述太阳能电池下面的支撑层；以及增强部，该增强部被设置在所述支撑层下面并且具有用以露出所述支撑层的下表面的开口区。
文档编号H01L31/042GK102576759SQ201080043954
公开日2012年7月11日 申请日期2010年9月30日 优先权日2009年9月30日
发明者李昇烨, 林真宇 申请人:Lg伊诺特有限公司