专利名称：静电卡盘装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及静电卡盘装置，更详细地说，涉及适用于高频放电方式的等离子体处理装置的静电卡盘装置，该等离子体处理装置对电极施加高频而生成等离子体，并通过该等离子体对半导体晶圆等板状试料进行等离子体蚀刻等的等离子体处理。本申请基于2009年12月10日在日本申请的特愿2009-280672号而主张优先权，在此援引其内容。
背景技术：
以往，在1C、LSI、VLSI等半导体器件或液晶显示器等平板显示器(Flat Panel Display :FPD)等的制造工艺中的、蚀刻、堆积、氧化、溅射等处理中，为了使处理气体在较低的温度下进行良好的反应，多利用等离子体。例如，在使用了硅晶圆的半导体器件的蚀刻工序中，使用高频放电方式的等离子体蚀刻装置。然而，在该等离子体蚀刻装置中，产生硅晶圆的中央部的蚀刻特性和该硅晶圆的外周部的蚀刻特性不同的现象。因此，为了使该硅晶圆的蚀刻特性在面内均化，以包围该硅晶圆的方式在该硅晶圆的外侧配置环状的聚焦环。但是，即使在使用了聚焦环的情况下，在对硅晶圆进行等离子体蚀刻时，也会在硅晶圆的中央部和外周部之间产生温度差，硅晶圆的中央部的蚀刻率和外周部的蚀刻率因该温度差而产生差异。这种情况下，成为硅晶圆的面内的蚀刻结果不均匀的状态，因此会因该蚀刻引起的面内加工形状的不均匀，而存在所获得的半导体器件的特性的合格率下降的问题。为了解决这种问题，提出了如下构成的磁控管方式的等离子体蚀刻处理装置在聚焦环的内部的表面附近，以不露出到该表面的方式配置有温度检测器(专利文献I)。在该等离子体蚀刻处理装置中，平时由温度检测器检测聚焦环的温度，进行聚焦环的温度控制，从而控制成将聚焦环的温度保持在与硅晶圆相同的温度。从而，抑制了硅晶圆上和聚焦环上的自由基的表面反应差，抑制了硅晶圆的面内的蚀刻率的变动，改善了蚀刻的均匀性。在先技术文献专利文献专利文献I JP特开2002-164323号公报
发明内容
发明要解决的问题然而，在上述现有的在聚焦环设有温度检测器的等离子体蚀刻处理装置中，向硅晶圆照射等离子体时，为了使该等离子体照射所引起的聚焦环表面的升温速度慢于硅晶圆的面内的升温速度，在等离子体照射的初始阶段，将聚焦环的表面温度抑制得比硅晶圆的表面温度低。此外，在等离子体照射的最终阶段，聚焦环的表面温度反而变得比硅晶圆的表面温度高，因此在聚焦环和硅晶圆之间产生温度差，结果存在硅晶圆的面内温度也不稳定的问题。此外，在该等离子体蚀刻处理装置中，在等离子体照射时也可以使用冷却器来冷却聚焦环。但是，在该情况下，难以利用冷却器来调整聚焦环的因等离子体照射引起的温度上升，难以高精度地调整聚焦环的表面温度。这样一来，即使在聚焦环中设有温度检测器的情况下，也成为硅晶圆的面内的蚀刻结果不均匀的状态，因此会因该蚀刻引起的面内加工形状的不均匀，而存在所获得的半导体器件的特性的合格率下降的问题。进而，由于难以调整聚焦环的表面温度，因此在该聚焦环的表面温度低于硅晶圆的表面温度时，存在堆积物容易堆积到该聚焦环上的问题。本发明鉴于上述情况，其目的在于提供一种静电卡盘装置，在适用于等离子体蚀 刻装置等处理装置的情况下，通过调整以包围硅晶圆等板状试料的方式设置的聚焦环部的温度，能够将处理中的聚焦环部的温度保持一定，能够使板状试料的外周部的温度稳定，从而能够使板状试料的面内的蚀刻特性均化，能够防止堆积物堆积到聚焦环上。用于解决问题的手段本申请发明人为了解决上述问题而进行了锐意研究，发现了以下情况而完成了本发明若使得以包围静电卡盘部的方式设置的环状的聚焦环部构成为包括聚焦环、陶瓷板、由非磁性体构成的加热器部、以及向该加热器部供电的电极部，则通过调整该聚焦环部的温度，就能够将处理中的聚焦环部的温度保持一定，能够使硅晶圆等板状试料的外周部的温度稳定，从而能够使板状试料的面内的蚀刻特性均化，进而能够防止堆积物堆积到聚焦环上。即，本发明的静电卡盘装置包括以下方式。〈1> 一种静电卡盘装置，其特征在于，包括静电卡盘部，将一个主面作为放置板状试料的放置面，并且内置有静电吸附用内部电极；环状的聚焦环部，设置成包围上述静电卡盘部；和冷却基部，设置在上述静电卡盘部的另一主面侧，用于冷却上述静电卡盘部和上述聚焦环部，上述聚焦环部包括聚焦环；陶瓷板，设于该聚焦环和上述冷却基部之间；由非磁性体构成的加热器部，设于该陶瓷板和上述冷却基部之间；和电极部，向该加热器部供电。<2>根据上述〈1>所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板为环状陶瓷板、对环状陶瓷板在周向上进行分割而成的多个陶瓷片、以及对环状陶瓷板在半径方向上进行分割而成的多个环状陶瓷片中的任意一种。<3>根据上述〈1>或〈2>所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部为片状的加热器部。<4>根据上述〈1> 〈3>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部通过第I绝缘性粘接剂层固定于上述陶瓷板，并通过第2绝缘性粘接剂层固定于上述冷却基部，而且，通过上述第I绝缘性粘接剂层和第2绝缘性粘接剂层绝缘。<5>根据上述〈1> 〈4>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述冷却基部和上述加热器部之间设有绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。<6>根据上述〈1> <5>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述聚焦环部设置温度测定机构。<7>根据上述〈1> 〈6>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部的电导率为0. 5X106S/m以上且20X 106S/m以下，热膨胀率为0. 1X10—7K以上且100X10_6/K 以下。<8>根据上述〈1> 〈7>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部由钛或钛合金构成。<9>根据上述〈1> 〈8>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板具有绝缘性，且导热系数为lW/mK以上。〈10>根据上述〈1> 〈9>中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器 部和上述冷却基部之间的传热系数为400W/m2K以上且10000W/m2K以下。发明效果根据本发明的静电卡盘装置，以包围静电卡盘部的方式设置环状的聚焦环部，并通过聚焦环、设于该聚焦环和冷却基部之间的陶瓷板、设于该陶瓷板和冷却基部之间的由非磁性体构成的加热器和向该加热器供电的电极，构成上述聚焦环部。因此，通过加热器调整聚焦环部的温度，从而可以将处理中的聚焦环部的温度保持一定。因此，可以使硅晶圆等板状试料的外周部的温度稳定，从而可以使板状试料的面内的蚀刻特性均匀。此外，可以高精度地调整聚焦环的表面温度，因此可以消除该聚焦环的表面温度和板状试料的表面温度之间的温度差，可以防止堆积物堆积到该聚焦环上。
图I是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的剖视图。图2是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的一例的俯视图。图3是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的另一例的俯视图。图4是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的陶瓷环的形状的又一例的俯视图。图5是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的变形例的剖视图。符号说明I 静电卡盘装置2 静电卡盘部3 聚焦环部4 冷却基部11 电介质层Ila 上面12 绝缘层13 静电吸附用内部电极14 绝缘材料层
15供电用端子16绝缘子21聚焦环22导热片23陶瓷环(陶瓷板)24(第I)绝缘性粘接剂层25加热器26加热器电极27加热器绝缘子28(第2)绝缘性粘接剂层31流路32 34贯通孔35光温度计(温度测定机构)36 温度控制器37 加热器电源41 静电卡盘装置42、43冷却基部
具体实施例方式对本发明的静电卡盘装置的实施方式进行说明。另外，以下的各实施方式是为了更好地理解发明的宗旨而具体地进行说明的，若无特别指定，并不用于限定本发明。图I是表示本发明一实施方式的静电卡盘装置的剖视图，该静电卡盘装置I由以下部件构成静电卡盘部2 ;以包围该静电卡盘部2的方式设置的环状的聚焦环部3 ;和对这些静电卡盘部2和聚焦环部3进行冷却的冷却基部4。静电卡盘部2由以下部件构成圆形的电介质层11，将上面(一个主面)作为用于放置半导体晶圆等板状试料W的放置面；直径与电介质层11相同的圆形的绝缘层12，与该电介质层11的下面(另一主面)侧相对配置；直径比电介质层11及绝缘层12小的圆形的静电吸附用内部电极13，夹在该电介质层11和绝缘层12之间；环状的绝缘材料层14，在该静电吸附用内部电极13的外周侧设置成包围该静电吸附用内部电极13 ;供电用端子15，与该静电吸附用内部电极13的下面中央部连接，施加直流电压；和圆筒状的绝缘子16，通过覆盖该供电用端子15的周围而使其与外部绝缘。电介质层11和绝缘层12均优选为具有耐热性的陶瓷，作为该陶瓷，优选由从氮化铝(A1N)、氧化铝(A1203)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(Zr02)、硅铝氧氮陶瓷、氮化硼(BN)、碳化硅(SiC)选择的一种构成的陶瓷、或包含两种以上的复合陶瓷。尤其是，电介质层11由于上面Ila侧成为静电吸附面，因此优选选择特别是介电常数高的材质、且相对于静电吸附的板状试料W不会成为杂质的材质，例如优选包含4重量％以上且20重量％以下的碳化硅、余部为氧化铝的碳化硅-氧化铝复合烧结体。静电吸附用内部电极13使用厚度为10 ii m 50 ii m左右、具有导电性的平板状的陶瓷。该静电吸附用内部电极13的、静电卡盘装置I的使用温度下的体积电阻率优选为l.OX IO6 Q cm以下，更优选为I. 0 X IO4 Q cm以下。作为构成该静电吸附用内部电极13的导电性陶瓷，包括碳化硅(SiC)-氧化铝(Al2O3)复合烧结体、氮化钽(TaN)-氧化铝(Al2O3)复合烧结体、碳化钽(TaC)-氧化铝(Al2O3)复合烧结体、碳化钥(Mo2C)-氧化铝(Al2O3)复合烧结体等。绝缘材料层14用于将电介质层11和绝缘层12接合一体化，此外用于保护静电吸附用内部电极13免于遭受等离子体。作为构成该绝缘材料层14的材料，优选为主成份与电介质层11和绝缘层12相同的绝缘性材料，例如在电介质层11和绝缘层12由碳化硅-氧化铝复合烧结体构成时，优选为氧化铝(Al2O3X聚焦环部3由以下部件构成聚焦环21，由内径比静电卡盘部2的直径稍大且外径比冷却基部4的外径稍大的环状板材构成；环状的导热片22，贴附于该聚焦环21的下面，内径与聚焦环21的内径相同且外径比聚焦环21的外径小；环状的陶瓷环(陶瓷板)23，贴附于该导热片22的下面，内径和外径与导热片22基本相同；由非磁性体构成的加热器 25，经由片状的(第I)绝缘性粘接剂层24粘接在该陶瓷环23的下面；加热器电极26，接合在该加热器25的下面，向加热器25供电；和圆筒状的加热器绝缘子27，通过覆盖该加热器电极26的周围而使其与外部绝缘。该聚焦环部3经由(第2)绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4。该聚焦环21在等离子体蚀刻等处理工序中被控制成与板状试料W相同的温度，其材质例如在用于氧化膜蚀刻时优选使用多晶硅、碳化硅等。导热片22用于将来自被控制温度的陶瓷环23的热传递到聚焦环21，适用于导热系数高的片状物等。该导热片22为了良好地持续保持聚焦环21和陶瓷环23之间的热传导，使该导热片22介于聚焦环21和陶瓷环23之间时的传热系数需要为500W/m2K以上。在此，若传热系数不足500W/m2K，则高频施加时的聚焦环21的温度上升的影响变大，无法进行加热器25和冷却基部4对聚焦环21的温度控制，因此不优选。陶瓷环23例如为由氧化铝(A1203)、石英等构成的具有绝缘性的环状陶瓷板，其导热系数为lW/mK以上。若该导热系数不足lW/mK，则无法将来自加热器25的热经导热片22快速地传递到聚焦环21，在聚焦环21的表面温度和静电卡盘部2的表面温度之间产生温度差。因此，放置于静电卡盘部2的板状试料W的表面温度变得不稳定，结果无法使进行了各种处理的板状试料W的面内特性均化，因此不优选。该陶瓷环23除了图2所示的环状之外，也可以将多个圆弧状的陶瓷片、例如图3所示的圆弧状的陶瓷片23a 23d组合成环状，其中该多个圆弧状的陶瓷片是通过对环状的陶瓷板在周向上进行分割而成。或者，也可以将多个环状的陶瓷片、例如图4所示的环状的陶瓷片23e、23f组合成同心圆状，其中该多个环状的陶瓷片是通过对环状的陶瓷板在半径方向上进行分割而成。绝缘性粘接剂层24、28优选使用在_20°C 150°C的温度范围内具有耐热性的粘接剂，例如优选硅树脂、含有氧化铝或氮化铝等填料的硅树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂等。尤其是，在使用氧系等离子体时，优选对氧系等离子体的耐等离子体性优秀的硅树脂。
该绝缘性粘接剂层24、28可以是相同的材料，也可以是彼此不同的材料。此外，形状可以是片状的粘接材料，也可以是因热或紫外线照射而固化的液状的粘接剂等。总之，根据作为粘接对象的部件的材料组成、形状而适当选择使用即可。具体地说，例如，绝缘性粘接剂层24优选片状的环氧树脂，绝缘性粘接剂层28优选硅树脂。加热器25经由陶瓷环23将聚焦环21的温度以任意的升温速度加热到预定的温度，从而将聚焦环21的温度控制成与板状试料W相同的温度。为了充分发挥作为加热器25的功能，其电导率优选为0. 5X106S/m以上且20X 106S/m以下，更优选为0. 9X 106S/m以上且5X106S/m以下。此外，加热器25即使在反复进行升温和降温时，也需要不从陶瓷环23、冷却基部4剥离，因此其热膨胀率优选为0.1XIO-6A以上且iooxio_6/k以下，更优选为0.1XIO-6A以上且20X10_6/K以下，进一步优选为4X10—7K以上且10X10—7K以下。
该加热器25在应用于使用了高频(RF)的等离子体处理装置时，为了在施加高频(RF)时加热器自身不会因高频(RF)而自己发热，需要为非磁性材料，优选使用由片状的非磁性材料构成的导电体。作为这种导电体，例如包括钛箔、钛合金箔等。该加热器25的厚度优选为200 U m以下，更优选为120 ii m以下。通过使该加热器25的厚度为200 U m以下，在将该加热器25经由绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4时，可以使从陶瓷环23到冷却基部4为止的绝缘性粘接剂层28的厚度较薄。因此，可以减小该绝缘性粘接剂层28露出的端面中暴露于等离子体下的面积，结果可以减轻照射等离子体时等离子体对绝缘性粘接剂层28的损伤。该加热器25经由绝缘性粘接剂层24粘接到陶瓷环23的下面，并且经由绝缘性粘接剂层28粘接、固定到冷却基部4，进而，该加热器25不与冷却基部4接触而在良好地确保它们之间的间隔的状态下进行保持，并且在该间隔中填充绝缘性粘接剂。因此，能够良好地确保分别与陶瓷环23和冷却基部4之间的绝缘性，通过这些绝缘性粘接剂层24、28能够降低加热器25的热应力。冷却基部4设于静电卡盘部2和聚焦环部3的下侧，将该静电卡盘部2和聚焦环部3的温度控制为所希望的温度，并且兼具高频发生用电极。该冷却基部4由铝等导热性好的金属构成，在其内部形成用于使水或有机溶剂等冷却用介质循环的流路31，能够将放置于上述电介质层11的上面Ila的板状试料W的温度维持在所希望的温度。在该冷却基部4中形成于加热器25下侧的贯通孔32中固定加热器电极26和加热器绝缘子27，此外，在形成于该冷却基部4的中央部的贯通孔33中固定供电用端子15和绝缘子16，进而，在相对于冷却基部4的中心轴与贯通孔32相反侧的贯通孔34中固定有光温度计(温度测定机构)35，该光温度计35通过接受从陶瓷环23放射的光而直接测定陶瓷环23的温度。该光温度计35也可以构成为直接测定加热器25的温度，还可以构成为直接测定聚焦环21的温度。在该光温度计35上串联连接温度控制器36和加热器电源37，该加热器电源37与加热器电极26连接。在此，在想要获知陶瓷环23的温度时，只要该光温度计35检测从该陶瓷环23放射的光，就可以根据该光的波长频带直接获知陶瓷环23的温度。在此,光温度计35将与该光对应的温度的值转换成电信号,并向温度控制器36输出。在温度控制器36中,根据来自光温度计35的电信号将用于控制向加热器25施加的电力的控制信号向加热器电源37输出。在加热器电源37中,根据从温度控制器36输出的控制信号，向加热器25施加所控制的电力，而控制从该加热器25放射的热量。从而，可以通过加热器25经陶瓷环23将聚焦环21以任意的升温速度加热到预定的温度，并可以保持该温度。此外，当聚焦环21的温度通过等离子体而上升时，通过调整加热器25的输出来抑制聚焦环部3的温度上升，从而可以将该聚焦环部3的温度保持一定。该冷却基部4和陶瓷环23的间隔为绝缘性粘接剂层24、加热器25和绝缘性粘接剂层28之和、即IOOum- 500 u mo通过这样将绝缘性粘接剂层24、加热器25和绝缘性粘接剂层28层状地重叠，可以 使冷却基部4和陶瓷环23的间隔极窄，因此可以经由陶瓷环23高精度地将聚焦环21的温度控制为预定的温度。该冷却基部4和加热器25之间的传热系数优选为400W/m2K以上且10000W/m2K以下，更优选为1000W/m2K以上且4000W/m2K以下。通过使冷却基部4和加热器25之间的传热系数为上述范围，可以使加热器25中流过预定电流时的陶瓷环23的升温速度及冷却速度、和静电卡盘部2的升温速度及冷却速度基本一致。因此，可以使聚焦环21的升温速度及冷却速度与静电卡盘部2的升温速度及冷却速度基本一致。如上可知，可以利用加热器25调整聚焦环21的温度，可以将处理中的聚焦环21的温度保持一定。因此，可以使硅晶圆等板状试料W的外周部的温度稳定，从而可以使板状试料W的面内的蚀刻特性均匀。此外，可以高精度地调整聚焦环21的表面温度，因此可以消除该聚焦环21的表面温度和放置于静电卡盘部2上的板状试料W的表面温度之间的温度差，从而可以防止堆积物堆积到该聚焦环21上。如上所述，根据本实施方式的静电卡盘装置，将加热器25设在陶瓷环23和冷却基部4之间，因此可以减轻加热器25发热时对陶瓷环23的应力。此外，加热器25未被内置到陶瓷中，因此可以简化制造工序，还可以降低制造成本。由于将加热器25设为非磁性体，因此在对该加热器25施加高频时也无因该高频而发热之虞。因此，在施加高频时也可以避免自身发热。将加热器25经由绝缘性粘接剂层24、28固定到陶瓷环23和冷却基部4，因此在陶瓷环23和冷却基部4之间存在绝缘性粘接剂层24、28，可以缓和因加热器25的热膨胀而引起的热应力，并且可以缓和因陶瓷环23和冷却基部4的热膨胀而引起的热应力。进而，在冷却基部4的贯通孔34中固定有直接测定陶瓷环23的温度的光温度计35，因此可以防止陶瓷环23的热经由光温度计35逃逸到冷却基部4。此外，通过光温度计35直接测定陶瓷环23的温度，因此不用担心受到来自加热器25的发热的影响，可以正确地测定陶瓷环23自身的温度。此外，为了提高冷却基部4和加热器25之间的绝缘性，还可以在冷却基部4和加热器25之间设置绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
此外，在聚焦环21和陶瓷环23之间设有导热片22，但也可以替代导热片22而构成为使氦气等流动。此外，作为通过光温度计35直接测定温度的对象，不限于陶瓷环23，也可以直接测定聚焦环21或导热片22的温度。图5是表示本实施方式的静电卡盘装置的变形例的剖视图，该静电卡盘装置41与上述静电卡盘装置I的不同点在于，将冷却基部分割为用于冷却静电卡盘部2的具有厚度的圆板状冷却基部42、和为了冷却聚焦环部3而以包围冷却基部42的方式设置的具有厚度的环状冷却基部43。除此之外，与上述静电卡盘装置I完全相同。根据该静电卡盘装置41，设有用于冷却 静电卡盘部2的具有厚度的冷却基部42和用于冷却聚焦环部3的冷却基部43，因此可以通过冷却基部42单独冷却静电卡盘部2、通过冷却基部43单独冷却聚焦环部3，可以提高静电卡盘部2和聚焦环部3各自的温度控制性。
权利要求
1.一种静电卡盘装置，其特征在于， 包括静电卡盘部，将一个主面作为放置板状试料的放置面，并且内置有静电吸附用内部电极； 环状的聚焦环部，设置成包围上述静电卡盘部；和 冷却基部，设置在上述静电卡盘部的另一主面侧，用于冷却上述静电卡盘部和上述聚焦环部， 上述聚焦环部包括聚焦环；陶瓷板，设于该聚焦环和上述冷却基部之间；由非磁性体构成的加热器部，设于该陶瓷板和上述冷却基部之间；和电极部，向该加热器部供电。
2.根据权利要求I所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板为环状陶瓷板、对环状陶瓷板在周向上进行分割而成的多个陶瓷片、以及对环状陶瓷板在半径方向上进行分割而成的多个环状陶瓷片中的任意一种。
3.根据权利要求I或2所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部为片状的加热器部。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部通过第I绝缘性粘接剂层固定于上述陶瓷板，并通过第2绝缘性粘接剂层固定于上述冷却基部，而且，通过上述第I绝缘性粘接剂层和第2绝缘性粘接剂层绝缘。
5.根据权利要求I 4中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述冷却基部和上述加热器部之间设有绝缘性的陶瓷膜或绝缘性的有机薄膜。
6.根据权利要求I 5中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，在上述聚焦环部设置温度测定机构。
7.根据权利要求I 6中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部的电导率为0. 5 X 106S/m以上且20 X 106S/m以下，热膨胀率为0. I X KT6A以上且100 X 1(T6/K以下。
8.根据权利要求I 7中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部由钛或钛合金构成。
9.根据权利要求I 8中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述陶瓷板具有绝缘性，且导热系数为lW/mK以上。
10.根据权利要求I 9中任一项所述的静电卡盘装置，其特征在于，上述加热器部和上述冷却基部之间的传热系数为400W/m2K以上且10000W/m2K以下。
全文摘要
本发明提供一种静电卡盘装置，其由以下部件构成静电卡盘部；环状的聚焦环部，设置成包围该静电卡盘部；和冷却基部，冷却该静电卡盘部和聚焦环部。聚焦环部包括环状的聚焦环、环状的导热片、环状的陶瓷环、非磁性体的加热器以及向该加热器供电的电极部。
文档编号H01L21/3065GK102741996SQ20108005619
公开日2012年10月17日 申请日期2010年12月8日 优先权日2009年12月10日
发明者佐佐木康晴, 佐藤隆, 增泽健二, 小坂井守, 早原龙二, 河野仁, 真壁晓之, 石村和典 申请人:东京毅力科创株式会社, 住友大阪水泥股份有限公司