专利名称：半导体封装用厚胶膜旋涂方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，具体为一种用以在半导体晶片上通过两次特殊方式的覆盖旋涂方法，获得半导体厚道封装用厚胶膜的旋涂方法，具体为在半导体封装厚胶涂胶方法特殊的二次涂胶方式，通过两次不同胶膜厚度和形式进行互补，达到最终封装用厚胶胶膜的均一性。
背景技术：
目前，公知的半导体封装厚胶涂胶工艺需要二次涂胶，通常的涂胶方式会造成二次涂胶后，晶片中间厚度高于两边厚度，这是因为二次涂胶不同于一次涂胶成膜工艺，一次涂胶成膜工艺底片为晶片，不会和光刻胶发生二次融合作用，然而二次涂胶工艺由于是在之前的胶膜基础上进行二次涂胶，第二次的涂胶胶膜会和第一次的涂胶胶膜发生二次融合物理作用，尤其是中心滴胶，晶片中部的胶液和之前的胶膜融合时间最长，造成涂胶时中间溶剂消耗较快，边缘溶剂消耗较慢，形成溶剂的浓度梯度差，照成涂胶中间明显后于两边。
发明内容
为了克服上述的种种不足，本发明的目的在于提供一种半导体封装用厚胶膜旋涂方法，解决现有技术胶膜中间厚，两边薄，不能满足厚胶工艺需求。本发明的技术方案是一种半导体封装用厚胶膜旋涂方法，旋涂装置的晶片吸附于真空吸盘上，滴胶管路设置于晶片的上方；第一次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转，使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第一次涂胶胶膜中间薄两边厚；第二次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第二次涂胶胶膜中间厚两边薄；两次涂胶结果互补，形成最终胶膜厚度的均一。所述的半导体封装用厚胶膜旋涂方法，第一次涂胶时，根据胶的种类和粘度，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm ；第二次涂胶时，根据胶的种类和粘度，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm ；滴胶管路出口与晶片之间的距离范围为5_30mm，晶片直径范围为6英寸、8英寸或12英寸。所述的半导体封装用厚胶膜旋涂方法，第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶；第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶， 即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。本发明的优点及有益效果是1、本发明不改变原有的涂胶结构，只是通过工艺调节达到工艺要求，节省设备改造成本。2、本发明工艺调试简单，只需要改变涂胶和甩胶时晶片的旋转速度，即可达到如上所述的工艺要求。
总之，本发明用以在半导体晶片上通过两次特殊方式的覆盖旋涂方法，达到半导体封装用厚胶膜的旋涂工艺需求，具体为通过控制两次旋涂胶膜厚度的相反和互补，达到最终胶膜厚度均一性结果。第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶，第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。本发明通过两次特殊如上所述特殊涂胶方式， 可以实现厚高粘度胶膜封装工艺的涂胶需求，解决了二次涂胶工艺的缺陷。本发明通过改变原有的正常涂胶方式，改变第一次涂胶的中间厚度，使中间变薄，减小二次涂胶融合的困难因素，即第一次胶膜中间厚度，达到最终膜厚均一的要求。
图1是本发明第一次涂胶示意图。图2是本发明第二次涂胶示意图。图中，1滴胶管路；2晶片；3真空吸盘；4第一次涂胶胶膜；5第二次涂胶胶膜。
具体实施例方式如图1-2所示，旋涂装置为常规技术，主要包括滴胶管路1、晶片2、真空吸盘3， 晶片2吸附于真空吸盘3上，滴胶管路1设置于晶片2的上方。第一次涂胶时，中心滴胶， 通过真空吸盘吸住晶片旋转，使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第一次涂胶胶膜4中间薄两边厚的要求。第二次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第二次涂胶胶膜5中间厚两边薄的要求。两次涂胶结果互补，形成最终胶膜厚度的均一。本发明中，第一次涂胶时，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm ；第二次涂胶时，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm ；滴胶管路1出口与晶片2之间的距离范围为 5-30mm,晶片2直径范围为6英寸、8英寸或12英寸。本发明通过控制两次旋涂胶膜厚度的相反和互补，达到最终胶膜厚度均一性结果。第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶，第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。实施例1本实施例中，第一次涂胶时，正性光刻胶粘度为300厘泊，真空吸盘的旋转速度为 1200rpm ；第二次涂胶时，正性光刻胶粘度为300厘泊，真空吸盘的旋转速度为1200rpm ；滴胶管路1出口与晶片2之间的距离为15mm，晶片2直径为8英寸。实施例2本实施例中，第一次涂胶时，负性光刻胶粘度为4000厘泊，真空吸盘的旋转速度为1500rpm ；第二次涂胶时，负性光刻胶粘度为4000厘泊，真空吸盘的旋转速度为1600rpm ； 滴胶管路1出口与晶片2之间的距离为10mm，晶片2直径为12英寸。实施例3
本实施例中，第一次涂胶时，负性光刻胶粘度为1500厘泊，真空吸盘的旋转速度为3000rpm ；第二次涂胶时，负性光刻胶粘度为1500厘泊，真空吸盘的旋转速度为^OOrpm ； 滴胶管路1出口与晶片2之间的距离为20mm，晶片2直径为8英寸。实施例结果表明，本发明通过中心滴胶旋转涂胶，在涂胶速度和甩胶速度上的控制，来达到第一次涂胶胶膜的中间略薄，边缘略厚。本发明通过中心滴胶旋转涂胶，在涂胶速度和甩胶速度上的控制，来达到第二次涂胶胶膜的中间略厚，边缘略薄。通过两次涂胶的厚度互补，达到最终胶膜厚度的均一性。
权利要求
1.一种半导体封装用厚胶膜旋涂方法，其特征在于旋涂装置的晶片吸附于真空吸盘上，滴胶管路设置于晶片的上方；第一次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转，使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第一次涂胶胶膜中间薄两边厚；第二次涂胶时，中心滴胶，通过真空吸盘吸住晶片旋转使胶膜全部覆盖在晶片上，通过调节不同的旋转速度达到第二次涂胶胶膜中间厚两边薄；两次涂胶结果互补，形成最终胶膜厚度的均一。
2.按照权利要求1所述的半导体封装用厚胶膜旋涂方法，其特征在于第一次涂胶时， 根据胶的种类和粘度，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm ；第二次涂胶时，根据胶的种类和粘度，真空吸盘的旋转速度范围为200-6000rpm;滴胶管路出口与晶片之间的距离范围为5-30mm，晶片直径范围为6英寸、8英寸或12英寸。
3.按照权利要求1所述的半导体封装用厚胶膜旋涂方法，其特征在于第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶；第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。
全文摘要
本发明涉及半导体领域，具体为一种用以在半导体晶片上通过两次特殊方式的覆盖旋涂方法，获得半导体厚道封装用厚胶膜的旋涂方法，具体为在半导体封装厚胶涂胶方法特殊的二次涂胶方式，通过两次不同胶膜厚度和形式进行互补，达到最终封装用厚胶胶膜的均一性。第一次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变厚的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凹的图形方式涂胶，第二次涂胶控制在胶膜厚度为通过晶片中心向晶片边缘变薄的趋势方式涂胶，即为通过中心点的晶片上胶膜剖面呈现向下凸的图形方式涂胶。本发明通过两次特殊如上所述特殊涂胶方式，可以实现厚高粘度胶膜封装工艺的涂胶需求，解决了二次涂胶工艺的缺陷。
文档编号H01L21/56GK102259083SQ201110022450
公开日2011年11月30日 申请日期2011年1月19日 优先权日2011年1月19日
发明者王阳, 胡延兵 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司