专利名称：基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及对平板显示器(FPD)、太阳能电池等的基板进行加热的基板加热装置和基板加热方法，以及对基板进行加热处理的基板处理系统。
背景技术：
在FPD、太阳能电池等的基板的制造过程中，存在成膜处理等加热处理。作为使这样的加热处理有效地进行的系统，已知有具备多个处理单元和一个或多个预备加热单元的多腔室型的基板处理系统(例如专利文献1)。在这样的多腔室型基板处理系统中，将基板在预备加热单元加热至处理温度附近的温度后搬送至各处理单元。在这种情况下，在预备加热单元中的升温所需要的时间对生产性造成影响，因此，要求以尽可能的高速进行升温，此外，为了防止基板的翘曲而要求均勻地升温和在到达规定的温度时温度稳定。作为将基板急速地加热并控制在规定的温度的方法，已知有使用灯等利用放射热的热源的方法。此外，已知有在将电阻加热器作为热源设置的载置台上载置基板，利用热传递、热传导的加热方法。专利文献1 日本特开平11-312727号公报在这些加热方法中、利用灯等放射热的方法的情况下，因为能够在瞬间进行热传递的控制，所以能够使基板高速升温，并且能够获得温度均勻性和温度稳定性，但是在以灯等为热源的情况下，热源会非常昂贵，在要求抑制装置成本的情况下难以使用。此外，在将电阻加热器用作热源的加热方法的情况下，难以进行瞬间的热传递的控制，热源的温度不得不升至希望使基板升到的温度附近，此外，微观地看，在基板存在与载置台直接接触的部分和不接触的部分，在它们之间热传递性不同，因此，在前者中存在由于温度过冲而难以获得温度稳定性的问题，在后者中存在由于热传递性不同而不能确保温度均勻性、容易发生基板的翘曲的问题，难以高速地升温。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种基板加热装置和基板加热方法，该基板加热装置和基板加热方法能够不提高装置成本而确保基板的面内温度的均勻性和温度稳定性，并且能够高速地升温。此外，其目的还在于提供一种基板处理系统，该基板处理系统使用上述那样的基板加热装置对基板进行包括加热的处理。为了解决上述问题，在本发明的第一方面，提供一种基板加热装置，其特征在于， 包括在减压状态下能够保持的容器；在上面具有多个基板支承销，以与上表面之间设有间隙的状态载置基板的基板载置台；
经由上述基板载置台对基板进行加热的加热器；调整上述容器内压力的压力调整机构；通过控制上述加热器的输出而控制上述基板载置台温度的温度控制部；和通过控制上述压力调整机构而控制上述容器内压力的压力控制部，当在上述载置台上载置有基板时，上述压力控制部将上述容器内的气体压力控制为通过气体能够进行热传递的第一压力，当基板温度达到规定的温度时，将上述容器内的气体压力控制为实质上不通过气体进行热传递的压力。在上述第一方面中，上述压力调整机构具有将压力调整气体导入上述容器的压力调整气体供给机构；对上述容器进行排气的排气机构；控制向上述容器内供给压力调整气体的流量控制器；和控制上述容器排气的压力控制阀。此外，优选上述第一压力为ITorr以上。此外，优选上述第二压力为IOOmTorr以下。优选上述基板支承销的高度可改变的结构，通过调节上述基板支承销的高度，调节基板下面与上述载置台上面之间的距离。在这种情况下，上述支承销具有螺纹部，该螺纹部被旋拧在上述基板载置台上，通过旋转上述支承销，能够调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。此外，优选具有多个上述基板载置台，将多个基板一并加热。由此能够高效地进行基板的加热。在本发明的第二方面提供一种基板加热方法，在减压状态下能够保持的容器内， 以与基板载置台的上面留有间隙的状态将基板载置在上面具有多个基板支承销的基板载置台上，经由所述基板载置台通过加热器对基板进行加热，该基板加热方法的特征在于当基板被载置在上述载置台时，将上述容器内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力而使基板升温，当基板的温度达到规定的温度时，将上述容器内的气体压力控制为实质上不发生通过气体进行热传递的压力而将基板的温度保持在设定温度。在上述第二方面中，优选上述第一压力为ITorr以上。此外，优选上述第二压力为 IOOmTorr 以下。此外，优选通过调节上述基板支承销的高度来调节基板下面与上述载置台上面之间的距离。在本发明的第三方面提供一种基板处理系统，其特征在于，包括在减压气氛下对基板施加规定的处理的多个处理室；收容在上述处理室进行处理的基板，在将基板搬送到处理室之前在减压气氛下加热基板的上述第一方面的基板加热装置；收容在上述处理室进行处理的基板，在将基板搬送到处理室之前将基板保持在减压气氛中的真空预备室；和与上述多个处理室、上述加热装置、上述真空预备室连接，在真空预备室、上述多个处理室、上述真空预备室之间设置有搬送基板的基板搬送装置且被保持在减压气氛中的共同搬送室，其中，
通过上述基板搬送装置，将基板从上述真空预备室搬送至上述加热装置对基板进行预备加热，并将被预备加热的基板搬送到上述处理室的任何一个施加规定的处理。根据本发明，使基板与基板载置台的上面呈离隔的状态，控制为在升温时使容器内的压力为第一压力，利用通过气体的热传递加热基板，在保持温度时实质上不发生通过气体的热传递的压力。由此，能够在确保基板温度的面内均勻性的同时使基板迅速地升温， 并且能够不产生过冲等、以高度的温度稳定性将基板保持在设定温度。此外，因为利用电阻加热型的加热器加热基板，所以能够避免使用灯加热的情况下那样的装置成本高的问题。
图1是概略地表示装载有本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置) 的基板处理系统的平面图。图2是表示图1的基板处理系统的基板搬送装置的概略图。图3是表示本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置)的垂直截面图。图4是表示本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置)的水平截面图。图5是表示本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置)中使用的基板载置台的主要部分的截面图。图6是表示本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置)的基板的温度变化曲线的图。符号说明1基板处理系统10共同搬送室20预备加热室(基板处理装置)30a、30b 处理室40负载锁定室50基板搬送装置51a、51b、51c 基板支承臂61、62、63、64 闸阀70控制部81 容器84a.84b.84c基板载置机构86基板载置台87加热器88基板升降机构101加热器电源102热电偶103加热器控制器112气体供给配管
113压力调整气体供给源114质量流量控制器122排气配管123自动压力控制阀(APC)124排气装置131压力计132压力控制器G 基板
具体实施例方式以下参照附图对本发明的实施方式进行说明。在所参照的所有图中，对相同的部分标注相同的参照符号。图1概略地表示装载有本发明的一个实施方式的预备加热室(基板加热装置)的基板处理系统的平面图。该基板处理系统1例如作为对矩形基板形成规定的膜的成膜系统构成，其中，该矩形基板作为如液晶显示器(LCD)那样的FPD用玻璃基板或太阳能电池用玻璃基板使用。如图1所示，基板处理系统1包括共同搬送室10 ；构成对与该共同搬送室10连接的基板G进行预备加热的预备加热装置的预备加热室20 ；构成在基板G上形成规定的膜的成膜装置的处理室30a、30b ；在配置于大气侧的基板收容容器(未图示)和被保持为真空的共同搬送室10之间交换基板G的负载锁定室40 ；和设置在共同搬送室10内，搬送基板G的基板搬送装置50。共同搬送室10的平面形状为矩形，预备加热室20、处理室30a、 30b、负载锁定室40分别经闸阀61、62a、62b、63与共同搬送室10的各个侧面连接。此外， 在负载锁定室40的大气侧设置有闸阀64。另外，在本例中，共同搬送室10的平面形状为矩形，但是，也可以将共同搬送室10的平面形状构成为多角形，例如六角形或八角形，追加预备加热室、处理室或负载锁定室。在本例中，共同搬送室10、预备加热室20、处理室30a、30b作为真空腔室构成，被保持为规定的减压气氛。此外，作为真空预备室的负载锁定室40是用于在配置于大气侧的基板收容容器(未图示)与被保持为真空的共同搬送室10之间交换基板G的部件，能够在大气气氛与减压气氛之间切换。该基板处理系统1以在高度方向上水平地一次载置多个、例如三个基板G进行处理的方式构成，从外部的基板收容容器通过未图示的大气侧搬送装置经间阀64向负载锁定室40搬入多个基板G，被搬入的基板G从负载锁定室40经间阀63被搬送到共同搬送室 10，从该共同搬送室10经间阀61被搬送到预备加热室20，从该预备加热室20经间阀6 或62b被搬送到处理室30a或30b。然后，在处理室30a或30b处理结束的基板G从处理室30a或30b经闸阀6 或62b被搬送到共同搬送室10，从该共同搬送室10经闸阀63被搬送到负载锁定室40，完成处理的基板G从负载锁定室40被搬出。另外，在本例中处理室 30a和处理室30b是进行相同的成膜处理的处理室，但是也可以作为进行不同的成膜处理的处理室构成。即，也可以在处理室30a处理第一成膜工序，将接着进行的第二成膜工序在处理室30b连续处理。
基板搬送装置50是用于在共同搬送室10与预备加热室20、处理室30a、30b和负载锁定室40这些机构相互间将多个、例如三个基板G —并搬送的装置，如图2所示，在垂直方向上排列的三个基板支承臂51a、51b、51c以在能够旋转的基底部件52上直线行进的方式构成，由此，能够通过进入退回动作和旋转动作进出预备加热室20、处理室30a、30b和负载锁定室40。另外，符号53是用于实现基底部件52的旋转动作等的驱动系统。基板处理系统1的各构成部通过控制部(计算机)70进行控制。控制部70具有具备微处理器的过程控制器71，该过程控制器71连接有操作者进行用于管理基板处理系统1的命令的输入操作等的键盘、以可视的方式显示基板处理系统1的工作状况的显示器等构成的用户界面72 ；和存储有用于通过过程控制器71的控制实现在基板处理系统1中执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使基板处理系统1执行规定的处理的控制程序、处理工序的存储部73。存储部73具有存储介质，处理工序等被存储在该存储介质。 存储介质既可以是硬盘、半导体存储器，也可以是CD-ROM、DVD、闪存等容易移动的存储介质。处理工序等根据需要由来自用户界面72的指示等从存储部73读出，使过程控制器71 执行，由此，在过程控制器71的控制下，进行在基板处理系统1中的期望的处理。在以上那样构成的基板处理系统1中，首先，打开闸阀64，通过大气侧基板搬送装置(未图示)将多个、例如三个未处理的基板G搬入大气气氛的负载锁定室40，关闭闸阀 64，使负载锁定室40内为减压气氛。然后，打开闸阀63，使基板搬送装置50的基板支承臂 51a、51b、51c—并进入负载锁定室40内，接收被搬入负载锁定室40内的未处理的基板G。 接着，使基板搬送装置50的基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀63。 接着，使基板搬送装置50的基底部件52旋转，使得基板支承臂51a、51b、51c与预备加热室 20相对。接着，打开闸阀61，使基板支承臂51a、51b、51c进入预备加热室20，将未处理的基板G搬送到预备加热室20。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀61后，在预备加热室20开始基板G的预备加热。预备加热结束后，打开闸阀61，使基板支承臂51a、51b、51c进入预备加热室20，接收完成预备加热的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀61。接着，使基底部件52旋转，使得基板支承臂51a、51b、51c与处理室30a或30b相对。接着，打开闸阀6 或62b，使基板支承臂 51a.51b.51c进入处理室30a或30b，将完成预备加热的基板G搬送到处理室30a或30b。 接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀6 或62b，开始进行处理室30a或30b中的处理。处理结束后，打开闸阀6 或62b，使基板支承臂51a、51b、51c 进入处理室30a或30b，接收完成处理的基板G。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀6 或62b。接着，使基底部件52旋转，使得基板支承臂51a、51b、 51c与负载锁定室40相对。接着，打开闸阀63，使基板支承臂51a、51b、51c进入负载锁定室40，将完成处理的基板G搬送到负载锁定室40。接着，使基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀63，使负载锁定室40内为大气气氛。然后，打开闸阀64，通过大气侧基板搬送装置(未图示)将完成处理的基板G从负载锁定室40搬出。接着，对预备加热室(基板加热装置)20进行详细说明。图3是表示预备加热室 20的垂直截面图，图4是其水平截面图。预备加热室20具有容器81，在容器81的侧壁设置有能够与被保持为真空的共同搬送室10连通的开口 82。而且，开口 82能够通过闸阀61进行开闭。
在容器81内，用于载置三个基板G进行加热的三个基板载置机构84a、84b、8 在垂直方向上等间隔地配置。基板载置机构84a、84b、8 的平面形状为与基板G对应的矩形，具有载置基板G 的金属制基板载置台86。基板载置台86在水平方向上被分割为两部分，在这些分割片之间设置有加热器87。各分割片的厚度为基板载置台86自身不会由于加热器87的热而翘曲的厚度，例如15mm左右。在基板载置台86的上面设置有用于以与基板载置台86的上面分开的状态载置基板G的基板支承销86a，该基板支承销86a设置有多个，例如图4所示那样设置有13个。该基板支承销86a例如由聚醚醚酮(PEEK :poly ether ether ketone)那样的树脂构成，例如具有M3的尺寸。此外，如图5所示，该基板支承销86a具有阳螺纹部86b，该阳螺纹部86b与在基板载置台86的上面形成的阴螺纹部86c螺合，能够通过使基板支承销 86a旋转调整基板G与基板载置台86的上面之间的距离(gap)D (参照图5)。距离D例如能够设定为0. 8mm。在设置有基板载置台86的加热器87连接有加热器电源101，通过从加热器电源 101向加热器87供电，加热器87发热，基板载置台86上的基板G被加热至规定温度。在基板载置台86的上面附近埋设有热电偶102。热电偶102的信号被传送给加热器控制器 103。然后，加热器控制器103根据热电偶102的信号向加热器电源101发送指令，控制加热器87的加热，将基板载置台86控制为规定的温度。基板载置机构84a、84b、8 的基板载置台86通过连结部件89与垂直地延伸的多个框架90连结。框架90安装在容器81的底部。在基板载置机构84a、84b、8k上，在基板载置台86的上部的两方的长边端部，一对基板升降部件88在被载置基板载置台86的状态下，以成为基板载置台86的一部分的方式设置，其中，该基板升降部件形成为梳齿形状，用于支承基板G使该基板G升降。而且，基板升降部件88的上面与基板载置台86的上面构成相同高度的面。另外，在本例中基板载置台86采用金属制，但是也可以采用陶制。如图4所示，基板载置机构84a、84b、8 的各基板升降部件88以各被两个支承棒 93支承的方式构成，这些支承棒93与连结部件94连结。而且，与配置为三级的基板升降部件88对应的两个连结部件94分别与在垂直方向上延伸的两个连结轴95连结。两侧各两个、合计四个连结轴95穿透容器81的底部向下方延伸，被水平地设置的支承板96支承。 而且，支承板96能够通过两个圆筒机构97升降，基板升降部件88随着该支承板96的升降而升降。在容器81的底壁形成有气体导入口 111，在那里连接有气体供给配管112。在该气体供给配管112连接有压力调整气体供给源113。在气体供给配管112设置有质量流量控制器114，以及其前后的开闭阀115，其中，该质量流量控制器114是控制气体流量的流量控制器。而且，从压力调整气体供给源113经气体供给配管112向容器81内供给Ar气体、 N2气体等压力调整气体。此外，在容器81的顶壁设置有用于对容器81内进行排气的排气口 121，在该排气口 121连接有排气配管122。在排气配管122设置有自动压力控制阀(APC) 123和排气装置 124，通过自动压力控制阀(APC) 123控制容器81内的压力，同时通过排气装置IM对容器 81内进行排气。
在容器81设置有检测其中的压力的压力计131，该压力计131的检测值被输出至压力控制器132。而且，压力控制器132向质量流量控制器114、阀115、自动压力控制阀 (APC) 123发送信号，控制排气和压力调整气体的供给，以使得容器81内的压力成为规定的减压状态的方式进行控制。另外，加热器控制器103和压力控制器132通过整个基板处理系统1的控制部70 进行控制。在这样构成的预备加热室20中，通过加热器控制器103控制加热器电源101，通过加热器87将基板载置机构84a、84b、8k的基板载置台86加热至规定的温度，然后，打开闸阀61，从开口 82搬入被支承于基板搬送装置50的基板支承臂51a、51b、51c的基板G。而且，通过圆筒机构97使基板载置机构84a、84b、8k的基板升降部件88上升，从基板支承臂51a、51b、51c将基板G接收到基板升降部件88上，使基板搬送装置50的基板支承臂51a、51b、51c退回到共同搬送室10，关闭闸阀61后，使支承基板G的基板升降部件 88下降到基板载置台86上，将基板G载置在基板支承销86a上。由此，被保持为室温的基板G被基板载置台86加热。另一方面，在关闭闸阀61之后，与上述基板G的载置动作同时进行如下动作利用压力控制器132，在控制质量流量控制器114的同时从压力调整气体供给源113向容器81 内供给压力调整气体，将容器81内的压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力Pl。 第一压力Pl为ITorr以上，优选为3Torr以上，更优选为10 20Torr、例如lOTorr。此时，在基板G的背面与基板载置台86的上面之间，通过基板支承销86a设置有距离为D的间隙(gap)，并且气体的压力为ITorr以上，因此，基板G在来自基板载置台86的放射热之外还通过存在于缝隙的气体的热传递加热，以比较高的速度升温。此外，在基板G 被直接载置于基板载置台86的情况下，由于基板载置台86的表面的用显微镜可见的凹凸， 在基板G的与基板载置台86直接接触的部分与不接触的部分热传递不同，因此难以将基板 G均勻地加热，但是，由于基板G的背面与基板载置台86的表面之间设置有间隙(gap)，气体的热传递在基板G的整个面均勻地进行，基板G能够均勻地升温。而且，在基板G达到规定温度时，使容器81内的压力降低至第二压力，该第二压力是实质上不发生通过气体热传递的压力。使第二压力下降至lOOmTorr以下，优选为1 lOOmTorr、例如降至IOOmTorr,形成为实质上不发生通过气体的热传递的状态，使得基板G 的温度维持为上述规定温度。此时，如果令基板载置台86的上面的温度为T2，则基板G的设定温度Tl为Tl = Τ2-ΔΤ，即，设定温度Tl为比基板载置台86的上表面的温度T2仅低 ΔΤ的温度。Δ T例如设定为20 30°C左右。这样，使容器81内的压力降低至实质上不发生通过气体的热传递的程度，由此，能够使基板G的温度不发生过冲，以保持均勻的温度分布不变的状态保持在作为设定温度的Tl。S卩，作为使基板G与基板载置台86的上表面分开的状态，在升温时，提高容器81 内的压力，利用气体的热传递加热基板G，在保持温度时，控制为实质上不发生通过气体的热传递的压力，因此，能够在确保基板G的温度的面内均勻性的同时使基板迅速地升温，并且能够不会发生过冲等、以高度的温度稳定性将基板保持在作为设定温度的Tl。此外，因为利用电阻加热型的加热器87加热基板G，所以能够避免使用灯加热的情况下那样的装置成本变高的问题。
图6表示此时的基板G的温度变化曲线图。基板G的温度变化曲线例如能够通过在基板安装热电偶来把握。期望的温度变化曲线能够通过恰当地控制第一压力P1、第二压力P2、基板载置台温度T2、基板G的背面与基板载置台86的上面之间的间隙的距离D实现。 特别是因为能够对间隙的距离D进行调整，所以能够由此进行温度变化曲线的微调。此外， 因为仅通过使具有阳螺纹部86b的基板支承销86a旋转就能够进行间隙的调整，所以能够极为简单地进行通过间隙的调整的温度变化曲线的微调。在实际的基板G的加热处理时，不能直接检测基板G的温度，因此预先根据第一压力P1、第二压力P2、基板G的背面与基板载置台86的上面之间的间隙的距离D把握基板载置台温度T2与基板温度Tl的关系，预先设定用于获得基板温度Tl的基板载置台温度T2。 此外，对于从第一压力Pl切换为第二压力P2的时间，也不能从实际的基板温度把握，因此， 预先根据第一压力P1、第二压力P2、基板G的背面与基板载置台86的上面之间的间隙的距离D把握压力切换之前的时间，在该时间经过的时点切换压力。此外，因为能够通过这样使容器81内的压力降低将基板G的温度保持在规定的温度，所以，即使从将基板G送入预备加热室20至取出的时间由于搬送的情况等而在处理室 30a的情况下和处理室30b的情况下不同，也能够以大致相同的条件进行成膜。另外，本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，例示了将三个基板一并搬送、处理的处理系统，但是，并不限定于此，既可以是一个， 也可以是三个以外的多个。此外，处理系统的方式也不限定于图1，例如，处理室并不限定于两个，也可以是三个以上。
权利要求
1.一种基板加热装置，其特征在于，包括 能够在减压状态下保持的容器；以在上面具有多个基板支承销，与上面之间设置间隙的状态载置基板的基板载置台； 隔着所述基板载置台对基板进行加热的加热器； 调整所述容器内压力的压力调整机构；通过控制所述加热器的输出，控制所述基板载置台的温度的温度控制部；和通过控制所述压力调整机构，控制所述容器内的压力的压力控制部，其中， 所述压力控制部，当基板被载置在所述载置台时，将所述容器内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力，当基板的温度达到规定的温度时，将所述容器内的气体压力控制为实质上不发生通过气体热传递的第二压力。
2.如权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于， 所述压力调整机构具有将压力调整气体导入所述容器的压力调整气体供给机构； 对所述容器进行排气的排气机构；控制向所述容器内的压力调整气体的供给的流量控制器；和控制所述容器的排气的压力控制阀。
3.如权利要求1或2所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第一压力为ITorr以上。
4.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置，其特征在于， 所述第二压力为IOOmTorr以下。
5.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置，其特征在于，所述基板支承销的高度能够改变，通过调节所述基板支承销的高度，能够调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
6.如权利要求5所述的基板加热装置，其特征在于，所述支承销具有螺纹部，该螺纹部与所述基板载置台螺合，通过使所述支承销旋转，能够调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
7.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置，其特征在于， 具有多个所述基板载置台，将多个基板一并加热。
8.一种基板加热方法，其在减压状态下能够保持的容器内，在基板载置台的上面与基板之间设有间隙的状态下，将基板载置在上面具有多个基板支承销的基板载置台上，经由所述基板载置台通过加热器对基板进行加热，其中，该基板加热方法的特征在于，当基板被载置在所述载置台时，将所述容器内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力而使基板升温，当基板的温度达到规定的温度时，将所述容器内的气体压力控制为实质上不发生通过气体热传递的第二压力，将基板的温度保持在设定温度。
9.如权利要求8所述的基板加热方法，其特征在于， 所述第一压力为ITorr以上。
10.如权利要求8或9所述的基板加热方法，其特征在于， 所述第二压力为IOOmTorr以下。
11.如权利要求8或9中任一项所述的基板加热方法，其特征在于，通过调整所述基板支承销的高度，调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
12. —种基板处理系统，其特征在于，包括 在减压气氛下对基板施加规定的处理的多个处理室；收容在所述处理室进行处理的基板，在将基板搬送到处理室之前在减压气氛下对基板进行加热的如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置；收容在所述处理室进行处理的基板，在将基板搬送到处理室之前将基板保持为减压气氛的真空预备室；和与所述多个处理室、所述加热装置、所述真空预备室连接，在真空预备室、所述多个处理室、所述真空预备室之间设置有搬送基板的基板搬送装置，且被保持在减压气氛的共同搬送室，其中，通过所述基板搬送装置，从所述真空预备室向所述加热装置搬送基板，对基板预备加热，并将被预备加热后的基板搬送到所述处理室中的任一个并施加规定的处理。
全文摘要
本发明提供一种基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统。该基板加热装置不用提高装置成本就能够确保基板的面内温度的均匀性和温度稳定性，并且能够高速地升温。该基板处理系统包括能够在减压状态下保持的容器(81)；在上面具有多个基板支承销(86a)，以与上面之间设置有间隙的状态载置基板(G)的基板载置台(86)；通过基板载置台(86)对基板进行加热的加热器(87)；调整容器(81)内压力的压力调整机构(113、114、123、124)；通过控制加热器(87)的输出，控制基板载置台(86)温度的温度控制部(103)；和通过控制压力调整机构，控制容器(80)内压力的压力控制部(132)，其中，压力控制部(103)在载置台(86)载置有基板(G)时，将容器(81)内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力，在基板(G)的温度达到规定的温度时，将容器(81)内的气体压力控制为实质上不发生通过气体进行热传递的压力。
文档编号H01L21/02GK102169811SQ20111003274
公开日2011年8月31日 申请日期2011年1月27日 优先权日2010年1月27日
发明者大久保智也, 杉山正树 申请人:东京毅力科创株式会社