专利名称：发光二极管结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件及其制作方法，且特别是涉及一种发光二极管(LED)结构及其制作方法。
背景技术：
在发光二极管元件的制作技术中，由于外延技术的成熟与管芯制作技术的提升， 使得发光二极管的发光效率也不断提高。因此，在发光二极管元件的尺寸缩小的情况下，仍可达到高发光效能的目标。请参照图1，其是绘示一种传统发光二极管的上视图。在传统发光二极管100 中，是将η型电极108设置在η型半导体层102上，而将ρ型电极110与ρ型导电分支 (Conductive Finger) 112设置在发光外延结构的平台106上层的ρ型半导体层104上。因此，η型电极108、ρ型电极110与ρ型导电分支112均是设置在发光二极管100的本体上。然而，随着发光二极管尺寸的缩小，发光二极管的本体上的电极面积相对于出光表面的面积的比例也大幅上升。再加上，电极与导电分支有遮光与吸光的效应。如此一来， 不仅会导致发光二极管的有效发光面积缩减，更会造成发光二极管元件的发光效率大幅下降。
发明内容
因此，本发明的一目的在于提供一种发光二极管结构及其制作方法，其是将发光二极管管芯的电极设置于管芯本体外的侧墙上，故可避免电极的吸光与遮光现象，而可提供更大的出光区，且可减少吸光比例，进而可有效提升发光二极管元件的光取出效率，更可将发光二极管元件进一步微型化，达到降低生产成本的目的。本发明的另一目的在于提供一种发光二极管结构及其制作方法，其可选用折射率介于半导体材料层的折射率与封装胶材的折射率之间的材料来作为延伸侧墙的材料，而使延伸的侧墙成为发光层的侧光的波导结构，因此可增加发光二极管元件的侧光的出光路径与可出光区域的表面积。本发明的又一目的在于提供一种发光二极管结构及其制作方法，其可在侧墙中加入散射材料，以增加光路径的多向性，因此可提升发光二极管元件整体的出光效率。本发明的再一目的在于提供一种发光二极管结构及其制作方法，其可在承载板上设置反射结构，以反射发光层的出光，因此可进一步提升发光二极管元件的光取出率。本发明的再一目的在于提供一种发光二极管结构及其制作方法，其可选择高导热系数的材料来作为承载板的材料，因此可提升发光二极管元件的光电转换效率、强化元件的稳定度、延长元件的使用寿命。根据本发明的上述目的，提出一种发光二极管结构。此发光二极管结构包含一承载装置、一发光二极管管芯、一第一电性电极以及一第二电性电极。承载装置包含一承载板与一侧墙，其中侧墙设于承载板上，且在承载板上形成一承载槽。发光二极管管芯固设于承载槽中。其中，发光二极管管芯包含依序堆叠的一第一电性半导体层、一发光层与一第二电性半导体层。其中，第一电性半导体层的具有第一区与第二区。前述的发光二极管管芯更包含一第二导电分支设于第一电性半导体层的第一区的第二电性半导体层上；以及一第一导电分支设于第一电性半导体层的第二区的第一电性半导体层上。第一电性电极延伸于侧墙与第一导电分支上。而第二电性电极则延伸于侧墙与第二导电分支上。
依据本发明的一实施例，上述的第一导电分支和第二导电分支与侧墙实质等高。依据本发明的另一实施例，上述的侧墙低于第一导电分支和第二导电分支。依据本发明的又一实施例，上述的发光二极管管芯包含彼此分离的一第一平台与一第二平台分别位于第一电性半导体层的第一区与第二区的一部分上，且第一平台与第二平台均包含第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层。依据本发明的再一实施例，上述的发光二极管结构，其中该第一导电分支延伸于该第二平台的一侧面和一上表面。依据本发明的再一实施例，上述的承载板的材料与侧墙的材料不同，且侧墙的材料为有机材料或高分子材料。依据本发明的再一实施例，上述的承载装置是一体成型结构，且侧墙可具有一导角紧邻承载槽。此外，上述的承载板可包含一贯穿孔。根据本发明的上述目的，另提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。 提供一发光二极管管芯。其中，此发光二极管管芯包含依序堆叠的一第一电性半导体层、 一发光层与一第二电性半导体层。其中，第一电性半导体层具有第一区与第二区。此发光二极管管芯更包含一第二导电分支设于第一电性半导体层的第一区的第二电性半导体层上；以及一第一导电分支设于第一电性半导体层的第二区的第一电性半导体层上。将发光二极管管芯固定于一承载板上。形成一侧墙于承载板上，以形成容置前述发光二极管管芯的一承载槽。形成一第一电性电极延伸于侧墙与第一导电分支上。形成一第二电性电极延伸于侧墙与第二导电分支上。依据本发明的一实施例，上述形成侧墙的步骤包含形成一透明材料层覆盖在发光二极管管芯与承载板上；以及对此透明材料层进行一平坦化步骤，以暴露出第一导电分支与第二导电分支。依据本发明的另一实施例，上述平坦化步骤包含使第一导电分支和该第二导电分支与侧墙实质等高；或者，使侧墙低于第一导电分支和第二导电分支。依据本发明的又一实施例，上述的承载板更包含一反射结构，且此反射结构与侧墙位于承载板的同一侧。根据本发明的上述目的，也提出一种发光二极管结构的制作方法，包含下列步骤。 提供一发光二极管管芯。其中，此发光二极管管芯包含依序堆叠的一第一电性半导体层、 一发光层与一第二电性半导体层。其中，第一电性半导体层具有第一区与第二区。此发光二极管管芯更包含一第二导电分支设于第一电性半导体层的第一区的第二电性半导体层上；以及一第一导电分支设于第一电性半导体层的第二区的第一电性半导体层上。提供一承载装置，其中此承载装置包含一承载板与一侧墙。此侧墙设于承载板上，且在承载板上形成一承载槽。将发光二极管管芯固定于承载槽中。形成一第一电性电极延伸于侧墙与第一导电分支上。形成一第二电性电极延伸于侧墙与第二导电分支上。
依据本发明的一实施例，在提供承载装置的步骤与将发光二极管管芯固定于承载槽中的步骤之间，上述发光二极管结构的制作方法还包含形成一粘着层于承载槽的表面上。依据本发明的另一实施例，上述的承载板包含一贯穿孔。此外，将发光二极管管芯固定于承载槽中的步骤包含将发光二极管管芯置入承载槽中；以及将一粘着材料注入发光二极管管芯与承载槽之间的一间隙中。依据本发明的又一实施例，上述的侧墙具有一导角紧邻承载槽。
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图1为一种传统发光二极管的上视图；图2A、图3A、图4A与图5A为本发明的一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图；图2B、图;3B、图4B与图5B为本发明的一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺上视图；图2C为图2A的发光二极管结构的立体图；图3C为本发明的另一实施例的多个发光二极管管芯设置在承载板上的上视图；图6A、图7A与图7B、图9A与图IOA为本发明的另一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺图，其中图7B是沿着图7A的承载装置的AA’截面所获得的截面立体图；图6B为图6A的发光二极管结构的上视图；图6C为图6A的发光二极管结构的立体图；图8是绘示依照本发明的另一实施方式的一种承载装置的部分截面立体图；图9B为本发明的另一实施方式的一种承载装置与发光二极管管芯的装置的剖视图；图IOB为本发明的又一实施方式的一种发光二极管结构的剖视图。主要元件符号说明100发光二极管102 :n型半导体层
104=P型半导体层106平台
108:n型电极110Φ型电极
112:P型导电分支200发光二极管管芯
202基板204第--电性半导体层
206发光层208A-Ap — 弟一二电性半导体层
210第一区212A-Ap — 弟一二区
214平台216平台
218第二导电分支220第--导电分支
222承载板224表
226表面228綱r层
230侧墙232A-Ap — ^ —二电性电极
234第一电性电极236反射结构
237指状部238指状部
240发光二极管结构242承载槽
300发光二极管管芯302基板
304第一电性半导体层306发光层
308第二电性半导体层310第一区
312第二区314平台
316平台318第二导电分支
320第一导电分支322承载装置
322aL 承载装置322bι 承载装置
324承载板324a,承载板
324t> 承载板326侧墙
328承载槽330导角
332贯穿孔334粘着层
336粘着材料338发光二极管结构
340间隙342第二电性电极
344第一电性电极346部分
348部分350色缘材料
具体实施例方式请参照图2A、图3A、图4A与图5A，以及图2B、图3B、图4B、图5B与图2C，其中图 2A、图3A、图4A与图5A、以及图2B、图!3B、图4B与图5B是分别绘示依照本发明的一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺剖视图以及制作工艺上视图。在本实施方式中，制作发光二极管结构时，可先提供发光二极管管芯200。在一例子中，如图2A与图2C所示，发光二极管管芯200可包含基板202，以及依序堆叠在基板202上的第一电性半导体层204、发光层206与第二电性半导体层208。其中，第一电性与第二电性为不同的电性。例如，第一电性与第二电性的其中一者为η型，另一者则为P型。在本实施方式中，如图2Β与图2C所示，发光二极管管芯200包含两个平台214与 216结构，其中此两个平台214与216彼此分离。如图2C所示，平台214与216均包含由第一电性半导体层204的一部分、发光层206与第二电性半导体层208所叠设而成的结构。 第一电性半导体层204主要分成第一区210与第二区212，而平台214与216则分别位于第一电性半导体层204的第一区210与第二区212的一部分上，如图2C所示。在一实施例中，平台214与216可实质等高。如图2Β与图2C所示，发光二极管管芯200包含第一导电分支220与第二导电分支 218。其中，第一导电分支220延伸覆盖在平台216的侧面和上表面上，且延伸于第一电性半导体层204的第二区212的一部分上，如图2C所示。第二导电分支218设置在平台214 上。如图2Β所示，在一实施例中，第一导电分支220与第二导电分支218可以延伸方向实质垂直的方式来加以设置，以利电流分散。在一实施例中，发光二极管管芯200不含第一导电分支220与第二导电分支218时的厚度可介于约5 μ m与400 μ m之间。
在一般应用例上，当第二电性半导体层208为ρ型时，由于ρ型半导体层的导电性较差，因此通常会在第二电性半导体层208上额外设置透明导电层(未绘示)，例如氧化铟锡(ITO)层，使透明导电层介于第二电性半导体层208与第二导电分支218之间，来提供电流扩散的效果。接下来，提供承载板222。在一实施例中，承载板222的材料可为透明材料，例如蓝宝石、碳化硅(SiC)、与玻璃等。在另一实施例中，承载板222的材料可选用高导热系数材料，例如金属、硅、陶瓷、与氮化铝(AlN)等。承载板222具有相对的二表面224与226。 在一实施例中，承载板222可包含反射结构236，其中此反射结构236设于承载板222的表面2M上。反射结构236可为金属层，例如铝层、或银层。反射结构236也可为分散式布拉格反射镜(DBR)，其中此分散式布拉格反射镜的材料可例如包含二氧化硅(SiO2)、二氧化钛 (TiO2)与氧化铝(Al2O3)。接下来，如图3A与图:3B所示，可利用粘着层2 将发光二极管管芯200固定于承载板222的表面2M上。粘着层228的材料可例如为透明胶材、金属材料或银胶等。在另一实施例中，也可利用键合(bonding)方式，将发光二极管管芯200固定于承载板222的表面224上。在一实施例中，更可根据产品需求，而在承载板222的表面2 及/或2 设置图案结构(未绘示)，用于改变光的行进方向。这些图案结构可例如为阵列型结构、类阵列型结构或不规格的粗化结构。请参照图3C所示，在实际生产时，可先将多个发光二极管管芯200粘着于较大面积的承载板222上方的反射结构236上，并使这些发光二极管管芯200彼此之间隔开一预定距离。之后，对承载板222上的所有发光二极管管芯200同时进行后续制作工艺。待完成所有制作工艺后，再进行切割制作工艺以分离这些发光二极管管芯200，即可完成数个发光二极管结构MO的制作(请先参照图5A与图5B)。将发光二极管管芯200固定于承载板222上之后，如图4A与图4B所示，在承载板 222的表面2 上方形成侧墙230，其中侧墙230环设在发光二极管管芯200的周围。侧墙 230与承载板222构成一承载装置，其中侧墙230在承载板222的表面2 的上方围出一承载槽对2，而发光二极管管芯200则容置在此承载槽M2中。在此实施方式中，侧墙230与承载板222是由不同材料所组成。在一实施例中，制作侧墙230时，可先利用例如涂布方式形成不导电的透明材料层(仅绘示其中的侧墙230)于发光二极管管芯200与承载板222上方，并覆盖住整个发光二极管管芯200。此透明材料层的材料可为有机材料或高分子材料，例如旋转涂布玻璃 (SOG)。接下来，可利用蚀刻或研磨方式，例如化学机械研磨(CMP)，对此透明材料层进行平坦化步骤，以使透明材料层具有平坦表面，并暴露出发光二极管管芯200的第一导电分支 220与第二导电分支218。如此，即完成承载装置的侧墙230的制作，如图4A所示。由于侧墙230与反射结构236均是位于承载板222的表面2M上方，因此反射结构236与侧墙230 位于承载板222的同一侧。此外，发光二极管管芯200可与侧墙230位于同一平面上，亦即同样位于承载板222的表面上。在一实施例中，如图4A所示，经平坦化步骤后，第一导电分支220和第二导电分支 218与侧墙230实质等高，以利后续的电极制作。在另一实施例中，受到平坦化步骤的制作工艺公差的影响，侧墙230可能略低于第一导电分支220和第二导电分支218。在一些实施例中，根据产品需求，可在侧墙230的透明材料中加入光取出增强材料。光取出增强材料可为改变侧墙230的折射率的材料，例如可在封装后，使发光二极管管芯200的光取出效率增加的材料。因此，在一例子中，光取出增强材料可为使侧墙230的折射率介于发光二极管管芯200本身的折射率与后续设置的封装胶材之间。光取出增强材料也可为改变光在侧墙230中的光路径的材料，例如高分子聚合物或树脂所制成的粒子，其中这些粒子可以具有多种尺寸等级，例如微米球或纳米球。当发光层所发出的光线照射到这些粒子球时，光路径会受到改变，从而可以增加光取出效率。接着，利用例如光刻、镀制与浮离(lift-off)等方式，形成图案化的第一电性电极234与第二电性电极232。如图5B所示，第一电性电极234包含指状部238，且第一电性电极234供打线的主体位于侧墙230上，并利用此指状部238而与第一导电分支220连接。 因此，如图5A所示，第一电性电极234延伸于侧墙230与导电分支220上，而与第一导电分支220电连接。另一方面，第二电性电极232也包含指状部237，且第二电性电极232供打线的主体也位于侧墙230上，并利用其指状部237而与第二导电分支218连接。因此，如图5A所示，第二电性电极232延伸于侧墙230与第二导电分支218上，而与第二导电分支218电连接。完成第一电性电极234与第二电性电极232后，即完成发光二极管结构MO的制作。在发光二极管结构MO中，由于发光二极管管芯200的第一电性电极234与第二电性电极232均设置于发光二极管管芯200本体外的侧墙230上，如此一来可避免第一电性电极234与第二电性电极232的吸光与遮光现象。因此，可使发光二极管结构240具有更大的出光区，且可减少吸光比例，进而可有效提升发光二极管结构MO的光取出效率，进一步可将发光二极管结构240进一步微型化，达到降低生产成本的目标。本发明的承载装置也可为一体成型的架构。请参照图6A、图7A与图7B、图9A与图10A，其是绘示依照本发明的另一实施方式的一种发光二极管结构的制作工艺图，其中图 7B是沿着图7A的承载装置的AA’截面所获得的截面立体图。在本实施方式中，制作发光二极管结构时，可先提供发光二极管管芯300。在一例子中，如图6A与图6C所示，发光二极管管芯300可包含基板302，以及依序堆叠在基板302上的第一电性半导体层304、发光层 306与第二电性半导体层308。其中，第一电性与第二电性为不同的电性。例如，第一电性与第二电性的其中一者为η型，另一者则为P型。在一实施例中，如图6Β与图6C所示，发光二极管管芯300包含两个平台314与 316，其中此两个平台314与316彼此分离。如图6C所示，平台314与316均包含由第一电性半导体层304的一部分、发光层306与第二电性半导体层308所叠设而成的结构。第一电性半导体层304包含第一区310与第二区312，其中平台314与316则分别位于第一电性半导体层304的第一区310与第二区312的一部分上，如图6C所示。在一实施例中，平台 314与316可实质等高。发光二极管管芯300包含第一导电分支320与第二导电分支318。第一导电分支 320延伸覆盖在平台316的侧面和上表面上，且延伸于第一电性半导体层304的第二区312 的一部分上，如图6C所示。第二导电分支318则设置在平台314上。在一实施例中，如图 6Β所示，第一导电分支320与第二导电分支318的延伸方向实质上可互相垂直，以利电流分散。在一实施例中，发光二极管管芯300不含第一导电分支320与第二导电分支318时的厚度可介于约5μπι与400μπι之间。在一般应用例上，当第二电性半导体层308为ρ型时，由于ρ型半导体层的导电性较差，因此通常会在第二电性半导体层308上额外设置透明导电层(未绘示)，例如氧化铟锡层，使透明导电层介于第二电性半导体层308与第二导电分支318之间，来提供电流扩散的效果。接下来，提供承载装置322。如图7Α所示，承载装置322可包含承载板3 与侧墙 326。侧墙326固设在承载板324的表面上，且在承载板3 上方围出一承载槽328。发光二极管管芯300可容置在此承载槽328中。在此实施方式中，承载装置322是一一体成型结构。此外，承载装置322的承载板3M与侧墙3 可由相同材料所组成。在一实施例中， 承载装置322的材料可为绝缘的透明材料，例如蓝宝石、树脂与玻璃等。在另一实施例中， 承载装置322的材料可选用绝缘的高导热系数材料，例如陶瓷材料。在另一些实施例中，请参照图10B，承载装置322b的承载板324b也可包含两个独立的部分346与348，且此两部分346与348之间以绝缘材料350接合并加以电性隔离。其中，这两部分346与348分别邻近于第一导电分支320与第二导电分支318，且每个部分346 与348均具有侧墙326。此时，承载装置322b的此两部分346与348的材料可采用金属材料等高导热的导电材料，以增加发光二极管元件的散热效果。在这些实施例中，请先参照图 10B，第一电性电极344仅延伸于第一导电分支320与邻近的部分348的侧墙3 上；而第二电性电极342则仅延伸于第二导电分支318与邻近的部分346的侧墙3 上。在一些实施例中，根据产品需求，承载装置322的材料可加入光取出增强材料。光取出增强材料可为改变承载装置322的折射率的材料，例如可在封装后，使发光二极管管芯300的光取出效率增加的材料。因此，在一例子中，光取出增强材料可为使承载装置322 的折射率介于发光二极管管芯300本身的折射率与后续设置的封装胶材之间。光取出增强材料也可为改变光在承载装置322的侧墙326中的光路径的材料，例如高分子聚合物或树脂所制成的粒子，其中这些粒子可以具有多种尺寸等级，例如微米球或纳米球。当发光层所发出的光线照射到这些粒子球时，光路径会受到改变，从而可以增加光取出效率。此外，更可根据产品需求，而在承载装置322的承载板324的底面或承载槽3 的底面设置图案结构(未绘示)，用于改变光的行进方向。这些图案结构可例如为阵列型结构、类阵列型结构或不规格的粗化结构。另外，依制作工艺需求，侧墙3 可具有导角330 的设计，其中此导角330紧邻承载槽3 且朝承载槽328的方向倾斜。 如图7A所示，在一实施例中，承载装置322的承载板3 是一平板状结构，且并不具有贯穿孔的设计。然，如图8所示，在另一些实施例中，承载装置32 的承载板32 并非完整平板状结构，而具有贯穿孔332贯穿承载板32如。 接着，可将发光二极管管芯300固定在承载装置322或32 的承载槽3 中。在一实施例中，请参照图9A，可先于承载装置322的承载槽328的表面涂布粘着层334。再利用机械手臂将发光二极管管芯300置入承载槽328中。由于承载装置322的侧墙3 具有导角330，因此可增加机械手臂将发光二极管管芯放入承载槽328的制作工艺余裕(process margin)，而可有效提升制作工艺可靠度。通过通过粘着层334，即可将发光二极管管芯300 稳固地固定在承载装置322中。
在固定发光二极管管芯300的另一实施例中，请参照图9B，可先利用例如机械手臂将发光二极管管芯300置入承载装置32 的承载槽3 中。同样地，由于承载装置32 的侧墙3 具有导角330，因此可增加机械手臂将发光二极管管芯放入承载槽3 的制作工艺余裕，而可有效提升制作工艺可靠度。接下来，将粘着材料336注入发光二极管管芯300 与承载槽3 之间的间隙340中。此时，通过承载板32 的贯穿孔332，并将粘着材料336 由贯穿孔332用负压抽走，来增加粘着材料336的流动性，以使粘着材料336在承载槽3 内的分布更为均勻。待粘着材料336均勻分布于承载槽3 与发光二极管管芯300之间后， 将填满贯穿孔332以及承载槽3 与发光二极管管芯300之间的粘着材料336固化。通过通过粘着材料336，即可将发光二极管管芯300稳固地固定在承载装置32 中。在此，粘着材料336例如为透明胶材、金属材料或银胶等。而在另一实施例中，贯穿孔332也可以使用与粘着材料336不同的材料填满，例如使用环氧树脂(印oxy)或者硅氧树脂(silicone)。将发光二极管管芯300固定在承载装置322的承载槽328中后，侧墙3 环设在发光二极管管芯300的周围。在一实施例中，如图9A或图9B所示，第一导电分支320和第二导电分支318与侧墙3 实质等高，以利后续的电极制作。在另一实施例中，侧墙3 也可能略低于第一导电分支320和第二导电分支318。接着，如图IOA所示，利用例如光刻、镀制与浮离等方式，形成图案化的第一电性电极344与第二电性电极342。如同上述的实施方式，第一电性电极344也可包含指状部 (未绘示)，且第一电性电极344供打线的主体位于侧墙3 上，并利用其指状部而与第一导电分支320连接。因此，第一电性电极344延伸于侧墙3 与第一导电分支320上，而与第一导电分支320电连接。同样地，第二电性电极342包含指状部(未绘示)，且第二电性电极342供打线的主体也位于侧墙3 上，并利用其指状部而与第二导电分支318连接。因此，第二电性电极 342延伸于侧墙3 与第二导电分支318上，而与第二导电分支318电连接。完成第一电性电极344与第二电性电极342后，即完成发光二极管结构338的制作。由上述本发明的实施方式可知，本发明的一优点就是因为本发明是将发光二极管管芯的电极设置于管芯本体外的侧墙上。因此，可避免电极的吸光与遮光现象，而可提供更大的出光区，且可减少吸光比例，进而可有效提升发光二极管元件的光取出效率，更可将发光二极管元件进一步微型化，达到降低生产成本的目的。由上述本发明的实施方式可知，本发明的另一优点就是因为本发明可选用折射率介于半导体材料层的折射率与封装胶材的折射率之间的材料来作为延伸侧墙的材料，而使延伸的侧墙成为发光层的侧光的波导结构，因此可增加发光二极管元件的侧光的出光路径与可出光区域的表面积。由上述本发明的实施方式可知，本发明的又一优点就是因为本发明可在侧墙中加入散射材料，以增加光路径的多向性，因此可提升发光二极管元件整体的出光效率。由上述本发明的实施方式可知，本发明的再一优点就是因为本发明的发光二极管结构及其制作方法可在承载板上设置反射结构，以反射发光层的出光，因此可进一步提升发光二极管元件的光取出率。由上述本发明的实施方式可知，本发明的再一优点就是因为本发明的发光二极管结构及其制作方法可选择高导热系数的材料来作为承载板的材料，因此可提升发光二极管元件的光电转换效率、强化元件的稳定度、延长元件的使用寿命。 虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何在此技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以附上的申请专利范围所界定的为准。
权利要求
1.一种发光二极管结构，包含承载装置，包含承载板与侧墙，其中该侧墙设于该承载板上，且在该承载板上形成一承载槽；发光二极管管芯，固设于该承载槽中，其中该发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区， 其中该发光二极管管芯还包含第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上； 第一电性电极，延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及第二电性电极，延伸于该侧墙与该第二导电分支上。
2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该发光二极管管芯包含彼此分离的第一平台与第二平台，其分别位于该第一电性半导体层的该第一区与该第二区的一部分上，且该第一平台与该第二平台均包含该第一电性半导体层、该发光层与该第二电性半导体层。
3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中该第一导电分支延伸于该第二平台的一侧面和一上表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一导电分支和该第二导电分支与该侧墙实质等高。
5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该侧墙低于该第一导电分支和该第二导电分支。
6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该侧墙中包含光取出增强材料，该光取出增强材料为改变该侧墙的折射率的一材料或改变光在该侧墙中的光路径的一材料。
7.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包含反射结构，设于该承载板上，且与该侧墙位于该承载板的同一侧。
8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该承载装置是一体成型结构，且该侧墙具有导角，其紧邻该承载槽。
9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该承载装置是一体成型结构，且该承载板包含一贯穿孔。
10.一种发光二极管结构的制作方法，包含提供一发光二极管管芯，其中该发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、 发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区，其中该发光二极管管芯还包含第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上； 将该发光二极管管芯固定于一承载板上；形成一侧墙于该承载板上，以形成容置该发光二极管管芯的一承载槽； 形成一第一电性电极延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及形成一第二电性电极延伸于该侧墙与该第二导电分支上。
11.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中该发光二极管管芯包含彼此分离的一第一平台与一第二平台分别位于该第一电性半导体层的该第一区与该第二区的一部分上，且该第一平台与该第二平台均包含该第一电性半导体层、该发光层与该第二电性半导体层。
12.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该侧墙的步骤包含 形成一透明材料层覆盖在该发光二极管管芯与该承载板上；以及对该透明材料层进行一平坦化步骤，以暴露出该第一导电分支与该第二导电分支。
13.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该透明材料层的材料为有机材料或高分子材料。
14.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该平坦化步骤包含使该第一导电分支和该第二导电分支与该侧墙实质等高。
15.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该平坦化步骤包含使该侧墙低于该第一导电分支和该第二导电分支。
16.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中该承载板还包含反射结构，该反射结构与该侧墙位于该承载板的同一侧。
17.一种发光二极管结构的制作方法，包含提供一发光二极管管芯，其中该发光二极管管芯包含包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区，其中该发光二极管管芯还包含第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上； 提供一承载装置，其中该承载装置包含承载板与侧墙，其中该侧墙设于该承载板上，且在该承载板上形成一承载槽；将该发光二极管管芯固定于该承载槽中；形成一第一电性电极延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及形成一第二电性电极延伸于该侧墙与该第二导电分支上。
18.如权利要求17所述的发光二极管结构的制作方法，其中该发光二极管管芯包含彼此分离的第一平台与第二平台分别位于该第一电性半导体层的该第一区与该第二区的一部分上，且该第一平台与该第二平台均包含该第一电性半导体层、该发光层与该第二电性半导体层。
19.如权利要求17所述的发光二极管结构的制作方法，在提供该承载装置的步骤与将该发光二极管管芯固定于该承载槽中的步骤之间，还包含形成一粘着层于该承载槽的表面上。
20.如权利要求17所述的发光二极管结构的制作方法，其中该承载板包含贯穿孔，且将该发光二极管管芯固定于该承载槽中的步骤包含将该发光二极管管芯置入该承载槽中；以及将一粘着材料注入该发光二极管管芯与该承载槽之间的一间隙中。
21.如权利要求17所述的发光二极管结构的制作方法，其中该侧墙具有导角，其紧邻该承载槽。
全文摘要
本发明公开一种发光二极管结构及其制作方法。此发光二极管结构包含承载装置、发光二极管管芯、第一电性电极及第二电性电极。承载装置包含承载板与侧墙，侧墙设于承载板上且在承载板上形成承载槽。发光二极管管芯固设于承载槽中。发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层。第一电性半导体层具有第一区与第二区。发光二极管管芯更包含第二导电分支设于第一区的第二电性半导体层上，及第一导电分支设于第二区的第一电性半导体层上。第一电性电极延伸于侧墙与第一导电分支上。第二电性电极延伸于侧墙与第二导电分支上。
文档编号H01L33/48GK102569582SQ20111003489
公开日2012年7月11日 申请日期2011年2月9日 优先权日2010年12月29日
发明者余国辉, 吴浩青, 朱长信, 王建钧 申请人:佛山市奇明光电有限公司, 奇力光电科技股份有限公司