专利名称：发光器件、发光器件封装以及照明系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术：
发光器件(LED)包括将电能转换为光能的p-n结二极管。通过将周期表的III族元素与周期表的V族元素化合来制造P-n结二极管。LED能够通过调整化合物半导体的组成来产生各种颜色。根据现有技术，存在由于电流集边导致降低可靠性并且缩短寿命的限制。另外，根据现有技术，当出现静电放电(ESD)时，电流反向地流动，从而损坏是发光区域的有源层。为了解决此限制，可以将齐纳二极管安装到封装；然而，在这样的情况下可能出现光吸收。
发明内容
实施例提供能够提高电流扩展效率和光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。实施例还提供能够防止由于静电放电(EDS)导致的损坏而没有光吸收的损耗的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。在一个实施例中，发光器件包括衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构向上暴露第一导电类型半导体层的一部分；在第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在光透射电极上的第二电极；以及暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极。在另一实施例中，发光器件封装包括封装主体；在封装主体上的发光器件；以及电极，该电极将封装主体电连接到发光器件。在又一实施例中，发光模块包括发光器件封装。在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据说明书、附图以及权利要求书，其它的特征将会是显而易见的。
图1是根据第一实施例的发光器件的截面图。图2至图4是示出制造根据第一实施例的发光器件的工艺的截面图。图5是根据第二实施例的发光器件的截面图。图6是示出当在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时产生的电场的概念图。图7是根据第二实施例的发光器件的示例性电路图。图8是示出在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时的波长的视图。图9是根据实施例的发光器件封装的截面图。
图10是根据实施例的照明单元的透视图。图11是根据实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施例方式在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件、发光器件封装以及照明系统。在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或者衬底“上” 时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。 另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间唯一的层，或者也可以存在一个或者多个中间层。(实施例)图1是根据第一实施例的发光器件的横截面图。根据实施例的发光器件100可以包括衬底105、在衬底105上的第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层116。发光器件100可以进一步包括发光结构110，该发光结构110向上暴露第一导电类型半导体层112的一部分；在第二导电类型半导体层116上的具有台阶部分的光透射电极120 ；在光透射电极120上的第二电极 146 ；以及在暴露的第一导电类型半导体层112上的第一电极142。根据实施例，光透射电极120可以在台面蚀刻区域中具有逐渐减少的厚度t。而且，根据实施例，光透射电极120可以具有朝着台面蚀刻区域逐渐减少的厚度。而且，光透射电极120在第二电极146和第一电极142之间具有台阶部分并且具有从第二电极146到第一电极142逐渐减少的厚度。例如，根据实施例的发光器件100具有其中提高电流扩展性质以增强发光效率的结构。而且，光透射电极120可以具有彼此不同的厚度t。例如，在具有薄的厚度的光透射电极120的区域中，可以增加电阻以减少电流的强度。另一方面，在具有厚的厚度的光透射电极120的区域中，可以增加电流的强度。因此， 可以在台面边缘区域中减少光透射电极120的厚度以增加电阻。结果，集中地流动的电流的强度可以减少从而均勻的电流流入整个芯片区域。在根据实施例的发光器件100中，可以有效地调节电流流动以增加光提取效率。而且，根据实施例，可以通过电流扩展性质来提高发光器件的可靠性。在下文中，将会参考图2至图4描述制造根据实施例的发光器件的方法。根据实施例的发光器件可以由诸如GaN、GaAS、GaASP或者GaP的III-V族半导体材料形成，但是不限于此。而且，本公开不限于下面描述的特定工艺顺序。例如，可以改变工艺顺序。参考图2，制备衬底105。衬底105可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs, GaN、ZnO, Si、GaP、InP、Ge 以及 Ga2O3 中的至少一个可以被用作第一衬底105。不平坦结构可以形成在第一衬底105上，但是不限于此。可以对衬底105执行湿法清洁工艺，以去除衬底105的表面上的杂质。其后，包括第一导电类型半导体层112、有源层114以及第二导电类型半导体层 116的发光结构110形成在衬底105上。
根据实施例，未掺杂的半导体层(未示出)可以形成在衬底105上。第一导电类型半导体层112可以形成在未掺杂的半导体层上。例如，未掺杂的GaN层可以形成在衬底 105上。然后，η型GaN层可以形成在未掺杂的GaN层上以形成第一导电类型半导体层112。而且，缓冲层(未示出)可以形成在衬底105上。缓冲层可以减少发光结构110和衬底105的材料之间的晶格失配。缓冲层可以由III-V族化合物半导体形成，例如由GaN、 InN,AlN, InGaN,AlGaN, InAlGaN以及AUnN中的至少一个形成。未掺杂的半导体层可以形成在缓冲层上，但是不限于此。第一导电类型半导体层112可以通过掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体实现。在第一导电类型半导体层112是N型半导体层的情况下，第一导电掺杂物可以包括Si、Ge、Sn、Se以及Te作为N型掺杂物，但是不限于此。第一导电类型半导体层112可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1， 0 ^ x+y ^ 1)的组成式的半导体材料，但是不限于此。第一导电类型半导体层112 可以由 GaNJnN、AlNJnGaN、AlGaN、InAlGaN、AnnN、 AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 以及 hP 中的至少一个形成。在第一导电类型半导体层112中，使用化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、 溅射、或者氢化物气相外延(HVPE)的方法可以形成N型GaN层。而且，通过将包括诸如硅 (Si)的N型杂质的硅烷(SiH4)气体、三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)和氮气(N2)注入腔室中可以形成第一导电类型半导体层112。有源层114是下述层，当从第一导电类型半导体层112注入的电子与从第二导电类型半导体层116注入的空穴相遇时该有源层114发射由有源层(发光层)材料的本征能带确定的能量的光。有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。例如，有源层114可以通过注入三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、氮气汎)以及三甲基铟(TMIn)气体而具有MQW结构，但是不限于此。有源层114 的阱层 / 势垒层可以具有 hGaN/GaN、InGaN/InGaN, GaN/AlGaN、 InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs) /AlGaAs 以及 GaP (InGaP)/AlfeiP 中的至少一对结构，但是不限于此。阱层可以由具有低于势垒层的带隙的带隙的材料形成。导电包覆层可以形成在有源层114的上或/和下面。导电包覆层可以由AKiaN基半导体形成，并且可以具有大于有源层114的带隙的带隙。第二导电类型半导体层116可以由掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体形成，例如，由具有h/lyGiinNa)彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的组成式的半导体材料形成。例如，第二导电类型半导体层116可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、 AlInN, AlGaAs, GaP、GaAs, GaAsP以及AlGaInP中的一个形成。在第二导电类型半导体层 116是P型半导体层的情况下，第二导电掺杂物可以包括Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba作为P型掺杂物。第二导电类型半导体层116可以形成为单层或者多层，但是不限于此。在第二导电类型半导体层116中，通过将包括诸如三甲基镓(TMGa)、氨气(NH3)、 氮气(N2)、以及镁(Mg)的P型杂质的双(乙基环戊二烯基)镁((EtCp2Mg) (Mg(C2H5C5H4)2) 注入腔室可以形成P型GaN层，但是不限于此。在实施例中，第一导电类型半导体层112和第二导电类型半导体层116可以分别被实现为N型半导体层和P型半导体层，但是不限于此。此外，具有与第二导电类型的极性相反的极性的半导体，例如，N型半导体层(未示出)可以形成在第二导电类型半导体层 116上。因此，发光结构110可以具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的一个。可以对发光结构110执行台面蚀刻工艺以向上暴露第一导电类型半导体层112的一部分。例如，可以在其中形成第一电极142的区域中使用预定的蚀刻图案(未示出)作为掩模来从第二导电类型半导体层116执行蚀刻工艺，并且然后可以接着蚀刻有源层114 以暴露第一导电类型半导体层112的顶表面的一部分。参考图3，光透射电极120可以形成在发光结构110上。例如，通过多层堆叠单金属、金属合金、或者金属氧化物可以形成光透射电极120。例如，光透射电极层120可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ΑΤΟ)、镓锌氧化物 (GZO)、IZO 氮化物(IZON) ,Al-Ga ZnO (AGZO)、ZnO、Ir0x、Ru0x、Ni0、Ru0x/IT0、Ni/Ir0x/Au、 Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 以及 Hf 中的至少一个形成，但是不限于此。可以执行多个蚀刻工艺，从而获得的光透射电极120具有彼此不同的厚度以形成具有台阶部分的光透射电极120，但是不限于此。参考图4，第一电极142可以形成在暴露的第一导电类型半导体层112上，并且第二电极146可以形成在光透射电极120上。第一电极142和第二电极146可以由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au以及W中的至少一个形成，但是不限于此。根据实施例，光透射电极层120可以在台面蚀刻区域中具有逐渐减少的厚度t。例如，在具有薄的厚度的光透射电极120的区域中，电阻得以增加以减少电流的强度。另一方面，在具有厚的厚度的光透射电极120的区域中，电流的强度得以增加。因此，在台面边缘区域中可以减少光透射电极120的厚度以增加电阻。结果，可以减少集中地流动的电流的强度从而均勻的电流流入整个芯片区域。在根据实施例的发光器件100中，可以有效地调整电流流动以增加光提取效率。而且，根据实施例，可以通过电流扩展性质来提高发光器件的可靠性。图5是根据第二实施例的发光器件的截面图。第二实施例可以采用第一实施例的技术特征。根据第二实施例，电介质层150可以进一步设置在具有台阶部分的光透射电极 120上。第一电极142可以接触电介质层150的侧面。而且，电介质层150可以设置在暴露的第一导电类型半导体层112和光透射电极 120 上。电介质层150可以是光透射电介质，并且因此设置在发光区域上。例如，电介质层 150可以由Ti02、Al2O3或者S^2形成，但是不限于此。在实施例中，电介质层150可以设置在台面边缘区域中以防止电流集中在台面边缘区域并且防止出现静电放电(ESD)。其后，第一电极142可以设置在接触电介质层150的暴露的第一导电类型半导体层112上。而且，第二电极146可以设置在光透射电极120上。根据第二实施例，第一电极142、电介质层150以及第二电极146可以起金属/绝缘体/半导体(MIS)电容器的作用。根据实施例，为了防止发光二极管(LED)由于ESD而被损坏，电介质层150可以设置在第一电极142和第二电极146之间以实现其中第一电极142和第二电极146电气断开的结构。因此，尽管电流在恒压下流入有源区域以产生光，但是当由于ESD导致产生脉冲形式的ESD冲击时具有高频分量的能量可以通过电介质层从而保护有源层。根据第二实施例，电介质层150可以设置在台面边缘区域中以防止电流集中到台面边缘区域中并且防止出现静电放电(EDS)。第一电极142可以设置在暴露的第一导电类型半导体层112上，其中第一电极142 可以接触电介质层150并且一直延伸到电介质层150的顶表面。因此，第一电极142和电介质层150之间的接触面积可以得以增加以增加电容。另外，电介质层150可以通过第一电极142牢固地接触发光结构。而且，电介质层150可以接触第二电极146。而且，第二电极146可以接触电介质层150并且还设置在电介质层150的顶表面上以增加电容并且牢固地接触电介质层150。而且，电介质层150可以接触第二电极146，其中电介质层150可以设置在第二电极146的顶表面上以增加电容。根据实施例，因为电介质层150设置在发光区域上，因此电介质层150可以是光透射电介质层，但是不限于此。根据实施例，电介质层150可以接触光透射电极120。然而，电介质层150可以不接触第二电极146。在这样的情况下，因为电介质层150覆盖第二导电类型半导体层116的是光提取区域的小面积，所以可以改进ESD防止效果和光提取效率。根据实施例，为了防止LED由于ESD而损坏，电介质层150可以设置在第一电极 142和第二电极之间。因此，尽管电流在恒压下流入有源区域以产生光，但是当由于ESD导致产生脉冲形式的ESD冲击时具有高频分量的能量可以通过电介质层从而保护有源层。图6是示出当在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时产生的电场的概念图。当反向电压被施加给半导体时会发生由于ESD导致的LED击穿。当施加反向电压时，带电的电荷在LED有源区域中可能感应强电场。当ESD发生时，载流子(电子和空穴)被加速以与原子碰撞，从而产生其它的载流子。而且，产生的载流子可以产生大量的载流子。此现象可以称为雪崩击穿。如果带电的电荷感应强电场从而将不能耐受的静电施加给半导体，则会由于雪崩击穿导致发生LED半导体击穿。因此，如图6中所示，可以插入具有MIS形式的电容器结构，使得被加载到LED有源层的内侧的电场被部分地感应到MIS电容器从而减少有源区域的电场，从而提高对ESD 的耐受力(tolerance)。S卩，根据现有技术，由于带电的电荷导致的整个强电场％可以被感应到LED有源区中，使得由于雪崩击穿发生LED击穿。另一方面，根据实施例，由于带电的电荷导致的电
7场仏的一部分A可以被感应到电介质层150的区域中，从而减少了 LED有源区域中的电场
的强度Q10图7是根据第二实施例的发光器件的示例性电路图。在实施例中，第一电极142、电介质层150以及第二电极146中的每一个可以起电容器Cd的作用。如图7中所示，可以实现用于根据实施例的发光器件的电路。在由于恒压使得正向地施加电压的情况下，电流流过LED以产生光。而且，在由于ESD使得反向地施加电压的情况下，电流流过MIS电容器Q3。在此，在由于ESD使得反向地施加电压的情况下，总电容CT。t越大，由于ESD应力导致流到有源层的电流就越少，从而减少冲击。这关系被表达为下述表达式。Qms = CesdVesd其中，Qllis表示放电期间的电荷量，Cesd表示放电期间的电容Clot' = CDi。de+CD (具有 MIS 电容器)CTot = Cmode (不具有 MIS 电容器)I = dQ/dt = AQ/ τ = Qllis/ (RClot) .·. Clot 个-> I IΛ I' = QDis/(RCTot ‘ ) < I = QDis/(RGlot)S卩，在由于ESD使得反向地施加电压的情况下，总电容CT。t越大，由于ESD应力导致流到有源层的电流(I’ )就越小，从而减少冲击。图8是示出当在根据第二实施例的发光器件中出现静电放电时的波长的视图。如图8中所示，通过傅里叶变换，脉冲波具有高频分量。上升时间(、)越陡，高频分量越大。如在下面的表达式中所示的，随着频率变得越高，由于电容导致的阻抗(电阻)变得越小。因此，在由于ESD使得电压被反向地施加的情况下，因为MIS电容器的阻抗变小， 所以高频电流可以流到MIS电容器。阻抗Z = ZE+jZIm(ZE表示实部阻抗，j表示虚数因子，并且Zlm表示由于电容器导致的阻抗)。电容器ZIm,c = 1/ (j ω C) ( ω = 2 Ji f)S卩，在由于ESD使得电压被反向地施加的情况下，因为MIS电容器的阻抗变小，所以高频电流可以流到MIS电容器。根据实施例的制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统，可以防止由于 ESD导致的LED损坏而没有光吸收的损耗。而且，根据实施例，因为电容器设置在LED芯片内以防止LED由于ESD而损坏，所以可以简化封装成本和工艺，而且可以最小化光吸收的减少。而且，在根据实施例的发光器件100中，可以有效地调节电流流动以增加光提取效率。而且，根据实施例，可以通过电流扩展性能来提高发光器件的可靠性。图9是根据实施例的发光器件封装的截面图。参考图9，根据实施例的发光器件封装包括主体部205 ；第四电极层210和第五电极层220，该第四电极层210和第五电极层220设置在主体部205上；发光器件100，该发光器件100设置在主体部205上并且电连接到第四电极层210和第五电极层220 ；以及模制构件M0，该模制构件240包围发光器件100。主体部205可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以设置在发光器件100的周围。第四电极层210和第五电极层220相互电分离，并且将电力提供到发光器件100。 而且，第四电极层210和第五电极层220可以反射在发光器件100中产生的光以增加光效率。另外，第四电极层210和第五电极层220可以将在发光器件100中产生的热散发到外部。图1至图5中所示的垂直型发光器件可以适合于发光器件100，但是不限于此。发光器件100可以设置在主体部205上。发光器件100可以通过布线230电连接到第四电极层210和/或第五电极层220。 在实施例中，因为描述了垂直型发光器件作为示例，因此可以提供两条布线230。替代地，当使用倒装芯片型发光器件作为发光器件100时，可以不提供布线230。模制构件40可以包围发光器件100以保护发光器件100。而且，模制构件240可以包括荧光体，以改变从发光器件100发射的光的波长。根据实施例的发光器件封装可以被应用于照明系统。照明系统可以包括图10中所示的照明单元和图11中所示的背光单元。例如，照明系统可以包括交通灯、车辆头灯以及标牌。图10是根据实施例的照明单元1100的透视图。参考图10，照明单元1100包括壳体1110、设置在壳体1110上的发光模块1130 以及连接端子1120，该连接端子1120设置在壳体1110上以接收来自于外部电源的电力。壳体1110可以由具有优异的散热特性的材料形成。例如，壳体1110可以由金属材料或者树脂材料形成。发光模块1130可以包括板1132和安装在板1132上的至少一个发光器件封装 200。板1132可以是其上印刷电路图案的绝缘体。例如，板1132包括普通印刷电路板 (普通PCB)、金属芯PCB、柔性PCB以及陶瓷PCB。板1132还可以由有效地反射光的材料形成，或者其表面可以被涂覆有有效地反射光的颜色，例如，白色和银色。至少一个发光器件封装200可以安装在板1132上。每个发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED) 100。LED 100可以包括发射具有诸如红色、绿色、蓝色或者白色的各种颜色的光的有色发光二极管或者发射紫外线(UV)的UV发光二极管。发光模块1130可以包括多个发光器件封装200以获得各种颜色和亮度。例如，可以相互组合地设置白光发光二极管、红光发光二极管以及绿光发光二极管以确保高显色指数(CRI)。连接端子1120可以电连接到发光模块1130以提供电力。如图10中所示，尽管连接端子1120螺旋插入到插座形式的外部电源，但是本公开不限于此。例如，连接端子1120 可以具有插头形状。因此，连接端子1120可以插入到外部电源中或者使用互连连接到外部电源。图11是示出根据实施例的背光单元1200的分解透视图。根据实施例的背光单元1200包括导光板1210、发光模块1M0、反射构件1220以及底盖1230，但是不限于此。发光模块1240可以将光提供给导光板1210。反射构件1220 可以设置在导光板1210的下方。底盖1230可以容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220。导光板1210扩散光以产生平面光。导光板1210可以由光透射材料形成。例如， 导光板1210可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基材料、聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。发光模块1240将光提供给导光板1210的至少一个表面。因此，发光模块1240可以用作包括背光单元的显示装置的光源。发光模块1240可以接触导光板1210，但是不限于此。特别地，发光模块1240可以包括板1242和安装在板1242上的多个发光器件封装200。板1242可以接触导光板1210， 但是不限于此。板1242可以是包括电路图案(未示出)的PCB。然而，板1242可以包括金属芯 PCB或者柔性PCB以及该PCB，但是不限于此。发光器件封装200可以具有在板1242上发射光的发光表面并且与导光板1210隔开预定的距离。反射构件1220可以设置在导光板1210的下方。反射构件1220将入射到导光板 1210的底表面的光反射为在向上的方向上行进，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件可以由PET、PC、PVC中的一个形成，但是不限于此。底盖1230可以容纳导光板1210、发光模块1240以及反射构件1220。为此，底盖 1230可以具有带有开口的上侧的盒形状，但是不限于此。底盖1230可以由金属材料或者树脂材料形成。而且，可以使用压制成型工艺或者挤压成型工艺来制造底盖1230。在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用均意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。 在说明书中各处出现的这类短语不必都指向同一实施例。此外，当结合任一实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以想到许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。
权利要求
1.一种发光器件，包括 衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，所述发光结构向上暴露所述第一导电类型半导体层的一部分； 在所述第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极； 在所述光透射电极上的第二电极；以及在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极， 其中所述光透射电极具有朝着台面蚀刻区域逐渐减少的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光透射电极在所述台面蚀刻区域上具有逐渐减少的厚度。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光透射电极在所述第二电极和所述第一电极之间具有台阶部分，并且所述光透射电极具有从所述第二电极朝着所述第一电极逐渐减少的厚度。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中电介质层进一步设置在有台阶的光透射电极上，并且所述第一电极接触所述电介质层的一侧。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二电极接触所述电介质层的另一侧。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一电极还设置在所述电介质层的顶表面上。
7.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述电介质层是光透射电介质层。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述电介质层设置在台面边缘区域中。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光透射电极由ITO、IZO(In-ZnO), GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZO (In-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ni、Pt、Cr、Ti 以及 Ag 中的至少一个形成。
10.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一电极、所述电介质层以及所述第二电极起电容器的作用。
11.一种发光器件封装，包括 封装主体；在所述封装主体上的发光器件，其中所述发光器件是根据权利要求1至10所述的发光器件中的一个；以及电极，所述电极将所述封装主体电连接到所述发光器件。
全文摘要
本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构向上暴露第一导电类型半导体层的一部分；在第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在光透射电极上的第二电极；以及在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极。
文档编号H01L29/92GK102237461SQ20111011373
公开日2011年11月9日 申请日期2011年4月28日 优先权日2010年4月28日
发明者黄盛珉 申请人:Lg伊诺特有限公司