专利名称：真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法
技术领域：
所描述的技术总体涉及将沉积物质真空沉积到以辊到辊(roll-to-roll)方式移动的基片上的真空沉积装置以及使用该真空沉积装置的真空沉积方法。
背景技术：
与一次电池不同，可再充电电池(包括例如镍氢电池、锂电池以及锂离子电池)可以反复进行充电和放电，并且以组的形式被制造而成以广泛用于诸如移动电话、膝上型电脑和可携式摄像机之类的便携式电子设备。可再充电电池包括通过堆叠正电极和负电极以及其间插置的隔板而螺旋卷绕成胶卷形的电极组件、容纳电极组件与电解液的罐以及密封罐的开口的盖组件。根据活性物质是否被涂到基片上，正电极和负电极被分为涂覆部分和未涂覆部分。当负电极用诸如Si、Si0x、Sn和SnO之类的金属形成时，不可逆容量增加，从而减弱了容量增加的优点。由于负电极的效率低，正电极的使用率(充电和放电的电压带)不同于石墨的使用率。为了解决这样的问题，应用了锂预充电过程。也就是说，锂预充电过程通过将锂真空沉积到负电极的涂覆部分，提高了负电极的初始效率并且增强了正电极的使用率。在锂预充电过程中，当锂被沉积到未涂覆部分时，在正电极和负电极被卷绕成胶卷形的状态下，未涂覆部分的锂使得未涂覆部分与引线接线片的焊接特性恶化。进一步，二次电池的单电池容量由于电池容积的使用率下降而恶化，并且可能发生未涂覆部分与引线接线片的连接断开的现象。在背景部分中公开的以上信息仅用于加强所描述的技术的背景的理解，因此其可以包含并不构成本国内本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
所描述的技术致力于提供一种真空沉积装置，其具有将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的优点。所描述的技术进一步致力于提供一种使用真空沉积装置的真空沉积方法。示例性实施例提供一种真空沉积装置，包括辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断所述沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分的移动；检测传感器，检测设置在移动的所述基片上的第一参考点和第二参考点；以及控制器，根据基于所述第一参考点和所述第二参考点计算得出的并且设置在所述掩模上的第三参考点和第四参考点是否分别对应于所述第一参考点和所述第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将所述沉积物质沉积到所述涂覆部分。所述辊筒可以包括第一辊筒，支撑所述移动的基片的一个表面；以及第二辊筒， 支撑在所述第一辊筒上移动的所述基片的另一表面。
所述掩模可以包括第一掩模，与所述第一辊筒相对立，并且面对所述第一辊筒， 在距所述基片一段距离处移动；以及第二掩模，面对所述第二辊筒，在距所述基片一段距离处移动。所述检测传感器可以包括第一检测传感器，检测所述第一参考点，所述第一参考点设置在投入所述第一辊筒的所述基片的所述另一表面；以及第二检测传感器，检测所述第二参考点，所述第二参考点设置在投入所述第二辊筒的所述基片的所述一个表面。所述掩模可以与在所述辊筒上移动的所述基片隔开预定的间隙。所述掩模可以由提供在朝向所述辊筒的一侧上的多个转动支撑辊来支撑，并且在驱动辊的作用下沿一个方向移动和停止。所述掩模可以包括使所述沉积物质通过的开口部分和阻挡所述沉积物质的阻挡部分，并且所述阻挡部分的宽度大于所述沉积源的开口的宽度以便完全阻挡所述沉积源的开口。所述检测传感器可以检测所述未涂覆部分的第一始端作为所述第一参考点，并且检测所述未涂覆部分的第一末端作为所述第二参考点。所述控制器可以计算在所述掩模的阻挡部分的第二始端作为所述第三参考点，并且计算所述阻挡部分的第二末端作为所述第四参考点。另一实施例提供一种真空沉积方法，包括移动基片并且停止掩模；检测形成在所述基片中的未涂覆部分的第一始端和第一末端的位置以及形成在所述掩模中的阻挡部分的第二始端和第二末端的位置；确定所述第一始端的位置是否与所述第二始端的位置相对应；当所述第一始端的位置与所述第二始端的位置相对应时，以相同的速度移动所述基片和所述掩模；确定所述阻挡部分是否完全阻挡沉积源的开口 ；当所述阻挡部分完全阻挡所述沉积源的开口时，移动所述基片并且停止所述掩模；确定所述第一末端是否与所述第二末端相对应；以及当所述第一末端与所述第二末端相对应时，则以相同的速度移动所述基片和所述掩模。所述位置的检测可以包括根据数据计算所述未涂覆部分的第一始端和第一末端的位置以及所述掩模的第二始端和第二末端的位置，其中所述数据包括所述基片的所述未涂覆部分的宽度、形成在所述未涂覆部分之间的涂覆部分的长度和所述基片的移动速度；所述掩模的阻挡部分的宽度和形成在所述阻挡部分之间的开口部分的长度；位于沉积源的开口与检测传感器之间的基片的长度；以及所述检测传感器进行的对所述未涂覆部分的检测时间点。如所描述的，根据这些示例性实施例，当在移动的基片与沉积源之间移动和停止掩模时，沉积物质从沉积源释放到涂覆部分，并且从沉积源向未涂覆部分移动的沉积物质被中断，使得沉积物质可以有选择性地沉积到除未涂覆部分之外的涂覆部分上。
图1是示出根据本发明示例性实施例的真空沉积装置的构造的图。图2是图1的真空沉积装置中的相邻的辊筒、掩模和沉积源的详细视图。图3是示出根据本发明示例性实施例的用于控制真空沉积装置的元件的框图。图4是示出根据本发明示例性实施例的真空沉积控制方法的流程图。
图5是示出停止掩模同时移动基片直到掩模的阻挡部分的始端与未涂覆部分的始端相对应的状态的图。图6是示出在图5的状态之后掩模的阻挡部分的始端与未涂覆部分的始端相对应的状态的图。图7是示出在图6的状态之后掩模的阻挡部分完全阻挡沉积源的开口的状态的图。图8是示出在图7的状态之后掩模的阻挡部分的末端与未涂覆部分的末端相对应的状态的图。图9是示出在图8的状态之后掩模和基片以相同的速度移动的状态的图。
具体实施例方式以下将参考附图更充分地描述本发明，附图中示出本发明的示例性实施例。正如本领域技术人员将会认识到的，可以以各种不同的方式对所描述的实施例进行修改，而均不背离本发明的精神或范围。附图和说明被视为本质上是示例性的而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。例如，在根据本发明示例性实施例的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法中，锂被沉积到在形成锂离子电池的电极组件的正电极和负电极的基片上形成的活性物质涂覆部分。在这种情况下，在示例性实施例中，锂没有被沉积到正电极和负电极的未涂覆部分。图1是示出根据本发明示例性实施例的真空沉积装置的构造的图。参见图1，根据本示例性实施例的真空沉积装置被形成为将沉积物质(例如，锂)选择性地沉积到在真空腔1内连续移动的基片2的除未涂覆部分21之外的涂覆部分22上。涂覆部分22包括以预定图案形成在基片2的第一表面SDl中的第一涂覆部分221和以预定图案形成在基片2 的第二表面SD2中的第二涂覆部分222。第一涂覆部分221和第二涂覆部分222由活性物质制成，位于设置在两侧的未涂覆部分21之间。进一步，真空沉积装置被形成为将沉积物质沉积到形成在基片2的两个表面中的第一涂覆部分221和第二涂覆部分222上。本示例性实施例的真空沉积装置将锂沉积到基片2的第一涂覆部分221，而后将锂沉积到基片2的第二涂覆部分222。真空沉积装置可以将沉积物质仅仅沉积到该基片的两个表面之一上(未示出)。真空沉积装置被形成为在连续从退绕辊3供应基片2的同时，将锂沉积到基片2 的第一涂覆部分221和第二涂覆部分222并且将基片2重绕到重绕辊4。多个支撑辊5被提供在基片2移动所在的退绕辊3和重绕辊4之间。基片2被支撑辊5支撑和移动，其中支撑辊5被布置成转换基片2的移动方向。供纸辊41被提供在重绕辊4侧以在锂被沉积之后在重绕基片2之间供应纸42。纸42防止第一涂覆部分221与第二涂覆部分222直接接触，从而保护锂所沉积到的第一涂覆部分221和第二涂覆部分222。真空沉积装置具有用于将锂沉积到支撑辊5之间的基片2上的辊筒6。辊筒6包括对应于第一涂覆部分221的第一辊筒61和对应于第二涂覆部分222的第二辊筒62。基片2在第一辊筒61上移动。在通过第一辊筒61之后，基片2被支撑辊5翻转而后在第二辊筒62上移动。
为了将锂沉积到第一表面SDl的第一涂覆部分221，第一辊筒61通过接触基片2 的第二表面SD2来支撑基片2并使基片2移动。第一表面SDl的第一涂覆部分221和未涂覆部分21随着基片2的连续移动交替接触第一辊筒61。为了将锂沉积到第二表面SD2的第二涂覆部分222，第二辊筒62通过接触基片2的第一表面SDl支撑基片2并使基片2移动。第二表面SD2的第二涂覆部分222和未涂覆部分21随着基片2的连续移动交替接触第二辊筒62。真空沉积装置具有向基片2提供沉积物质的沉积源7。沉积源7包括对应于第一辊筒61的第一涂覆部分221的第一沉积源71和对应于第二辊筒62的第二涂覆部分222 的第二沉积源72。第一沉积源71提供待沉积到第一涂覆部分221的锂，并且具有开口 711以将蒸发锂喷射到第一辊筒61的第一涂覆部分221。第二沉积源72提供待沉积到第二涂覆部分222 的锂并且具有开口 721以将蒸发锂喷射到第二辊筒62的第二涂覆部分222。因此，真空沉积装置可以将锂沉积到基片2的第一表面SDl的第一涂覆部分221和第二表面SD2的第二涂覆部分222。真空腔1包括将其内部分隔开的第一障肋11和第二障肋12。为了防止不想要的到移动基片2上的沉积，第一障肋11将第一辊筒61和第二辊筒62的上部和下部分隔开。 为了防止不想要的到第一辊筒61和第二辊筒62侧部的沉积，第二障肋12将第一辊筒61 和第二辊筒62下部的第一沉积源71和第二沉积源72分隔开。该真空沉积装置包括阻断从沉积源7向辊筒6和涂覆部分22移动的沉积物质的掩模8。掩模8包括阻断对应于第一沉积源71的沉积物质的第一掩模81和阻断对应于第二沉积源72的沉积物质的第二掩模82。第一掩模81在第一沉积源71的开口 711与第一辊筒61的基片2之间移动时阻断从第一沉积源71向第一涂覆部分221移动的沉积物质。第二掩模82在第二沉积源72 的开口 721与第二辊筒62的基片2之间移动时阻断从第二沉积源72向第二涂覆部分222 移动的沉积物质。第一掩模81被布置为面对第一辊筒61，与基片2的第一表面SDl相距预定的第一间隙Cl。第二掩模82被布置为面对第二辊筒62，与基片2的第二表面SD2相距预定的第二间隙C2。也就是说，第一掩模81和第二掩模82没有接触基片2以允许将图案沉积到第一涂覆部分221和第二涂覆部分222上。第一掩模81和第二掩模82分别被提供在朝向第一辊筒61和第二辊筒62的一侧， 分别被多个转动的支撑辊813和823支撑，并且分别在驱动辊814和824的作用下沿一个方向移动或停止。分别在驱动辊814和824的作用下移动的第一掩模81和第二掩模82仅仅将锂分别沉积到第一涂覆部分221和第二涂覆部分222，并且阻挡锂沉积到未涂覆部分 21。例如，驱动辊814和拟4被提供在第一掩模81和第二掩模82的移动方向的后侧， 以通过推动分别由支撑辊813和823支撑的第一掩模81和第二掩模82来移动第一掩模81 和第二掩模82。在第一辊筒61和第二辊筒62的下方的第一掩模81和第二掩模82在重力的作用下下垂从而以曲面状态移动，以便分别对应于沿第一辊筒61和第二辊筒62的曲面移动的基片2的曲面。
图2是图1的真空沉积装置中的相邻的辊筒、掩模和沉积源的详细视图。第一辊筒61和第二辊筒62被等同地形成和操作，第一沉积源71和第二沉积源72被等同地形成和操作，并且第一掩模81和第二掩模82被等同地形成和操作。因此，现在将示例性地描述图2中示出的第一辊筒61、第一沉积源71和第一掩模81。第一掩模81包括使沉积物质通过的开口部分811和设置在开口部分811之间以便阻挡沉积物质的阻挡部分812。为了用阻挡部分812完全阻挡第一沉积源71的开口 711， 阻挡部分812的宽度Wl被形成为大于开口 711的宽度W2。进一步，当阻挡部分812被停止而基片2移动时，未涂覆部分21可以被阻挡而与蒸发和喷射的锂隔开。因此，阻挡部分 812的宽度Wl可以被形成为小于未涂覆部分21的宽度W3。图3是示出根据本发明示例性实施例的用于控制真空沉积装置的元件的框图。参见图1至3，真空沉积装置具有检测传感器9，其检测从移动的基片2设置的第一参考点和第二参考点，例如，未涂覆部分21 (或涂覆部分)的始端和末端，以将第一参考点和第二参考点施加于控制器10的输入端。检测传感器9包括对应于第一辊筒61的第一涂覆部分 221和未涂覆部分21的第一检测传感器91和对应于第二辊筒62的第二涂覆部分222和未涂覆部分21的第二检测传感器92。例如，第一检测传感器91检测投入第一辊筒61的基片2的第一表面SDl上所设置的未涂覆部分21 (或涂覆部分)。第二检测传感器92检测经过第一辊筒61投入第二辊筒62的基片2的第二表面SD2上所设置的未涂覆部分21 (或涂覆部分)。第一检测传感器91和第二检测传感器92的构造和操作是相同的，因此，以第一检测传感器91为例。在示例性实施例中，第一检测传感器91检测在基片2上的未涂覆部分 21的始端和末端。参见图3和5，控制器10根据检测信号计算在第一辊筒61侧的以一时间间隔移动的未涂覆部分21的第一始端Sl和第一末端E1，并且计算在第一掩模81上的阻挡部分812的第二始端S2和第二末端E2。控制器10基于计算得出的值确定未涂覆部分 21的第一始端Sl是否与阻挡部分812的第二始端S2相对应，并且确定未涂覆部分21的第一末端El是否与阻挡部分812的第二末端E2相对应。未涂覆部分21的第一始端Sl和第一末端El是由第一检测传感器91在基片2上设置的第一参考点和第二参考点的实例。阻挡部分812的第二始端S2和第二末端E2是在第一掩模81上设置的对应于基片2上的第一参考点和第二参考点的第三参考点和第四参考点的实例。传递基片2的重绕辊4和第一掩模81和第二掩模82的驱动辊814和拟4被可控地连接到控制器10的输出端。为了方便起见，本示例性实施例示出了重绕辊4供应基片2 的实例，并且为了传递基片2，可以提供单独的传递装置(未示出)。因此，为了根据第一检测传感器91和第二检测传感器92的检测信号将沉积物质沉积到第一涂覆部分221和第二涂覆部分222上，控制器10控制第一掩模81和第二掩模82的传递速度以与基片2的传递相对应。图4是示出根据本发明示例性实施例的控制真空沉积的方法的流程图。为了方便起见，在对控制方法的描述中，以第一辊筒61、第一涂覆部分221之间的未涂覆部分21以及第一掩模81为例。控制真空沉积的方法包括步骤1至步骤8 (STl至ST8)，这些步骤通过使基片2的未涂覆部分21与第一掩模81的阻挡部分812相对立来控制通过开口 811将锂仅仅沉积到第一涂覆部分221同时防止锂沉积到未涂覆部分21。图5是示出停止掩模同时移动基片直到掩模的阻挡部分的始端与未涂覆部分的始端相对应时的状态的图。参见图5，基片2移动而第一掩模81停止(ST1)。基片2在重绕辊4的驱动力下移动，从而与停止的第一掩模81相对应。图5示出未涂覆部分21的第一始端Sl与在基片2上的阻挡部分812的第二始端S2不对应的状态。检测形成在基片2中的未涂覆部分21的第一始端Sl和第一末端E2的位置和形成在第一掩模81中的阻挡部分812的第二始端S2和第二末端E2的位置(ST2)。实质上， 在本示例性实施例的步骤2ST2，应用基于第一检测传感器91的检测信号计算每个位置的方法。例如，控制器10存储数据，这些数据包括基片2的未涂覆部分21的宽度W3、形成在未涂覆部分21之间的第一涂覆部分221的长度Li、基片2的移动速度、第一掩模81的阻挡部分812的宽度W2、形成在阻挡部分812之间的开口部分811的长度L2以及位于第一沉积源71的开口 711与第一检测传感器91之间的基片2的长度L3。图6是示出在图5的状态之后掩模的阻挡部分的始端与未涂覆部分的始端相对应的状态的图。参见图6，控制器10确定未涂覆部分21的第一始端Sl的位置是否与阻挡部分812的第二始端S2的位置相对应(SB)。图6示出未涂覆部分21的第一始端Sl与在基片2上的阻挡部分812的第二始端S2相对应的状态。在步骤3ST3，从由第一检测传感器91进行的未涂覆部分21的检测时间点在第一辊筒61和第一沉积源71侧计算和确定未涂覆部分21的第一始端Sl和第一末端El的位置以及第一掩模81的第二始端S2和第二末端E2的位置。由此，控制器10确定在第一辊筒61和第一沉积源71侧，未涂覆部分21的第一始端Sl是否与阻挡部分812的第二始端S2相对应。通过在基片2和第一掩模的一侧安装并直接检测检测传感器(未示出)，可以确定该第一始端是否与该第二始端相对应或者该第一末端是否与该第二末端相对应。当未涂覆部分21的第一始端Sl的位置与阻挡部分812的第二始端S2的位置相对应(图6的状态)时，基片2和第一掩模81以相同的速度移动(ST4)。基片2在重绕辊 4的驱动力下移动，并且第一掩模81在驱动辊814的作用下移动。图7是示出在图6的状态之后掩模的阻挡部分完全阻挡沉积源的开口的状态的图。参见图7，控制器10确定阻挡部分812是否完全阻挡第一沉积源71的开口 711 (ST5)。 基片2和第一掩模81以相同的速度移动直到阻挡部分812完全阻挡第一沉积源71的开口 711。基片2在重绕辊4的驱动力下移动，并且第一掩模81在驱动辊814的作用下移动。 图7示出当未涂覆部分21的第一始端Sl与阻挡部分812的第二始端S2相对应时阻挡部分812完全阻挡开口 711的状态。图8是示出在图7的状态之后掩模的阻挡部分的末端与未涂覆部分的末端相对应的状态的图。参见图8，如果阻挡部分812完全阻挡第一沉积源71的开口 711，则第一掩模 81在基片2仍然移动的状态下被停止(ST6)。也就是说，未涂覆部分21的第一始端Sl与阻挡部分812的第二始端S2开始彼此分离。图8示出未涂覆部分21的第一末端El与阻挡部分812的第二末端S2相对应的状态。
控制器10确定未涂覆部分21的第一末端El是否与阻挡部分812的第二末端E2 相对应(ST7)。通过步骤5至步骤7 (ST5至ST7)，基片2的未涂覆部分21可以在处于不被沉积的状态下通过第一沉积源71。图9是示出在图8的状态之后掩模和基片以相同的速度移动的状态的图。参见图 9，当未涂覆部分21的第一末端El与阻挡部分812的第二末端E2相对应时，基片2和第一掩模81以相同的速度移动(ST8)。因此，从第一沉积源71的开口 711喷射的蒸发锂通过开口部分811被沉积到第一涂覆部分221，并且被掩模81的阻挡部分812阻挡。图9示出在未涂覆部分21的第一末端El与阻挡部分812的第二末端E2相对应的状态下在基片2和第一掩模81以相同的速度移动期间将通过第一掩模81的开口部分811 的蒸发锂沉积到第一涂覆部分221的状态。根据根据本示例性实施例的真空沉积方法，在重复执行步骤1至步骤8 (STl至 ST8)时，沉积锂可以被沉积到第一表面SDl的第一涂覆部分221上，而不会被沉积到基片2 的未涂覆部分21上。进一步，步骤1至步骤8 (STl至ST8)也在第二辊筒62、第二沉积源 72以及第二掩模82侧被执行，以便锂可以被沉积到第二表面SD2的第二涂覆部分222。尽管已经结合目前所认为的实际的示例性实施例描述了本发明，但是应当理解， 本发明不限于所公开的实施例，而是相反，本发明意在覆盖包括在所述权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。符号描述1 真空腔2 基片21 未涂覆部分22 涂覆部分221、222 第一涂覆部分和第二涂覆部分3 退绕辊4 重绕辊5、813、823 支撑辊6:辊筒61、62 第一辊筒和第二辊筒7 沉积源71、72 第一沉积源和第二沉积源711、721:开口81，82 第一掩模和第二掩模811:开口部分812:阻挡部分814,824 驱动辊9 检测传感器91,92 第一检测传感器和第二检测传感器Cl，C2 第一间隙和第二间隙El, E2 第一末端和第二末端 Li、L2、L3 长度SD1、SD2 第一表面和第二表面Si、S2 第一始端和第二始端W1、W2、W3:宽度。
权利要求
1.一种真空沉积装置，包括辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动； 沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质； 掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断所述沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分的移动；检测传感器，检测设置在移动的所述基片上的第一参考点和第二参考点；以及控制器，根据基于所述第一参考点和所述第二参考点计算得出的并且设置在所述掩模上的第三参考点和第四参考点是否分别对应于所述第一参考点和所述第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将所述沉积物质沉积到所述涂覆部分。
2.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中所述辊筒包括 第一辊筒，支撑所述移动的基片的一个表面；以及第二辊筒，支撑在所述第一辊筒上移动的所述基片的另一表面。
3.如权利要求2所述的真空沉积装置，其中所述掩模包括第一掩模，与所述第一辊筒相对立，并且面对所述第一辊筒，在距所述基片一段距离处移动；以及第二掩模，面对所述第二辊筒，在距所述基片一段距离处移动。
4.如权利要求3所述的真空沉积装置，其中所述检测传感器包括第一检测传感器，检测所述第一参考点，所述第一参考点设置在投入所述第一辊筒的所述基片的所述另一表面；以及第二检测传感器，检测所述第二参考点，所述第二参考点设置在投入所述第二辊筒的所述基片的所述一个表面。
5.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中所述掩模与在所述辊筒上移动的所述基片隔开预定的间隙。
6.如权利要求5所述的真空沉积装置，其中所述掩模由提供在朝向所述辊筒的一侧上的多个转动支撑辊来支撑，并且在驱动辊的作用下沿一个方向移动和停止。
7.如权利要求1所述的真空沉积装置，其中所述掩模包括使所述沉积物质通过的开口部分和阻挡所述沉积物质的阻挡部分，并且所述阻挡部分的宽度大于所述沉积源的开口的宽度以便完全阻挡所述沉积源的开口。
8.如权利要求7所述的真空沉积装置，其中所述检测传感器检测所述未涂覆部分的第一始端作为所述第一参考点，并且检测所述未涂覆部分的第一末端作为所述第二参考点。
9.如权利要求8所述的真空沉积装置，其中所述控制器计算在所述掩模的阻挡部分的第二始端作为所述第三参考点，并且计算所述阻挡部分的第二末端作为所述第四参考点。
10.一种真空沉积方法，包括 移动基片并且停止掩模；检测形成在所述基片中的未涂覆部分的第一始端和第一末端的位置以及形成在所述掩模中的阻挡部分的第二始端和第二末端的位置；确定所述第一始端的位置是否与所述第二始端的位置相对应； 当所述第一始端的位置与所述第二始端的位置相对应时，以相同的速度移动所述基片和所述掩模；确定所述阻挡部分是否完全阻挡沉积源的开口；当所述阻挡部分完全阻挡所述沉积源的开口时，移动所述基片并且停止所述掩模； 确定所述第一末端是否与所述第二末端相对应；以及如果所述第一末端与所述第二末端相对应，则以相同的速度移动所述基片和所述掩模。
11.如权利要求10所述的真空沉积方法，其中所述位置的检测包括根据数据计算所述未涂覆部分的第一始端和第一末端的位置以及所述掩模的第二始端和第二末端的位置，其中所述数据包括所述基片的所述未涂覆部分的宽度、形成在所述未涂覆部分之间的涂覆部分的长度和所述基片的移动速度；所述掩模的阻挡部分的宽度和形成在所述阻挡部分之间的开口部分的长度；位于沉积源的开口与检测传感器之间的基片的长度；以及所述检测传感器进行的对所述未涂覆部分的检测时间点。
全文摘要
提供了一种将沉积物质沉积到基片中除未涂覆部分之外的涂覆部分的真空沉积装置和使用该真空沉积装置的真空沉积方法。所述真空沉积装置包括辊筒，在真空腔内支撑具有涂覆部分和未涂覆部分的基片的连续移动；沉积源，安装在所述辊筒的对立侧以向所述涂覆部分提供沉积物质；掩模，在所述沉积源的开口与所述辊筒之间移动时阻断沉积物质从所述沉积源向所述涂覆部分移动；检测传感器，检测在移动的基片上设置的第一参考点和第二参考点；控制器，根据基于第一参考点和第二参考点计算得出的并且在所述掩模上设置的第三参考点和第四参考点是否分别对应于第一参考点和第二参考点来控制所述基片和所述掩模的移动，以便将沉积物质沉积到所述涂覆部分。
文档编号H01M4/04GK102465252SQ20111011576
公开日2012年5月23日 申请日期2011年4月28日 优先权日2010年11月2日
发明者崔完旭, 朴成镐, 李星昊, 李济玩, 林永昌, 郑锡宪 申请人:三星Sdi株式会社