专利名称：发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术：
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括一个基板及位于基板上的反射杯，发光二极管装设于基板上并收容于反射杯中。这种发光二极管封装结构中基板与反射杯接触的表面之间容易形成缝隙，水汽和灰尘容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而影响该发光二极管封装结构的寿命，甚至造成发光二极管的失效
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种密封性更好的发光二极管封装结构及其制造方法。一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤
提供形成有电极的基板；
在所述基板的上形成环形的反射杯，该反射杯包括与电极接触的一底面及与该底面相对的一顶面，该反射杯内设有贯穿该底面的空腔及贯穿该顶面的注入通道，所述注入通道与空腔连通；
在所述反射杯空腔内通过注入通道注入绝缘材料，形成阻挡结构，该阻挡结构与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于所述反射杯对金属的附着力；
将发光二极管芯片固定于基板上，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；
在反射杯围成的空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片。上述发光二极管封装结构中，由于在反射杯与电极之间形成阻挡结构，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力，因此阻挡结构与电极之间相对反射杯与电极之间的结合更加紧密，从而使外界的水汽和杂质进入到反射杯与电极之间的接合面后，难于穿过该阻挡结构进入到封装体内部而影响发光二极管芯片，起到有效的防尘、防水的作用。该阻挡结构贯穿反射杯贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，从而该阻挡结构可通过从反射杯的顶面注入绝缘材料形成，从而制程简单，且使得所形成的阻挡结构与电极和反射杯之间的结合更加紧密。
图I是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。图2是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。图3是本发明提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。图4至图9是本发明提供的发光二极管封装结构的制造方法示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，其特征在于还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。
2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于该阻挡结构包括若干结合部及分别从结合部向上延伸的连接部，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述结合部分别呈长条状，且对称地设置于发光二极管芯片的外围。
4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于该阻挡结构包括一环形的结合部及从结合部向上延伸的连接部，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
5.如权利要求2至4中任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述基板包括上表面、下表面及连接于上下表面之间的若干侧面，所述电极的数量为两个，每一电极自上表面绕行一对应的侧面后延伸至第二表面，所述结合部与电极位于基板的上表面的部分接触。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供形成有电极的基板； 在所述基板的上形成环形的反射杯，该反射杯包括与电极接触的一底面及与该底面相对的一顶面，该反射杯内设有贯穿该底面的空腔及贯穿该顶面的注入通道，所述注入通道与空腔连通； 在所述反射杯空腔内通过注入通道注入绝缘材料，形成阻挡结构，该阻挡结构与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于所述反射杯对金属的附着力； 将发光二极管芯片固定于基板上，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接； 在反射杯围成的空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于该阻挡结构包括与空腔相匹配的结合部及与注入通道相匹配的连接部。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述结合部与连接部的数量均为多个，所述结合部分别呈长条状，且对称地设置于发光二极管芯片的外围，连接部分别从对应的结合部向上延伸，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于该结合部呈环形且环设于发光二极管芯片的外围，连接部从结合部向上延伸，所述结合部与电极接触，连接部的顶端与发射杯的顶面平齐。
10.如权利要求6至9中任意一项所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述反射杯通过注塑成型或传递模塑成型的方法形成。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。反射杯环设于发光二极管芯片的外围，封装层封装发光二极管芯片于其内部，还包括一阻挡结构，该阻挡结构位于所述反射杯内部，该阻挡结构贯穿反射杯底面与电极接触，并向上延伸至与反射杯顶面平齐，该阻挡结构对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
文档编号H01L33/56GK102881800SQ20111019844
公开日2013年1月16日 申请日期2011年7月15日 优先权日2011年7月15日
发明者林新强, 陈滨全 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司