发光二极管封装结构的制造方法

文档序号:7005708阅读:236来源:国知局
专利名称:发光二极管封装结构的制造方法
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法,尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地应用到各领域当中,如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。现有的发光二极管封装结构通常采用基板作为封装衬底,在基板上形成电极,并 将发光二极管芯片装设于基板上并与电极电连接。然而如今的发光二极管元件愈来愈趋向于轻、薄的外观方向发展,而此种结构的发光二极管封装结构的整体厚度受限于基板的厚度而无法更薄;另外,由于发光二极管产生的热量通过电极传递至基板后再向外散发,电极与基板之间通常会存在较大的热阻,因此不利于高功率发光二极管灯具的散热。

发明内容
有鉴于此,有必要提供一种厚度更薄且散热良好的发光二极管封装结构的制造方法。一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤
提供一基板;
铺设一粘贴层于该基板上;
形成若干对金属层于粘贴层上;
于粘贴层上形成反射层,该反射层设有若干凹槽以分别环绕每一对金属层,该粘贴层对基板的结合力大于该粘贴层对反射层的结合力;
将发光二极管芯片分别置于凹槽内,且与凹槽内对应的金属层形成电连接;
形成封装层于凹槽内,以覆盖发光二极管芯片于封装层以内;
将所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层分离。本发明所提供的发光二极管封装结构的制造方法中,在临时基板上形成电极、装设发光二极管芯片、并完成封装,最后将该临时基板去除,从而使最后得到的发光二极管封装结构的厚度不受基板的限制而更轻薄;且由于发光二极管芯片直接固定于电极上,去除基板使得电极直接暴露于发光二极管封装结构之外,并且由于没有基板的阻挡,故在工作过程中发光二极管芯片产生的热量的传导路径缩短,散热效果更好,提高发光二极管封装结构的使用寿命。下面参照附图,结合具体实施方式
对本发明作进一步的描述。


图I为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的制造方法流程图。图3至图10为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的制造过程中各步骤所得的发光二极管封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤 提供一基板; 铺设一粘贴层于该基板上; 形成若干对金属层于粘贴层上; 于粘贴层上形成反射层,该反射层设有若干凹槽以分别环绕每一对金属层,该粘贴层对基板的结合力大于该粘贴层对反射层的结合力; 将发光二极管芯片分别置于凹槽内,且与凹槽内对应的金属层形成电连接; 形成封装层于凹槽内,以覆盖发光二极管芯片于封装层以内; 将所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层分离。
2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于还包括在形成若干金属层之前设置一阻隔层于粘贴层上的步骤,该阻隔层不连续的分布于粘贴层上。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于该阻隔层包括若干穿孔,所述穿孔成对设置,所述金属层分别形成于所述穿孔中。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于还包括在形成若干金属层之后去除该阻隔层的步骤。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于该阻隔层采用光致抗蚀剂材料利用微影或黄光制程的方式形成。
6.如权利要求I所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层是采用机械剥离的方式进行分离。
7.如权利要求I所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于该粘贴层采用导电材料制成,所述金属层通过电镀的方式形成于该粘贴层上,所述金属层与粘贴层的结合面积小于反射层与粘贴层的结合面积。
8.如权利要求I所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于该基板采用金属材料制成,该反射层采用PPA树脂材料制成,该粘贴层对金属的结合力大于对PPA树脂的结合力。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述粘贴层采用导电塑料或导电橡胶材料制成。
10.如权利要求I所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于还包括在将该基板连同粘贴层与位于粘贴层上该金属层和反射层分离后对进行切割的步骤,以得到单个发光二极管封装结构,每个发光二极管封装结构包含至少一发光二极管芯片。
全文摘要
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括提供一基板;铺设一粘贴层于该基板上;形成若干对金属层于粘贴层上;于粘贴层上形成反射层,该反射层设有若干凹槽以分别环绕每一对金属层,该粘贴层对基板的结合力大于该粘贴层对反射层的结合力;将发光二极管芯片分别置于凹槽内,且与凹槽内对应的金属层形成电连接;形成封装层于凹槽内,以覆盖发光二极管芯片于封装层以内;将所述基板连同粘贴层与位于该粘贴层上的所述反射层和金属层分离。从而形成无基板的发光二极管封装结构,减小发光二极管封装结构的厚度,实现薄型化结构。
文档编号H01L33/00GK102881779SQ201110198809
公开日2013年1月16日 申请日期2011年7月15日 优先权日2011年7月15日
发明者陈滨全 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
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