专利名称：发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其基座的形成方法。
背景技术：
发光二极管是一种节能、环保、长寿命的固体光源，因此近十几年来对发光二极管技术的研究一直非常活跃，发光二极管也有渐渐取代日光灯、白炽灯等传统光源的趋势。在现有技术中，为实现多波段或者高演色性的照明要求，通常会使用多芯片型发光二极管封装构造，其具体结构是将多个性能指标不同的发光二极管芯片集成封装，为了减少各个发光二极管芯片所发出的光线的相互干扰以及为了控制发光二极管封装结构整体出光效果，发光二极管封装结构中的基座上通常会设置有挡墙结构，用于隔开各个发光二极管芯片。现有技术在制作发光二极管封装结构的基座时，需要后期制作挡墙，然后再将该挡墙设置在基座上，因而会费时费力，制作麻烦，不易量产。·
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种制作简单的发光二极管封装结构及其基座的形成方法。一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单
元;
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；
步骤五，沿基板的通孔切割形成多个基座。一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤
步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单
元;
步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；
步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层；
步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；
步骤五，将多个第一发光二极管和第二发光二极管分别设置在每个基板单元的挡墙的两侧；
步骤六，在每个基板单元的容置杯中填充封装材料；
步骤七，沿基板的通孔切割形成多个发光二极管封装结构。上述的发光二极管封装结构及其基座的形成方法采用蚀刻方法形成挡墙，由于挡墙与基座是一体成型，无需后期再制作挡墙，制作简单，容易量产。
图I为本发明的发光二极管封装结构的剖示图。图2为基板结构示意图。图3为在图2所示的基板上开设通孔后的结构示意图。图4为在图3所示的基板上蚀刻形成挡墙和凸起结构后的结构示意图。图5为在图4所示的基板上形成金属电极层后的结构示意图。图6为在图5所示的基板上设置反射壁后的结构示意图。 图7为在图6所示的基板上封装发光二极管的结构示意图。图8为切割图7所不的基板的不意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤 步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元; 步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙； 步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层； 步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中 '及 步骤五，沿基板的通孔切割形成多个基座。
2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于所述通孔的形成方法采用蚀刻或者机械方式形成。
3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于所述挡墙形成在每个基板单元上表面上，在步骤二中还包括对基板的下表面进行蚀刻，使每个基板单元上下表面上形成一凸起结构。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于每个基板单元上形成有第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别位于挡墙的两侧，其中该第一电极和第二电极的一端分别伸至挡墙，另一端分别从基板的通孔延伸至凸起结构。
5.如权利要求I所述的发光二极管封装结构基座的形成方法，其特征在于所述反射壁与基板的结合方式采用粘结或者共烧。
6.一种发光二极管封装结构的形成方法，其包括以下几个步骤 步骤一，提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元; 步骤二，对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙； 步骤三，在每个基板单元上形成金属电极层； 步骤四，在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中； 步骤五，将多个第一发光二极管和第二发光二极管分别设置在每个基板单元的挡墙的两侧； 步骤六，在每个基板单元的容置杯中填充封装材料； 步骤七，沿基板的通孔切割形成多个发光二极管封装结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于所述挡墙形成在每个基板单元上表面上，在步骤二中还包括对基板的下表面进行蚀刻，使每个基板单元上下表面上形成一凸起结构。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于每个基板单元上形成有第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极分别位于挡墙的两侧，其中该第一电极和第二电极的一端分别伸至挡墙，另一端分别从基板的通孔延伸至凸起结构。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于所述步骤五还包括第一发光二极管设置在第一电极上，将第二发光二极管设置在第二电极上，再分别通过导线将第一发光二极管和第二发光二极管与第一电极和第二电极连接。
10.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的形成方法，其特征在于所述反射壁与基板的结合方 式采用粘结或者共烧。
全文摘要
一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤提供一基板，在基板上开设多个通孔，该多个通孔将基板平均分为多个基板单元；对基板表面进行蚀刻，使每个基板单元表面上形成挡墙；在每个基板单元上形成金属电极层；在每个基板单元上设置反射壁，每个反射壁与每个基板单元构成一容置杯，挡墙位于容置杯中；沿基板的通孔切割形成多个基座。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。
文档编号H01L33/48GK102916089SQ201110217779
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月1日 优先权日2011年8月1日
发明者柯志勋, 蔡明达, 张超雄 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司