专利名称：有机发光显示设备及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法，更具体地涉及具有简化的制造工艺和在焊盘部分中具有改善的电阻均勻性，使得亮度得到改善的有机发光显示设备及其制造方法。
背景技术：
诸如有机发光显示设备或液晶显示设备之类的平板显示设备被制造在基板上，基板上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的布线的图案。一般而言，为了在制造平板显示设备的基板上形成包括TFT的精细图案，通过利用形成有精细图案的掩膜将图案传递到基板。使用掩膜传递图案的工艺一般使用光刻工艺。根据包括一系列子步骤的光刻工艺，在即将形成图案的基板上均勻地涂覆光刻胶。使用诸如步进机之类的曝光设备将光刻胶曝光。在正性光刻胶的情况下，对曝光的光刻胶进行显影。在将光刻胶显影之后，使用剩余的光刻胶作为掩膜刻蚀图案，从而去除不需要的光刻胶。在使用掩膜传递图案的工艺中，需要其上具有必要图案的掩膜。因此，随着使用掩膜的步骤的数目增多，用于制备掩膜的制造成本也增加。并且，由于需要以上所述的复杂步骤，因此制造工艺复杂，制造时间延长，并且制造成本升高。
发明内容
为了解决上述和/或其它问题，本发明提供一种具有简化的制造工艺且在焊盘部分中具有改善的电阻均勻性，使得亮度得以提高的有机发光显示设备及其制造方法。根据本发明的方面，一种有机发光显示设备，包括薄膜晶体管，包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，其中由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积；第一焊盘电极，由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中； 第二焊盘电极，形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上，并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；以及第三焊盘电极，接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。所述有机发光显示设备进一步包括介入所述第二焊盘电极与所述第三焊盘电极之间的层间绝缘层，其中所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔彼此接触。所述层间绝缘层可以暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极可以沿所述层间绝缘层形成并且可以接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。所述第三焊盘电极的两个端部可以分别接触所述第二焊盘电极的两个端部。所述第一焊盘电极的一个端部可以暴露于外部，并且可以电连接至供应电流以驱动所述有机发光显示设备的驱动器IC。所述栅下电极、所述像素电极和所述第一焊盘电极可以包括IT0、IZ0、ai0和In2O3 中至少之一。所述栅上电极和所述第二焊盘电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、 Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所组成的组中选择的至少一种材料。所述栅上电极和所述第二焊盘电极可以包括钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的三层结构。所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、 Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Al/Cu所组成的组中选择的至少一种材料。所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极可以包括钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)
的三层结构。根据本发明的另一方面，一种有机发光显示设备，包括形成在基板上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的薄膜晶体管的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层上的像素电极；栅下电极，通过与所述像素电极分隔开预定的距离在所述有源层上由与所述像素电极相同的材料形成在同一层中；第一焊盘电极，通过与所述栅下电极分隔开预定的距离由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中；形成在所述栅下电极上的栅上电极；第二焊盘电极，在所述第一焊盘电极上由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅上电极和所述第二焊盘电极的至少一部分；源电极和漏电极，形成在所述第三绝缘层上并接触所述像素电极；以及第三焊盘电极，由与所述源电极和漏电极相同的材料形成在同一层中，并且接触所述第二焊盘电极。所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极可以经由形成在所述第三绝缘层中的接触孔彼此接触。所述第三绝缘层可以暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极可以沿所述第三绝缘层形成并且可以接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。 所述第三焊盘电极的两个端部可以分别接触所述第二焊盘电极的两个端部。根据本发明的又一方面，一种制造有机发光显示设备的方法包括第一掩膜工艺操作用于在基板上形成薄膜晶体管的有源层；第二掩膜工艺操作用于在所述有源层上形成栅电极，并且用于形成第一焊盘电极、第二焊盘电极以及形成像素电极的电极图案；第三掩膜工艺操作用于形成具有暴露所述有源层的两侧、所述第二焊盘电极的一部分以及所述电极图案的一部分的开口的层间绝缘层；第四掩膜工艺操作用于形成接触所述有源层的被暴露的两侧的源电极和漏电极、接触所述第二焊盘电极的被暴露的部分的第三焊盘电极以及所述像素电极；并且第五掩膜工艺操作用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。所述第二掩膜工艺操作可以包括在所述有源层上顺序沉积第二绝缘层、第一导电层和第二导电层；形成包括构成所述第一导电层的一部分的栅下电极以及构成所述第二导电层的一部分的栅上电极的所述栅电极；并且通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层，同时形成包括形成为所述第一导电层的一部分的第一焊盘电极以及形成为所述第二导电层的一部分的第二焊盘电极的焊盘电极。所述第三掩膜工艺操作可以包括在所述栅电极、所述第二焊盘电极和所述电极图案上沉积第三绝缘层；并且通过图案化所述第三绝缘层，形成暴露所述有源层的源区和漏区的部分、所述第二焊盘电极的一部分以及所述电极图案的一部分的开口。所述第四掩膜工艺操作可以包括在所述层间绝缘层的上表面上沉积第三导电层；并且通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和漏电极以及所述第三焊盘电极。所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极可以经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔彼此接触。所述层间绝缘层可以暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极可以沿所述层间绝缘层形成并且可以接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。所述第五掩膜工艺操作可以包括在所述基板的整个表面上沉积第四绝缘层；并且通过图案化所述第四绝缘层形成所述像素限定层。
由于通过参考以下结合附图考虑时的详细描述，本发明变得更好理解，因此本发明的更完整理解以及伴随本发明的诸多优点会变得更容易明显，在附图中相同的附图标记指代相同或相似的部件，附图中图1是示意性示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的结构的平面图；图2是沿图1的线II-II截取的截面图；图3至图11是示意性示出制造图2的有机发光显示设备的工艺的截面图；以及图12是示出传统焊盘电极的电阻测量结果与根据本发明的焊盘电极的电阻测量结果相比的曲线图。
具体实施例方式为了获得对本发明、其优点和本发明的实施方式所完成的目标的充分理解，参考示出本发明示例性实施例的附图。下文将参考附图通过解释本发明的示例性实施例来详细描述本发明。附图中相同的附图标记表示相同的元件。图1是示意性示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的结构的平面图。参见图1，根据本实施例的有机发光显示设备1包括包括薄膜晶体管(TFT)和发光像素的第一基板10以及经由密封联结至第一基板10的第二基板20。TFT、有机电致发光器件EL和存储电容器Cst可以形成在第一基板10上。并且， 第一基板10可以是低温多晶硅(LTPQ基板、玻璃基板、塑料基板或不锈钢(SUQ基板。第二基板20可以是布置在第一基板10的顶面上以将提供在第一基板10上的TFT 和发光像素与外部湿气或空气屏蔽的封装基板。第二基板20被设置为面对第一基板10，并且第一基板10和第二基板20分别经由沿其边缘布置的密封件90彼此结合。第二基板20 可以是透明玻璃或塑料基板。第一基板10包括发射光的发光区DA和设置在发光区DA外部的非发光区NDA。根据本发明的实施例，由于密封件90布置在发光区DA外部的非发光区NDA中，因此第一基板 10和第二基板20各自结合在一起。如上所述，ELjga EL的TFT以及电连接至这些部件的布线形成在第一基板10的发光区DA中。非发光区NDA可以包括焊盘区5，在焊盘区5中设置从发光区DA的布线延伸的焊盘电极。图2是沿图1的线II-II截取的截面图。参见图2，根据本实施例的有机发光显示设备1包括沟道区2、存储区3、发光区4 以及焊盘区5。在根据本实施例的有机发光显示设备中，焊盘区5特征性地包括第一焊盘电极 514、第二焊盘电极515和第三焊盘电极517。下面将详细描述具有上述结构的焊盘区5的结构。TFT作为驱动器件被提供在沟道区2中。TFT分别包括有源层212、栅电极21以及源电极271a和漏电极217b。栅电极21包括栅下电极214和栅上电极215。栅下电极214 可以由透明导电材料形成。用于提供栅电极21与有源层212之间的绝缘的第二绝缘层13 被提供在栅电极21与有源层212之间。注入高浓度杂质的源区21 和漏区212b分别形成在有源层212的两侧，并且分别连接至源电极217a和漏电极217b。存储电容器Cst提供在存储区3中。存储电容器Cst包括电容器下电极312和电容器上电极314。第二绝缘层13介于电容器下电极312与电容器上电极314之间。电容器下电极312可以由与TFT的有源层212相同的材料形成在同一层中。电容器上电极314可以由与TFT的栅下电极214、EL的像素电极414和第一焊盘电极514相同的材料形成在同一层中。EL提供在发光区4中。EL包括分别连接至TFT的源电极271a和漏电极217b之一的像素电极414、面对像素电极414的对电极420以及介于像素电极414与对电极420之间的中间层419。像素电极414可以由透明导电材料形成，并且可以由与TFT的栅下电极 214和第一焊盘电极514相同的材料形成在同一层中。焊盘区5包括第一焊盘电极514、第二焊盘电极515和第三焊盘电极517。第一焊盘电极514可以由与TFT的栅下电极214、电容器上电极314和EL的像素电极414相同的材料形成在同一层中。此外，第二焊盘电极515可以由与栅上电极215相同的材料形成在同一层中。并且，第三焊盘电极517可以分别由与源电极217a和漏电极217b相同的材料形成在同一层中。下面将详细描述焊盘区5。在传统有机发光显示设备中，存在形成具有如下结构的焊盘电极的努力包括钼(Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的第二导电层形成在包括ITO的第一导电层一侧的上表面上。具有上面结构的焊盘电极通过对形成栅上电极的第二导电层以及形成源电极和漏电极的第三导电层执行批蚀刻而形成。然而，在批蚀刻期间，由于第二导电层的歪斜，在层间绝缘层下方产生金属底切(metal undercut) 0相应地，由于金属底切，产生与歪斜相对应的额外电阻分量。结果，在通过驱动IC供应的电流进入面板之前，产生压降，因而降低亮度。而且，第二导电层的歪斜会根据第二导电层的厚度而变化。尽管厚度相同，也会根据位置产生歪斜差，使得进入面板的电流量会根据焊盘电极的位置而变化。相应地，焊盘电极的亮度的均勻性降低，使得可能产生大范围均勻性(LRU)分散。
为了解决上述问题，在根据本实施例的有机发光显示设备中，执行接触孔的功能的开口 H6形成在层间绝缘层416中，并且由第二导电层15(参见图幻形成的第二焊盘电极515和由第三导电层17(参见图9)形成的第三焊盘电极517通过开口 H6连接。同时， 第二焊盘电极515和第三焊盘电极517的端部通过将第三焊盘电极517图案化至第二焊盘电极515的端部而彼此连接。根据上述结构，可以基本上防止分别在第二导电层15和第三导电层17的批蚀刻期间，在层间绝缘层416下方产生金属底切。因此，根据本发明，可以获得防止由于金属底切而导致的额外压降以及电阻分散根据焊盘电极的位置产生的效果。下面将描述制造图2的底发射型有机发光显示设备的工艺。图3-11是示意性示出制造图2的有机发光显示设备的工艺的截面图。首先，如图3所示，第一绝缘层11形成在基板10上。详细地说，第一基板10可以由具有主要成分SW2的透明玻璃材料形成。基板 ο不限于此，并且可以使用由诸如透明塑性材料或金属件之类的各种材料形成的各种基板。第一绝缘层11，例如用于防止杂质离子的扩散，防止湿气或外部空气的侵入，并且平坦化基板10的表面的阻挡层和/或缓冲层，可以被提供在基板10的上表面上。第一绝缘层11可以通过诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法、常压CVD(APCVD)方法或者低压CVD (LPCVD)方法之类的各种沉积方法，使用S^2和/或SiNx被沉积。接下来，如图4所示，TFT的有源层212和存储电容器Cst的电容器下电极312形成在第一绝缘层11的上表面上。详细地说，非晶硅首先沉积在第一绝缘层11的上表面上， 然后非晶硅被结晶以形成多晶硅层(未示出)。非晶硅可以通过诸如快速热退火(RTA)方法、固相结晶(SPC)方法、准分子激光退火(ELA)方法、金属诱导结晶(MIC)方法、金属诱导横向结晶(MILC)方法或者顺次横向固化(SLQ方法之类的各种方法被结晶。多晶硅层经由使用第一掩膜(未示出)的掩膜工艺被图案化为TFT的有源层212和存储电容器Cst的电容器下电极312。在本实施例中，有源层212和电容器下电极312彼此分隔开形成，但有源层212和电容器下电极312可以一体形成。接下来，如图5所示，第二绝缘层13、第一导电层14和第二导电层15顺序沉积在形成有有源层212和电容器下电极312的基板10的整个表面上。第二绝缘层13可以通过使用诸如PECVD方法、APCVD方法或者LPCVD方法之类的方法，沉积诸如SiNx或SiOx之类的无机绝缘层形成。第二绝缘层13介入TFT的有源层212 和栅电极21 (参见以下讨论的图6)之间，并且充当TFT的栅绝缘层。第二绝缘层13还介入电容器上电极314(参见以下讨论的图6)和电容器下电极312之间，并且充当存储电容器Cst的介电层。第一导电层14可以包括从包括ΙΤ0、IZO、ZnO或In2O3的透明材料所组成的组中选择的一种或多种材料。第一导电层14随后可以被图案化成像素电极414、栅下电极214、 电容器上电极314和第一焊盘电极514(参见以下讨论的图6)。第二导电层15 可以包括从 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、 W、Moff和Al/Cu所组成的组中选择的一种或多种材料。第二导电层15可以被图案化成钼 (Mo)-铝(Al)-钼(Mo)的三层结构。第二导电层15随后可以被图案化成栅上电极215和第二焊盘电极515(参见以下讨论的图6)。接下来，如图6所示，栅电极21、电极图案30和40、第一焊盘电极514和第二焊盘电极515形成在基板10上。详细地说，顺序沉积在基板10的整个表面上的第一导电层14 和第二导电层15，通过使用第二掩膜(未示出)的掩膜工艺被图案化。栅电极21形成在沟道区2中的有源层212的上表面上。栅电极21包括构成第一导电层14的一部分的栅下电极214和构成第二导电层15的一部分的栅上电极215。栅电极21形成在与有源层212的中央相对应的位置。源区21 和漏区212b通过利用栅电极 21作为掩膜将η型或ρ型杂质掺入有源层212中而分别形成在有源层212的与栅电极21 的两侧相对应的两个边缘，并且沟道区2分别形成在源区21 与漏区212b之间。随后用于形成电容器上电极314的电极图案30形成在存储区3中电容器下电极 312的上表面上。随后用于形成像素电极414的电极图案40形成在发光区4中。形成为第一导电层14的一部分的第一焊盘电极514以及形成为第二导电层15的一部分的第二焊盘电极515形成在焊盘区5中。接下来，如图7所示，第三绝缘层16沉积在形成栅电极21的基板10的整个表面上。第三绝缘层16由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料通过诸如旋涂之类的方法来形成。第三绝缘层16形成至足够的厚度，例如比第二绝缘层13要厚，并且充当TFT的栅电极21与源电极217a和漏电极217b之间的层间绝缘层416。第三绝缘层16不仅可以由上述有机绝缘材料形成，而且可以由诸如第二绝缘层13之类的无机绝缘材料形成，或者可以通过交替布置有机绝缘材料和无机绝缘材料而形成。接下来，如图8所示，具有用于分别暴露电极图案30和40、第二焊盘电极515以及源区21 和漏区212b的部分的开口 H1、H2、H3、H4、H5、H6和H7的层间绝缘层416，通过图案化第三绝缘层16而形成。详细地说，第三绝缘层16通过利用第三掩膜(未示出)的掩膜工艺而被图案化，从而形成开口 HI、H2、H3、H4、H5、H6和H7。开口 Hl和H2分别暴露源区21 和漏区212b的部分。开口 H3和H4暴露构成电极图案40上部的第二导电层15 的一部分。开口 H5暴露构成电极图案30上部的第二导电层15的一部分。开口 H6和H7 暴露第二焊盘电极515的一部分。接下来，如图9所示，在基板10的整个表面上沉积第三导电层17以覆盖层间绝缘层416。第三导电层17可以分别由与以上所述的第一导电层14或第二导电层15相同的导电材料形成。然而，本发明不限于此，并且第三导电层17可以由从多种导电材料中选择的一种材料形成。导电材料被沉积至足以填充以上所述的开口 H1、H2、H3、H4、H5、H6和H7 的至少一部分的厚度。接下来，如图10所示，通过图案化第三导电层(指图9的元件17)分别形成源电极 217a和漏电极217b以及第三焊盘电极517。详细地说，通过在使用第四掩膜(未示出)的掩膜工艺中图案化第三导电层(指图9的元件17)来分别形成源电极217a和漏电极217b 以及第三焊盘电极517。源电极217a和漏电极217b之一，即本实施例中的源电极217a，在即将形成像素电极414的电极图案(指图9的元件40)的第二上导电层415的边缘区域处经由开口 H3连接至像素电极414。第三焊盘电极517的一个端部沿开口 H7形成，并且连接至第二焊盘电极515。也就是说，第三焊盘电极517的一个端部经由开口 H6连接至第二焊盘电极515。第三焊盘电极517的另一端部沿开口 H7形成，并且连接至第二焊盘电极515。因此，第三焊盘电极517CN 102544386 A的两个端部连接至第二焊盘电极515。根据上述结构，可以基本上防止在第二导电层15的刻蚀期间在层间绝缘层416下方产生金属底切。因此，可以获得防止由于金属底切而导致的额外压降和电阻分散根据焊盘电极位置产生的效果。在分别形成源电极217a和漏电极217b之后，像素电极414和电容器上电极314 通过额外的刻蚀而形成。详细地说，像素电极414通过去除电极图案(指图9的元件40) 的由开口 H4暴露的第二导电层415来形成。电容器上电极314通过去除电极图案(指图9 的元件30)的由开口 H5暴露的第二导电层315来形成。第一焊盘电极514通过去除电极图案(指图9的元件50)的由开口 H7暴露的第二导电层515而形成。因此，栅下电极214、电容器上电极314、像素电极414和第一焊盘电极514由相同的材料形成，并且形成在同一层中。可以通过开口 H5注入η型或ρ型杂质对电容器下电极 312进行掺杂。在掺杂期间注入的杂质可以与有源层212的掺杂期间使用的杂质相同或不同。接下来，如图11所示，在基板10上形成像素限定层(PDL)418。详细地说，在分别形成有像素电极414、源电极217a和漏电极217b、电容器上电极314和第三焊盘电极517的基板10的整个表面上沉积第四绝缘层(未示出)。第四绝缘层可以以诸如旋涂之类的方法由从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂所组成的组中选择的一种或多种有机绝缘材料而形成。而且，除了上述有机绝缘材料之外，第四绝缘层还可以由从Si02、 SiNx, A1203、CuOx, Tb4O7, Y203> Nb2O5和Pr2O3所组成的组中选择的无机绝缘材料形成。第四绝缘层可以形成在有机绝缘材料和无机绝缘材料被交叠布置的多层结构中。通过在使用第五掩膜(未示出)的掩膜工艺中图案化第四绝缘层来形成用于限定像素的PDL 418，以形成暴露像素电极414的中央部分的开口 Η9并同时形成暴露第一焊盘电极514的中央部分的开口 Η8。然后，如图2所示，中间层419 (包括有机发光层EL)以及对电极420形成在暴露像素电极414的开口 Η9中。中间层419可以以单结构或包括诸如发射层EML之类的至少一个功能层以及诸如空穴传输层HTL、空穴注入层HIL、电子传输层ETL和电子注入层EIL 之类的至少一个其它功能层的组合结构形成。中间层419可以由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。当中间层419由低分子有机材料形成时，在中间层419中，HTL和HIL沉积在相对于有机发光层朝向像素电极 414的方向上，并且ETL和EIL沉积在相对于有机发光层朝向对电极420的方向上。并且，可以根据需要沉积多层。可用的有机材料可以包括铜钛菁(CuPc)、Ν，N’-二(萘-1-基)-N， N，-联苯-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。当中间层419由聚合物有机材料形成时，在中间层419中，HTL仅可以包括在相对于有机发光层的像素电极414的方向上。HTL可以通过诸如喷墨印刷或旋涂之类的方法，使用聚_(2，4)_乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)，形成在像素电极414的上表面上。可用的有机材料可以包括聚苯乙烯撑(PPV)基或聚芴基聚合物有机材料。颜色图案可以通过诸如喷墨印刷、旋涂或使用激光的热传递方法之类的典型方法来形成。对电极420可以通过沉积在基板10的整个表面上形成为公共电极。在根据本实施例的有机发光显示设备中，像素电极414用作阳极，并且对电极420用作阴极。而且，可以反向方式应用电极的极性。
在朝向基板10的方向上呈现图像的底发射型有机发光显示设备中，像素电极414 是透明电极，并且对电极420是反射电极。反射电极可以通过稀疏地沉积例如Ag、Mg、Al、 Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或其组合物的具有低功函数的金属来形成。
在用于形成上述有机发光显示设备的各个掩膜工艺期间，沉积层可以通过干法刻蚀或湿法刻蚀去除。根据依据本实施例的底发射型有机发光显示设备，可以获得防止由于金属底切而导致的额外压降和电阻分散根据焊盘电极位置产生的效果。
图12为示出传统焊盘电极的电阻测量结果与根据本发明的焊盘电极的电阻测量结果相比的曲线图。
参见图12，线A指示根据本发明的焊盘电极的电阻测量结果，而其它的线指示传统焊盘电极结构中焊盘电极的电阻测量结果。如图12所示，可以看出，与传统焊盘电极结构相比，在本发明的焊盘电极结构中，电阻和位置分散被降低。
表1示出与根据本发明的焊盘电极相比，传统焊盘电极的亮度大范围均勻性 (LRU)的测量结果。如表1所示，可以看出，当使用本发明的焊盘电极结构时，与传统焊盘电极结构相比，LRU增加20%以上。
[表 1]
权利要求
1.一种有机发光显示设备，包括薄膜晶体管，包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极； 有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管，其中由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积； 第一焊盘电极，由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中； 第二焊盘电极，形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上，并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；以及第三焊盘电极，接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括介入所述第二焊盘电极与所述第三焊盘电极之间的层间绝缘层，其中所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔彼此接触。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述层间绝缘层暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极沿所述层间绝缘层形成并且接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第三焊盘电极的两个端部分别接触所述第二焊盘电极的两个端部。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第一焊盘电极的一个端部暴露于外部，并且电连接至供应电流以驱动所述有机发光显示设备的驱动器集成电路。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅下电极、所述像素电极和所述第一焊盘电极包括 το、IZO、ZnO和h203中至少之一。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述栅上电极和所述第二焊盘电极包括从 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Moff 和 Al/Cu 所组成的组中选择的至少一种材料。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中所述栅上电极和所述第二焊盘电极包括钼-铝-钼的三层结构。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极包括从 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Moff 和 Al/Cu 所组成的组中选择的至少一种材料。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述源电极、所述漏电极和所述第三焊盘电极包括钼-铝-钼的三层结构。
11.一种有机发光显示设备，包括 形成在基板上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的薄膜晶体管的有源层； 覆盖所述有源层的第二绝缘层； 形成在所述第二绝缘层上的像素电极；栅下电极，通过与所述像素电极分隔开预定的距离在所述有源层上由与所述像素电极相同的材料形成在同一层中；第一焊盘电极，通过与所述栅下电极分隔开预定的距离由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中；形成在所述栅下电极上的栅上电极；第二焊盘电极，在所述第一焊盘电极上由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中；第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅上电极和所述第二焊盘电极的至少一部分； 源电极和漏电极，形成在所述第三绝缘层上并接触所述像素电极；以及第三焊盘电极，由与所述源电极和漏电极相同的材料形成在同一层中，并且接触所述第二焊盘电极。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极经由形成在所述第三绝缘层中的接触孔彼此接触。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示设备，其中所述第三绝缘层暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极沿所述第三绝缘层形成并且接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。
14.根据权利要求11所述的有机发光显示设备，其中所述第三焊盘电极的两个端部分别接触所述第二焊盘电极的两个端部。
15.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括以下步骤 第一掩膜工艺操作用于在基板上形成薄膜晶体管的有源层；第二掩膜工艺操作用于在所述有源层上形成栅电极，并且用于形成第一焊盘电极、第二焊盘电极以及形成像素电极的电极图案；第三掩膜工艺操作用于形成具有暴露所述有源层的两侧、所述第二焊盘电极的一部分以及所述电极图案的一部分的开口的层间绝缘层；第四掩膜工艺操作用于形成接触所述有源层的被暴露的两侧的源电极和漏电极、接触所述第二焊盘电极的被暴露的部分的第三焊盘电极以及所述像素电极；并且第五掩膜工艺操作用于形成暴露所述像素电极的至少一部分的像素限定层。
16.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二掩膜工艺操作包括在所述有源层上顺序沉积第二绝缘层、第一导电层和第二导电层； 形成包括构成所述第一导电层的一部分的栅下电极以及构成所述第二导电层的一部分的栅上电极的所述栅电极；并且通过图案化所述第一导电层和所述第二导电层，同时形成包括形成为所述第一导电层的一部分的第一焊盘电极以及形成为所述第二导电层的一部分的第二焊盘电极的焊盘电极。
17.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第三掩膜工艺操作包括在所述栅电极、所述第二焊盘电极和所述电极图案上沉积第三绝缘层；并且通过图案化所述第三绝缘层，形成暴露所述有源层的源区和漏区的部分、所述第二焊盘电极的一部分以及所述电极图案的一部分的开口。
18.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第四掩膜工艺操作包括在所述层间绝缘层的上表面上沉积第三导电层；并且通过图案化所述第三导电层形成所述源电极和漏电极以及所述第三焊盘电极。
19.根据权利要求18所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第二焊盘电极和所述第三焊盘电极经由形成在所述层间绝缘层中的接触孔彼此接触。
20.根据权利要求19所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述层间绝缘层暴露所述第二焊盘电极的一个端部，并且所述第三焊盘电极沿所述层间绝缘层形成并且接触所述第二焊盘电极的被暴露的端部。
21.根据权利要求15所述的制造有机发光显示设备的方法，其中所述第五掩膜工艺操作包括在所述基板的整个表面上沉积第四绝缘层；并且通过图案化所述第四绝缘层形成所述像素限定层。
全文摘要
本发明公开一种有机发光显示设备及其制造方法。该有机发光显示设备，包括薄膜晶体管，包括有源层、包括栅下电极和栅上电极的栅电极、源电极以及漏电极；以及有机发光器件，电连接至所述薄膜晶体管。由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中的像素电极、包括发光层的中间层以及对电极被顺序沉积。第一焊盘电极由与所述栅下电极相同的材料形成在同一层中，第二焊盘电极形成在所述第一焊盘电极的至少一部分上，并且由与所述栅上电极相同的材料形成在同一层中，并且第三焊盘电极接触所述第二焊盘电极的至少一部分并且由与所述源电极相同的材料形成在同一层中。
文档编号H01L27/32GK102544386SQ20111036192
公开日2012年7月4日 申请日期2011年11月15日 优先权日2010年12月8日
发明者文相皓, 柳春基 申请人:三星移动显示器株式会社