专利名称：发光二极管装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体照明领域，尤其涉及一种具有可改变光场分布的发光二极管装置。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为一种新兴的光源，具有高亮度、长寿命及低污染等优点，因此被广泛应用于多种场合之中，并大有取代传统光源的趋势。
由于单个发光二极管为一点光源，其制成照明装置时，通常配合一透镜进行一次光学变换以改变其光场分布。现有的发光二极管装置均为根据不同的照明环境设计有不同的透镜，每一发光二极管装置的光场分布固定，不能根据环境的改变而改变，因此，这种发光二极管装置的环境适应能力较差。发明内容
有鉴于此，实有必要提供一种可改变光场分布的发光二极管装置。
一种发光二极管装置，包括底座、设于该底座中的发光芯片及设于该底座上且覆盖该发光芯片的透镜，该透镜由弹性且透明的材料制成，该透镜在外力作用下可发生形变，以改变该透镜的曲率。
本发明的发光二极管装置，其透镜由弹性且透明的材料制成，可通过外力改变曲率，从而使所述发光二极管装置产生不同的光场分布，适应不同的环境，从而使该发光二极管装置具有更好的环境适应能力。
图1为本发明第一实施例的发光二极管装置的结构示意图。
图2为图1所示发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。
图3为本发明第二实施例的发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。
图4为本发明第三实施例的发光二极管装置的结构示意图。
图5为图4所示发光二极管装置处于第二状态时的结构示意图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管装置，包括底座、设于该底座中的发光芯片及设于该底座上且覆盖该发光芯片的透镜，其特征在于，该透镜由弹性且透明的材料制成，该透镜在外力作用下可发生形变，以改变该透镜的曲率。
2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于:透镜由硅胶或橡胶制成。
3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于:当该透镜被压缩时，该透镜的中部的厚度大于边缘的厚度，当该透镜被拉伸时，该透镜的中部的厚度小于边缘的厚度。
4.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于:该透镜可分离地固定于该底座上，该透镜被拉伸或压缩后固定于该底座上定形。
5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于:该底座包括相互分离的第一瓣体及第二瓣体，该第一瓣体及第二瓣体分别位于该发光芯片的相对两侧，该透镜的边缘固定于该第一瓣体及第二瓣体上，该第一瓣体与第二瓣体可在外力相互靠近或远离以带动透镜被拉伸或压缩。
6.如权利要求5所述的发光二极管装置,其特征在于:还包括一第一电极及一第二电极，该第一电极固定于该第一瓣体上，该第二电极固定于该第二瓣体上，该芯片的两极分别与该第一电极及第二电极连接。
7.如权利要求6所述的发光二极管装置，其特征在于:该第一电极贯穿该第一瓣体，该第二电极贯穿该第二瓣体，该发光芯片固定于第一电极上。
8.如权利要求5所述的发光二极管装置,其特征在于:还包括一第一电极及一第二电极，第一电极与第二电极均设于该第一瓣体上，该第一电极与第二电极相互间隔且均自该第一瓣体朝向该透镜的上表面延伸经过该第一瓣体的侧面延伸至该第一瓣体背向该透镜的下表面。
9.如权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于:该发光芯片为一垂直型芯片，该发光芯片其中一侧的电极通过一导线连接至该第一电极上，该发光芯片上相对另一侧的电极通过导电材料粘接于该第二电极上。
10.如权利要求5所述的发光二极管装置，其特征在于:第一瓣体朝向第二瓣体的一侧设有一向下的第一台阶，该第二瓣体朝向该第一瓣体的一侧设有一向上的第二台阶，该第一瓣体的第一台阶与该第二瓣体的第二台阶至少有一部分上下叠置。
全文摘要
一种发光二极管装置，包括底座、设于该底座中的发光芯片及设于该底座上且覆盖该发光芯片的透镜，该透镜由弹性且透明的材料制成，该透镜在外力作用下可发生形变，以改变该透镜的曲率。本发明的发光二极管装置，其透镜由弹性且透明的材料制成，可通过外力改变曲率，从而使所述发光二极管装置产生不同的光场分布，适应不同的环境，从而使该发光二极管装置具有更好的环境适应能力。
文档编号H01L33/58GK103137843SQ201110378208
公开日2013年6月5日 申请日期2011年11月24日 优先权日2011年11月24日
发明者林厚德, 张超雄 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司