专利名称：一种太阳能电池边缘刻蚀方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池制造方法，特别是一种太阳能电池边缘刻蚀的方法，属于太阳能电池生产制作技术领域。
背景技术：
如今的太阳能电池制造过程中，边缘刻蚀工艺一般有等离子刻蚀即干法刻蚀和湿法刻蚀两种技术。干法刻蚀是一种成熟的边缘刻蚀技术，操作简单、产能大，但容易出现刻蚀不完全的现象，且不能实现背面腐蚀，在多晶电池制造中已逐渐被湿法刻蚀取代。湿法刻蚀技术的主要优点是硅片接近于漂浮在硝酸与氢氟酸的混合溶液上流动通过，利用液体的表面张力，硅片的边缘和背面受到腐蚀，并且化学反应的腐蚀量比等离子体法更大，刻蚀更加彻底，有效降低了漏电流。国外一般采用先刻蚀后去磷硅玻璃的方式，以保护扩散面的PN结不受腐蚀。但是这种方式的腐蚀液必须添加硫酸，以增加混合酸的表面张力，否则酸液会漫上扩散面，造成过刻蚀。这种方式的弊端是酸液的各成分浓度必须控制在精确的范围内，控制难度比较大， 设备成本非常高。有国产机型采用先去磷硅玻璃后刻蚀的方式，大大降低设备成本，然而此方式虽然可以利用去除磷硅玻璃后硅的疏水性质防止边缘的过刻蚀，但是扩散面裸露在潮湿的混酸挥发气体中导致的气相腐蚀造成方块电阻不均勻也是显而易见的，不均勻的方块电阻对太阳能电池转换效率的稳定性造成较大的负面影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能电池的边缘刻蚀方法，以较低成本实现带磷硅玻璃保护的湿法刻蚀，并使刻蚀更加彻底，提高并联电阻，降低漏电流。为了达到上述目的，本发明的技术方案是提供了一种太阳能电池边缘刻蚀方法， 其特征在于，步骤为提供扩散后的硅片，对其进行一次等离子刻蚀，去除硅片四周的磷硅玻璃，随后，将等离子刻蚀后的硅片按照先去磷硅玻璃后刻蚀的流程进行湿法刻蚀。本发明提供的太阳能电池边缘刻蚀方法，通过增加一次传统的等离子刻蚀，去除扩散后的硅片周边的磷硅玻璃，而使中间大部分的面积上保留磷硅玻璃的覆盖，从而在后续的湿法刻蚀过程中保护扩散层不受气相腐蚀，提高方块电阻稳定性；同时利用硅片周边的裸露硅本体的疏水性质防止刻蚀液浸润硅片的上表面。两次刻蚀后，电池片的并联电阻和填充因子明显提高，漏电流显著降低。从而实现低成本，高稳定性，高并联电阻的湿法刻蚀。
图IA为扩散后硅片；
图IB为等离子刻蚀后的硅片； 图2为一种典型的湿法刻蚀槽。
具体实施例方式为使本发明更明显易懂，兹以一优选实施例，并配合附图作详细说明如下。本发明提供了一种太阳能电池边缘刻蚀方法，其步骤为
步骤1、提供扩散后的硅片，图IA所示为扩散后的硅片1，其表面覆盖有深色的磷硅玻璃。对其进行一次等离子刻蚀，去除硅片四周的磷硅玻璃。图IB所示为等离子刻蚀后的硅片2，其四周被刻去1 2mm宽的磷硅玻璃，裸露出硅本体。步骤2、将等离子刻蚀后的硅片按照常规流程进行湿法刻蚀。图2所示为一种典型的湿法刻蚀槽，槽体3是湿法刻蚀机的一部分，内含刻蚀液4，其成分为硝酸和氢氟酸混合溶液，其液位高度略低于滚轴5上的滚轮6的最高高度大约1毫米，滚轮6用于支撑及传送娃片2。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求
1. 一种太阳能电池边缘刻蚀方法，其特征在于，步骤为提供扩散后的硅片，对其进行一次等离子刻蚀，去除硅片四周的磷硅玻璃，随后，将等离子刻蚀后的硅片按照先去磷硅玻璃后刻蚀的流程进行湿法刻蚀。
全文摘要
本发明提供了一种太阳能电池边缘刻蚀方法，其特征在于，步骤为提供扩散后的硅片，对其进行一次等离子刻蚀，去除硅片四周的磷硅玻璃，随后，将等离子刻蚀后的硅片按照常规流程进行湿法刻蚀。本发明提供的太阳能电池边缘刻蚀方法，通过增加一次传统的等离子刻蚀，去除扩散后的硅片周边的磷硅玻璃，而使中间大部分的面积上保留磷硅玻璃的覆盖，从而在后续的湿法刻蚀过程中保护扩散层不受气相腐蚀，提高方块电阻稳定性；同时利用硅片周边的裸露硅本体的疏水性质防止刻蚀液浸润硅片的上表面。两次刻蚀后，电池片的并联电阻和填充因子明显提高，漏电流显著降低。从而实现低成本，高稳定性，高并联电阻的湿法刻蚀。
文档编号H01L31/18GK102437240SQ201110394838
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月2日 优先权日2011年12月2日
发明者王锋萍 申请人:百力达太阳能股份有限公司