专利名称：一种高介电陶瓷的制备方法
技术领域：
本发明涉及介电陶瓷材料制备领域，具体地说是高容量电容器用的高介电陶瓷的制备方法。
背景技术：
随着科技的发展，电子元器件能否微型化逐渐成为影响科技发展的决定性因素。 具备高介电性能的电容器填充材料为电容器走向小型化提供了可能。由平行板电容器的电容计算公式
权利要求
1.一种高介电陶瓷的制备方法其特征在于所述高介电陶瓷的主相为Ca2CuO3，其制备方法为(1)、将CaO和CuO按照21的摩尔比进行配比，然后混合湿磨3— 5小时，湿磨后取出烘干；(2)、将烘干的混合粉料在93(T980°C的大气气氛中预烧10小时，然后再重新湿磨3— 5小时，湿磨后取出烘干；(3)、将烘干的混合粉料在5 10Mpa的压强下压制成坯体；(4)、将压好的坯体放入马弗炉中，以2.5^30C /min的速率升温至600°C，在600°C保持 100分钟，再以3°C /min的速率升温至960°C，在960°C保持240 300分钟，然后以3°C /min 的速率降温至600°C，之后自然冷却至室温；(5)、将烧制好的陶瓷表面进行抛光处理，除去陶瓷表面的氧化层，即完成高介电陶瓷的制备。
2.如权利要求1所述的一种高介电陶瓷的制备方法其特征在于所述的湿磨过程中， 采用丙酮作为湿磨的溶剂，丙酮的加入量为混合粉料质量的4_6%。
3.如权利要求1所述的一种高介电陶瓷的制备方法其特征在于所述步骤(3)中，压制的坯体直径为10mm，厚度为1mm。
全文摘要
一种高介电陶瓷的制备方法，所述高介电陶瓷的主相为Ca2CuO3，其制备方法为将CaO和CuO按照21的摩尔比配比后混合湿磨3—5小时，烘干后在930~980℃预烧10小时，再重新湿磨3—5小时，烘干后在5~10Mpa的压强下压制成坯体；坯体放入马弗炉，以2.5~3℃/min的速率升温至600℃，在600℃保持100分钟，再以3℃/min的速率升温至960℃，在960℃保持240~300分钟，然后以3℃/min的速率降温至600℃，自然冷却至室温，除去陶瓷表面氧化层，即完成制备。制备工艺简单，有利于规模化生产；制备的高介电陶瓷电容器，适合较高的工作频率。
文档编号H01B3/12GK102515739SQ20111042043
公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月15日 优先权日2011年12月15日
发明者李庆收, 李立本, 王会娴, 王晓飞 申请人:河南科技大学