专利名称：发光二极管、发光二极管灯和照明装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及发光二极管、发光二极管灯和照明装置，特别是涉及具有高速响应性和高输出性的发出红色光或红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。
背景技术：
发出红色光或红外光的发光二极管，用于通信、各种传感器、夜间照明、植物工厂用的光源等的用途在扩大。与之相应，对于发出红色光或红外光的发光二极管的要求，从主要重视高输出性、或者主要重视高速响应性，向重视这两者变化。特别是通信用的发光二极管，由于进行大容量的光空间传送，因此高速响应性和高输出性是必需的。作为发出红色光和红外光的发光二极管，已知:在GaAs基板上米用液相外延法生长包含AlGaAs活性层的化合物半导体层的发光二极管(例如专利文献I 4)。在专利文献4中公开了:使用液相外延法在GaAs基板上生长包含AlGaAs活性层的化合物半导体层，其后，除去作为生长基板使用的GaAs基板的、所谓的基板除去型的发光二极管。专利文献4中公开的发光二极管,在响应速度(上升时间)为40 55nsec时输出功率为4mW以下。另外，在响应速度为20nsec左右时输出功率为超过5mW少许的程度，作为使用液相外延法制作的发光二极管，被认为是在现在最高的响应速度下高输出功率的发光二极管。在先技术文献专利文献专利文献1:特开平6-21507号公报专利文献2:特开2001-274454号公报专利文献3:特开平7-38148号公报专利文献4:特开2006-190792号公报
发明内容
但是，在上述的输出功率下作为通信用的发光二极管并不充分。发光二极管与半导体激光器不同，利用了自然放出光，因此高速响应性和高输出性存在折衷(trade off)的关系。因此，例如，即使简单地减薄发光层的层厚，增大载流子的关入(封入)效果，提高电子和空穴的发光再结合概率，谋求高速响应化，也存在发光输出功率降低的问题。再者，所谓载流子的关入效果，是指:利用在发光层即活性层与覆盖层的边界形成的势垒，将载流子关入活性层区域。本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的是提供兼备高速响应性和高输出性的发出红色光和/或红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明者为了解决上述课题而反复刻苦研究的结果，通过形成为下述结构:以交替地层叠有5对以下的AlGaAs阱层和由AlGaAs或4元混晶的AlGaInP构成的势垒层的量子阱结构作为活性层，使夹着该活性层的覆盖层为由4元混晶的AlGaInP构成的覆盖层，使包含活性层和覆盖层的化合物半导体层在生长基板上外延生长后，除去其生长基板，将化合物半导体层重新贴附(接合)于透明基板上，由此完成了维持高速响应性并且以高输出功率发出红色光和/或红外光的发光二极管。此时，本发明者，首先，采用具有高的载流子的关入效果并适合于高速响应的量子阱结构作为活性层，并且为了确保高的注入载流子密度，将阱层和势垒层的对数设为5以下。通过该结构，实现了与采用液相外延法制作的发光二极管的上述的最高速的响应速度相同的程度或其以上的响应速度。另外，夹着3元混晶的量子阱结构或由3元混晶的阱层和4元混晶的势垒层构成的量子阱结构的覆盖层，采用了带隙大、相对于发光波长为透明，并且由于不含有容易产生缺陷的As因此结晶性好的4元混晶的AlGaInP。
·
另外，以往，在使用AlGaAs系的活性层的发光二极管中，没有将含有该活性层的化合物半导体层贴附(接合)于透明基板的类型，而且原样地使用了用于使化合物半导体层生长的GaAs基板。但是，GaAs基板，相对于AlGaAs系活性层是不透明的，不能避免光的吸收，因此，采用了通过在生长化合物半导体层后除去作为生长基板的GaAs基板，可以避免光的吸收，可期待有助于高输出的贴附(接合)于透明基板的类型。按照上述那样，本发明者采用以5对以下的量子阱结构为活性层的结构，确保高速响应性，在该结构中，通过采用下述结构:采用夹着3元混晶的量子阱结构的覆盖层使用4元混晶这一划时代的组合，并且除去用于化合物半导体层的生长的生长基板，在没有光吸收的基板上重新贴附化合物半导体层，由此成功地实现了高输出功率化。本发明提供以下的技术方案。(I) 一种发光二极管，其特征在于，具备:发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As (O彡Xl彡I)的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着上述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层；在上述发光部上形成的电流扩散层；和与上述电流扩散层接合的功能性基板，上述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Ga1^2)Y1Ini_Y1P(O彡Χ2彡1,0 < Yl彡I)的化合物半导体构成，上述阱层和势垒层的对数为5以下。(2) —种发光二极管，其特征在于，具备:发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As (O彡Xl彡I)的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Alx3Ga1I3) Y2In1-Y2P (O彡Χ3彡1,0 < Υ2彡I)的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着上述活性层的第I覆盖层和第2
覆盖层；在上述发光部上形成的电流扩散层；和与上述电流扩散层接合的功能性基板，上述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Ga1^2)Y1Ini_Y1P(O彡Χ2彡1,0 < Yl彡I)的化合物半导体构成，
上述阱层和势垒层的对数为5以下。(3)根据上述(I)或者(2)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述活性层与上述覆盖层的接合面积为20000 90000 μ m2。再者，所谓「上述活性层与上述覆盖层的接合面积」，在隔着引导层等的层将活性层和覆盖层接合的情况下，包含那些层与活性层或覆盖层之间的接合面积。(4)根据上述(I)至(3)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述阱层的Al组成Xl为0.20彡Xl彡0.36，上述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为660 720nm。(5)根据上述(I)至(3)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述阱层的Al组成Xl为O彡Xl彡0.2，上述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。(6)根据上述(I)至(5)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述功能性基板相对于发光波长是透明的。(7)根据上述(I)至(6)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述功能性基板由GaP、蓝宝石或SiC构成。(8) 一种发光二极管，其特征在于，具备:发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As (O彡Xl彡I)的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着上述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层；在上述发光部上形成的电流扩散层；和
包含与上述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与上述电流扩散层接合的功能性基板，上述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Ga1^2)Y1Ini_Y1P(O彡Χ2彡1,0 < Yl彡I)的化合物半导体构成，上述阱层和势垒层的对数为5以下。(9) 一种发光二极管，其特征在于，具备:发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As (O彡Xl彡I)的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Alx3Gag3) Y2In1-Y2P (O彡Χ3彡1,0 < Υ2彡I)的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着上述活性层的第I覆盖层和第2
覆盖层；在上述发光部上形成的电流扩散层；和包含与上述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与上述电流扩散层接合的功能性基板；上述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Ga1^2)Y1Ini_Y1P(O彡Χ2彡1,0 < Yl彡I)的化合物半导体构成，上述阱层和势垒层的对数为5以下。(10)根据上述(8)或者(9)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述活性层与上述覆盖层的接合面积为20000 90000 μ m2。(11)根据上述(8)至(10)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述阱层的Al组成Xl为0.20彡Xl彡0.36，上述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为660 720nm。(12)根据上述(8)至(10)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述阱层的Al组成Xl为O彡Xl彡0.2，上述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。(13)根据上述(8)至(12)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述功能性基板包含由硅或者锗构成的层。(14)根据上述(8)至(12)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述功能性基板包含金属基板。(15)根据上述(14)所述的发光二极管，其特征在于，上述金属基板由两层以上的金属层构成。(16)根据上述(I)至(15)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述电流扩散层由GaP构成。(17)根据上述(I)至(16)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述电流扩散层的厚度为0.5 20 μ m的范围。(18)根据上述(I)至(17)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，上述功能性基板的侧面，在接近上述发光部的一侧具有相对于主光取出面大致垂直的垂直面，在远离上述发光部的一侧具有相对于上述主光取出面向内侧倾斜的倾斜面。(19)根据上述(18)所述的发光二极管，其特征在于，上述倾斜面包含粗糙的面。(20)根据上述(18)或者(19)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在发光二极管的上述主光取出面侧设置有第I电极和第2电极。(21)根据上述(20)所述的发光二极管，其特征在于，上述第I电极和上述第2电极为欧姆电极。(22 )根据上述(20 )或者(21)的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在上述功能性基板的、上述主光取出面侧的相反侧的面上还具备第3电极。(23)—种发光二极管灯，其特征在于，具备上述(I)至(22)的任一项所述的发光
二极管。(24)—种发光二极管灯，其特征在于，具备上述(22)所述的发光二极管，上述第I电极或第2电极与上述第3电极以大致相同电位连接着。(25)—种照明装置，其搭载有两个以上的上述(I)至(22)的任一项所述的发光二极管。本发明中，所谓「功能性基板」，是指在生长基板上生长化合物半导体层后，除去该生长基板，隔着电流扩散层而与化合物半导体层接合从而支持化合物半导体层的基板。再者，在电流扩散层上形成规定的层后，在该规定的层上接合规定的基板的结构的情况下，包含该规定的层在内称为「功能性基板」。根据本发明的发光二极管，设为下述结构:采用交替地层叠有由AlGaAs构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、或交替地层叠有由AlGaAs构成的阱层和由AlGaInP构成的势垒层的量子阱结构的活性层，使用注入载流子的关入效果大的量子阱。因此，通过在阱层内关入充分的注入载流子，阱层内的载流子密度变高，其结果，发光再结合概率增大，响应速度提高。另外，注入到量子阱结构内的载流子，由于其波动性，因此因隧道效应，在量子阱结构内的阱层间整体中扩展。但是，由于采用了将量子阱结构的阱层和势垒层的对数设为5以下的结构，因此极力避免由于其扩展所致的注入载流子的关入效果的降低，保证了高速响应性。量子阱结构的阱层和势垒层的对数，更优选为3以下，进一步优选为I。而且，由于是从量子阱结构的活性层发光的结构，因此单色性高。另外，作为夹着活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，采用了:相对于发光波长为透明，并且由于不含有容易形成缺陷的As因此结晶性高的AlGaInP构成的构成。因此，介有缺陷的电子和空穴的非发光再结合概率降低，发光输出功率提高。而且，由于作为夹着活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，采用了由4元混晶的AlGaInP构成的构成，因此与覆盖层由3元混晶构成的发光二极管相比，Al浓度低，耐湿性提闻。而且，由于采用了除去化合物半导体层的生长基板，电流扩散层接合了功能性基板的结构，因此避免了由生长基板所致的光的吸收，发光输出功率提高。即，作为化合物半导体层的生长基板通常所使用的GaAs基板，带隙比活性层的带隙窄，因此来自活性层的光被GaAs基板吸收，光取出效率降低，但通过除去该GaAs基板，发光输出功率提高。根据本发明的发光二极管，活性层与覆盖层的接合面积优选为20000 90000 μ m2。通过使其接合面积为90000 μ m2以下，电流密度变高，保证了高输出功率，并且发光再结合概率增大，响应速度提高。另一方面，通过设为20000 μ m2以上，抑制相对于通电电流的发光输出功率的饱和，发光输出功率没有大的降低，可保证高输出功率。活性层与覆盖层的接合面积，更优选为20000 53000 μ m2。根据本发明的发光二极管，优选:阱层的Al组成Xl为0.20 < Xl < 0.36，阱层的厚度为3 30nm,发光波长被设定为660 720nm。由此,与以往的660 720nm的红色发光二极管相比，响应速度高，并且实现了高输出功率。根据本发明的发光二极管，优选:阱层的Al组成Xl为O < Xl < 0.2，阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。由此，与以往的720 850nm的红外发光二极管相比，响应速度高，并且实现了高输出功率。根据本发明的发光二极管，通过功能性基板采用相对于发光波长为透明的结构，与使用了具有吸收的基板的发光二极管相比，实现了高输出功率。根据本发明的发光二极管，通过功能性基板采用由GaP、蓝宝石或SiC构成的结构，由于是难以腐蚀的材质，因此耐湿性提高。根据本发明的发光二极管，通过功能性基板和电流扩散层都采用由GaP构成的构成，能够增大它们之间的接合强度。
图1是使用作为本发明的一实施方式的发光二极管的发光二极管灯的平面图。图2是使用作为本发明的一实施方式的发光二极管的发光二极管灯的、沿着图1中所示的A-A’线的截面模式图。图3是作为本发明的一实施方式的发光二极管的平面图。图4是作为本发明的一实施方式的发光二极管的、沿着图3中所示的B-B’线的截面模式图。
图5是用于说明构成作为本发明的一实施方式的发光二极管的活性层的图。图6是用于作为本发明的一实施方式的发光二极管中的外延晶片的截面模式图。图7是用于作为本发明的一实施方式的发光二极管中的接合晶片的截面模式图。图8A是作为本发明的另一实施方式的发光二极管的平面图。图8B是沿着图8A中所示的C_C’线的截面模式图。图9是表不作为本发明的一实施方式的发光二极管的对数与输出功率和响应速度的关系的曲线图(活性层与覆盖层的接合面积为123000μπι2的情况)。图10是表不作为本发明的一实施方式的发光二极管的对数与输出功率和响应速度的关系的曲线图(活性层与覆盖层的接合面积为53000μπι2的情况)。图11是作为本发明的另一实施方式的发光二极管的截面模式图。
具体实施例方式以下对于作为应用本发明的一实施方式的发光二极管和使用它的发光二极管灯，使用附图详细地说明。再者，在以下的说明中使用的附图中，相同部件附带相同标记，或者省略标记。另外，在以下的说明中使用的附图为模式图，长度、宽度和厚度的比率等，存在与实际不同的情况。<发光二极管灯>图1和图2是用于说明使用了作为应用本发明的一实施方式的发光二极管的发光二极管灯的图，图1是平面图，图2是沿着图1中所示的Α-Α’线的截面图。如图1和图2所示，使用了本实施方式的发光二极管I的发光二极管灯41，在装配基板42的表面安装有I个以上的发光二极管I。更具体地讲，在装配基板42的表面设置有η电极端子43和ρ电极端子44。另外，作为发光二极管I的第I电极的η型欧姆电极4和装配基板42的η电极端子43用金线45连接着(线接合)。另一方面，作为发光二极管I的第2电极的ρ型欧姆电极5和装配基板42的ρ电极端子44用金线46连接着。进而，如图2所示，在发光二极管I的与设有η型和P型欧姆电极4，5的面相反的一侧的面上设置有第3电极6，通过该第3电极6，发光二极管I连接于η电极端子43上，并固定于装配基板42上。在此，η型欧姆电极4和第3电极6，通过η电极端子43以成为等电位或大致等电位的方式电连接着。通过第3电极，对于过大的逆电压，在活性层中不流动过电流，在第3电极与ρ型电极间流动电流，可防止活性层的破损。在第3电极与基板界面侧附加反射结构，也可以进行高输出。另外，通过在第3电极的表面侧附加共晶金属、焊料等，可以利用共晶芯片焊接等更简便的组装技术。装配基板42的安装了发光二极管I的表面，被硅树脂和环氧树脂等的一般的封装树脂47封装着。<发光二极管(第I实施方式)>图3和图4是用于说明应用了本发明的第I实施方式涉及的发光二极管的图，图3为平面图，图4为沿着图3中所示的Β-Β’线的截面图。另外，图5为层叠结构的截面图。第I实施方式涉及的发光二极管，其特征在于，具备:发光部7，所述发光部7具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As (O彡Xl彡I)的化合物半导体构成的阱层17和势垒层18的量子阱结构的活性层U、夹着上述活性层11的第I覆盖层9和第2覆盖层13 ；在发光部7上形成的电流扩散层8 ;和与电流扩散层8接合的功能性基板3，第I和第2覆盖层9、13由组成式为(Alx2Gag2) Y1In1-Y1P (O≤X2≤1,0 < Yl≤I)的化合物半导体构成，阱层17和势垒层18的对数为5以下。再者，所谓本实施方式中的主光取出面，是化合物半导体层2中的、贴附了功能性基板3的面的相反侧的面。化合物半导体层(也称为外延生长层)2，如图4所示，具有依次层叠有pn结型的发光部7和电流扩散层8的结构。在该化合物半导体层2的结构中，可以适时增加公知的功能层。例如，可以设置用于降低欧姆(Ohmic)电极的接触电阻的接触层、用于使元件驱动电流在发光部的整体中平面性地扩散的电流扩散层、相反用于限制元件驱动电流流通的区域的电流阻止层和电流狭窄层等公知的层结构。再者，优选:化合物半导体层2在GaAs基板上外延生长而形成。发光部7，如图4所示，在电流扩散层8上至少依次层叠ρ型的下部覆盖层(第I覆盖层)9、下部引导层10、活性层11、上部引导层12、η型的上部覆盖层(第2覆盖层)13而构成。即，发光部7，设为:包含为了将带来辐射再结合的载流子(carrier)和发光“关入(封入)”活性层11中而在活性 层11的下侧和上侧对峙地配置的下部覆盖层9、下部引导(guide)层10、和上部引导层12、上部覆盖层13的、所谓的双异质(英文简称:DH)结构，在得到高强度的发光方面是优选的活性层11，如图5所示，为了控制发光二极管(LED)的发光波长，构成量子阱结构。即，活性层11，是两端具有势垒层(也称为垒层)18的、阱层17与势垒层18的多层结构(层叠结构)。因此，例如，5对的对数的量子阱结构，由5层的阱层17和6层的势垒层18构成。活性层11的层厚优选为0.02 2μπι的范围。另外，活性层11的传导类型没有特别限定，未掺杂、P型和η型的任一种都可以选择。为了提高发光效率，优选设为结晶性良好的未掺杂或低于3X IO17CnT3的载流子浓度。当提高结晶性、减少缺陷时，可以抑制光的吸收，谋求发光输出功率的提高。阱层17由组成式为(AlxiGa1I1) As (O≤Xl≤I)的化合物半导体构成。Al组成Xl优选为O≤Xl≤0.36。通过使Al组成Xl为该范围，可在660nm 850nm的范围具有所希望的发光波长。表I表不讲层17的层厚为7nm时，Al组成Xl与发光波长的关系。已知，Al组成Xl越低，发光波长就越长。另外，从其变化的倾向可以推定与表中没有记载的发光波长对应的Al组成。表I
权利要求
1.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O≤Xl≤I ; 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 与所述电流扩散层接合的功能性基板， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrVY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。
2.—种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGa1I) As的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Alx3Gag3) Y2IrvY2P的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O ≤ Xl ≤ 1,0≤X3≤1,0≤Y2 ≤ 1 ； 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 与所述电流扩散层接合的功能性基板， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrvY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤ X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。
3.根据权利要求1或者2的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与所述覆盖层的接合面积为20000 90000 μ m2。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为0.20彡Xl彡0.36，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为660 720nm。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为O彡Xl彡0.2，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。
6.根据权利要求1至5的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板相对于发光波长是透明的。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板由GaP、蓝宝石或SiC构成。
8.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGag1)As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O彡Xl彡I ; 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 功能性基板，所述功能性基板包含与所述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与所述电流扩散层接合， 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrvY1P的化合物半导体构成，其中，O ≤ X2 ≤ 1，0 < Yl ≤ 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。
9.一种发光二极管，其特征在于，具备: 发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlxiGa1I) As的化合物半导体构成的阱层和由组成式为(Alx3Gag3) Y2IrvY2P的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第I覆盖层和第2覆盖层，其中，O ^ Xl ^ 1,01,0<Y2 ^ I ； 在所述发光部上形成的电流扩散层；和 功能性基板，所述功能性基板包含与所述发光部对向地配置、相对于发光波长具有90%以上的反射率的反射层，并与所述电流扩散层接合； 所述第I和第2覆盖层由组成式为(Alx2Gag2) Y1IrvY1P的化合物半导体构成，其中，O彡 X2 彡 1，0 < Yl 彡 1， 所述阱层和势垒层的对数为5以下。
10.根据权利要求8或者9的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与所述覆盖层的接合面积为20000 90000 μ m2。
11.根据权利要求8至10的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为0.20彡Xl彡0.36，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为660 720nm。
12.根据权利要求8至10的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阱层的Al组成Xl为O彡Xl彡0.2，所述阱层的厚度为3 30nm，发光波长被设定为720 850nm。
13.根据权利要求8 至12的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板包含由硅或者锗构成的层。
14.根据权利要求8至12的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板包含金属基板。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述金属基板由两层以上的金属层构成。
16.根据权利要求1至15的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩散层由GaP构成。
17.根据权利要求1至16的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为0.5 20 μ m的范围。
18.根据权利要求1至17的任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述功能性基板的侧面，在接近所述发光部的一侧具有相对于主光取出面大致垂直的垂直面，在远离所述发光部的一侧具有相对于所述主光取出面向内侧倾斜的倾斜面。
19.根据权利要求18所述的发光二极管，其特征在于，所述倾斜面包含粗糙的面。
20.根据权利要求18或者19的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在发光二极管的所述主光取出面侧设置有第I电极和第2电极。
21.根据权利要求20所述的发光二极管，其特征在于，所述第I电极和所述第2电极为欧姆电极。
22.根据权利要求20或者21的任一项所述的发光二极管，其特征在于，在所述功能性基板的、所述主光取出面侧的相反侧的面上还具备第3电极。
23.一种发光二极管灯，其特征在于，具备权利要求1至22的任一项所述的发光二极管。
24.一种发光二极管灯，其特征在于，具备权利要求22所述的发光二极管，所述第I电极或第2电极与所述第3电极以大致相同电位连接着。
25.一种照明装置，其搭载有两个以上 的权利要求1至22的任一项所述的发光二极管。
全文摘要
本发明涉及的发光二极管，其特征在于，具备发光部，所述发光部具有交替地层叠有由组成式为(AlX1Ga1-X1)As的化合物半导体构成的阱层和势垒层的量子阱结构的活性层、夹着所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在所述发光部上形成的电流扩散层；和与所述电流扩散层接合的功能性基板，所述第1和第2覆盖层由组成式为(AlX2Ga1-X2)Y1In1-Y1P的化合物半导体构成，其中，0≤X1≤1，0≤X2≤1，0＜Y1≤1，所述阱层和势垒层的对数为5以下。
文档编号H01L33/06GK103081135SQ20118004288
公开日2013年5月1日 申请日期2011年8月10日 优先权日2010年8月10日
发明者粟饭原范行 申请人:昭和电工株式会社