技术总结
根据一个实施例，半导体发光器件包括半导体层、p侧电极、n侧电极、p侧金属柱、n侧金属柱和绝缘体。该半导体层包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及发光层。该p侧金属柱包括p侧外部端子。该n侧金属柱包括n侧外部端子。选自p侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个不同于选自n侧外部端子的面积和平面构造中的至少一个。
技术研发人员：猪塚幸;小幡进;木村晃也;小岛章弘;秋元阳介;杉崎吉昭
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201180066819
技术研发日：2011.06.08
技术公布日：2017.03.29