专利名称：工件分割装置及工件分割方法
技术领域：
本发明涉及エ件分割装置及エ件分割方法，尤其涉及对于经由切割带安装在环状的框架并切割、分组加工成各芯片的半导体晶片，在切割加工后使切割带扩展而分割成各个芯片的エ件分割装置及エ件分割方法。
背景技术：
目前，在制造半导体芯片时，在例如将半导体晶片经由带有被称为DAF(DieAttach Film芯片粘接膜)的芯片接合用膜状粘接剂的切割带(粘结带、粘结片)而铺设在框架上的エ件中，通过扩张(扩展)切割带而将半导体晶片及DAF分割成各个芯片，其中所述半导体晶片预先通过激光照射等而在其内部形成有预定分离线。在图28中示出エ件。图28(a)为立体图，图28(b)为剖视图。如图所示，半导体晶片W在背面经由DAF(D)粘贴有在单面上形成有粘结层的厚度IOOym左右的切割带S。并且，切割带S安装在具有刚性的环状的框架F上，在エ件分割装置中，半导体晶片W载置在工作台上，通过将切割带S扩展而单片化(分割)成各芯片T。在此，DAF在室温附近时粘性高，为了如上述那样使带有DAF的带扩张而将半导体晶片单片化成芯片，必须在冷却DAF而使其脆性化的状态下使带扩张。作为具有代表性的冷却方法公知有低温工作盘方式和气氛冷却方式。另ー方面，为了进行扩张带而将芯片单片化后的エ序中的处理，必须将扩张后的松弛的带再度张紧。作为具有代表性的张紧方法，包括将带扩张用环与框架铆接(かしめる)的方式和利用暖风加热器等加热带的方式。其中，使用暖风加热器的方法虽然运转成本低，但由于暖风具有扩散的特性，因此将带搭载到冷却、扩张的単元上进行冷却、扩张及加热、张紧难以在ー个单元中进行。例如，作为エ件分割装置提出有如下エ件分割装置(例如，參照专利文献I等)，该エ件分割装置具有分割机构，其保持经由切割带将预先形成有预定分割线的エ件支承的状态下的框架即带エ件的框架的框架，使框架与エ件在与エ件的面正交的方向上分离而扩张切割帯，由此将エ件沿着预定分割线分割；加热机构，其通过加热而除去因扩张产生的切割带的松弛；清洗机构，其在使带エ件的框架旋转的同时对エ件供给清洗液从而清洗エ件；对エ件的切割带照射紫外线的机构。先行技术文献专利文献专利文献I日本特开2010-206136号公报然而，在上述专利文献I中记载的装置中，由于冷却、扩张单元和热收缩单元为分开的单元，因此在带松弛的状态下在所述单元间输送エ件。在带松弛这样的状态下进行的输送存在以下情況，即，由于带形状垂下很多而不稳定，因此在带上单片化后的芯片的上表面彼此相互接触或受到过度的弯曲应力。因此，存在导致芯片的破损、品质下降和材料利用率降低的问题。
此外，在使松弛的带张紧时，在利用整面加热器等使气氛过热的情况下，先冷却而脆化的带也被加热，导致其具有过度的粘性。即，此后，在将芯片从切割带剥离吋，由于具有过度的粘结カ的DAF的影响，无法将芯片从切割带完好地剥离。因情况的不同，还可能存在DAF彼此粘在一起而导致芯片间的分离性变差的情況
发明内容
本发明是鉴于上述这样的问题而作出的，其目的在于提供一种エ件分割装置及エ件分割方法，通过利用同一单元来实施工件的冷却、扩张及基于热收缩等的扩张状态的保持而避免单元间的エ件输送，防止因切割带的松弛导致的芯片相互的接触引起的品质下降等，并且防止通过加热DAF而使其过度地与切割带粘结。为了实现所述目的，本发明的エ件分割装置将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其中，具备エ件，其由具有预定分离线的半导体晶片构成；选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却；エ件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割；选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展弓I起的松弛。根据本发明，由于具备选择性地对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却机构和选择性地对切割带的贴附有エ件的区域以外的部分进行加热的选择性加热机构，因此能够在同一单元内实施工件的冷却、扩张和扩展状态的保持，无需在单元间进行エ件输送，能够防止切割带的因松弛导致的芯片的品质下降等。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性冷却机构是与经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却的冷却机构。根据该结构，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性冷却机构是冷冻吸盘。根据该结构，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，所述エ件分割机构是将冷却后的所述エ件的外周部从所述切割带的外周支承部相对地推起而扩展的顶起用环。根据该结构，能够由简单的机构一次性地将エ件分割。此外，作为ー实施方式，优选，还具备晶片罩，其具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域，配置成能够升降，并且在下降时覆盖所述エ件，所述选择性加热机构在该晶片罩的周围配置成能够升降。根据该结构，即使使顶起用环下降，也能够维持芯片间隔，并通过晶片罩对半导体晶片的区域隔断选择性加热机构的热，防止芯片粘接膜熔化，且能够防止芯片间的间隙消失。此外，作为ー实施方式，优选，所述エ件分割机构是将冷却后的所述エ件的外周部从所述切割带的外周支承部相对地推起而进行扩展的顶起用环，在所述晶片罩下降而覆盖所述エ件吋，该晶片罩的侧部的前端面与所述扩展了的顶起用环的前端面对合而将所述エ件密闭在所述晶片罩内部。
由此，能够完全对半导体晶片的区域隔断热。优选，所述选择性加热机构配置成能够以一定的周期在覆盖所述エ件的晶片罩的周围旋转。由此，能够对切割带均等地加热而能够防止在切割带的张紧状态中产生差异。此外，作为ー实施方式，优选，所述选择性加热机构是通过光的辐射选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分加热的光加热机构。根据该结构，能够选择性地对切割带的因扩展而松弛的部分进行加热。
此外，为了实现所述目的，本发明的エ件分割方法将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其特征在于，具有选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却エ序；在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割的エ件分割エ序；选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛的选择性加热エ序。根据本发明，能够选择性地对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却，并选择性地对在经由芯片粘接膜贴附有エ件的区域以外的部分产生的松弛进行加热，通过在同一単元内实施工件的冷却、扩张及热收缩，从而无需进行单元间的エ件输送，能够防止切割带的松她引起的芯片的品质下降等。此外，作为ー实施方式，优选，在所述选择性冷却エ序中，使冷却机构与经由所述芯片粘接膜而贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却。根据该方式，能够选择性地仅对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却。此外，作为ー实施方式，优选，在所述エ件分割エ序中，利用顶起用环将冷却后的所述エ件的外周部从所述切割带的外周支承部相对地推起而进行扩展。根据该方式，能够由简单的机构一次性地将エ件分割。此外，作为ー实施方式，优选，还具有エ件覆盖エ序，在该エ件覆盖エ序中，设置具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域且配置成能够升降的晶片罩，在该晶片罩下降时使所述圆筒形状的前端面与扩展后的所述顶起用环的前端面对合，从而将所述エ件密闭在该晶片罩的内部，在所述选择性加热エ序中，选择性地对覆盖所述エ件的所述晶片罩的周围进行加热。根据该方式，选择性地对贴附有エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却，并由晶片罩覆盖扩展后的エ件，由此在隔断热的同时选择性地对切割带的松弛部分进行加热，从而，能够在同一単元内实施工件的冷却、扩张及热收缩，无需进行单元间的エ件输送，能够防止因切割带的松弛导致的芯片的品质下降等。此外，作为ー实施方式，优选，在所述选择性加热エ序中，通过光的辐射选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热。根据该方式，能够选择性地对切割带的因扩展而松弛的部分进行加热。发明效果如以上说明那样，根据本发明，通过选择性地对固定的エ件的芯片粘接膜的区域进行冷却，选择性地对在切割带的未保持扩展状态的部分产生的松弛部分进行加热，即使扩展解除也能够保持切割带的扩展状态，能够在同一单元内实施工件的冷却、扩张及基于热收缩等的扩张状态的保持，避免在単元间进行的エ件输送，能够防止因切割带的松弛导致的芯片的品质降低等。
图I是表示本发明所涉及的エ件分割装置的第一实施方式的主要部分剖视图。图2是表示本发明的第一实施方式所涉及的エ件分割装置的动作的流程图。图3是表示第一实施方式的エ件分割装置进行扩展的状态的剖视图。图4是表示将辅助环插入切割带后的状态的剖视图。图5是表示通过辅助环保持切割带的扩张状态的状态的剖视图。图6是表示本发明所涉及的エ件分割装置的第二实施方式的主要部分剖视图。图7是粘贴在エ件上的热标签的放大图。图8是该处理后的热标签的放大图。图9是表示本发明的第二实施方式所涉及的エ件分割装置的动作的流程图。图10是表示第二实施方式的エ件分割装置进行扩展的状态的剖视图。图11是表示使晶片罩下降后的状态的剖视图。图12是表示通过晶片罩和顶起用环把持切割带的状态下下降的状态的剖视图。图13是表示利用光加热装置对切割带的松弛的部分进行加热的状态的剖视图。图14是表示光加热装置与切割带的位置关系的一例的俯视图。图15是表示对光加热装置进行旋转扫描的情况的俯视图。图16是表示具备8个光加热装置的示例的俯视图。图17是表示对图16的8个选择性加热装置进行旋转扫描的情况的俯视图。图18是表示利用光加热装置加热后的切割带的测定位置的说明图。图19是表示图18的各测定位置上的测定方向的说明图。图20是表示测定结果的说明图。图21是表示比较例的测定结果的说明图。图22是表不对切割带外周部进行加热后的情况的热不踪画面。图23同样是表示对切割带外周部进行加热后的情况的热示踪画面。图24是表示使切割带加热硬化后的状态的剖视图。图25是表示维持芯片间隔的加热处理后的エ件的俯视图。图26是表示在未使用本发明时芯片间隔未被维持的状态的剖视图。图27是表示作为第二实施方式的变形例的エ件分割装置的动作的流程图。图28表示エ件，(a)是立体图，(b)是剖视图。符号说明1,100. · ·エ件分割装置；2. · ·エ件；10...冷冻吸盘；12...顶起用环；14...辅
助环；16...环升降机构；18......框架固定机构；20...晶片罩；21...罩升降机构；
22...光加热装置；23·..加热器升降机构(旋转机构)；D. ·.芯片粘接膜(DAF) ；F...框架；S...切割带；T...芯片；W...半导体晶片。
具体实施例方式以下，參照附图详细说明本发明所涉及的エ件分割装置及エ件分割方法。图I是表示本发明所涉及的エ件分割装置的第一实施方式的主要部分剖视图。如图I所示，エ件分割装置I具备冷冻吸盘(冷凍チャツクテーブル)10和顶起用环12。在冷冻吸盘10上设置有图28所示那样的、半导体晶片W经由切割带S安装在框架F上的エ件2。需要说明的是，形成为在半导体晶片W的背面经由DAF(Die Attach Film芯片粘接膜)D (以下，表示为DAF(D)。)粘贴有切割带S的状态。在此，例如，半导体晶片W的厚度为50 μ m左右，DAF(D)及切割带S的厚度分别为几μ m至100 μ m左右。需要说明的是，在本实施方式中，使用以下这样的带进行了加热收缩实验。S卩，使用的切割带作为P0(聚烯烃)系带可以举出古河电エ制的UC-353EP-110或リンテツク制的D-675，另外作为PVC(聚氯こ烯)系带可以举出日东电エ制的UE-110B或リンテツク制的D-175，另外作为UV型DAF带(基材为PO系)可以举出日立化成エ业制的!7H系列(例如，FH-9011)等。此外，作为感压型DAF带(基材为PO系)可以举出日立化成エ业制的HR系列(例如HR-9004)。已确认了上述任ー种带均能够热收缩，详细的实验结果后述。此外，作为所述带的热传导率，可举出聚こ烯作为代表例的PO系的带的热传导率为O. 3 O. 5ff/m · K，PVC系的带的热传导率为O. I O. 3ff/m · K。此外，Si虽因掺杂量和结晶方位的不同而热传导率不同，但其热传导率为130 170W/m · K。此外，干燥空气的热传导率为O. 02 O. 03ff/m · K。需要说明的是，作为热的传导容易度的表象，在空气为I时，带为10，硅为10000。例如，在O. Imm厚的PO系带(热传导率假定为O. 4ff/m · K)上粘贴O. 02mm厚的DAF (热传导率假定为lW/m ·Κ)和O. Imm厚的硅(热传导率假定为160W/m ·Κ)时，PO系带的热阻值为 O. 0001m/0. 4ff/m · K = O. 00025m2 · K/ff, DAF 的热阻值为 O. 00002m/lff/m · K =0. 00002m2 · K/W。此外，硅的热阻值为 O. 0001m/160ff/m · K = O. 000000625m2 · K/W。由于目前上述带串联连接，因此从带背面到硅上表面的热阻值为上述值的和，为
O.000270625m2 · K/W。另外，从冷冻吸盘到Imm外侧的部分的切割带+DAF的热阻值R如以下这样求出。即，PO 系带的热阻值为 O. 001m/0. 4ff/m · K = O. 0025m2 · K/ff, DAF 的热阻值为 O. 001m/lff/m · K = O. 001m2 · K/ff,由于它们并联连接，因此由电阻并联连接相关的以下的公式求出。1/R = 1/0. 0025+1/0. 001 = 400+1000 = 1400由此，R = 1/1400 = O. 00071m2 · K/W。因此，从冷冻吸盘到Imm外侧的切割带的部分的热阻值相对于从切割带背面到硅上表面的热阻值为 O. 00071 + 0. 000270625 = 2. 62355...，为约 2. 6 倍。因此可知，与硅上表面相比，冷冻吸盘的外周部的切割带因冷冻吸盘而难以被冷却。此外，外部的空气的影响在与传热方向垂直的方向上具有空气层的切割带这一方较大。由以上情况可知，与硅上表面相比，冷冻吸盘外周部的温度更难以降低。冷冻吸盘10是通过真空吸附来保持エ件2，使エ件2与冷冻吸盘10接触，并经由 接触的部分通过热传递将DAF (D)冷却至0°C以下、例如-5°C -10°C左右的部件。需要说明的是，在同一物质内传热称为热传导，使不同物质彼此接触而传热称为热传递。
作为冷冻的方式，包括向吸盘内供给制冷剂而进行冷冻的方式等，但也可以为利用珀耳帖效应而使吸盘表面结冰的方式。冷冻吸盘经由切割带和DAF将晶片背面真空吸附。作为其特征，如上述可知，其吸附区域通过热传递被很快冷却，但吸附区域以外可以不太被冷却。这是因为，与单纯利用对流等冷却气氛的情况不同，基于热传递的冷却可以仅使想要局部冷却的部分冷却。如此可知，通过冷冻吸盘可以选择性地仅冷却晶片分割区域，其理由以下更详细地进行说明。如上所述那样，DAF及粘结带的厚度最多为IOOym左右。因此，从冷冻吸盘表面的到DAF、粘结带及晶片的距离最多也在O. 2mm以内。相对于此，从冷冻吸盘的外周到DAF 的外周的直径之差为12_，因此单侧为6mm左右。在此，对传热现象进行观察可知，热量与温度梯度和截面积成比例地进行传导、传递。通过由厚度Λχ、面积S围成的某一微小区间SAx内的截面的热的总量Λ Q在热传导率为λ、接触面积为S、温度为U、温度梯度为Au/Λχ、微小时间为At时可以由下式表不。AQ= AS(Au/Ax)At ......(I)需要说明的是，在不同种材料间进行的热传递与在同种材料内进行的热传导基本相同，区别仅在于代替热传导率而使用热传递系数。由此，使冷冻吸盘冷却至例如_5°C。于是，在晶片区域内，相对于DAF及粘结带的厚度Λ X最多为O. 2mm，传热的截面积S相当于晶片区域的整个区域。因此，通过热传递移动的热量非常大，即使DAF和粘结带的热传递系数和热传导率稍低，也通过热传递立刻将晶片区域内的DAF冷却。另ー方面，在上述的事例中，DAF的外径部分从冷冻吸盘的外径离开6mm。S卩，与热传导的距离相当的ΛΧ为6mm。此外，粘贴有DAF的切割带由聚こ烯等树脂形成因此热传导率λ也低。另外，该聚こ烯的厚度为100 μ m而非常薄，因此传热的截面积S也非常小。其结果是，与向晶片的热传递性相比，在切割带和DAF中传导的热传导性极低。因此，在冷冻吸盘不接触的部分、实质上距离冷冻吸盘离开切割带的厚度以上的DAF外周部分不受到通过来自冷冻吸盘的热传导而被冷却的影响。此外，离开冷冻吸盘的切割带的部分的大部分面积暴露在周围的气氛中，因此不受冷冻吸盘的温度控制而受冷冻吸盘以外的周围的气氛的温度控制。因此，例如，在将周围的气氛保持在室温的情况下，冷冻吸盘接触的区域以外几乎都成为周围气氛的温度。即，在冷冻吸盘的冷冻区域能够形成实质上的温度的交界区域。形成以上这样的交界区域是因为，DAF带的厚度和切割带的厚度比从晶片区域(严格来讲是分割晶片与DAF双方的区域)向外周部伸出的DAF的距离小(薄)。由此，能够限定通过热传递进行的冷却的范围(area)，能够高效地仅冷却规定区域(想要分割的区域)。从这样的情况考虑，以往，由于DAF带为伸縮性的材料，因此为了可靠地粘贴在晶片背面，从有利于粘贴精度的角度考虑而使DAF外径比晶片直径大IOmm左右，DAF外径必须至少比晶片直径大2mm以上(单侧Imm以上)。
在这样的状态下，若使DAF整个区域成为低温，则不存在晶片的外周部的DAF因成为低温而脆化，其结果是，由干与存在于DAF下方的切割带的伸縮性之差，DAF从粘结带向上翘起。向上翘起的DAF的一部分分离而落到晶片上，产生DAF作为异物附着在晶片上的问题。
然而，在下述情况下，即，在粘贴有DAF的状态下，考虑热传递而使用十分薄的DAF和切割带，并使用冷冻吸盘，利用真空将晶片区域吸紫，并且仅对吸紧的晶片区域高效地通过热传递现象局部冷却的情况下，从晶片向外周伸出的DAF不会被冷却。因此，不会产生外周的DAF因冷却而脆化由此翘起而落到晶片上的问题。另ー方面，由于在被冷却部分，DAF的分离性提高，因此，通过拉伸切割带，从而在晶片被割断的同吋，DAF也能够完好地分离。冷冻吸盘的大小为与晶片区域大致同等大小。例如，在晶片为8英寸尺寸(直径200mm)的大小吋，由于使晶片背面的DAF的分离性良好即可，因此冷冻吸盘也优选为与晶片大致相同面积的8英寸尺寸(直径200mm)。保持晶片的具有扩展性的切割带由于需要扩展，因此当然为比晶片大的区域。例如，在晶片为200mm尺寸时，扩展的切割带粘贴在300mm左右大小的框架，在其内侧设置晶片。晶片与框架之间也相差25mm 40mm以上。在晶片与切割带之间粘贴有DAF。DAF的直径与晶片直径大致相同，但实质上比晶片稍大。这是因为，由于DAF为伸缩性的材料，因此在形成为完全相同的尺寸的情况下，晶片可能稍微偏移地相对于DAF粘贴。为了在产生这样微小的偏移的情况下也切实地将晶片载置在DAF上而进行粘贴，考虑该偏移量而将DAF形成得比晶片稍大，即，从外形来说优选大大约Icm左右。然而，也并非必须限定于此，在极端的情况下，DAF也可以与切割带同样地形成为占满框架F的大小。此外，顶起用环12是以包围冷冻吸盘10的周围的方式配置且构成为能够通过环升降机构16进行升降的环。需要说明的是，也可以在该环上设置用于降低摩擦力的滚子(辊)。在图I中，顶起用环12位于下降位置(待机位置)。该顶起用环优选由铝等热传导性良好的金属等形成。此外，顶起用环与切割带的整周接触。通过构成如此地与切割带接触，顶起用环具有以下的功能。S卩，在粘贴有DAF的区域中，为了使DAF与晶片一起分离，需要保持冷却状态。另一方面，在扩展后产生了松弛时，必须消除该松弛。这是因为，如果在保留松弛的状态下进行输送，则分离的芯片彼此相碰而芯片可能发生破损。为了消除该松弛，作为切割带使用具有在加热时进行收缩的功能的热收缩性的带。作为这样的切割带使用的具有热收缩性的带可以使用日本特开平9-17756中公开的半导体保护用片(帯)。在这样进行扩展而分离时，在本申请中，晶片区域必须通过冷冻来确保提高DAF带的分离性，并且在晶片区域外的外侧，需要为了消除松弛而加热切割带以使其收缩。S卩，顶起用环具有使在上述两个区域中的热环境分离的功能。晶片区域通过冷冻吸盘而被冷却。通过顶起用环来隔断该冷却的状态与来自外部的加热范围的热的流入。此外，切割带由高分子构成，与金属等相比热传导性差，因此热难以传入存在于顶起用环的内周部的晶片范围中。
根据以上所述，能够通过顶起用环而将热环境完全地进行区域的隔离。即，顶起用环的内侧尤其是晶片范围被局部冷却而保持DAF的分离性提高的状态。另ー方面，顶起用环的外侧因加热而使切割带收缩，除去因扩展产生的切割带外周部的松弛，能够形成张紧的状态。如图28所示，在半导体晶片W的内部预先通过激光照射等形成有格子状的预定分离线。顶起用环12通过上升而从下方推起切割带S，使切割带S扩展，该详细情况后述。如此，通过将切割带S拉长，从而预定分离线分离而半导体晶片W与DAF(D) —起分割成各个芯片T。此外，如上所述，利用冷冻吸盘10冷却DAF(D)是因为，DAF(D)在室温下粘度高，即使利用顶起用环12从下侧推起切割带S, DAF(D)也与切割带S—起延伸而不会分离。即，通过冷却DAF(D)而使其脆性化，从而容易使其分离。需要说明的是，如图I所示，在エ件2中，切割带S的背面通过框架固定机构18在刚好与冷冻吸盘10的上表面接触的位置固定在框架F上。此外，在顶起用环12的外周侧设置有辅助环14。该辅助环14是用于保持扩展后的切割带S的扩张状态而维持分离后的芯片T间的间隔的部件，详细情况后述。以下，沿着图2的流程图，对通过エ件分割装置I将エ件2的半导体晶片W分割成各个芯片T而使其单片化的动作进行说明。首先，在图2的步骤SlOO中，如图I所示，将在半导体晶片W的背面经由DAF(D)粘接有切割带S的エ件2的框架F通过框架固定机构18固定。然后，配置成半导体晶片W所存在的区域位于冷冻吸盘10上。接下来，在图2的步骤SllO中，冷冻吸盘10通过真空吸附来吸附エ件2的背面而使其与冷冻吸盘10的表面可靠地接触。由于冷冻吸盘10为低温状态，因此通过该接触而利用热传递将エ件2冷却。尤其是，将DAF(D)冷却至-5°c -10°c左右，由此DAF(D)脆性化，通过施加カ而容易地将其分割。冷冻吸盘10进行规定时间的真空吸附，尤其是进行エ件2的冷却直至DAF(D)到达规定温度。需要说明的是，所述的控制通过省略图示的控制机构进行。接下来，在图2的步骤S120中，如图3所示，进行扩展并使半导体晶片W与DAF⑶一起单片化。S卩，如图3所示，冷冻吸盘10停止真空吸附而解除对エ件2的吸附，通过环升降机构16使顶起用环12及辅助环14上升。顶起用环12的上升例如以400mm/sec向上方推起15mm。需要说明的是，此时，辅助环14在未上升至比框架F靠上方的位置停止。如图2所示,通过顶起用环12的上升而从下方推起切割带S,在切割带S的面内，切割带S从半导体晶片W的中心呈放射状地扩展(扩张)。当切割带S扩张时，半导体晶片 W沿着预定分离线分割，在各个芯片T间形成几ym至IOOym的间隙。此时，DAF(D)被冷却而脆性化，因此DAF⑶也与半导体晶片W—起沿着预定分离线分割。由此，半导体晶片W被单片化成在背面附着有DAF(D)的各芯片Τ。切割带S在解除了基于顶起用环12的扩展时由于其弹性而复原，各芯片T间的间隙消除，因此必须至少在各芯片T所存在的区域維持切割带S的扩张状态。因此，在接下来的图2的步骤S130中，如图4所示，通过环升降机构16使辅助环14上升至能够插入框架F上的扩张后的切割带S的位置，将辅助环14插入切割带S的扩张了的部分。此时，使辅助环14低速地上升，以避免因上升的辅助环14切断切割带S。
接下来，在图2的步骤S140中，如图5所示，仅使辅助环14停留在比框架F靠上方的位置并使顶起用环12下降而移动至下降位置(待机位置)。此时，由于辅助环14停留在框架F上的位置，因此切割带S保持扩张状态。由此，由于切割带S保持扩张状态，因此各芯片T间的间隙也被維持得大，不会发生DAF⑶再固接的情況。因此，不会在切割带S松弛的状态下输送エ件2，其后的处理变得容易。如上所述，通过沿着图2的流程图说明的方法分割エ件2，从而能够在ー个单元内进行エ件分割(单片化)及用于维持分割后的各芯片间的间隙的扩张状态的保持，能够加快制造制品的节拍时间。然而，在利用辅助环14保持切割带S的扩张状态的方法中，存在可能因辅助环14割破切割带S等问题。因此，接下来，说明不使用辅助环的实施方式。图6是表示本发明所涉及的エ件分割装置的第二实施方式的主要部分剖视图。如图6所示，本实施方式的エ件分割装置100具备冷冻吸盘10、顶起用环12、晶片罩(切割带按压件)20及光加热装置22。光加热装置22例如为聚光式的卤钨灯加热器。此外，光加热装置22只要是照射光而利用辐射进行加热的装置，则也可以是其他的激光器或闪光灯等。在为这样的光加热型装置的情况下，可以通过视觉确认光的照射状态。此外，被照射光的区域通过辐射现象而被加热，而未被照射光的区域未被加热。即，在照射光时，能够视觉确认该照射区域，因此能够将可视觉确认该照射的区域局部地限定作为通过辐射进行加热的区域。在本实施方式中，作为光加热装置22使用聚光式的卤钨灯加热器。具体而言，使用了ィンフリッデエ业(株式会社)的卤聚光灯加热器LCB-50(灯额定为12V/100W)。焦点距离为35mm，聚光径为2_。然而，在本实施方式中，如后述的图11所示，不使用刚好聚光的部分进行加热，而使从光源到对象物的距离(照射距离)为46mm，相对于焦点距离35mm偏差11_，并使照射径为17. 5_。实际的照射径为15_，对切割带S的エ件W的外侧的直径15mm的范围进行加热。图7是分别粘贴在エ件2的框架F上、晶片罩20的外侧的切割带S上及半导体晶片W侧的热标签TL的放大图，图8是通过光加热装置22对晶片罩20的外侧的切割带S加热的处理之后的热标签放大图。在此，热标签TL是在50°C以上的温度变红的类型。如图8的处理后的热标签放大图也可知那样，未照射光的晶片W侧及框架F侧未达到50°C。通过这样使用聚光式的卤钨灯加热器，能够选择性地(局部地)仅对想要加热的部分进行加热，能够将向其以外的部分的热应カ抑制在最小限度。此外，作为卤钨灯用电源使用了(株式会社)ミューテック的卤钨灯用电源KPS-100E-12。该卤钨灯用电源的输出为额定电压12V。此外，其具有平稳起动(缓慢起动)功能，防止突入电流流入卤钨灯。
通过上述组合，从加热器电源接通指令经过缓慢起动O. 75秒而至到达加热器最大发光強度所需的时间为3秒以内。这与暖风加热器或红外线加热器相比为非常短的时间。同样地，从最大发光强度到电源断开的时间也相同。此外，从规定的发光强度向其他发光強度的变更响应性也为3秒以内。如此，通过使用卤钨灯，能够在短时间得到目的发光强度即温度。这对于一般的红外线加热器和暖风加热器而言是难以实现的。这样控制性良好也是优选使用卤钨灯加热器的ー个理由。通过利用了冷冻吸盘中的热传递现象的晶片背面的DAF部分的局部冷却和利用了基于卤钨灯加热器的辐射现象的对切割带外周部的松弛部分的局部加热，能够在同一范围内将热状态完全分离，因此能够在同一工作台或同一腔室内进行DAF的冷却和切割带的热收縮。由此，无需在DAF的冷却后为了进行切割带的热收缩而移动地点。
如以下说明那样，本实施方式为了保持切割带S的扩张状态，不使用辅助环，而使用晶片罩20和光加热装置22，通过选择性地对切割带S的松弛的部分加热而使其张紧，由此保持切割带S的扩张状态。晶片罩20具有有底的高度低的圆筒形状，其由底面20a和侧面20b构成，底面20a形成得比半导体晶片W大ー圏。此外，晶片罩20设置成能够通过罩升降机构21而进行升降，在下降的位置，其覆盖半导体晶片W。另ー方面，晶片罩20的侧面20b的前端面与上升后的顶起用环12的如端面对合，由此半导体晶片W被晶片罩20完全S闭。光加热装置22在晶片罩20的外侧配置在対称的位置，能够通过晶片罩20和加热器升降机构23进行升降，如在后详细叙述那样，其在下降的位置选择性地对切割带S的周边部进行加热。在图中，光加热装置22在エ件2的直径方向的对称位置配置有2个，但光加热装置22的个数不局限于2个。例如，也可以在晶片罩20的周围以90度的间隔配置4个。以下，沿着图9的流程图说明本实施方式的作用。首先，在图9的步骤S200中，如图6所示，通过框架固定机构18将在半导体晶片W的背面经由DAF(D)粘接有切割带S的エ件2的框架F固定。然后，配置成半导体晶片W所存在的区域位于冷冻吸盘10上。需要说明的是，如图28所示，在半导体晶片W的内部预先通过激光照射等形成有格子状的预定分离线。接下来，在图9的步骤S210中，冷冻吸盘10通过真空吸附来吸附エ件2的背面而使其与冷冻吸盘10的表面可靠地接触，通过热传递冷却粘接在エ件2上的DAF (D)。冷冻吸盘10真空吸附エ件2规定时间，在将DAF(D)冷却得脆性化后解除真空吸附。接下来，在图9的步骤S220中，如图10所示，通过环升降机构16使顶起用环12上升，从而使切割带S扩展。此时的顶起用环12的推起与上述的实施方式同样地，例如以400mm/sec的速度将切割带S推起至15mm的高度。由此，切割带S从エ件2的中心呈放射状地扩张，半导体晶片W沿着预定分离线与DAF(D) 一起分割成各芯片T。接下来，在图9的步骤S230中，如图11所示，分别通过罩升降机构21及加热器升降机构23使晶片罩20及光加热装置22下降，由晶片罩20将エ件2的半导体晶片W的部分覆盖。此时，如图11所示，使晶片罩20的侧面20b的前端面与顶起用环12的前端面对合，在晶片罩20与顶起用环12之间把持切割带S。
在该晶片罩20与顶起用环12之间把持切割带S的力例如为40kgf左右。接下来，在图9的步骤S240中，如图12所示，在保持在晶片罩20与顶起用环12之间把持切割带S的状态下使晶片罩20与顶起用环12下降到半导体晶片W的下侧的切割带S的背面与冷冻吸盘10的上表面接触位置。由此，切割带S的、由晶片罩20和顶起用环12把持的部分的周边部弛缓，产生松弛部。需要说明的是，此时，在晶片罩20与顶起用环12之间把持切割带S的力維持40kgf。接下来，在图9的步骤S250中，如图13所示，利用光加热装置22仅对通过使晶片罩20和顶起用环12的各前端面对合而把持的部分外侧的弛缓了的切割带S的部分照射聚光而选择性地加热。此时，若粘贴有エ件的DAF(D)的区域也同时被加热，则DAF⑶可能熔 化而芯片T间的间隙消失，因此需要选择性地只对切割带S的粘贴有エ件的区域以外的松弛的部分加热。通过该加热使松弛了的切割带S张紧，松弛逐渐消除。需要说明的是，例如光加热装置22分别为100W，对直径20mm的范围照射光。晶片罩20与顶起用环12之间的把持力也维持40kgf。另外，此时，在接通光加热装置22而其加热状态稳定后(约2秒后)，优选使光加热装置22在晶片罩20的周围按照一定的周期以规定速度旋转，以避免仅从固定的一定位置进行加热从而在切割带S的张紧状态中产生差异。如此，通过使光加热装置22在晶片罩20的周围按照一定的周期进行旋转从而从各个方向进行加热，由此能够防止在切割带S的张紧状态中产生差异。需要说明的是，在使光加热装置22旋转时，加热器升降机构23不仅仅使光加热装置22升降，还可以具备使光加热装置22按照一定的周期旋转的加热器旋转机构的功能。在此，对光加热装置22的控制方法详细地进行说明。图14中用俯视图示出光加热装置22与切割带S的位置关系的一例。光加热装置22为聚光式的卤钨灯加热器。在图14所示的例中，在切割带S的周围等间隔对称地配置有4个光加热装置22。需要说明的是，在图14中省略了半导体晶片W和框架F等，仅在中央表示一个芯片T。在图14的例中，芯片T为大致正方形，各光加热装置22分别配置在与芯片T的各边对置的位置。若在该位置接通各光加热装置22的电源，则由热收缩性的材料形成的切割带S被加热而如图中箭头J所示那样收缩。其结果是，芯片T被向X方向及Y方向拉伸。在此，例如，切割带S难以沿图中X方向(横向)收缩，而容易沿Y方向(纵向)收缩。为了消除这样的收缩各向异性，对配置在难以收缩的X方向上的光加热装置22设定比配置在容易收缩的Y方向上的光加热装置22(对卤钨灯加热器)高的施加电压。由此，切割带S在纵向及横向上均等地收缩，各芯片T均等地被向外周方向拉伸，因此不会发生芯片T彼此粘在一起或排列偏移。此外，此时，如图中箭头K所示，通过加热器升降机构23使光加热装置(聚光式的卤钨灯加热器)22在切割带S的周围旋转扫描。图15中示出使光加热装置22旋转扫描的情況。首先，在图15中符号I所示的位置将光加热装置22 (图15中省略图示)的电源接通而进行加热。此时，如上所述，由于切割带S难以沿X方向(横向)收缩而容易沿Y方向(纵向)收缩，因此位于图中符号H的位置的光加热装置22的施加电压设定为比位于符号L的位置的光加热装置22的施加电压高。接下来，断开光加热装置22的电源或者施加不有助于加热的电压，并通过加热器升降机构23使光加热装置22旋转45度而到达符号I的正中间的位置即符号2的位置。接下来，在符号2的位置再次接通光加热装置22的电源而对切割带S进行加热。在该符号2的位置，由于为X方向与Y方向的中间的方向，因此对全部光加热装置22的施加电压相等。如此，能够使切割带S相对于横向、纵向及斜向所有的方向均等地收缩。需要说明的是，光加热装置22的个数并不局限于本例中的4个，也可以在图14所示的4个光加热装置22之间各追加I个光加热装置而具备8个光加热装置22。图16中示出具备8个光加热装置的示例。在图16所示的示例中，相对于图14的4个光加热装置22在各光加热装置22之间各配置I个光加热装置22，总计8个光加热装置22等间隔地配置在切割带S的周围。此时同样地，8个光加热装置22在加热器升降机构23的作用下能够相对于切割带S进行升降且能够在其周围旋转扫描。图17示出使8个光加热装置22旋转扫描的情況。例如，8个光加热装置22首先在图17的符号I的位置对切割带S的周边部进行加热。接下来，如图17中箭头K所示，通过加热器升降机构23使光加热装置22仅旋转22. 5度(360度+8 + 2)而到达符号2的位置。在该旋转中，光加热装置22的电源断开或者施加不有助于加热的程度的电压。然后，接着在图17的符号2的位置对切割带S的周边部进行加热。需要说明的是，此时，与上述示例同样地，在切割带S在相对于芯片T示出的X方向(横向)上的收缩比在Y方向(纵向)上的收缩难时，对处于图中虚线所示的范围H处的光加热装置22施加比处于图中虚线所示的范围L处的光加热装置22高的施加电压。需要说明的是，光加热装置22的个数不局限于上述示例中的4个或8个，只要至少为4个以上且能够沿着切割带S的外周等间隔地对称配置即可。例如，6个光加热装置也可以沿着切割带S的外周等间隔地对称配置，因此也可以为6个。此外，也可以在图14的4个光加热装置22之间各增加2个光加热装置而构成为12个，也可以在图14的4个光加热装置22之间各增加3个光加热装置而构成为16个。如此，光加热装置22的个数优选为4的倍数。如此，将至少4个以上的光加热装置在切割带S的周围均等配置，在切割带S难以收缩的方向上，提高对光加热装置的施加电压而进行加热，并反复进行基于光加热装置的加热和规定角度的旋转，由此能够使切割带S在横向、纵向及斜向全部的方向上均等地收 縮。需要说明的是，在此，如图16所示那样沿着切割带S的周围等间隔地配置有8个光加热装置22。此外，与图16的示例同样地，切割带S在相对于芯片T示出的X方向(横向)上比在Y方向(纵向)上难以收缩。接下来，在图17的符号I所示的位置，接通8个光加热装置122的电源而对切割带S的松弛的外周部加热。此时，将在图17中由虚线H围成的区域中的光加热装置22的施加电压设定成比由虚线L围成的区域中的光加热装置22的施加电压高。由此，能够使切割带S在难以收缩的横向(X方向)上与在容易收缩的方向(Y方向)上同样地收缩，能够抑制收缩的各向异性。接下来，断 开光加热装置22的电源或施加不有助于加热的电压而如图17中箭头K所示那样通过加热器升降机构23使光加热装置22旋转至符号2所示的位置。接下来，在图17的符号2的位置接通光加热装置22的电源而对切割带S的外周部进行加热。此时，将图17中由虚线H围成的区域中的光加热装置22的施加电压设定成比由虚线L围成的区域中的光加热装置22的施加电压高。然后，断开光加热装置22的电源而通过加热器升降机构23使光加热装置22上升至待机位置。然后，最后，使晶片罩20与光加热装置22同样地上升至待机位置，并使顶起用环12也下降至待机位置而解除切割带S的扩张。然后，拆下框架F而将エ件向下一エ序输送。然后，在样本芯片的检查结束前保管在规定的地点。通过如上述那样利用光加热装置选择性地仅对切割带S的松弛部分均等加热，由此切割带S在所有方向上均等收缩，能够维持分割后的各芯片T的间隔及排列。由此，即使将拾取了样本芯片的エ件从芯片焊接装置取下进行保管直至样本芯片的检查结束，由于切割带S維持扩张状态，因此不会发生扩张后的切割带S再次复原而芯片T的间隔变窄使得芯片彼此接触的情況。此外，对光加热装置沿着切割带S的周围等间隔地配置有8个的情况下的其他加热控制方法进行说明。S卩，例如如图16所示，沿着切割带S的周围等间隔地配置8个作为光加热装置22的聚光式的卤钨灯加热器。但是，此时的芯片T不为图16所示那样的大致正方形，而是图中X方向(横向)与Y方向(纵向)上的长度比(纵横比)为I : 2. 4的纵长的长方形状(參照图19)。各光加热装置22在切割带S的周围以45度的间隔排列。将该45度的间隔8等分，使各光加热装置22沿着切割带S的周围按照5. 6度旋转，每旋转5. 6度就在该位置进行加热。此时，最初，在图18中，对作为光加热装置22的卤钨灯加热器施加的施加电压在左和右位置为12V，在顶和底位置为5V。 如此，在按照5. 6度旋转的同时进行8次加热后，接下来，从自最初的位置偏移5. 6度的一半的2. 8度的位置开始。这一次对卤钨灯加热器施加的施加电压在左和右的位置为12V，在顶和底的位置为11V。并且，再次在按照5. 6度旋转的同时进行8次加热。如上述那样加热，并对于图18中示出的中央、左、右、顶、底这5个部位在图19示出的5个点对切割带S上的各芯片T的间隔分别沿水平及垂直这2个方向进行了測定。在图20中示出各部位的在每个点的測定結果。观察该结果可知，通过如上述那样进行加热控制，芯片间的间隔在任一部位均为平均20 30左右，没有产生过大的差异。相对于此，为了比较，在图21中示出在不进行上述的加热控制而单纯地从切割带S的整个周围同样地进行加热时的測定結果。观察图21可知，在芯片T的纵横比为I : 2. 4而具有各向异性时，若从全部方向同样地进行加热，则根据切割带S上的部位及方向的不同，芯片间隔平均为从10几至50几而变化较大。如此，通过进行上述那样的加热控制，在芯片为从正方形明显变形后的形状而具有各向异性的情况下，也能够在全部方向使切割带S同样地收縮。此外，在相反地芯片各向相同而不具有各向异性但切割带S侧具有各向异性的情况下，也能够通过上述加热控制方法进行应对。需要说明的是，在上述说明的示例中，光加热装置为聚光式的卤钨灯加热器，但通过设置晶片罩20，也可以使用暖风加热器。即，若从喷嘴等仅对局部区域吹出暖风，则通过晶片罩20能够避免暖风直接进入半导体晶片W的区域，因此能够选择性地仅对切割带S的松弛部进行加热。此外，在本实施方式中，通过基于光加热装置22热辐射进行加热，因此能够仅对切割带S的松弛部分局部地(选择性地)进行加热。并且，尤其在本实施方式中，由于半导体晶片W被晶片罩20覆盖而隔断了热，能够防止由光加热装置22对贴附有エ件的DAF(D)加热，能够进ー步实现基于光加热装置22的局部加热。此外，由于通过晶片罩20和顶起用环12把持切割带S的松弛部分附近，因此通过对松弛的部分加热从而也对晶片罩20和顶起用环12加热，但是，该热通过热传导而经由晶片罩20和顶起用环12逃散。由此，在晶片罩20及顶起用环12的内部包围的贴附有エ件的DAF(D)被隔断了热，从而不会被加热。在这一点上，以往由于利用暖风进行加热，因此通过热对流使整体被加热，由此无法选择性地仅对切割带S的松弛部分进行加热。此外，DAF(D)的冷却也如冷藏库内那样以将单元整体冷却的气氛冷却方式来进行扩展，因此无法选择性地进行冷却，无法使冷却和加热在ー个单元内进行。相对于此，在本实施方式中，对于DAF⑶的冷却也使用通过冷冻吸盘10吸附而使エ件2接触来进行的热传递，因此能够选择性地仅对贴附有エ件的DAF(D)的部分进行冷却。由此，在本实施方式中，能够在ー个单元内进行贴附有エ件的DAF(D)的冷却和贴附有エ件的区域以外的松弛的切割带S的加热。如此对晶片罩20的外周部的切割带S的松弛部分加热后的结果在图22及图23中示出。图22及图23是测定通过光加热装置22选择性地加热后的切割带S进行热收缩时的情况得到的热示踪画面。在图22及图23中，利用聚光式的卤钨灯加热器对晶片罩20的外侧的松弛的切割带S进行局部加热。由此，图中符号A所示的切割带S的加热中心的温度达到140度附近。相对于此，晶片罩20为50度左右，并且框架固定机构(框架按压件)18也为40度左右而温度基本未上升。需要说明的是，图中符号B的部分也达到90度左右，但这是由于来自卤钨灯的正反射光的射入，因此不是正确的測定結果。如此，通过利用聚光式的卤钨灯加热器进行加热，从而可以以仅对切割带S的松弛部分加热而不使其他部分的温度上升的方式选择性地进行加热。接下来，说明上述的利用基于辐射的光加热装置对各带进行的加热收缩实验的结
果O处理时间相对于PO系带设定为标准时间。晶片冷却用20秒从室温进行冷却至-10°c。扩展用3秒使顶起用环上升15mm。使切割带形成松弛的时间为7秒。对于热收、缩，缓慢起动量和光加热装置的移动时间按6秒X 4步骤为24秒+6秒。或者，对于热收缩，缓慢起动量和光加热装置的移动时间按6秒X8步骤为48秒+10秒。此外，切割带的待硬化为30秒，进而加载、卸载、对心等为10秒。以上合计为100秒或128秒。需要说明的是，8步骤为小芯片的情況。此时，光加热装置为聚光式，因此在光照射位置的每单位面积的投入热量多。由此，当然能够使具有热收缩性的PO系的切割带收縮，即使为PVC系的切割带也能够使其收縮。例如，在使用作为上述的リンテック制的PO系的带的D175时，能够使其沿带的辊卷方向(MD)扩张5mm而沿宽度方向(TD)扩张3mm。如此，在将切割带S加热规定时间而使切割带S张紧来消除松弛后，停止基于光加热装置22进行的加热(光加热装置22的旋转)。此时，在切割带S硬化前，通过晶片罩20和顶起用环12继续把持切割带S约30秒左右。最后，在图9的步骤S260中，如图24所示，使晶片罩20 (和光加热装置22)上升并使顶起用环12下降，解除切割带S的把持。需要说明的是，在此期间，也可以通过基于冷冻吸盘10的真空吸附而冷却热收缩部从而促进硬化。通过这样利用冷冻吸盘10真空吸附切割带S而将其冷却，从而能够带走切割带S的外周部的被加热了的部分的热，由此与放置在通常室温中相比能够以短时间使切割带S硬化。然后，在利用冷冻吸盘10进行了真空吸附后，将真空吸附也停止。如此，能够在充分维持各芯片T的间隔的同时制造在周围的切割带S中不存在松弛的エ件2。在图25中示出如此制造出的热收缩处理后的エ件的照片。图25是从带背侧拍摄到的照片，但能够清楚地确认出在晶片内纵横形成有白色的间隙，可以明确維持了各芯片分离的状态。相对于此，在如以往那样使冷却、扩张单元和热收缩単元为分开的单元而需要在各单元间输送エ件的情况下，松弛的切割带垂下很多而成为不稳定的状态。于是，如图26中用剖视图所示那样，在切割带S上与DAF(D) —起单片化的芯片T的上表面彼此相互接触。如此，若相邻的芯片间的间隙消失，则在此后的エ序中发生芯片的破损等而招致品质下降。然而，根据本实施方式，如图25所示，在热收缩处理后維持单片化的各芯片分离的状态，不会产生芯片的品质下降或材料利用率降低的情況。在以上说明的第二实施方式中，通过晶片罩覆盖エ件2的半导体晶片W的部分而隔断来自加热机构即光加热装置22的热，而由于光加热装置22能够以聚光的方式施加热从而选择性地进行加热，因此优选利用晶片罩隔断热，但并非必须通过晶片罩进行隔断。因此，作为第二实施方式的变形例，也可以考虑使用从第二实施方式省略了晶片罩20的使用的结构。以下，沿着图27的流程图对这样的变形例的动作进行说明。作为エ件分割装置为从图6所示的第二实施方式的装置结构除去晶片罩20的结构或装置结构相同而仅未使用晶片罩20的结构。
首先，在图27的步骤S300中，通过框架固定机构18将在半导体晶片W的背面经由DAF(D)粘接有切割带S的エ件2的框架F固定。然后，配置成半导体晶片W所存在的区域位于冷冻吸盘10上接下来，在图27的步骤S310中，通过冷冻吸盘10利用真空吸附来吸附エ件2的背面而使其与冷冻吸盘10的表面可靠地接触，由此通过热传递冷却エ件2。接下来，在图27的步骤S320中，通过环升降机构16使顶起用环12上升而扩展切割带S。接下来，在图27的步骤S330中，使顶起用环12下降至半导体晶片W的下侧的切割带S的背面与冷冻吸盘10的上表面接触的位置。由此，切割带S的周边部弛缓而产生松弛部。接下来，在图27的步骤S340中，利用光加热装置22仅对顶起用环12的外侧的弛缓的切割带S部分照射聚光而选择性地进行加热。由此，切割带S的松弛部分通过热而张紧，从而消除松弛。另外，此时，对切割带S的弛缓的部分施加的热也要向切割带S的其他部分传导，但由于热通过热传递而经由与切割带S接触的顶起用环12逃散，因此热不易向DAF(D)的区域传递。此外，此时，切割带为高分子而热传导率低，相对于此，顶起用环由金属等形成，因此热容易直接向顶起用环传递，此外，顶起用环设定为热传导率比切割带的热传导率高即可，尤其使得不会向DAF传热。需要说明的是，此时，也可以通过冷冻吸盘10将DAF(D)的区域同时冷却。最后，在图27的步骤S350中，使顶起用环12下降而向下降位置(待机位置)移动。需要说明的是，在此期间，也可以通过利用冷冻吸盘10进行的真空吸附而冷却热收缩部，从而促进松弛的切割带S的硬化。通过这样利用冷冻吸盘10进行真空吸附而冷却，从而带走切割带S的外周部的被加热了的部分的热，由此与放置在通常室温中相比能够以短时间使切割带S硬化。由此，形成充分确保芯片间隔的エ件，接下来的エ序中的处理变得容易。以上，对本发明的エ件分割装置及エ件分割方法详细地进行了说明，但本发明不局限于以上的示例，在不脱离本发明的主g的范围内，当然可以进行各种改良或变形。例如，切割带被照射光的区域不超过能够视觉确认照射有光的区域，但即使利用红外线等无法视觉确认照射范围，只要在处于DAF所存在的晶片区域被充分局部冷却的状态的前提下能够将外周的切割带的规定范围相对地局部加热即可。例如，只要在晶片区域使用基于冷冻吸盘的热传递，外周部为基于红外线的辐射现象或对流现象产生的热供给也可以。需要说明的是，关于冷冻吸盘也同样，可以不具有利用珀耳帖元件进行的冷冻功能，而例如在事前冷却晶片内表面，并将该冷却后的状态的晶片吸附在单纯的热容量大的金属制的吸盘或多孔陶瓷的吸盘上而维持该事前的冷却状态，只要与切割带的外周区域相比能够确保充分的温度差，则其实质上从相対的角度来说可以看作冷冻吸盘。此外，只要通过顶起用环将热区域区分为晶片范围区域和切割带的外周区域，在晶片范围形成冷却状态且在同一地点在切割带外周部形成加热状态即可。
权利要求
1.一种エ件分割装置，将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其特征在于，具备 由具有预定分离线的半导体晶片构成的エ件； 选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却； エ件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割； 选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛。
2.根据权利要求I所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性冷却机构是与经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却的冷却机构。
3.根据权利要求2所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性冷却机构是冷冻吸盘。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述エ件分割机构是从所述切割带的外周支承部相对地推起冷却后的所述エ件的外周部而进行扩展的顶起用环。
5.根据权利要求I至3中任一项所述的エ件分割装置，其特征在干， 还具备晶片罩，其具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域，配置成能够升降，并且在下降时覆盖所述エ件， 所述选择性加热机构在该晶片罩的周围配置成能够升降。
6.根据权利要求5所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述エ件分割机构是从所述切割带的外周支承部相对地推起冷却后的所述エ件的外周部而进行扩展的顶起用环， 在所述晶片罩下降而覆盖所述エ件吋，该晶片罩的侧部的前端面与进行着扩展的所述顶起用环的前端面对合而将所述エ件密闭在所述晶片罩的内部。
7.根据权利要求5所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性加热机构配置成能够以一定的周期在覆盖所述エ件的晶片罩的周围旋转。
8.根据权利要求I至3中任一项所述的エ件分割装置，其特征在干， 所述选择性加热机构是通过光的辐射选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热的光加热机构。
9.一种エ件分割方法，将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的エ件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片，其特征在于，具有 选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述エ件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却的选择性冷却エ序； 在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述エ件及所述芯片粘接膜分割的エ件分割エ序； 选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛的选择性加热エ序。
10.根据权利要求9所述的エ件分割方法，其特征在干， 在所述选择性冷却エ序中，使冷却机构与经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的所述切割带接触而利用热传递进行冷却。
11.根据权利要求9或10所述的エ件分割方法，其特征在干， 在所述エ件分割エ序中，利用顶起用环从所述切割带的外周支承部相对地推起冷却后的所述エ件的外周部而进行扩展。
12.根据权利要求11所述的エ件分割方法，其特征在干，还具有エ件覆盖エ序，在该エ件覆盖エ序中，设置具有有底的圆筒形状以覆盖扩展后的所述エ件的区域且配置成能够升降的晶片罩，在该晶片罩下降时使所述圆筒形状的前端面与进行着扩展的所述顶起用环的前端面对合，从而将所述エ件密闭在该晶片罩的内部，在所述选择性加热エ序中，选择性地对覆盖所述エ件的所述晶片罩的周围进行加热。
13.根据权利要求9或10所述的エ件分割方法，其特征在干， 在所述选择性加热エ序中，通过光的辐射选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述エ件的区域以外的部分进行加热。
全文摘要
本发明提供一种防止切割带的松弛导致的芯片的品质降低等的工件分割装置及工件分割方法。在将经由芯片粘接膜贴附在切割带上的工件沿着预先形成的预定分离线分割成各个芯片的工件分割装置中，具备工件，其由具有预定分离线的半导体晶片构成；选择性冷却机构，其选择性地对包括贴附在所述芯片粘接膜上的所述工件的预定分离线的所述芯片粘接膜的区域进行冷却；工件分割机构，其在进行所述冷却后使所述切割带扩展而将所述工件及所述芯片粘接膜分割；选择性加热机构，其选择性地对所述切割带的经由所述芯片粘接膜贴附有所述工件的区域以外的部分进行加热，从而消除所述切割带的因所述扩展引起的松弛。
文档编号H01L21/301GK102646584SQ20121003106
公开日2012年8月22日 申请日期2012年2月13日 优先权日2011年2月16日
发明者小岛恒郎, 清水翼, 藤田隆 申请人:株式会社东京精密